CN205452363U - 一种柔性基板及oled器件 - Google Patents

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Abstract

本实用新型公开了一种柔性基板,其包括PI基板薄膜、形成在该所述PI基板薄膜上的至少一组第一阻水层和PI缓冲薄膜、形成在PI缓冲薄膜上的第二阻水层。本实用新型还公开了一种OLED器件。本实用新型通过将PI薄膜和无机防水层交替成阻水层,制作成可弯曲的柔性基板,其中PI薄膜既作为基材膜又作为缓冲层膜,此柔性基板具有可挠性好,防水率佳,制作工艺简单,极易用于批量生产等特点。

Description

一种柔性基板及OLED器件
技术领域
本实用新型涉及有机光致发光领域,特别是涉及了一种柔性基板及OLED器件。
背景技术
有机电致发光器件(OrganicLight-EmittingDiodes,简称OLED)是自发光器件,它具有质轻,超薄,理论发光效率高,更重要的一点是可以做成柔性,不管是照明还是显示领域,将会是未来的发展方向。其中,FOLED器件(柔性OLED)具备普通OLED器件的宽视角、高亮度等优点,同时由于FOLED器件的衬底是具有良好柔韧性的材料,相比使用玻璃衬底的普通OLED器件更轻薄、更耐冲击,并且FOLED器件的制备能够采用卷对卷的生产方式,从而可以大幅的降低制造成本。
但是,传统柔性OLED基板,防水膜采用SiOx/SiNx或Al2O3无机膜或者无机膜和聚合无机膜交替成膜作为防水膜层,但OLED器件的高温制程(pmoled达到200~300℃,AMOLED达到350~400℃左右)容易导致阻水层失效,防水性能差的问题,而且在实际弯曲过程中,易导致阻水层开裂,失去防水效果,难以保证OLED器件既有较佳可挠性又有较佳防水性。
实用新型内容
为了解决上述现有技术的不足,本实用新型提供了一种工艺简单、成本低廉的柔性基板。本实用新型还提供了一种OLED器件。
本实用新型所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现:
一种柔性基板,其包括PI基板薄膜、形成在该所述PI基板薄膜上的至少一组第一阻水层和PI缓冲薄膜、形成在PI缓冲薄膜上的第二阻水层。
进一步地,所述至少一组第一阻水层和PI缓冲薄膜为3组或5组。
进一步地,所述PI基板薄膜和/或PI缓冲薄膜的厚度为0.5~10μm。
进一步地,所述第一阻水层和/或第二阻水层的厚度为200~1000nm。
进一步地,所述第一阻水层和/或第二阻水层为绝缘无机材料或绝缘有机聚合物材料。
进一步地,所述绝缘无机材料为SiNx、SiO2和Al2O3的任一层或任意两层以上组合。
一种OLED器件,其包括:PI基板薄膜、形成在该所述PI基板薄膜上的至少一组第一阻水层和PI缓冲薄膜、形成在PI缓冲薄膜上的第二阻水层、依次形成在所述第二阻水层上的第一电极层、有机发光层及第二电极层、形成在所述第二电极层上的封装膜。
进一步地,所述第一电极层为透明的ITO或IZO层,所述第二电极层为金属电极层;或者,所述第二电极层为透明的ITO或IZO层,所述第一电极层为金属电极层。
本实用新型具有如下有益效果:
本实用新型通过将PI薄膜和无机防水层交替成阻水层,制作成可弯曲的柔性基板,其中PI薄膜既作为基材膜又作为缓冲层膜,此柔性基板具有可挠性好,防水率佳,制作工艺简单,极易用于批量生产等特点。在柔性OLED器件制作过程中,由于要经过高温工艺(pmoled达到200~300℃,AMOLED达到350~400℃左右),由于基材薄膜和缓冲薄膜的CTE相同,不会出现因应力而产生的阻水层失效的问题,因此其防水性更佳;在柔性OLED的弯曲形变过程中,不会出现因应力不同而产生的阻水层破裂的问题,因此其可挠性更佳。
