CN205711033U - 一种稳定性能好的SiC生长坩埚平台 - Google Patents

一种稳定性能好的SiC生长坩埚平台 Download PDF

Info

Publication number
CN205711033U
CN205711033U CN201620382505.3U CN201620382505U CN205711033U CN 205711033 U CN205711033 U CN 205711033U CN 201620382505 U CN201620382505 U CN 201620382505U CN 205711033 U CN205711033 U CN 205711033U
Authority
CN
China
Prior art keywords
platform
graphite
crucible
graphite platform
stability
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201620382505.3U
Other languages
English (en)
Inventor
宗艳民
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shandong Tianyue Advanced Technology Co Ltd
Original Assignee
Shandong Tianyue Crystal Material Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shandong Tianyue Crystal Material Co Ltd filed Critical Shandong Tianyue Crystal Material Co Ltd
Priority to CN201620382505.3U priority Critical patent/CN205711033U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN205711033U publication Critical patent/CN205711033U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本申请涉及SiC生产技术领域,具体为一种稳定性能好的SiC生长坩埚平台。该装置通过螺栓将两块石墨平台连接在一起,并将坩埚固定于两块石墨平台之间,当石墨受热膨胀时,由于螺栓的固定,石墨平台不会发生位置平移,从而保障了坩埚位置的稳定性。另外,该坩埚平台具有结构简单,使用方便等优点。

Description

一种稳定性能好的SiC生长坩埚平台
技术领域
本申请涉及SiC生产技术领域,具体为一种稳定性能好的SiC生长坩埚平台。
背景技术
人造SiC通常是在坩埚中进行生产的,坩埚是通过石墨平台进行支撑的,石墨平台起到均热作用,在SiC生长过程中,需要反复对坩埚进行加热和冷却,石墨平台也需要经历反复不断的膨胀和收缩,石墨平台的膨胀和收缩会导致坩埚的中心位置发生偏移,使得坩埚在使用过程中不稳定,容易晃动,一旦坩埚在使用过程中发生晃动,极易导致坩埚内的温场不均匀,严重影响SiC的质量。
基于上述问题,设计发明一种新型的SiC生长坩埚平台就显得尤为必要。
发明内容
为了克服现有技术中的缺陷,本申请提供了一种新型的SiC生长坩埚平台,该装置通过螺栓将两块石墨平台连接在一起,并将坩埚固定于两块石墨平台之间,当石墨受热膨胀时,由于螺栓的固定,石墨平台不会发生位置平移,从而保障了坩埚位置的稳定性。另外,该坩埚平台具有结构简单,使用方便等优点。
为了实现上述目的,本申请采取的技术方案如下:
一种稳定性能好的SiC生长坩埚平台,包括第一石墨平台和第二石墨平台,所述的第一石墨平台和第二石墨平台通过两个螺栓连接在一起,两根螺栓分别贯穿第一石墨平台和第二石墨平台的两侧,在第二石墨平台的一侧为螺帽,在第一石墨平台的一侧为螺母;在螺帽与第二石墨平台之间设有弹簧;
所述的第一石墨平台和第二石墨平台放置在不锈钢底座上,且不锈钢底座上开设有通气孔,通气孔起到通风散热的作用;
所述的第一石墨平台和第二石墨平台相对的一侧,在每个平台上分别设有半圆,两半圆大小及相对位置为对应的,两个半圆正好形成放置坩埚的空间;
所述的坩埚上设置有通电钮,用于通电而对坩埚加热;
由于两个石墨平台通过螺栓连接在一起,对石墨平台起到了固定作用,而第二石墨平台外侧弹簧的设置,使得石墨平台受热膨胀时,会想着外侧移动,而弹簧能缓冲这种压力,而避免了螺帽对石墨平台的挤压,也避免了石墨平台对坩埚的挤压,避免了坩埚由于受压过大而破碎;
在不锈钢底座上设置通风孔,起到通风散热的作用。
综上所述,本申请提供的SiC生长坩埚,具有稳定性好,通风散热性能优良,结构简单,使用方便等优点。
附图说明
图1为一种稳定性能好的SiC生长坩埚平台主视示意图;
图2为一种稳定性能好的SiC生长坩埚平台俯视示意图;
附图标记
图中1为第一石墨平台,2为螺栓,3为第二石墨平台,4为螺帽,5为弹簧,6为不锈钢底座,7为通风孔,8为坩埚,9为通电钮。
具体实施例
实施例1
一种稳定性能好的SiC生长坩埚平台,包括第一石墨平台1和第二石墨平台3,所述的第一石墨平台1和第二石墨平台3通过两个螺栓2连接在一起,两根螺栓2分别贯穿第一石墨平台1和第二石墨平台3的两侧,在第二石墨平台3的一侧为螺帽4,在第一石墨平台1的一侧为螺母;在螺帽4与第二石墨平台3之间设有弹簧5;
所述的第一石墨平台1和第二石墨平台3放置在不锈钢底座6上,且不锈钢底座6上开设有通气孔7,通气孔7起到通风散热的作用;
所述的第一石墨平台1和第二石墨平台3相对的一侧,在每个平台上分别设有半圆,两半圆大小及相对位置为对应的,两个半圆正好形成放置坩埚8的空间;
所述的坩埚8上设置有通电钮9,用于通电而对坩埚加热;
由于两个石墨平台通过螺栓连接在一起,对石墨平台起到了固定作用,而第二石墨平台外侧弹簧的设置,使得石墨平台受热膨胀时,会想着外侧移动,而弹簧能缓冲这种压力,而避免了螺帽对石墨平台的挤压,也避免了石墨平台对坩埚的挤压,避免了坩埚由于受压过大而破碎;
在不锈钢底座上设置通风孔,起到通风散热的作用。
综上所述,本申请提供的SiC生长坩埚,具有稳定性好,通风散热性能优良,结构简单,使用方便等优点。

