CN110289322A - 一种ibc太阳能电池副栅线三次印刷网版结构 - Google Patents
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- 238000007639 printing Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000002905 metal composite material Substances 0.000 abstract description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000003345 natural gas Substances 0.000 description 1
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41F—PRINTING MACHINES OR PRESSES
- B41F15/00—Screen printers
- B41F15/14—Details
- B41F15/34—Screens, Frames; Holders therefor
- B41F15/36—Screens, Frames; Holders therefor flat
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
本发明的目的在于公开一种IBC太阳能电池副栅线三次印刷网版结构，它包括DP1图形层、DP2图形层和DP3图形层，DP3图形层叠印在DP1图形层和DP2图形层上；与现有技术相比，DP1图形层和DP2图形层采用圆点式副栅线，有效地降低了金属电极与硅基体的接触面积，从而降低金属电极的金属复合，制备金属电极时分别采用匹配P+和N+掺杂特性的接触型浆料，有效地降低了接触电阻；DP3图形层采用直通式副栅线，制备电极时采用导电性好的非接触型浆料，既防止金属电极与硅基体接触，极大地降低电极的金属复合，又将圆点式副栅线连通，有效地收集、传输电池产生的电流，有效地提高了IBC太阳能电池的开路电压、短路电流和转换效率，实现本发明的目的。
Description
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池副栅线印刷网版结构，特别涉及一种IBC太阳能电池副栅线三次印刷网版结构。
背景技术
近年来,环境污染已经严重威胁到了社会与经济的发展和每个人的生存。在全球性化能源日益耗尽、环境污染不断加重的今天,太阳能将与其他新型能源一起成为石油、煤、天然气等不可再生能源的理想补充和替代能源。随着光伏产业的迅猛发展,太阳能电池转换效率不断提高,成本不断降低,使得光伏发电的前景更为光明和宽阔。
IBC太阳能电池，其中的IBC具体为Interdigitated back contact，可理解为一种背结太阳能电池，较常规太阳能电池，IBC太阳能电池的工艺流程要相对复杂。IBC太阳能电池中，背面电极的制备一直是工艺难点。目前，主要通过丝网印刷技术单次印刷一种浆料制备电极，此方式一方面无法使P+掺杂区和N+掺杂区分别匹配最佳的浆料制备电极，影响了电极和掺杂区的接触电阻，另一方面整个副栅线图形均与硅基体接触，极大地增加了电极的金属复合，这两点都严重影响了IBC太阳能电池的光电转换效率。
因此，特别需要一种IBC太阳能电池副栅线三次印刷网版结构，以解决上述现有存在的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种IBC太阳能电池副栅线三次印刷网版结构，针对现有技术的不足，解决了采用单次印刷一种浆料制备电极难以获得更好的技术接触和更低的金属复合，限制电池转换效率提升的问题。
本发明所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现：
一种IBC太阳能电池副栅线三次印刷网版结构，其特征在于，它包括DP1图形层、DP2图形层和DP3图形层构成的三次印刷网版结构，所述DP3图形层叠印在所述DP1图形层和所述DP2图形层上，所述DP1图形层包括与P+(N+)掺杂区接触的圆点式副栅线及Mark点，所述DP2图形层包括与DP1图形层极性相反的N+(P+)掺杂区接触的圆点式副栅线及Mark点，所述DP3图形层包括连接DP1图形层和DP2图形层中圆点式副栅线的直通式副栅线及Mark点。
在本发明的一个实施例中，所述DP1图形层的圆点式副栅线之间平行设置，所述圆点式副栅线的圆点直径为20μm-80μm，相邻圆点的圆心距为60μm-240μm。