附图说明
图1为本实用新型一实施例制造柔性基板的方法的流程示意图;
图2为本实用新型一实施例制造OLED器件的方法的流程示意图;
图3为本实用新型一实施例柔性基板的结构示意图;
图4为本实用新型一实施例OLED器件的结构示意图。
具体实施方式
请参考图1、2,本实用新型提供了一种柔性OLED器件的制造方法,包括以下步骤:
步骤01、提供一硬质基板;于硬质基板上涂覆PI溶液,加热所述硬质基板以形成PI基板薄膜;
所述硬质基板优选为玻璃硬质基板,也可以是其他硬质基板;所述涂覆工艺可以是旋涂、喷涂、丝印或滚涂等;通过加热硬质基板,促使PI发生聚合反应,形成PI基板薄膜,PI基板薄膜的分子与硬质基板载体由于弱化学键作用(氢键作用等),粘附在硬质基板载体上。所述PI为聚酰亚胺或其改性物,所述加热温度为200~400℃,加热时间1~3h,加热气氛可以是正常大气环境,也可以是纯N2环境。加热后形成厚度在0.5~10μm之间的PI基板薄膜。
步骤02、于所述PI基板薄膜上形成一厚度约200~1000nm的第一阻水层;
所述第一阻水层选择的材料需具备绝缘性,防止PI基板薄膜与电极层之间发生短路,同时具备一定的阻水阻氧能力。具体的,所述第一阻水层可以为绝缘无机材料,其通过溅射、化学沉积或热蒸镀的方式形成,也可以为绝缘有机聚合物材料,其通过涂布有机聚合物前体材料,经过烘烤固化工艺形成。本实施例优选为SiNx、SiO2和Al2O3等无机薄膜中的任一层或任意两层以上组合。
步骤03、于所述第一阻水层上涂覆PI溶液,加热以形成PI缓冲薄膜;
所述涂覆工艺可以是旋涂、喷涂、丝印或滚涂等;通过加热,促使PI发生聚合反应,形成PI薄膜,所述PI为聚酰亚胺或其改性物,所述加热温度为200~400℃,加热时间1~3h,加热气氛可以是正常大气环境,也可以是纯N2环境。加热后形成厚度在0.5~10μm之间的PI缓冲薄膜。
步骤04、循环步骤02、03至少一次。
步骤05、在步骤04制得的PI缓冲薄膜上形成一厚度约200~1000nm的第二阻水层,获得柔性基板,如图1、3所示;
所述第二阻水层选择的材料需具备绝缘性,防止PI基板薄膜与电极层之间发生短路,同时具备一定的阻水阻氧能力。具体的,所述第二阻水层可以为绝缘无机材料,其通过溅射、化学沉积或热蒸镀的方式形成,也可以为绝缘有机聚合物材料,其通过涂布有机聚合物前体材料,经过烘烤固化工艺形成。本实施例优选为SiNx、SiO2和Al2O3等无机薄膜中的任一层或任意两层以上组合。
步骤06、于第二阻水层上依次形成第一电极层、有机发光层及第二电极层;
所述第一电极层优选为透明的ITO或IZO层等的透明阳极导电层,所述第二电极层优选为Mo、Al、Ag、Au的任一层或其混合层等的金属阴极导电层,所述第一电极层和/或第二电极层可通过磁控溅射或CVD方式等方式形成,并通过蚀刻工艺(可以使干法蚀刻,也可以是湿法蚀刻)将透明阳极导电层、金属阴极导电层制作成目标图案;所述有机发光层包括:设于第一电极层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、及设于发光层上的电子传输层,其可通过真空蒸镀或者印刷工艺依次成膜在第一电极层上。
所述OLED硬质基板为底发光结构,其发出的光透过所述第一电极层与PI基板薄膜射出。
需要说明的是,第一电极层和第二电极层可根据实际情况将其调换。当第一电极层与第二电极层相互对换后,则该OLED硬质基板为顶发光结构,其发出的光透过所述第一电极层射出。
