CN206109523U - 非制冷焦平面探测器封装用电极薄膜结构 - Google Patents
非制冷焦平面探测器封装用电极薄膜结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN206109523U CN206109523U CN201621143442.2U CN201621143442U CN206109523U CN 206109523 U CN206109523 U CN 206109523U CN 201621143442 U CN201621143442 U CN 201621143442U CN 206109523 U CN206109523 U CN 206109523U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- film
- nickel
- membrane
- chromium
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn - After Issue
Links
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
非制冷焦平面探测器封装用电极薄膜结构，涉及红外探测器封装用的电极薄膜制备技术，尤其涉及非制冷焦平面探测器封装用电极薄膜结构，其特征在于该电极薄膜结构包括电极膜与合金层，电极膜包括铬膜、镍膜和金膜，底层为铬膜，中间层为镍膜，上层为金膜，合金层分为铬镍合金膜和镍金合金膜，铬膜沉积在红外探测器窗口上，铬膜和镍膜之间沉积铬镍合金膜，镍膜和金膜之间沉积镍金合金膜。本实用新型的非制冷焦平面探测器封装用电极薄膜结构是在各层电极膜之间提供一层合金层来增加层与层间的附着力，使各层膜系间附着强度高且焊接后不会产生空洞，提高组件的寿命和可靠性，有较强的推广意义。
Description
技术领域
本实用新型涉及红外探测器封装用的电极薄膜制备技术，尤其涉及非制冷焦平面探测器封装用电极薄膜结构。
背景技术
由于非制冷焦平面探测器不需制冷、成本低、功耗小、重量轻、小型化、启动快、使用方便、灵活等特点，其应用已经越来越广泛，部分型号产品已经应用到装备部队，尤其在轻武器瞄准具、驾驶员视力增强器、单兵头盔式观瞄、手持式热像仪等轻武器，以及部分导弹的红外成像末端制导，这些应用对探测器的可靠性要求越来越高，影响非制冷焦平面探测器性能的主要是探测器的封装，而影响探测器封装的密封性主要是红外窗口的电极膜，所以对非制冷焦平面探测器封装时焊接用电极薄膜的可靠性、附着力要求越来越高，特别在高温焊条件下，焊接时膜系之间会发生合金化反应，膜与膜之间产生空洞，从而影响探测器组件的寿命和可靠度。
目前常用的电极膜系主要是钛镍金、钛镍银、铬镍金、铬镍银这四种电极膜系，而这四种膜系在窗口焊接过程中，会出现两方面问题：一是由于窗口焊接是一个热熔焊接，焊接时温度较高，焊接过程中会产生一个热应力，使得膜系之间拉开，从而产生脱膜现象；二是由于各膜系在高温焊接过程中存在膜系之间会发生合金化反应，从而导致膜系之间产生空洞。这两方面的问题，会使得非制冷焦平面组件的寿命和可靠性下降，或者直接就在焊接过程中就失效。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题是，克服目前常用电极膜系所存在的易脱膜，膜系之间易产生空洞的问题，提供一种非制冷焦平面探测器封装用电极薄膜结构。
本实用新型的非制冷焦平面探测器封装用电极薄膜结构，沉积在红外探测器窗口上，其特征在于该电极薄膜结构包括电极膜与合金层，电极膜包括铬膜、镍膜和金膜，底层为铬膜，中间层为镍膜，上层为金膜，合金层分为铬镍合金膜和镍金合金膜，铬膜沉积在红外探测器窗口上，铬膜和镍膜之间沉积铬镍合金膜，镍膜和金膜之间沉积镍金合金膜。
所述的铬膜厚度在60nm~120nm，铬镍合金膜厚度在20nm~30nm，镍膜厚度在400nm~500nm，镍金合金膜厚度在20nm ~30nm，金膜厚度在150nm~250nm。
所述的电极膜其底层为铬膜或钛膜。
进行非制冷焦平面探测器封装用电极薄膜结构的制备时，采用双枪电子束蒸发法，应用掩膜法得到所需尺寸的沉积图案，掩膜材料为不锈钢或铝材，在红外探测器窗口上依次沉积铬膜、铬镍合金膜、镍膜、镍金合金膜和金膜。
