CN104779321A - 一种提高线痕电池片合格率的方法 - Google Patents
一种提高线痕电池片合格率的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104779321A CN104779321A CN201510150650.9A CN201510150650A CN104779321A CN 104779321 A CN104779321 A CN 104779321A CN 201510150650 A CN201510150650 A CN 201510150650A CN 104779321 A CN104779321 A CN 104779321A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- stria
- silicon chip
- parallel
- wool
- cell piece
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 44
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 44
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 44
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 16
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 claims description 12
- 238000012797 qualification Methods 0.000 claims description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 9
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 claims description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 6
- 241000084978 Rena Species 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种提高线痕电池片合格率的方法,在制备工艺过程的各步骤中始终保持电池片的线痕沿特定的方向,保持线痕方向与副栅线方向平行,避免粗点及其他缺陷的产生。通过本发明提供的方法能够大大提高现有的硅料切割工艺切割的硅片的良品率和效率,无额外生产成本产生。
Description
技术领域
本发明涉及晶体硅太阳能电池片的制备方法,尤其涉及一种提高电池片合格率的方法。
背景技术
近年来,太阳能电池片生产技术不断进步,生产成本不断降低,转换效率不断提高,使光伏发电的应用日益普及并迅猛发展,逐渐成为电力供应的重要来源。太阳能电池片是一种能力转换的光电元件,它可以在太阳光的照射下,把光能转换为电能,实现光伏发电。太阳能电池片的生产工艺比较复杂,简单说来,目前的太阳能电池片的生产过程可以分为以下几个主要步骤:1、清洗制作绒面;2、扩散制作PN结;3、背腐蚀去磷硅玻璃;4、PECVD镀膜;5、丝网印刷电极烧结;6、测试包装。
因为多晶硅电池的制造成本低于单晶硅电池,所以现在市场上的太阳能电池大部分是多晶硅电池。硅料在切割成硅片过程中,由于切割工艺的异常,会使得生产出来的硅片表面有高低不平的线痕。现有技术生产线痕硅片的时候,如果线痕方向与副栅线垂直,则电池片印刷时线痕位置会因为硅片表面的不平整,导致印刷出现一排粗点或断线等缺陷,电池片一定放入B等级。如果线痕方向与副栅线平行,线痕避过了副栅线的印刷的电池片可以放入A等级,线痕没有避过副栅线的印刷的电池片则放入B等级。电池片的A等级产率较低,产品良品率不高。
发明内容
本发明为了解决现有技术中的不足而提供一种提高线痕电池片合格率的方法,在不改变现有生产工艺及生产线的前提下,大大提高产品等级及合格率。
为达到上述目的,本发明采用的技术方案为:
一种提高线痕电池片合格率的方法,包括:
步骤S1,表面制绒,对硅片表面进行预清洗,随后进行制绒,在制绒时硅片的线痕方向与RENA InTex的滚轮平行;
步骤S2,扩散制结,将制绒后的硅片的线痕方向与石墨舟的开口方向平行,在硅片表面形成PN结;
步骤S3,背腐蚀去磷硅玻璃,制作时将硅片的线痕方向与RENA InOxSide的滚轮平行;
步骤S4,PECVD镀膜,硅片的线痕方向与石墨舟的开口方向平行;
步骤S5,丝网印刷电极烧结,硅片的线痕方向与正面副栅线方向平行。通过在制作过程的各步骤中调整硅片的方向,让硅片的线痕方向与设备的某些结构平行,通过调整硅片的方向,大大提高了产品等级及合格率。本发明操作简单、方便,其产业化生产与传统生产方式相比并无额外生产成本产生。
作为本发明所述的提高线痕电池片合格率的方法的一种优选方案,在步骤S1表面制绒前增加一个准备流程,将带有线痕的硅片按照线痕方向统一放置。
附图说明
图1为现有技术及使用本发明所述的方法后产品外观检B等线痕比例。
具体实施方式
实施例1