步骤07、于第二电极层上形成厚度约200~1000nm的阻水层,作为封装膜;也可以直接贴覆防水薄膜;直接去掉所述硬质基板,获得OLED器件,如图2、4所示。
所述阻水层选择的材料需具备绝缘性,防止PI基板薄膜与电极层之间发生短路,同时具备一定的阻水阻氧能力。具体的,所述阻水层可以为绝缘无机材料,其通过溅射、化学沉积或热蒸镀的方式形成,也可以为绝缘有机聚合物材料,其通过涂布有机聚合物前体材料,经过烘烤固化工艺形成。本实施例优选为SiNx、SiO2和Al2O3等无机薄膜中的任一层或任意两层以上组合。
具体实现时,还包括附接在位于所述第一电极层的COG/FPC的步骤。
柔性基板中的基材薄膜和防水薄膜间的缓冲薄膜为同材质的聚合物,其CTE相同,其主要优势有以下两点:1)在柔性OLED器件制作过程中,由于要经过高温工艺(pmoled达到200~300℃,AMOLED达到350~400℃左右),由于基材薄膜和缓冲薄膜的CTE相同,不会出现因应力而产生的阻水层失效的问题,因此其防水性更佳;2)由于基材薄膜和缓冲薄膜的CTE相同,在柔性OLED的弯曲形变过程中,不会出现因应力不同而产生的阻水层破裂的问题,因此其可挠性更佳。本实用新型具有制作工艺简单,极易用于批量生产等特点,所制得的OLED器件可挠性好且防水率佳,解决了现有OLED器件较难兼得可挠性好和防水率佳的效果。
请参考图3,本实用新型还提供了一种柔性基板,其包括PI基板薄膜、形成在该所述PI基板薄膜上的至少一组第一阻水层和PI缓冲薄膜、形成在PI缓冲薄膜上的第二阻水层。所述至少一组第一阻水层和PI缓冲薄膜优选但不限定为3组或5组。
请参考图4,本实用新型还提供了一种OLED器件,其包括:PI基板薄膜、形成在该所述PI基板薄膜上的至少一组第一阻水层和PI缓冲薄膜、形成在PI缓冲薄膜上的第二阻水层、依次形成在所述第二阻水层上的第一电极层、有机发光层及第二电极层、形成在所述第二电极层上的封装膜。
需要说明的是,本实施例OLED器件各组成部分所用的材料及其条件参数与OLED器件制造方法中相同的各组成部分所用的材料及其条件参数相同,在此不再赘述。
本实用新型还提供了一种通过所述的OLED制造方法制造的OLED器件在电子设备上的应用,该OLED器件可直接贴覆在曲面载体上,形成曲面OLED器件,应用比较方便,操作简单。
下面结合附图和实施例对本实用新型进行详细的说明。
实施例1
本实施例提供了一种柔性OLED器件的制造方法,包括以下步骤:
步骤11、提供一硬质基板;于硬质基板上涂覆PI溶液,加热所述硬质基板以形成厚度约0.5μm的PI基板薄膜;
步骤12、于所述PI基板薄膜上形成一厚度约1000nm的第一阻水层,该第一阻水层为SiNx、SiO2和Al2O3等无机薄膜中的任一层或任意两层以上组合;
步骤13、于所述第一阻水层上涂覆PI溶液,加热以形成厚度约10μm的PI缓冲薄膜;
步骤14、在PI缓冲薄膜上形成一厚度约200nm的第二阻水层;该第二阻水层为SiNx、SiO2和Al2O3等无机薄膜中的任一层或任意两层以上组合;
步骤15、于第二阻水层上依次形成第一电极层(ITO或IZO层)、有机发光层及第二电极层(Mo、Al、Ag、Au的任一层或其混合层);
步骤16、于第二电极层上形成厚度约600nm的阻水层作为封装膜,该阻水层为SiNx、SiO2和Al2O3等无机薄膜中的任一层或任意两层以上组合;直接去掉所述硬质基板,获得OLED器件。
实施例2
本实施例提供了一种柔性OLED器件的制造方法,包括以下步骤:
步骤21、提供一硬质基板;于硬质基板上涂覆PI溶液,加热所述硬质基板以形成厚度约5μm的PI基板薄膜;
步骤22、于所述PI基板薄膜上形成一厚度约600nm的第一阻水层,该第一阻水层为SiNx、SiO2和Al2O3等无机薄膜中的任一层或任意两层以上组合;
