CN205863141U - 一种刻蚀后硅片的亲水性测试装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种刻蚀后硅片的亲水性测试装置，包括沿着硅片生产线的输送方向依次间隔设置的滴水装置和监测装置，滴水装置和监测装置均连接控制装置，监测装置连接图像处理装置，图像处理装置连接控制装置；测试时，硅片从刻蚀下料处流至滴水装置的正下方，控制装置控制滴水装置滴水至硅片表面并形成水滴，当滴水后的硅片流至监测装置的正下方时，控制装置控制监测装置获取硅片表面图像、并将获取的表面图像发送至图像处理装置，图像处理装置对硅片表面的水滴扩散后的直径与预设值进行对比分析，并将分析结果发送至控制装置，由控制装置输出对应的控制信号；其能够实现在线测试，重复性、稳定性好。
Description
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池生产技术领域，尤其涉及一种刻蚀后硅片的亲水性测试装置。
背景技术
随着晶体硅太阳能电池行业的成熟，对电池的抗PID性能有了更高的要求，电池抗PID的主流做法是使用臭氧和硅发生反应，在硅片表面生长一层SiO2层来抵抗PID的衰减，然而检验SiO2层生长的情况则是根据其亲水性来检验的，如果SiO2在硅片表面均匀良好的生长，那么硅片表面整体都呈亲水性状态。然而，现有技术中，如图1所示，对于亲水性测试的方法是：1)硅片100经过臭氧处理后，在刻蚀下料处将硅片100取出；2)需要测试的硅片100放到平整的桌面；3)用滴管往硅片100上滴水(中心和四角)；4)观察水滴是否扩散并测量水滴直径；若水滴在硅片100上扩散，所有水滴直径大于一定的数值，则判定亲水性OK。这种方法是手动测试，测试环节繁琐且不易标准化。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提出一种刻蚀后硅片的亲水性测试装置，能够实现在线测试，重复性、稳定性好。
为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：
一种刻蚀后硅片的亲水性测试装置，该亲水性测试装置设置于硅片生产线的刻蚀下料处，其包括沿着硅片生产线的输送方向依次间隔设置的滴水装置和监测装置，所述滴水装置和所述监测装置均连接控制装置，所述监测装置连接图像处理装置，所述图像处理装置连接所述控制装置；
测试时，硅片从刻蚀下料处流至所述滴水装置的正下方，所述控制装置控制所述滴水装置滴水至硅片表面并形成水滴，当滴水后的硅片流至所述监测装置的正下方时，所述控制装置控制所述监测装置获取硅片表面图像、并将获取的表面图像发送至所述图像处理装置，所述图像处理装置对硅片表面的水滴扩散后的直径与预设值进行对比分析，并将分析结果发送至所述控制装置，由所述控制装置输出对应的控制信号。
其中，所述滴水装置包括横跨硅片生产线的水管，所述水管连接有对应于硅片的待检测位置的支管，所述支管的端部设置有滴水阀，所述滴水阀连接有滴管，所述滴水阀与所述控制装置连接。
其中，所述待检测位置包括硅片的中心和四个角落。
其中，所述滴管流出的每滴水的水量为0.02～0.1ml。
其中，所述滴水阀为气动滴水阀，所述滴水阀的底端至硅片的垂直距离为0.5～5000mm。
其中，所述水管连接有用于感应硅片位置的前感应器，所述前感应器与所述控制装置连接。
其中，所述水管的一端为进水口，另一端为出水口。
其中，所述监测装置包括横跨硅片生产线的横杆，所述横杆连接有用于获取硅片表面图像的摄像头和用于感应硅片位置的后感应器，所述摄像头和所述后感应器均与所述控制装置连接，所述摄像头还与所述图像处理装置连接。
其中，所述摄像头的底端至硅片的垂直距离为10cm～100cm。
其中，所述滴水装置与所述监测装置之间的水平距离为25cm～200cm。