进一步，所述DP1图形层的圆点式副栅线的数量为100根以上。
在本发明的一个实施例中，所述DP1图形层的Mark点包括由浆料印刷而成且位于两相邻圆点之间对称分布于DP1图形层表面的实心十字形及由浆料印刷而成且位于两相邻副栅线之间对称分布于DP1图形层表面的实心正方形。
进一步，所述DP1图形层的Mark点的数量为4个。
在本发明的一个实施例中，所述DP2图形层的圆点式副栅线之间平行设置，所述圆点式副栅线的圆点直径为20μm-80μm，相邻圆点的圆心距为60μm-240μm。
进一步，所述DP2图形层的圆点式副栅线的数量为100根以上。
在本发明的一个实施例中，所述DP2图形层的Mark点为由浆料印刷而成且位于两相邻副栅线之间对称分布于DP2图形层表面的空心正方形框体。
进一步，所述DP2图形层的Mark点的数量为4个。
在本发明的一个实施例中，所述DP3图形层的直通式副栅线的数量与所述DP1图形层的圆点式副栅线的数量和所述DP2图形层的圆点式副栅线的数量之和相同，所述直通式副栅线之间相互平行设置。
在本发明的一个实施例中，所述DP3图形层的Mark点为位于直通式副栅线上与所述DP1图形层中Mark点的数量和位置一致的空心十字形。
本发明的IBC太阳能电池副栅线三次印刷网版结构，与现有技术相比，DP1图形层和DP2图形层采用圆点式副栅线，有效地降低了金属电极与硅基体的接触面积，从而降低金属电极的金属复合，制备金属电极时分别采用匹配P+和N+掺杂特性的接触型浆料，有效地降低了接触电阻；DP3图形层采用直通式副栅线，制备电极时采用导电性好的非接触型浆料，既防止金属电极与硅基体接触，极大地降低电极的金属复合，又将圆点式副栅线连通，有效地收集、传输电池产生的电流，有效地提高了IBC太阳能电池的开路电压、短路电流和转换效率，实现本发明的目的。
本发明的特点可参阅本案图式及以下较好实施方式的详细说明而获得清楚地了解。
附图说明
图1为本发明的DP1图形层的结构示意图；
图2为本发明的DP1图形层中Mark点的局部放大图；
图3为本发明的DP2图形层的结构示意图；
图4为本发明的DP2图形层中Mark点的局部放大图；
图5为本发明的DP3图形层的结构示意图；
图6为本发明的DP3图形层中Mark点的局部放大图；
图7为本发明的DP1图形层和DP2图形层二次印刷套印后的结构示意图；
图8为本发明的DP1图形层、DP2图形层和DP3图形层三次印刷套印后的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本发明。
实施例
如图1至图8所示，本发明的IBC太阳能电池副栅线三次印刷网版结构，它包括DP1图形层、DP2图形层和DP3图形层构成的三次印刷网版结构，所述DP3图形层叠印在所述DP1图形层和所述DP2图形层上。
所述DP1图形层包括与P+(N+)掺杂区接触的圆点式副栅线3、Mark点1及Mark点2；所述DP1图形层的圆点式副栅线3之间平行设置，圆点式副栅线3的圆点直径为20μm-80μm，相邻圆点的圆心距为60μm-240μm。所述DP1图形层的圆点式副栅线3的数量为100根以上。
所述DP1图形层的Mark点1为由浆料印刷而成且位于两相邻副栅线之间对称分布于DP1图形层表面的实心正方形，所述DP1图形层的Mark点2为由浆料印刷而成且位于两相邻圆点之间对称分布于DP1图形层表面的实心十字形。
所述DP1图形层的Mark点1为具有边长为A2的实心正方形，位于两相邻副栅线之间，由银浆料印刷而成；所述DP1图形层的Mark点2为具有长为A1,宽为B1的实心十字形，位于两根副栅线之间，由银浆料印刷而成。所述DP1图形层的Mark点1的数量为4个，所述DP1图形层的Mark点2的数量为4个。
所述DP2图形层包括与DP1图形层极性相反的N+(P+)掺杂区接触的圆点式副栅线5及Mark点4；所述DP2图形层的圆点式副栅线5之间平行设置，圆点式副栅线5的圆点直径为20μm-80μm，相邻圆点的圆心距为60μm-240μm。所述DP2图形层的圆点式副栅线5的数量为100根以上。
所述DP2图形层的Mark点4为由浆料印刷而成且位于两相邻副栅线之间对称分布于DP2图形层表面的空心正方形框体。
所述DP2图形层的Mark点4为具有内外边长为A3、A4的空心正方形框体，位于两相邻副栅线之间。所述DP2图形层的Mark点的数量为4个。
所述DP3图形层包括连接DP1图形层和DP2图形层中圆点式副栅线的直通式副栅线7及Mark点6。
所述DP3图形层的Mark点6为位于直通式副栅线上与所述DP1图形层中Mark点的数量和位置一致的空心十字形。
