CN205774794U - 一种适用于板式pecvd的石墨框及承载装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种适用于板式PECVD的石墨框及承载装置。该适用于板式PECVD的石墨框包括内部中空且呈方形的石墨边框，所述石墨边框的至少一对相对的边框的内侧中部均设置有挂钩，所述石墨边框的四个边框内侧均沿对应边框的长度方向均设置有石墨挡板，所述石墨挡板的底端向所述石墨边框的内部倾斜设置；多个所述石墨挡板在所述石墨边框的内侧围成上大下小的锥形结构，该锥形结构的底面开口略大于硅片的尺寸；承载硅片时，所述硅片的至少一对相对的侧边分别挂设在对应侧的所述挂钩上，且所述锥形结构位于所述硅片的上方。该适用于板式PECVD的石墨框及承载装置，能够有效减少绕射，降低因绕射造成的背电场脱落以及漏电现象。
Description
技术领域
本实用新型涉及太阳能光伏技术领域，尤其涉及一种适用于板式PECVD的石墨框及承载装置。
背景技术
太阳能电池的制备过程中，一般需要对硅片发射结面进行镀减反射膜的步骤，氮化硅薄膜作为晶体硅太阳能电池的光学减反射膜，同时也起到表面钝化和体内钝化的作用，以提高太阳能电池的转换效率。现有技术中，制备氮化硅薄膜一般采用的是等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法，在采用PECVD设备制备氮化硅薄膜的过程中，需要使用一种承载硅片的承载装置，而该承载装置一般包括多个阵列排布的石墨框。传统的石墨框，如图1、2所示，其包括内部中空且呈方形的石墨边框1，所述石墨边框1的内侧在其中一对相对的内侧壁分别间隔设置有两个挂钩3，硅片2则通过两侧的四个挂钩3进行支撑，这时，硅片2的侧边与石墨边框1的内侧壁之间具有较大的间隙4，因而板式PECVD镀膜后会出现背面绕射的情况，这会造成背面铝浆脱落，从而造成严重的品质问题；另外由于背面绕射的SiNx膜含有大量杂质，会造成电池片漏电，影响电池片性能。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提出一种适用于板式PECVD的石墨框及承载装置，能够有效减少绕射，降低因绕射造成的背电场脱落以及漏电现象。
为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：
一方面，本实用新型提供一种适用于板式PECVD的石墨框，包括内部中空且呈方形的石墨边框，
所述石墨边框的至少一对相对的边框的内侧中部均设置有挂钩，
所述石墨边框的四个边框内侧均沿对应边框的长度方向均设置有石墨挡板，所述石墨挡板的底端向所述石墨边框的内部倾斜设置；
多个所述石墨挡板在所述石墨边框的内侧围成上大下小的锥形结构，该锥形结构的底面开口略大于硅片的尺寸；
承载硅片时，所述硅片的至少一对相对的侧边分别挂设在对应侧的所述挂钩上，且所述锥形结构位于所述硅片的上方。
其中，所述石墨边框的两对相对的边框的内侧中部均设置有所述挂钩，承载硅片时，所述硅片的两对相对的侧边分别挂设在对应侧的所述挂钩上。
其中，所述石墨挡板的厚度为1～3mm。
其中，所述石墨挡板与对应侧的所述边框的内侧之间的夹角为21.8°～24.25°。
其中，所述石墨挡板与对应侧的所述边框的内侧之间的夹角为22.5°。
其中，所述锥形结构的底面至所述挂钩的挂钩部的顶端的垂直距离为0.2～0.4mm。
其中，所述锥形结构的底面为正方形。
其中，所述锥形结构的底面的边长为156.2～156.4mm。
另一方面，本实用新型还提供一种适用于板式PECVD的承载装置，包括阵列排布的多个所述石墨框。
其中，相邻两个所述石墨框中，背对背的两个所述边框的所述挂钩背对背设置，背对背设置的两个所述挂钩通过挂钩连接杆连接形成一体式挂钩结构，背对背的两个所述边框的顶部设置有一挂钩固定夹，所述一体式挂钩结构的一个所述挂钩的顶端与所述挂钩固定夹的一端连接，所述一体式挂钩结构的另一个所述挂钩的顶端与所述挂钩固定夹的另一端连接。
