CN205999481U - 一种连续制备二维纳米薄膜的装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种连续制备二维纳米薄膜的装置，其结构包括：脚架、底座、机架、壳体、电气箱、调节面板、平台、气体接口、制备装置、进料口、观察窗、传送装置、真空装置、显示屏、控制面板、出料箱；所述脚架固定连接于底座下，所述底座上固定连接有机架，所述机架外设有壳体，所述底座上设有电气箱，所述底座上设有出料箱，所述电气箱上设有调节面板，所述电气箱上设有显示屏。本实用新型的有益效果：具有连续制备二维纳米薄膜的特点，可以大面积、规模化制备如石墨烯、过镀金属硫化物、硅烯、锗烯或氮化硼等二维纳米薄膜，适应于产业化发展，有助于实现二维纳米薄膜技术的产业化，设有的观察窗可查看制备的实时过程。
Description
技术领域
本实用新型是一种连续制备二维纳米薄膜的装置，属于制备二维纳米薄膜领域。
背景技术
目前，化学气相沉积法以及碳偏析法是大面积制备二维纳米薄膜如石墨烯薄膜的技术方法，采用这两种方法制备二维纳米薄膜的设备基本上都是石英管高温炉。基于石英管的高温炉仅具备在已有金属催化层上合成二维纳米薄膜的单一功能，即不能先后连续对衬底材料的表面进行处理，在衬底上制备合成二维纳米薄膜所需的催化层和之后的二维纳米薄膜的合成。并且，采用石英管式炉合成的二维纳米薄膜如石墨烯的电子传输性能与机械剥离法制备的具有完美晶体结构的石墨烯的电子传输相比还相差很大，这种差异，主要来自于合成石墨烯使用的管式炉设备-热场梯度的存在，含碳气源分布不均等导致管式炉不能大面积制备均匀的石墨烯薄膜，已经严重制约了二维纳米薄膜如石墨烯薄膜技术的进一步发展。
现有设备不适合大面积制备如石墨烯等均匀的二维纳米薄膜。
实用新型内容
针对现有技术存在的不足，本实用新型目的是提供一种连续制备二维纳米薄膜的装置，以解决现有设备不适合大面积制备如石墨烯等均匀的二维纳米薄膜等问题。
为了实现上述目的，本实用新型是通过如下的技术方案来实现：一种连续制备二维纳米薄膜的装置，其结构包括：脚架、底座、机架、壳体、电气箱、调节面板、平台、气体接口、制备装置、进料口、观察窗、传送 装置、真空装置、显示屏、控制面板、出料箱；所述脚架固定连接于底座下，所述底座上固定连接有机架，所述机架外设有壳体，所述底座上设有电气箱，所述底座上设有出料箱，所述电气箱上设有调节面板，所述电气箱上设有显示屏，所述电气箱上设有控制面板，所述机架上设有平台，所述平台上设有制备装置，所述制备装置上设有气体接口，所述制备装置上设有进料口，所述制备装置上设有观察窗，所述制备装置上设有传送装置，所述制备装置上设有真空装置，所述制备装置由处理腔室、加热装置、平衡腔室、阀、薄膜制备腔室组成。
进一步地，所述调节面板设于壳体上。
进一步地，所述显示屏设于壳体上。
进一步地，所述控制面板设于壳体上。
进一步地，所述电气箱、调节面板、制备装置、传送装置、真空装置、显示屏、控制面板通过导线连接。
进一步地，所述加热装置设于处理腔室内。
进一步地，所述处理腔室与平衡腔室之间设有阀。
进一步地，所述平衡腔室之间薄膜制备腔室设有阀。
本实用新型的有益效果：具有连续制备二维纳米薄膜的特点，可以大面积、规模化制备如石墨烯、过镀金属硫化物、硅烯、锗烯或氮化硼等二维纳米薄膜，适应于产业化发展，有助于实现二维纳米薄膜技术的产业化，设有的观察窗可查看制备的实时过程。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1为本实用新型一种连续制备二维纳米薄膜的装置的结构示意图；
图2为本实用新型一种连续制备二维纳米薄膜的装置的制备装置结构示意图；
图中：脚架-1、底座-2、机架-3、壳体-4、电气箱-5、调节面板-6、平台-7、气体接口-8、制备装置-9、进料口-10、观察窗-11、传送装置-12、真空装置-13、显示屏-14、控制面板-15、出料箱-16、处理腔室-901、加热装置-902、平衡腔室-903、阀-904、薄膜制备腔室-905。
具体实施方式
为使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本实用新型。
请参阅图1与图2，本实用新型提供一种技术方案：一种连续制备二维纳米薄膜的装置，其结构包括：脚架1、底座2、机架3、壳体4、电气箱5、调节面板6、平台7、气体接口8、制备装置9、进料口10、观察窗11、传送装置12、真空装置13、显示屏14、控制面板15、出料箱16；所述脚架1固定连接于底座2下，所述底座2上固定连接有机架3，所述机架3外设有壳体4，所述底座2上设有电气箱5，所述底座2上设有出料箱16，所述电气箱5上设有调节面板6，所述电气箱5上设有显示屏14，所述电气箱5上设有控制面板15，所述机架3上设有平台7，所述平台7上设有制备装置9，所述制备装置9上设有气体接口8，所述制备装置9上设有进料口10，所述制备装置9上设有观察窗11，所述制备装置9上设有传送装置12，所述制备装置9上设有真空装置13，所述制备装置9由处理腔室901、加热装置902、平衡腔室903、阀904、薄膜制备腔室905组成，所述调节面板6设于壳体4上，所述显示屏14设于壳体4上，所述控制面板15设于壳体4上，所述电气箱5、调节面板6、制备装置9、传送装置12、真空装置13、显示屏14、控制面板15通过导线连接，所述加热装置902设于处理腔室901内，所述处理腔室901与平衡腔室903之间设有阀904，所述平衡腔室903之间薄膜制备腔室905设有阀904。