本实用新型的有益效果为：
与现有技术相比，该亲水性测试装置设置于硅片生产线的刻蚀下料处，包括沿着硅片生产线的输送方向依次间隔设置的滴水装置和监测装置，所述滴水装置和所述监测装置均连接控制装置，所述监测装置连接图像处理装置，所述图像处理装置连接所述控制装置；测试时，硅片从刻蚀下料处流至所述滴水装置的正下方，所述控制装置控制所述滴水装置滴水至硅片表面并形成水滴，当滴水后的硅片流至所述监测装置的正下方时，所述控制装置控制所述监测装置获取硅片表面图像、并将获取的表面图像发送至所述图像处理装置，所述图像处理装置对硅片表面的水滴扩散后的直径与预设值进行对比分析，并将分析结果发送至所述控制装置，由所述控制装置输出对应的控制信号；因而其可以配合流水线加工实现在线测试，方便快捷，节省人力，且自动化操作，测量精度高，重复性、稳定性好。
附图说明
图1是现有技术中的刻蚀后硅片的亲水性测试的示意图。
图2是本实用新型的亲水性测试装置的结构示意图。
图中：100-硅片；200-硅片生产线；300-滴水装置；400-监测装置；
1-水管；2-进水口；3-出水口；4-滴水阀；5-前感应器；
6-横杆；7-后感应器；8-摄像头。
具体实施方式
下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本实用新型的技术方案。
实施例一
参见附图2所示，一种刻蚀后硅片的亲水性测试装置，该亲水性测试装置设置于硅片生产线200的刻蚀下料处，其包括沿着硅片生产线200的输送方向依次间隔设置的滴水装置300和监测装置400，所述滴水装置300和所述监测装置400均连接控制装置，所述监测装置400连接图像处理装置，所述图像处理装置连接所述控制装置。
测试时，硅片100从刻蚀下料处流至所述滴水装置300的正下方，所述控制装置控制所述滴水装置300滴水至硅片100表面并形成水滴，当滴水后的硅片100流至所述监测装置400的正下方时，所述控制装置控制所述监测装置400获取硅片100表面图像、并将获取的表面图像发送至所述图像处理装置，所述图像处理装置对硅片100表面的水滴扩散后的直径与预设值进行对比分析，并将分析结果发送至所述控制装置，由所述控制装置输出对应的控制信号。
其可以配合流水线加工实现在线测试，方便快捷，节省人力，且自动化操作，测量精度高，重复性、稳定性好。
实施例二
参见附图2所示，在本实施例中，所述滴水装置300包括横跨硅片生产线200的水管1，所述水管1的一端为进水口2，另一端为出水口3。
进一步地，所述水管1连接有对应于硅片100的待检测位置的支管，所述支管的端部设置有滴水阀4，所述滴水阀4连接有滴管，所述滴水阀4与所述控制装置连接，通过滴水阀可以准确地控制滴出的水的水量，从而实现测试参数的可控。具体地，所述待检测位置包括硅片100的中心和四个角落。通过测试硅片的中心和四个角落处的亲水性即可获知整个硅片的亲水性，从而了解SiO2层生长的情况。
优选的，所述滴管流出的每滴水的水量为0.02～0.1ml，所述滴管流出的每滴水的水量可以为0.02ml、0.03ml、0.04ml、0.05ml、0.06ml、0.07ml、0.08ml、0.09ml、0.1ml。进一步优选的，在本实施例中，所述滴管流出的每滴水的水量为0.05ml。
优选的，所述滴水阀4为气动滴水阀4，所述滴水阀4的底端至硅片100的垂直距离为0.5～5000mm。进一步优选的，在本实施例中，所述滴水阀4的底端至硅片100的垂直距离为500mm。
进一步地，所述水管1连接有用于感应硅片100位置的前感应器5，所述前感应器5与所述控制装置连接。