本实用新型的有益效果为：
本实用新型的石墨框和承载装置，通过在石墨边框的内部设置石墨挡板，而石墨挡板形成上大下小的一体式的锥形结构，使得锥形结构与石墨边框无缝结合，且锥形结构的底面开口小于硅片的尺寸；进一步地，通过在石墨边框的至少一对相对的边框的内侧中部均设置挂钩，因而在承载硅片时，所述硅片的至少一对相对的侧边分别挂设在对应侧的所述挂钩上，这就使得硅片的至少一对相对的侧边均匀受力且支撑稳定，避免造成工艺腔内掉片，保证镀膜效果；而且锥形结构位于硅片的上方，从而起到阻挡的作用，能够有效减少绕射，降低因绕射造成的背电场脱落以及漏电现象。
附图说明
图1是现有技术中的石墨框的俯视结构示意图。
图2是图1中的石墨框的侧视结构示意图。
图3是本实用新型的石墨框的俯视结构示意图。
图4是图3中的石墨边框的俯视结构示意图。
图5是图3中的石墨框的前视结构示意图。
图6是图3中的石墨框的左视结构示意图。
图7是图3中的石墨边框的后侧的边框与挂钩、石墨挡板连接后的前视结构示意图。
图8是本实用新型的承载装置的俯视结构示意图。
图9是图8中的相邻两个石墨框的挂钩和石墨挡板的安装结构示意图。
图中：1-石墨边框；2-硅片；3-挂钩；4-间隙；5-石墨挡板；6-挂钩连接杆；7-挂钩固定夹；10-石墨框。
具体实施方式
下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本实用新型的技术方案。
如图3至7所示，一种适用于板式PECVD的石墨框10，包括内部中空且呈方形的石墨边框1，所述石墨边框1的至少一对相对的边框的内侧中部均设置有挂钩3，所述石墨边框1的四个边框内侧均沿对应边框的长度方向均设置有石墨挡板5，所述石墨挡板5的底端向所述石墨边框1的内部倾斜设置；多个所述石墨挡板5在所述石墨边框1的内侧围成上大下小的锥形结构，该锥形结构的底面开口略大于硅片的尺寸；
承载硅片2时，所述硅片2的至少一对相对的侧边分别挂设在对应侧的所述挂钩3上，且所述锥形结构位于所述硅片2的上方。
本实用新型的石墨框和承载装置，通过在石墨边框1的内部设置石墨挡板5，而石墨挡板5形成上大下小的一体式的锥形结构，使得锥形结构与石墨边框1无缝结合，且锥形结构的底面开口小于硅片2的尺寸；进一步地，通过在石墨边框1的至少一对相对的边框的内侧中部均设置挂钩3，因而在承载硅片2时，所述硅片2的至少一对相对的侧边分别挂设在对应侧的所述挂钩3上，这就使得硅片2的至少一对相对的侧边均匀受力且支撑稳定，避免造成工艺腔内掉片，保证镀膜效果；而且锥形结构位于硅片的上方，从而起到阻挡的作用，有效规避了现有技术中存在的间隙4的存在，因而能够有效减少绕射，降低因绕射造成的背电场脱落以及漏电现象。
作为一种优选实施方式，所述石墨边框1的其中一对相对的边框的内侧中部均设置有挂钩3，这时，这一对相对的边框中的每一个边框的内侧中部间隔设置有至少2个所述挂钩；优选的，每个边框的内侧设置有2个所述挂钩，且这两个挂钩3间隔设置，因而在支撑硅片时，两个边框的4个挂钩3可以在硅片的两侧的四个点位支撑硅片，支撑稳定。
作为另一种优选实施方式，所述石墨边框1的两对相对的边框的内侧中部均设置有所述挂钩3，承载硅片2时，所述硅片2的两对相对的侧边分别挂设在对应侧的所述挂钩3上。这时，两对相对的边框中的每一个边框的内侧中部均设置有1个所述挂钩，也就是说，石墨边框1的四个边框的内侧均设置1个挂钩3，因而在承载硅片2时，四个边框的4个挂钩分别在硅片的四个侧边支撑硅片，因而即使挂钩在使用中稍有变形，也不会因为硅片的某些侧边没有支撑而掉片，支撑更稳定，从而保证镀膜效果。
优选的，所述石墨挡板5的厚度为1～3mm。进一步优选的，所述石墨挡板5的厚度为2mm。
优选的，所述石墨挡板5与对应侧的所述边框的内侧之间的夹角α为21.8°～24.25°。进一步优选的，所述石墨挡板5与对应侧的所述边框的内侧之间的夹角α为22.5°。