本实用新型的电极膜工艺是在各层电极膜之间提供一层合金层来增加层与层间的附着力，使得膜系间强度高并且焊接后不会产生空洞，提高了组件的寿命和可靠性。同时在制备电极膜和合金膜时采用双电子束蒸发法，可配合掩膜、光刻法，获得公差精度较高的图案，电极膜各层厚度可控，并且该非制冷焦平面探测器封装用电极薄膜结构能够满足非制冷焦平面探测器金属封装、陶瓷封装、晶圆级封装等的高可靠性与长寿命所需的真空工作环境的设计需求，具有较强的推广意义。
附图说明
图1为本实用新型的非制冷焦平面探测器封装用电极薄膜结构的结构示意图；
其中，红外探测器窗口1，铬膜2，铬镍合金膜3，镍膜4，镍金合金膜5，金膜6。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步详细说明。
实施例1：非制冷焦平面探测器封装用电极薄膜结构，沉积在红外探测器窗口1上，该电极薄膜结构包括电极膜与合金层，电极膜包括铬膜2、镍膜4和金膜6，底层为铬膜2，中间层为镍膜4，上层为金膜6，合金层分为铬镍合金膜3和镍金合金膜5，铬膜2沉积在红外探测器窗口1上，铬膜2和镍膜4之间沉积铬镍合金膜3，镍膜4和金膜6之间沉积镍金合金膜5。
将清洗好的红外探测器窗口1装配到蒸镀所用的掩膜工装夹具里，安装到设有双枪电子束设备的蒸发样品台上，采用双枪电子束蒸发法，应用掩膜法得到所需尺寸的沉积图案，掩膜材料为不锈钢，设定参数蒸发铬膜2，厚度60nm，蒸发速率1A/s；设定参数蒸发铬镍合金膜3，厚度20nm，蒸发速率1A/s；设定参数蒸发镍膜4，厚度400nm，蒸发速率2A/s；设定参数蒸发镍金合金膜5，厚度20nm，蒸发速率2A/s；设定参数蒸发金膜6，厚度150nm，蒸发速率2.5A/s。
实施例2：非制冷焦平面探测器封装用电极薄膜结构，沉积在红外探测器窗口1上，其特征在于该电极薄膜结构包括电极膜与合金层，电极膜包括钛膜、镍膜4和金膜6，底层为钛膜，中间层为镍膜4，上层为金膜6，合金层分为铬镍合金膜3和镍金合金膜5，钛膜沉积在红外探测器窗口1上，钛膜和镍膜4之间沉积铬镍合金膜3，镍膜4和金膜6之间沉积镍金合金膜5。
将清洗好的红外探测器窗口1装配到蒸镀所用的掩膜工装夹具里，安装到设有双枪电子束设备的蒸发样品台上，采用双枪电子束蒸发法，应用掩膜法得到所需尺寸的沉积图案，掩膜材料为不锈钢，设定参数蒸发钛膜2，厚度120nm，蒸发速率1A/s；设定参数蒸发铬镍合金膜3，厚度30nm，蒸发速率1A/s；设定参数蒸发镍膜4，厚度500nm，蒸发速率2A/s；设定参数蒸发镍金合金膜5，厚度30nm，蒸发速率2A/s；设定参数蒸发金膜6，厚度250nm，蒸发速率2.5A/s。
以上仅为本实用新型的两种实施方式，只要使用了以上所述结构，均应落入本实用新型的保护范围。
Claims (3)
1.非制冷焦平面探测器封装用电极薄膜结构，沉积在红外探测器窗口（1）上，其特征在于该电极薄膜结构包括电极膜与合金层，电极膜包括铬膜（2）、镍膜（4）和金膜（6），底层为铬膜（2），中间层为镍膜（4），上层为金膜（6），合金层分为铬镍合金膜（3）和镍金合金膜（5），铬膜（2）沉积在红外探测器窗口（1）上，铬膜（2）和镍膜（4）之间沉积铬镍合金膜（3），镍膜（4）和金膜（6）之间沉积镍金合金膜（5）。
2.根据权利要求1所述的非制冷焦平面探测器封装用电极薄膜结构，其特征在于所述的铬膜（2）厚度在60nm~120nm，铬镍合金膜（5）厚度在20nm~30nm，镍膜（4）厚度在400nm~500nm，镍金合金膜（5）厚度在20nm~30nm，金膜（6）厚度在150nm~250nm。
3.根据权利要求1所述的非制冷焦平面探测器封装用电极薄膜结构，其特征在于所述的电极膜其底层为铬膜（2）或钛膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201621143442.2U CN206109523U (zh) | 2016-10-21 | 2016-10-21 | 非制冷焦平面探测器封装用电极薄膜结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201621143442.2U CN206109523U (zh) | 2016-10-21 | 2016-10-21 | 非制冷焦平面探测器封装用电极薄膜结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN206109523U true CN206109523U (zh) | 2017-04-19 |
Family