本发明提供了一种提高线痕电池片合格率的方法,首先准备站拆包,将每箱硅片进行拆包,拆包后将硅片沿统一方向放入承片盒内,然后将承片盒中的硅片放入清洗设备中,本实施例中的清洗设备为链式清洗设备,对硅片表面进行预清洗,随后进行制绒,在制绒时硅片的线痕方向与RENA InTex的滚轮平行,清洗好的硅片沿统一顺序放入承片盒中。将承片盒中的硅片拿出插入石墨舟中,硅片的线痕方向与石墨舟的开口方向平行,使用管式扩散炉扩散,在硅片表面形成PN结,扩散后将石墨舟中的硅片沿统一方向放入承片盒中。然后将承片盒中硅片放入去磷硅玻璃设备中,制作时将硅片的线痕方向与RENAInOxSide的滚轮平行,清洗好的硅片沿统一方向放入承片盒中;清洗好的硅片放入承片盒中,然后将承片盒中的硅片用吸笔插入石墨舟中,将石墨舟放入炉内进行PECVD,结束后将硅片进行丝网印刷电极烧结,硅片的线痕方向与正面副栅线方向平行。图1为现有技术及使用本发明所述的方法后产品外观检B等线痕比例,图中14周之前为用现有技术制作的电池片外观检B等线痕比例,从14中开始为使用本发明所述的方法制备的电池片外观检B等线痕比例,从图中看出,从14周开始,B等品线痕比例下降近50%,但由于习惯问题仍没有降至最低点,在持续的纠正与改善中,降到3.12%。
虽然说明书中对本发明的实施方式进行了说明,但这些实施方式只是作为提示,不应限定本发明的保护范围。在不脱离本发明宗旨的范围内进行各种省略、置换和变更均应包含在本发明的保护范围内。
Claims (2)
1.一种提高线痕电池片合格率的方法,其特征在于,包括:
步骤S1,表面制绒,对硅片表面进行预清洗,随后进行制绒,在制绒时硅片的线痕方向与RENA InTex的滚轮平行;
步骤S2,扩散制结,将制绒后的硅片的线痕方向与石墨舟的开口方向平行,在硅片表面形成PN结;
步骤S3,背腐蚀去磷硅玻璃,制作时将硅片的线痕方向与RENA InOxSide的滚轮平行;
步骤S4,PECVD镀膜,硅片的线痕方向与石墨舟的开口方向平行;
步骤S5,丝网印刷电极烧结,硅片的线痕方向与正面副栅线方向平行。
2.根据权利要求1所述的提高线痕电池片合格率的方法,其特征在于:在步骤S1表面制绒前增加一个准备流程,将带有线痕的硅片按照线痕方向统一放置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510150650.9A CN104779321B (zh) | 2015-03-31 | 2015-03-31 | 一种提高线痕电池片合格率的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510150650.9A CN104779321B (zh) | 2015-03-31 | 2015-03-31 | 一种提高线痕电池片合格率的方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104779321A true CN104779321A (zh) | 2015-07-15 |
CN104779321B CN104779321B (zh) | 2017-06-13 |
Family
ID=53620681
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510150650.9A Active CN104779321B (zh) | 2015-03-31 | 2015-03-31 | 一种提高线痕电池片合格率的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN104779321B (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107195705A (zh) * | 2017-06-16 | 2017-09-22 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种太阳能电池的制备方法 |
CN112635590A (zh) * | 2020-12-18 | 2021-04-09 | 晶澳太阳能有限公司 | 一种高效单晶硅se-perc电池片的制备方法 |
CN115995505A (zh) * | 2022-02-09 | 2023-04-21 | 天合光能股份有限公司 | 一种电池生产工艺、硅片切割装置及电池 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5899704A (en) * | 1995-03-10 | 1999-05-04 | Siemens Aolar Gmbh | Solar cell with a back-surface field method of production |
CN102437241A (zh) * | 2011-12-02 | 2012-05-02 | 百力达太阳能股份有限公司 | 一种消除印刷波浪纹的太阳电池的制备方法 |
CN204144298U (zh) * | 2014-10-09 | 2015-02-04 | 西安黄河光伏科技股份有限公司 | 一种消除晶体硅太阳能电池印刷波浪纹的装置 |
-
2015
- 2015-03-31 CN CN201510150650.9A patent/CN104779321B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5899704A (en) * | 1995-03-10 | 1999-05-04 | Siemens Aolar Gmbh | Solar cell with a back-surface field method of production |