步骤23、于所述第一阻水层上涂覆PI溶液,加热以形成厚度约0.5μm的PI缓冲薄膜;
步骤24、循环步骤22、23的过程5次;
步骤25、在步骤24获得的PI缓冲薄膜上形成一厚度约1000nm的第二阻水层;该第二阻水层为SiNx、SiO2和Al2O3等无机薄膜中的任一层或任意两层以上组合;
步骤26、于第二阻水层上依次形成第一电极层(ITO或IZO层)、有机发光层及第二电极层(Mo、Al、Ag、Au的任一层或其混合层);
步骤27、于第二电极层上形成厚度约200nm的阻水层作为封装膜,该阻水层为SiNx、SiO2和Al2O3等无机薄膜中的任一层或任意两层以上组合;直接去掉所述硬质基板,获得OLED器件。
实施例3
本实施例提供了一种柔性OLED器件的制造方法,包括以下步骤:
步骤31、提供一硬质基板;于硬质基板上涂覆PI溶液,加热所述硬质基板以形成厚度约10μm的PI基板薄膜;
步骤32、于所述PI基板薄膜上形成一厚度约200nm的第一阻水层,该第一阻水层为SiNx、SiO2和Al2O3等无机薄膜中的任一层或任意两层以上组合;
步骤33、于所述第一阻水层上涂覆PI溶液,加热以形成厚度约4μm的PI缓冲薄膜;
步骤34、循环步骤32、33的过程3次;
步骤35、在步骤34制得的PI缓冲薄膜上形成一厚度约600nm的第二阻水层;该第二阻水层为SiNx、SiO2和Al2O3等无机薄膜中的任一层或任意两层以上组合;
步骤05、于第二阻水层上依次形成第二电极层(Mo、Al、Ag、Au的任一层或其混合层)、有机发光层及第一电极层(ITO或IZO层);
步骤06、于第一电极层上形成厚度约1000nm的阻水层作为封装膜,该阻水层为SiNx、SiO2和Al2O3等无机薄膜中的任一层或任意两层以上组合;直接去掉所述硬质基板,获得OLED器件。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制,但凡采用等同替换或等效变换的形式所获得的技术方案,均应落在本实用新型的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种柔性基板,其特征在于,其包括PI基板薄膜、形成在该所述PI基板薄膜上的至少一组第一阻水层和PI缓冲薄膜、形成在PI缓冲薄膜上的第二阻水层。
2.根据权利要求1所述的柔性基板,其特征在于,所述至少一组第一阻水层和PI缓冲薄膜为3组或5组。
3.根据权利要求1所述的柔性基板,其特征在于,所述PI基板薄膜和/或PI缓冲薄膜的厚度为0.5~10μm。
4.根据权利要求1或2所述的柔性基板,其特征在于,所述第一阻水层和/或第二阻水层的厚度为200~1000nm。
5.根据权利要求1所述的柔性基板,其特征在于,所述第一阻水层和/或第二阻水层为绝缘无机材料或绝缘有机聚合物材料。
6.根据权利要求5所述的柔性基板,其特征在于,所述绝缘无机材料为SiNx、SiO2和Al2O3的任一层或任意两层以上组合。
7.一种OLED器件,其特征在于,其包括:PI基板薄膜、形成在该所述PI基板薄膜上的至少一组第一阻水层和PI缓冲薄膜、形成在PI缓冲薄膜上的第二阻水层、依次形成在所述第二阻水层上的第一电极层、有机发光层及第二电极层、形成在所述第二电极层上的封装膜。
8.根据权利要求7所述的OLED器件,其特征在于,所述第一电极层为透明的ITO或IZO层,所述第二电极层为金属电极层;或者,所述第二电极层为透明的ITO或IZO层,所述第一电极层为金属电极层。
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