所述DP3图形层的Mark点6为具有长为A5，宽为B2的空心十字形，位于两根副栅线之间。所述DP3图形层的Mark点6的数量为4个，所述DP3图形层的直通式副栅线7的根数为若干根，直通式副栅线7之间相互平行，Mark点6位于直通式副栅线上。
在本实施例中，所述DP3图形层的直通式副栅线7的数量与所述DP1图形层的圆点式副栅线3的数量和所述DP2图形层的圆点式副栅线5的数量之和相同，所述直通式副栅线7之间相互平行设置。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内，本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (11)
1.一种I BC太阳能电池副栅线三次印刷网版结构，其特征在于，它包括DP1图形层、DP2图形层和DP3图形层构成的三次印刷网版结构，所述DP3图形层叠印在所述DP1图形层和所述DP2图形层上，所述DP1图形层包括与P+(N+)掺杂区接触的圆点式副栅线及Mark点，所述DP2图形层包括与DP1图形层极性相反的N+(P+)掺杂区接触的圆点式副栅线及Mark点，所述DP3图形层包括连接DP1图形层和DP2图形层中圆点式副栅线的直通式副栅线及Mark点。
2.如权利要求1所述的I BC太阳能电池副栅线三次印刷网版结构，其特征在于，所述DP1图形层的圆点式副栅线之间平行设置，所述圆点式副栅线的圆点直径为20μm-80μm，相邻圆点的圆心距为60μm-240μm。
3.如权利要求2所述的I BC太阳能电池副栅线三次印刷网版结构，其特征在于，所述DP1图形层的圆点式副栅线的数量为100根以上。
4.如权利要求1所述的I BC太阳能电池副栅线三次印刷网版结构，其特征在于，所述DP1图形层的Mark点包括由浆料印刷而成且位于两相邻圆点之间对称分布于DP1图形层表面的实心十字形及由浆料印刷而成且位于两相邻副栅线之间对称分布于DP1图形层表面的实心正方形。
5.如权利要求4所述的I BC太阳能电池副栅线三次印刷网版结构，其特征在于，所述DP1图形层的Mark点的数量为4个。
6.如权利要求1所述的I BC太阳能电池副栅线三次印刷网版结构，其特征在于，所述DP2图形层的圆点式副栅线之间平行设置，所述圆点式副栅线的圆点直径为20μm-80μm，相邻圆点的圆心距为60μm-240μm。
7.如权利要求6所述的I BC太阳能电池副栅线三次印刷网版结构，其特征在于，所述DP2图形层的圆点式副栅线的数量为100根以上。
8.如权利要求1所述的I BC太阳能电池副栅线三次印刷网版结构，其特征在于，所述DP2图形层的Mark点为由浆料印刷而成且位于两相邻副栅线之间对称分布于DP2图形层表面的空心正方形框体。
9.如权利要求8所述的I BC太阳能电池副栅线三次印刷网版结构，其特征在于，所述DP2图形层的Mark点的数量为4个。
10.如权利要求1所述的IBC太阳能电池副栅线三次印刷网版结构，其特征在于，所述DP3图形层的直通式副栅线的数量与所述DP1图形层的圆点式副栅线的数量和所述DP2图形层的圆点式副栅线的数量之和相同，所述直通式副栅线之间相互平行设置。
11.如权利要求1所述的IBC太阳能电池副栅线三次印刷网版结构，其特征在于，所述DP3图形层的Mark点为位于直通式副栅线上与所述DP1图形层中Mark点的数量和位置一致的空心十字形。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910486175.0A CN110289322A (zh) | 2019-06-05 | 2019-06-05 | 一种ibc太阳能电池副栅线三次印刷网版结构 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910486175.0A CN110289322A (zh) | 2019-06-05 | 2019-06-05 | 一种ibc太阳能电池副栅线三次印刷网版结构 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110289322A true CN110289322A (zh) | 2019-09-27 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| CN (1) | CN110289322A (zh) |
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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