ID=58527163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201621143442.2U Withdrawn - After Issue CN206109523U (zh) | 2016-10-21 | 2016-10-21 | 非制冷焦平面探测器封装用电极薄膜结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN206109523U (zh) |
-
2016
- 2016-10-21 CN CN201621143442.2U patent/CN206109523U/zh not_active Withdrawn - After Issue
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101894831A (zh) | 紫外-红外双波段探测器及其制作方法 | |
| US9459169B2 (en) | Pressure sensor and method for its manufacture | |
| US20160228966A1 (en) | Method for producing a metal-ceramic soldered connection | |
| GB1157581A (en) | Improvements in and relating to Ohmic Contacts. | |
| US3593412A (en) | Bonding system for semiconductor device | |
| US20170146302A1 (en) | High-conductivity bonding of metal nanowire arrays | |
| JP3670008B2 (ja) | 気密ろう接合部の作成方法 | |
| JPH0222540B2 (zh) | ||
| CN206109523U (zh) | 非制冷焦平面探测器封装用电极薄膜结构 | |
| CN108315692A (zh) | 一种在聚酰亚胺基底上制备金属膜的方法 | |
| KR880008403A (ko) | X-레이 튜브 타켓 | |
| CN110148571A (zh) | 一种八英寸红外探测器封装窗口及其制备方法 | |
| KR20180043282A (ko) | 간격을 가진 나노로드 및 공정 합금을 이용한 저온 용접 | |
| CN102117842A (zh) | 红外焦平面探测器封装窗口及其制作方法 | |
| JP2016531819A (ja) | セラミック金属遷移部のためのセラミック金属被覆の製造方法および該セラミック金属遷移部 | |
| KR20200028843A (ko) | 증발기 및 그 제조 방법, 그리고 증발기를 갖는 루프형 히트 파이프 | |
| CN207986671U (zh) | 一种全覆盖吸气剂晶圆级电子元件 | |
| CN106435481A (zh) | 非制冷焦平面探测器封装用电极薄膜工艺技术 | |
| CN103227214A (zh) | 一种化合物半导体的金属化结构 | |
| CN106001893A (zh) | 一种调谐组件及其制备方法、高频组件 | |
| JPS6220338A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CN102634795A (zh) | 一种在金属基体上实现氧化物陶瓷膜层冶金结合的方法 | |
| DE102011111032A1 (de) | Verfahren zum Aufbau von Leistungs-Halbleitermodulen sowie ein nach dem Verfahren hergestelltes Leistungs-Halbleitermodul | |
| CN103730540A (zh) | 一种使用脉冲激光法制备AlSb薄膜太阳电池的技术 | |
| EP0017384B1 (en) | Process for bonding germanium to metal |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| AV01 | Patent right actively abandoned | ||
| AV01 | Patent right actively abandoned |
Granted publication date: 20170419 Effective date of abandoning: 20200605 |