CN102437241A (zh) * | 2011-12-02 | 2012-05-02 | 百力达太阳能股份有限公司 | 一种消除印刷波浪纹的太阳电池的制备方法 |
CN204144298U (zh) * | 2014-10-09 | 2015-02-04 | 西安黄河光伏科技股份有限公司 | 一种消除晶体硅太阳能电池印刷波浪纹的装置 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
高茜等: "浅析多晶硅片线痕对电池的影响", 《轻工标准与质量》 * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107195705A (zh) * | 2017-06-16 | 2017-09-22 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种太阳能电池的制备方法 |
CN112635590A (zh) * | 2020-12-18 | 2021-04-09 | 晶澳太阳能有限公司 | 一种高效单晶硅se-perc电池片的制备方法 |
CN115995505A (zh) * | 2022-02-09 | 2023-04-21 | 天合光能股份有限公司 | 一种电池生产工艺、硅片切割装置及电池 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104779321B (zh) | 2017-06-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Xiao et al. | High-efficiency silicon solar cells—materials and devices physics | |
CN104733555A (zh) | 一种高效n型双面太阳电池及其制备方法 | |
CN106711239A (zh) | Perc太阳能电池的制备方法及其perc太阳能电池 | |
CN102403399A (zh) | 一膜多用的掩膜后制绒太阳能电池的制备方法及其结构 | |
CN102110743A (zh) | 局部激光熔融磷硅玻璃制作选择性发射极太阳电池的方法 | |
CN104835874B (zh) | 一种半电池片光伏组件的制造方法 | |
CN106098860A (zh) | 一种太阳能电池片的生产工艺 | |
CN102623563B (zh) | 一种双面受光型晶体硅太阳电池的制备方法 | |
CN102185033A (zh) | 选择性发射极高效晶体硅太阳能电池的制备工艺 | |
CN102339902A (zh) | 掩膜扩散法制备p型太阳能电池的方法及其结构 | |
CN103646992A (zh) | 一种p型晶体硅双面电池的制备方法 | |
CN102983179A (zh) | 太阳能电池片的上下式电极结构 | |
CN110459638A (zh) | 一种Topcon钝化的IBC电池及其制备方法 | |
CN103594558A (zh) | 一种高效率太阳能电池的制备方法 | |
CN104779321A (zh) | 一种提高线痕电池片合格率的方法 | |
CN102709389B (zh) | 一种双面背接触太阳能电池的制备方法 | |
CN103594530A (zh) | 正面热氧化、选择性发射结与背钝化结合的晶硅太阳能电池及其制造方法 | |
CN106098851A (zh) | 一种晶体硅太阳能电池的分档方法 | |
CN102969368A (zh) | 太阳能电池片的电极结构 | |
CN102790116A (zh) | 倒装GaInP/GaAs/Ge/Ge四结太阳能电池及其制备方法 | |
CN204497251U (zh) | 一种高效n型双面太阳电池 | |
CN104009121B (zh) | P型晶体硅双面刻槽埋栅电池制备方法 | |
CN104505430A (zh) | 一种高效多晶黑硅电池 | |
CN103943693A (zh) | 一种p型硅衬底背面接触式太阳电池结构和制备方法 | |
CN102637770A (zh) | 一种小花篮放置结构及方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 214400 No. 1011 Chengcheng Road, Shengang Town, Jiangyin City, Wuxi City, Jiangsu Province Patentee after: In building materials jetion science and Technology Co Ltd Address before: 214400 No. 1011 Chengcheng Road, Shengang Town, Jiangyin City, Wuxi City, Jiangsu Province Patentee before: China National Building Materials Group Corporation Jetion Solar (China) Co., Ltd. |