CN104779321A - 一种提高线痕电池片合格率的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种提高线痕电池片合格率的方法,在制备工艺过程的各步骤中始终保持电池片的线痕沿特定的方向,保持线痕方向与副栅线方向平行,避免粗点及其他缺陷的产生。通过本发明提供的方法能够大大提高现有的硅料切割工艺切割的硅片的良品率和效率,无额外生产成本产生。

Description

一种提高线痕电池片合格率的方法
技术领域
本发明涉及晶体硅太阳能电池片的制备方法,尤其涉及一种提高电池片合格率的方法。
背景技术
近年来,太阳能电池片生产技术不断进步,生产成本不断降低,转换效率不断提高,使光伏发电的应用日益普及并迅猛发展,逐渐成为电力供应的重要来源。太阳能电池片是一种能力转换的光电元件,它可以在太阳光的照射下,把光能转换为电能,实现光伏发电。太阳能电池片的生产工艺比较复杂,简单说来,目前的太阳能电池片的生产过程可以分为以下几个主要步骤:1、清洗制作绒面;2、扩散制作PN结;3、背腐蚀去磷硅玻璃;4、PECVD镀膜;5、丝网印刷电极烧结;6、测试包装。
因为多晶硅电池的制造成本低于单晶硅电池,所以现在市场上的太阳能电池大部分是多晶硅电池。硅料在切割成硅片过程中,由于切割工艺的异常,会使得生产出来的硅片表面有高低不平的线痕。现有技术生产线痕硅片的时候,如果线痕方向与副栅线垂直,则电池片印刷时线痕位置会因为硅片表面的不平整,导致印刷出现一排粗点或断线等缺陷,电池片一定放入B等级。如果线痕方向与副栅线平行,线痕避过了副栅线的印刷的电池片可以放入A等级,线痕没有避过副栅线的印刷的电池片则放入B等级。电池片的A等级产率较低,产品良品率不高。
发明内容
本发明为了解决现有技术中的不足而提供一种提高线痕电池片合格率的方法,在不改变现有生产工艺及生产线的前提下,大大提高产品等级及合格率。
为达到上述目的,本发明采用的技术方案为:
一种提高线痕电池片合格率的方法,包括:
步骤S1,表面制绒,对硅片表面进行预清洗,随后进行制绒,在制绒时硅片的线痕方向与RENA InTex的滚轮平行;
步骤S2,扩散制结,将制绒后的硅片的线痕方向与石墨舟的开口方向平行,在硅片表面形成PN结;
步骤S3,背腐蚀去磷硅玻璃,制作时将硅片的线痕方向与RENA InOxSide的滚轮平行;
步骤S4,PECVD镀膜,硅片的线痕方向与石墨舟的开口方向平行;
步骤S5,丝网印刷电极烧结,硅片的线痕方向与正面副栅线方向平行。通过在制作过程的各步骤中调整硅片的方向,让硅片的线痕方向与设备的某些结构平行,通过调整硅片的方向,大大提高了产品等级及合格率。本发明操作简单、方便,其产业化生产与传统生产方式相比并无额外生产成本产生。
作为本发明所述的提高线痕电池片合格率的方法的一种优选方案,在步骤S1表面制绒前增加一个准备流程,将带有线痕的硅片按照线痕方向统一放置。
附图说明
图1为现有技术及使用本发明所述的方法后产品外观检B等线痕比例。
具体实施方式
实施例1
本发明提供了一种提高线痕电池片合格率的方法,首先准备站拆包,将每箱硅片进行拆包,拆包后将硅片沿统一方向放入承片盒内,然后将承片盒中的硅片放入清洗设备中,本实施例中的清洗设备为链式清洗设备,对硅片表面进行预清洗,随后进行制绒,在制绒时硅片的线痕方向与RENA InTex的滚轮平行,清洗好的硅片沿统一顺序放入承片盒中。将承片盒中的硅片拿出插入石墨舟中,硅片的线痕方向与石墨舟的开口方向平行,使用管式扩散炉扩散,在硅片表面形成PN结,扩散后将石墨舟中的硅片沿统一方向放入承片盒中。然后将承片盒中硅片放入去磷硅玻璃设备中,制作时将硅片的线痕方向与RENAInOxSide的滚轮平行,清洗好的硅片沿统一方向放入承片盒中;清洗好的硅片放入承片盒中,然后将承片盒中的硅片用吸笔插入石墨舟中,将石墨舟放入炉内进行PECVD,结束后将硅片进行丝网印刷电极烧结,硅片的线痕方向与正面副栅线方向平行。图1为现有技术及使用本发明所述的方法后产品外观检B等线痕比例,图中14周之前为用现有技术制作的电池片外观检B等线痕比例,从14中开始为使用本发明所述的方法制备的电池片外观检B等线痕比例,从图中看出,从14周开始,B等品线痕比例下降近50%,但由于习惯问题仍没有降至最低点,在持续的纠正与改善中,降到3.12%。
虽然说明书中对本发明的实施方式进行了说明,但这些实施方式只是作为提示,不应限定本发明的保护范围。在不脱离本发明宗旨的范围内进行各种省略、置换和变更均应包含在本发明的保护范围内。

Claims (2)

1.一种提高线痕电池片合格率的方法,其特征在于,包括:
步骤S1,表面制绒,对硅片表面进行预清洗,随后进行制绒,在制绒时硅片的线痕方向与RENA InTex的滚轮平行;
步骤S2,扩散制结,将制绒后的硅片的线痕方向与石墨舟的开口方向平行,在硅片表面形成PN结;
步骤S3,背腐蚀去磷硅玻璃,制作时将硅片的线痕方向与RENA InOxSide的滚轮平行;
步骤S4,PECVD镀膜,硅片的线痕方向与石墨舟的开口方向平行;
步骤S5,丝网印刷电极烧结,硅片的线痕方向与正面副栅线方向平行。
2.根据权利要求1所述的提高线痕电池片合格率的方法,其特征在于:在步骤S1表面制绒前增加一个准备流程,将带有线痕的硅片按照线痕方向统一放置。
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