参见附图2所示，所述监测装置400包括横跨硅片生产线200的横杆6，所述横杆6连接有用于获取硅片100表面图像的摄像头8和用于感应硅片100位置的后感应器7，所述摄像头8和所述后感应器7均与所述控制装置连接，所述摄像头8还与所述图像处理装置连接。其中，所述摄像头8的底端至硅片100的垂直距离为10cm～100cm，所述滴水装置300与所述监测装置400之间的水平距离为25cm～200cm。进一步优选的，在本实施例中，所述摄像头8的底端至硅片100的垂直距离为50cm，所述滴水装置300与所述监测装置400之间的水平距离为80cm。
在测试时，硅片100从刻蚀下料处流出后在硅片生产线上向前流动，直至前感应器5感应到硅片已到位之后，前感应器5发送信号给控制装置，控制装置控制滴水阀打开，并通过滴管对该硅片的中心和四个角落滴水，从而形成水滴。带有水滴的硅片100在硅片生产线上继续向前流动，直至后感应器7感应到该硅片已到位之后，后感应器发送信号至控制装置，控制装置控制摄像头获取位于其下方的硅片的表面图像，摄像头将获取的表面图像发送至图像处理装置，图像处理装置对硅片表面的水滴扩散后的直径与预设值进行对比分析，并将分析结果发送至所述控制装置，由所述控制装置输出对应的控制信号。
以上结合具体实施例描述了本实用新型的技术原理。这些描述只是为了解释本实用新型的原理，而不能以任何方式解释为对本实用新型保护范围的限制。基于此处的解释，本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本实用新型的其它具体实施方式，这些方式都将落入本实用新型的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种刻蚀后硅片的亲水性测试装置，其特征在于，该亲水性测试装置设置于硅片生产线的刻蚀下料处，其包括沿着硅片生产线的输送方向依次间隔设置的滴水装置和监测装置，所述滴水装置和所述监测装置均连接控制装置，所述监测装置连接图像处理装置，所述图像处理装置连接所述控制装置；
测试时，硅片从刻蚀下料处流至所述滴水装置的正下方，所述控制装置控制所述滴水装置滴水至硅片表面并形成水滴，当滴水后的硅片流至所述监测装置的正下方时，所述控制装置控制所述监测装置获取硅片表面图像、并将获取的表面图像发送至所述图像处理装置，所述图像处理装置对硅片表面的水滴扩散后的直径与预设值进行对比分析，并将分析结果发送至所述控制装置，由所述控制装置输出对应的控制信号。
2.根据权利要求1所述的亲水性测试装置，其特征在于，所述滴水装置包括横跨硅片生产线的水管，所述水管连接有对应于硅片的待检测位置的支管，所述支管的端部设置有滴水阀，所述滴水阀连接有滴管，所述滴水阀与所述控制装置连接。
3.根据权利要求2所述的亲水性测试装置，其特征在于，所述待检测位置包括硅片的中心和四个角落。
4.根据权利要求2所述的亲水性测试装置，其特征在于，所述滴管流出的每滴水的水量为0.02～0.1ml。
5.根据权利要求2所述的亲水性测试装置，其特征在于，所述滴水阀为气动滴水阀，所述滴水阀的底端至硅片的垂直距离为0.5～5000mm。
6.根据权利要求2所述的亲水性测试装置，其特征在于，所述水管连接有用于感应硅片位置的前感应器，所述前感应器与所述控制装置连接。
7.根据权利要求2所述的亲水性测试装置，其特征在于，所述水管的一端为进水口，另一端为出水口。
8.根据权利要求1所述的亲水性测试装置，其特征在于，所述监测装置包括横跨硅片生产线的横杆，所述横杆连接有用于获取硅片表面图像的摄像头和用于感应硅片位置的后感应器，所述摄像头和所述后感应器均与所述控制装置连接，所述摄像头还与所述图像处理装置连接。
9.根据权利要求8所述的亲水性测试装置，其特征在于，所述摄像头的底端至硅片的垂直距离为10cm～100cm。
10.根据权利要求1至9任一项所述的亲水性测试装置，其特征在于，所述滴水装置与所述监测装置之间的水平距离为25cm～200cm。
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