Claims (3)

1.一种稳定性能好的SiC生长坩埚平台,其特征在于,包括第一石墨平台(1)和第二石墨平台(3),所述的第一石墨平台(1)和第二石墨平台(3)通过两个螺栓(2)连接在一起,两根螺栓(2)分别贯穿第一石墨平台(1)和第二石墨平台(3)的两侧,在第二石墨平台(3)的一侧为螺帽(4),在第一石墨平台(1)的一侧为螺母;在螺帽(4)与第二石墨平台(3)之间设有弹簧(5);所述的第一石墨平台(1)和第二石墨平台(3)相对的一侧,在每个平台上分别设有半圆,两半圆大小及相对位置为对应的,两个半圆正好形成放置坩埚(8)的空间。
2.如权利要求1所述的稳定性能好的SiC生长坩埚平台,其特征在于,所述的第一石墨平台(1)和第二石墨平台(3)放置在不锈钢底座(6)上,且不锈钢底座(6)上开设有通气孔(7)。
3.如权利要求1所述的稳定性能好的SiC生长坩埚平台,其特征在于,所述的坩埚(8)上设置有通电钮(9)。
CN201620382505.3U 2016-04-29 2016-04-29 一种稳定性能好的SiC生长坩埚平台 Active CN205711033U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201620382505.3U CN205711033U (zh) 2016-04-29 2016-04-29 一种稳定性能好的SiC生长坩埚平台

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201620382505.3U CN205711033U (zh) 2016-04-29 2016-04-29 一种稳定性能好的SiC生长坩埚平台

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN205711033U true CN205711033U (zh) 2016-11-23

Family

ID=57332826

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201620382505.3U Active CN205711033U (zh) 2016-04-29 2016-04-29 一种稳定性能好的SiC生长坩埚平台

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN205711033U (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106637410A (zh) * 2016-12-30 2017-05-10 珠海鼎泰芯源晶体有限公司 坩埚装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106637410A (zh) * 2016-12-30 2017-05-10 珠海鼎泰芯源晶体有限公司 坩埚装置
CN106637410B (zh) * 2016-12-30 2019-03-26 珠海鼎泰芯源晶体有限公司 坩埚装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
USD857249S1 (en) Slab comprising particulate mineral material
USD856544S1 (en) Slab comprising particulate mineral material
USD857248S1 (en) Slab comprising particulate mineral material
CN202535521U (zh) 微型扬声器振膜
TWD185038S (zh) 汽車用散熱器格柵
USD852936S1 (en) Heating and cooling unit
CN205711033U (zh) 一种稳定性能好的SiC生长坩埚平台
CN203356060U (zh) 一种可调式蓖条筛
CN205162493U (zh) 一种多功能转椅
USD762289S1 (en) Heat exchanger
CN205545092U (zh) 光伏支架系统的自适应调节装置
CN205711034U (zh) 一种能够迅速冷却的SiC生长坩埚平台
CN205711043U (zh) 一种SiC生长坩埚平台
CN207178727U (zh) 高度可调节的管道气阀开关
FR3054803B1 (fr) Tampon de polissage poromerique effile
CN205741276U (zh) 一种能够加速冷却的SiC生长坩埚平台
CN203945135U (zh) 螺母工装架
CN203957946U (zh) 可更换座垫的公共汽车座椅
CN205711035U (zh) 一种可移动的SiC生长坩埚平台
CN203973434U (zh) 用于防尘罩生产的固定架
CN207563943U (zh) 一种激光雕刻机用激光管固定座
CN207418913U (zh) 一种多晶铸锭炉设备
CN204734214U (zh) 一种新型水床
CN202603047U (zh) 一种用于安装有bga的pcb更换载台
CN205290215U (zh) 一种钢箱梁顶板单元件

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20190325

Address after: 250100 AB Block 1106-6-01, Century Fortune Center, West Side of Xinyu Road, Jinan High-tech Zone, Shandong Province

Patentee after: Shandong Tianyue Advanced Material Technology Co., Ltd.

Address before: 250118 the middle part of Mei Li Lake, Huaiyin District, Ji'nan, Shandong

Patentee before: Shandong Tianyue Crystal Material Co., Ltd.

CP03 Change of name, title or address
CP03 Change of name, title or address

Address after: No.99, Tianyue South Road, Huaiyin District, Jinan City, Shandong Province

Patentee after: Shandong Tianyue advanced technology Co., Ltd

Address before: 250100 AB Block 1106-6-01, Century Fortune Center, West Side of Xinyu Road, Jinan High-tech Zone, Shandong Province

Patentee before: Shandong Tianyue Advanced Materials Technology Co.,Ltd.