CN206685399U - 一种晶体硅太阳能电池组件 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种晶体硅太阳能电池组件,其特征在于,包括晶体硅片、正面栅线和背面电极,所述正面栅线设置与晶体硅片的正面,所述背面电极设置与晶体硅片的背面,所述正面栅线包括三条主栅线和若干条副栅线,所述主栅线相互等间距平行设于晶体硅片的正面,所述副栅线与主栅线垂直且连接在一起,所述主栅线上设有若干个主栅网格,所述主栅网格等间距分布在主栅线上,所述主栅线的宽度为主栅网格的两倍。本实用新型一种晶体硅太阳能电池组件通过在主栅线上设置主栅网格,并且将主栅网格的宽度设置为主栅线宽度的50%,不增加制造成本,极大提高了太阳能电池片转换效率,而且本晶体硅太阳能电池组件结构简单,适用于工业生产。
Description
技术领域
本实用新型属于太阳能光伏发电技术领域,具体涉及一种晶体硅太阳能电池组件。
背景技术
太阳能主要是指太阳的热辐射能,是由太阳内部氢原子发生氢氦聚变而释放出的核能产生的。太阳能是取之不尽、用之不竭的可再生能源,且能用安全环保、能量巨大,其光伏发电就是利用这一理想的能源展开的。我国与其他国家相比,凭借这广阔土地,具有一定的光伏发电的优势,对此太阳能光伏发电是我国未来电力发展的主要研究对象,为我国和世界的环境保护迈出了关键性的一步。太阳能自身具备一定的普遍、无害、无污染、能源最大、长久的优点。
现有技术中晶体硅太阳能电池组件采用两主栅或三主栅结构,通常主栅宽度在1.5mm到1.8mm,但这种栅线设计已经无法与日益升高的扩散方阻相匹配,成为提高太阳能电池片效率的瓶颈。除此之外,印刷电极时需要贵重金属作为导电浆料,主栅线和副栅线覆盖在硅片上的面积较大也必然使得导电浆料的使用增加,因此,致使晶体硅太阳能电池组件的制作成本较高。如何设计一种既能提高太阳能电池片转换效率,又能保持较低成本的晶体硅太阳能电池组件是目前需要解决的问题。
实用新型内容
本实用新型为解决公知技术中存在的技术问题而提供一种太阳能电池片转换效率,制造成本低廉的一种晶体硅太阳能电池组件。
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了如下的技术方案:
一种晶体硅太阳能电池组件,其特征在于,包括晶体硅片、正面栅线和背面电极,所述正面栅线设置与晶体硅片的的正面,所述背面电极设置与晶体硅片的背面,所述正面栅线包括三条主栅线和若干条副栅线,所述主栅线相互等间距平行设于晶体硅片的正面,所述副栅线与主栅线垂直且连接在一起,所述主栅线上设有若干个主栅网格,所述主栅网格等间距分布在主栅线上,所述主栅线的宽度为主栅网格的两倍。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述主栅线的宽度为12-18mm。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述主栅网格的宽度为6-9mm。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述晶体硅片为单晶体硅片或多晶体硅片。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述主栅网格的形状为正方形或长方形。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述每个主栅线上主栅网格的数量为5-10个。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述副栅线之间设有ZnO透明导电薄膜。
本实用新型具有的优点和积极效果是:
1、本实用新型一种晶体硅太阳能电池组件通过在主栅线上设置主栅网格,并且将主栅网格的宽度设置为主栅线宽度的50%,不增加晶体硅太阳能电池组件的制造成本,极大提高了太阳能电池片转换效率,本晶体硅太阳能电池组件结构简单,适用于工业生产,且具有良好的可操作性、实用性,适于推广应用。
2、本实用新型在副栅线之间设有ZnO透明导电薄膜,借助ZnO透明导电薄膜的高透光率和低电阻率,在保证正面透光率基本不变的情况下,降低晶体硅太阳能电池组件的正面电极电阻,从而降低电池的串联电阻,提高电流密度,提升电池转换效率。
附图说明
图1是本实用新型一种晶体硅太阳能电池组件的主视结构示意图。
图中:晶体硅片1、主栅线2、主栅网格3、副栅线4。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
为能进一步了解本实用新型的发明内容、特点及功效,兹例举以下实施例,并配合附图详细说明如下。
实施例1
下面结合图1对本实用新型一种晶体硅太阳能电池组件的结构作详细的描述。
如图1所示,本实用新型一种晶体硅太阳能电池组件,包括晶体硅片1、正面栅线和背面电极,正面栅线设置与晶体硅片1的的正面,背面电极设置与晶体硅片1的背面,正面栅线包括三条主栅线2和若干条副栅线4,主栅线2相互等间距平行设于晶体硅片1的正面,所述副栅线4与主栅线2垂直且连接在一起,主栅线2上设有若干个主栅网格3,主栅网格3等间距分布在主栅线2上,主栅线2的宽度为主栅网格3的两倍,主栅线2的宽度为18mm,所述主栅网格3的宽度为9mm,所述晶体硅片1为单晶体硅片,主栅网格3的形状为长方形,每个主栅线2上主栅网格3的数量为6个,副栅线4之间设有ZnO透明导电薄膜。本实用新 型晶体硅太阳能电池组件通过在主栅线上设置主栅网格,并且将主栅网格的宽度设置为主栅线宽度的50%,不增加晶体硅太阳能电池组件的制造成本,极大提高了太阳能电池片转换效率。并且在副栅线之间设有ZnO透明导电薄膜,借助ZnO透明导电薄膜的高透光率和低电阻率,在保证正面透光率基本不变的情况下,降低晶体硅太阳能电池组件的正面电极电阻,从而降低电池的串联电阻,提高电流密度,提升电池转换效率。
对于本领域技术人员而言,显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
Claims (7)
1.一种晶体硅太阳能电池组件,其特征在于,包括晶体硅片(1)、正面栅线和背面电极,所述正面栅线设置与晶体硅片(1)的正面,所述背面电极设置与晶体硅片(1)的背面,所述正面栅线包括三条主栅线(2)和若干条副栅线(4),所述主栅线(2)相互等间距平行设于晶体硅片(1)的正面,所述副栅线(4)与主栅线(2)垂直且连接在一起,所述主栅线(2)上设有若干个主栅网格(3),所述主栅网格(3)等间距分布在主栅线(2)上,所述主栅线(2)的宽度为主栅网格(3)的两倍。
2.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池组件,其特征在于,所述主栅线(2)的宽度为12-18mm。
3.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池组件,其特征在于,所述主栅网格(3)的宽度为6-9mm。
4.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池组件,其特征在于,所述晶体硅片(1)为单晶体硅片或多晶体硅片。
5.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池组件,其特征在于,所述主栅网格(3)的形状为正方形或长方形。
6.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池组件,其特征在于,所述主栅线(2)上主栅网格(3)的数量为5-10个。
7.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池组件,其特征在于,所述副栅线(4)之间设有ZnO透明导电薄膜。
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Cited By (1)
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CN110137289A (zh) * | 2018-02-08 | 2019-08-16 | 国家电投集团科学技术研究院有限公司 | 硅异质结太阳电池的金属栅线电极和硅异质结太阳电池 |
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CN110137289B (zh) * | 2018-02-08 | 2024-05-10 | 国家电投集团新能源科技有限公司 | 硅异质结太阳电池的金属栅线电极和硅异质结太阳电池 |
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