优选的，所述锥形结构的底面至所述挂钩3的挂钩部的顶端的垂直距离为0.2～0.4mm。进一步优选的，所述锥形结构的底面至所述挂钩3的挂钩部的顶端的垂直距离为0.3mm。
特别地，在本实施例中，所述锥形结构的底面为正方形。且所述锥形结构的底面的边长为156.2～156.4mm，在本实施例中，对应的硅片2的尺寸为156*156mm，锥形结构的底面的边长略小于硅片的尺寸，则方便硅片2放于挂钩3上。
如图8、9所示，一种适用于板式PECVD的承载装置，包括阵列排布的多个所述石墨框10。其中，相邻两个所述石墨框10中，背对背的两个所述边框的所述挂钩3背对背设置，背对背设置的两个所述挂钩3通过挂钩连接杆6连接形成一体式挂钩结构，背对背的两个所述边框的顶部设置有一挂钩固定夹7，所述一体式挂钩结构的一个所述挂钩3的顶端与所述挂钩固定夹7的一端连接，所述一体式挂钩结构的另一个所述挂钩3的顶端与所述挂钩固定夹7的另一端连接。
以上结合具体实施例描述了本实用新型的技术原理。这些描述只是为了解释本实用新型的原理，而不能以任何方式解释为对本实用新型保护范围的限制。基于此处的解释，本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本实用新型的其它具体实施方式，这些方式都将落入本实用新型的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种适用于板式PECVD的石墨框(10)，包括内部中空且呈方形的石墨边框(1)，其特征在于，
所述石墨边框(1)的至少一对相对的边框的内侧中部均设置有挂钩(3)，
所述石墨边框(1)的四个边框内侧均沿对应边框的长度方向均设置有石墨挡板(5)，所述石墨挡板(5)的底端向所述石墨边框(1)的内部倾斜设置；
多个所述石墨挡板(5)在所述石墨边框(1)的内侧围成上大下小的锥形结构，该锥形结构的底面开口略大于硅片的尺寸；
承载硅片(2)时，所述硅片(2)的至少一对相对的侧边分别挂设在对应侧的所述挂钩(3)上，且所述锥形结构位于所述硅片(2)的上方。
2.根据权利要求1所述的石墨框(10)，其特征在于，所述石墨边框(1)的两对相对的边框的内侧中部均设置有所述挂钩(3)，承载硅片(2)时，所述硅片(2)的两对相对的侧边分别挂设在对应侧的所述挂钩(3)上。
3.根据权利要求1所述的石墨框(10)，其特征在于，所述石墨挡板(5)的厚度为1～3mm。
4.根据权利要求1所述的石墨框(10)，其特征在于，所述石墨挡板(5)与对应侧的所述边框的内侧之间的夹角为21.8°～24.25°。
5.根据权利要求4所述的石墨框(10)，其特征在于，所述石墨挡板(5)与对应侧的所述边框的内侧之间的夹角为22.5°。
6.根据权利要求1所述的石墨框(10)，其特征在于，所述锥形结构的底面至所述挂钩(3)的挂钩部的顶端的垂直距离为0.2～0.4mm。
7.根据权利要求1所述的石墨框(10)，其特征在于，所述锥形结构的底面为正方形。
8.根据权利要求7所述的石墨框(10)，其特征在于，所述锥形结构的底面的边长为156.2～156.4mm。
9.一种适用于板式PECVD的承载装置，其特征在于，包括阵列排布的多个权利要求1至8任一项所述石墨框(10)。
10.根据权利要求9所述的承载装置，其特征在于，相邻两个所述石墨框(10)中，背对背的两个所述边框的所述挂钩(3)背对背设置，背对背设置的两个所述挂钩(3)通过挂钩连接杆(6)连接形成一体式挂钩结构，背对背的两个所述边框的顶部设置有一挂钩固定夹(7)，所述一体式挂钩结构的一个所述挂钩(3)的顶端与所述挂钩固定夹(7)的一端连接，所述一体式挂钩结构的另一个所述挂钩(3)的顶端与所述挂钩固定夹(7)的另一端连接。
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