在进行使用时，通过气体接口8接上气管，通入电源，通过控制面板15打开电源开关，通过进料口10将材料放进去，通过调节面板6调节装置 的参数至合适值，通过控制面板15控制制备装置9开始工作，通过传送装置12对该设备进行连续制备，通过观察窗11可查看制备的实时过程，通过出料箱16可取出制备好的薄膜。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点,对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
Claims (8)
1.一种连续制备二维纳米薄膜的装置，其特征在于：其结构包括：脚架(1)、底座(2)、机架(3)、壳体(4)、电气箱(5)、调节面板(6)、平台(7)、气体接口(8)、制备装置(9)、进料口(10)、观察窗(11)、传送装置(12)、真空装置(13)、显示屏(14)、控制面板(15)、出料箱(16)；所述脚架(1)固定连接于底座(2)下，所述底座(2)上固定连接有机架(3)，所述机架(3)外设有壳体(4)，所述底座(2)上设有电气箱(5)，所述底座(2)上设有出料箱(16)，所述电气箱(5)上设有调节面板(6)，所述电气箱(5)上设有显示屏(14)，所述电气箱(5)上设有控制面板(15)，所述机架(3)上设有平台(7)，所述平台(7)上设有制备装置(9)，所述制备装置(9)上设有气体接口(8)，所述制备装置(9)上设有进料口(10)，所述制备装置(9)上设有观察窗(11)，所述制备装置(9)上设有传送装置(12)，所述制备装置(9)上设有真空装置(13)，所述制备装置(9)由处理腔室(901)、加热装置(902)、平衡腔室(903)、阀(904)、薄膜制备腔室(905)组成。
2.根据权利要求1所述的一种连续制备二维纳米薄膜的装置，其特征在于：所述调节面板(6)设于壳体(4)上。
3.根据权利要求1所述的一种连续制备二维纳米薄膜的装置，其特征在于：所述显示屏(14)设于壳体(4)上。
4.根据权利要求1所述的一种连续制备二维纳米薄膜的装置，其特征在于：所述控制面板(15)设于壳体(4)上。
5.根据权利要求1所述的一种连续制备二维纳米薄膜的装置，其特征在于：所述电气箱(5)、调节面板(6)、制备装置(9)、传送装置(12)、真空装置(13)、显示屏(14)、控制面板(15)通过导线连接。
6.根据权利要求1所述的一种连续制备二维纳米薄膜的装置，其特征 在于：所述加热装置(902)设于处理腔室(901)内。
7.根据权利要求1所述的一种连续制备二维纳米薄膜的装置，其特征在于：所述处理腔室(901)通过阀(904)与平衡腔室(903)连接。
8.根据权利要求1所述的一种连续制备二维纳米薄膜的装置，其特征在于：所述平衡腔室(903)通过阀(904)与薄膜制备腔室(905)连接。
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| CN201620809808.9U CN205999481U (zh) | 2016-07-29 | 2016-07-29 | 一种连续制备二维纳米薄膜的装置 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113937152A (zh) * | 2021-09-03 | 2022-01-14 | 山东交通学院 | 一种基于锯齿形锗烯纳米带的半金属材料的制备装置 |
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2016
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| CN113937152A (zh) * | 2021-09-03 | 2022-01-14 | 山东交通学院 | 一种基于锯齿形锗烯纳米带的半金属材料的制备装置 |
| CN113937152B (zh) * | 2021-09-03 | 2023-05-26 | 山东交通学院 | 一种基于锯齿形锗烯纳米带的半金属材料的制备装置 |
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