CN205355036U - 一种堆叠半导体封装 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开一种堆叠半导体封装，包括有基板和外壳，所述外壳位于基板上，所述外壳顶部设置有散热层，所述外壳设置有五层，由外到内分别是第二模塑层、第二铝层、铝蜂窝层、第一铝层和第一模塑层，所述第一模塑层内部设置有半导体芯片模块，所述半导体芯片模块底部设置有支撑构件，所述半导体芯片模块包括有半导体芯片和固定构件，所述半导体芯片和固定构件均设置有一个以上，所述半导体芯片之间为堆叠式设置；该堆叠半导体封装设计简单、强度大、散热性能好和电学性能好。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种堆叠半导体封装。
背景技术
半导体封装体可包括能快速存储及处理大量数据的半导体芯片。一种在基板上具有至少二个堆叠半导体芯片的堆叠半导体封装体不仅能增进数据存储容量，亦可提升数据处理速度。在封装体内的堆叠半导体芯片需要电性连接到基板。众所皆知使用引线的引线接合法以及使用凸块的倒装芯片接合法是用以实现想要的电性连接的两种方法。
虽然使用引线来电性连接的引线接合法频繁地用于堆叠结构中，其缺点在于电性连接每个附加的堆叠芯片的每个引线的长度不可避免地变长。这导致信号传输长度增加，进而使得封装体的电性能劣化且造成封装体的尺寸增大。而且，由于越来越长的引线，可能发生已知为“大弧度引线”的缺陷。相比于引线接合法倒装芯片接合法提供较短的信号传输长度，然而，由于阻碍堆叠的某些限制因素，倒装芯片接合法一般被视为难以实现高集成度的方法。
现有的半导体封装还存在强度不够大、散热性能不够好等缺点。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种设计简单、强度大、散热性能好和电学性能好的堆叠半导体封装。
为解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案：
一种堆叠半导体封装，包括有基板和外壳，所述外壳位于基板上，所述外壳顶部设置有散热层，所述外壳设置有五层，由外到内分别是第二模塑层、第二铝层、铝蜂窝层、第一铝层和第一模塑层，所述第一模塑层内部设置有半导体芯片模块，所述半导体芯片模块底部设置有支撑构件，所述半导体芯片模块包括有半导体芯片和固定构件，所述半导体芯片和固定构件均设置有一个以上，所述半导体芯片之间为堆叠式设置，所述半导体芯片上设置有接合垫，所述基板顶部设置有连接垫，所述连接垫与基板为电性连接，所述连接垫与接合垫之间设置有连接构件，所述基板底部设置有球焊盘，所述球焊盘与基板为电性连接，所述球焊盘上设置有连接端子。
作为优选，所述第一铝层的厚度为0.01-0.02cm。
作为优选，所述铝蜂窝层的厚度为0.05-0.08cm。
作为优选，所述第二铝层的厚度为0.01-0.02cm。
作为优选，所述外壳的高度为0.5-0.6cm。
作为优选，所述基板的高度为0.1-0.2cm。
作为优选，所述第一铝层、铝蜂窝层和第二铝层为一体式设置，使结构更加稳固。
作为优选，所述散热层与第二模塑层为一体式设置，使结构更加稳固。
本实用新型的有益效果为：该堆叠半导体封装设计简单，通过第二铝层、铝蜂窝层和第一铝层的配合设置，大大提高了半导体封装的强度；在外壳顶部设置有散热层，提高了半导体封装的散热性能；该堆叠半导体封装内部的半导体芯片之间为堆叠式设置，使其具有优异的电学性能与高度的集成能力。
附图说明
图1为本实用新型一种堆叠半导体封装的结构示意图。
具体实施方式
如图1所示，一种堆叠半导体封装，包括有基板1和外壳2，所述外壳2位于基板1上，所述外壳2顶部设置有散热层16，所述外壳2设置有五层，由外到内分别是第二模塑层15、第二铝层14、铝蜂窝层13、第一铝层12和第一模塑层11，所述第一模塑层11内部设置有半导体芯片模块3，所述半导体芯片模块3底部设置有支撑构件17，所述半导体芯片模块3包括有半导体芯片5和固定构件4，所述半导体芯片5和固定构件4均设置有一个以上，所述半导体芯片5之间为堆叠式设置，所述半导体芯片5上设置有接合垫8，所述基板1顶部设置有连接垫7，所述连接垫7与基板1为电性连接，所述连接垫7与接合垫8之间设置有连接构件6，所述基板1底部设置有球焊盘10，所述球焊盘10与基板1为电性连接，所述球焊盘10上设置有连接端子9。
所述第一铝层12的厚度为0.01-0.02cm。
所述铝蜂窝层13的厚度为0.05-0.08cm。
所述第二铝层14的厚度为0.01-0.02cm。
所述外壳2的高度为0.5-0.6cm。
所述基板1的高度为0.1-0.2cm。
所述第一铝层12、铝蜂窝层13和第二铝层14为一体式设置，使结构更加稳固。
所述散热层16与第二模塑层15为一体式设置，使结构更加稳固。
本实用新型的有益效果为：该堆叠半导体封装设计简单，通过第二铝层、铝蜂窝层和第一铝层的配合设置，大大提高了半导体封装的强度；在外壳顶部设置有散热层，提高了半导体封装的散热性能；该堆叠半导体封装内部的半导体芯片之间为堆叠式设置，使其具有优异的电学性能与高度的集成能力。
以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何不经过创造性劳动想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种堆叠半导体封装，其特征在于：包括有基板和外壳，所述外壳位于基板上，所述外壳顶部设置有散热层，所述外壳设置有五层，由外到内分别是第二模塑层、第二铝层、铝蜂窝层、第一铝层和第一模塑层，所述第一模塑层内部设置有半导体芯片模块，所述半导体芯片模块底部设置有支撑构件，所述半导体芯片模块包括有半导体芯片和固定构件，所述半导体芯片和固定构件均设置有一个以上，所述半导体芯片之间为堆叠式设置，所述半导体芯片上设置有接合垫，所述基板顶部设置有连接垫，所述连接垫与基板为电性连接，所述连接垫与接合垫之间设置有连接构件，所述基板底部设置有球焊盘，所述球焊盘与基板为电性连接，所述球焊盘上设置有连接端子。
2.根据权利要求1所述的堆叠半导体封装，其特征在于：所述第一铝层的厚度为0.01-0.02cm。
3.根据权利要求2所述的堆叠半导体封装，其特征在于：所述铝蜂窝层的厚度为0.05-0.08cm。
4.根据权利要求3所述的堆叠半导体封装，其特征在于：所述第二铝层的厚度为0.01-0.02cm。
5.根据权利要求4所述的堆叠半导体封装，其特征在于：所述外壳的高度为0.5-0.6cm。
6.根据权利要求5所述的堆叠半导体封装，其特征在于：所述基板的高度为0.1-0.2cm。
7.根据权利要求6所述的堆叠半导体封装，其特征在于：所述第一铝层、铝蜂窝层和第二铝层为一体式设置。
8.根据权利要求7所述的堆叠半导体封装，其特征在于：所述散热层与第二模塑层为一体式设置。
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Family Applications (1)
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| CN (1) | CN205355036U (zh) |
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2015
- 2015-12-31 CN CN201521143341.0U patent/CN205355036U/zh not_active Expired - Fee Related
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