CN205310934U - 一种防伪结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及防伪技术，尤其涉及一种防伪结构，该防伪结构，其特征在于：该防伪结构包括片状的单晶硅模块，单晶硅模块具有镂空区域，该防伪结构还包括紫外荧光模块，紫外荧光模块镶嵌于所述镂空区域，本实用新型提供一种具有多材质、双重防伪的防伪结构。

Description

一种防伪结构

技术领域

本实用新型涉及防伪技术，尤其涉及一种防伪结构。

背景技术

现有技防伪术中，大多以水印、有色纤维、荧光油墨印刷、微点或微小记号的形体及随机分布等作为防伪手段。

比如，现有技术1，中国专利文献CN102108653A，公开的一种片状防伪材料，所述片状防伪材料采用正四边形以外的异形结构；且所述片状防伪材料由以下层状结构组成：纸质防伪载体层，其中所述纸质防伪载体为由至少两种纤维复配制造得到的纸张；以及防伪层。还公开了所述片状防伪材料的制备方法以及含有该片状防伪材料的防伪纸。本发明的片状防伪材料可以获得同时具备肉眼识别、快速机读、专家分析等多层次的防伪功能的防伪纸。

再比如，现有技术2，中国专利文献CN104610812A，公开的荧光硅纳米颗粒作为防伪标记的应用，由硅源制备荧光硅纳米颗粒，将得到的荧光硅纳米颗粒用做防伪墨水来制备防伪图案。由于硅纳米颗粒具有很好的荧光性质，量子产率高，储存稳定性好，具有良好的激发波长依赖性，制备的防伪图案在不同激发波长的光照下能显示不同颜色的光，能起到很好的防伪效果。

再比如，现有技术3，中国专利文献CN101673341A,公开的本发明涉及防伪技术，尤其涉及一种微点防伪方法。该方法包括以下步骤：(1)提供一种微点；(2)提供一种胶水，将微点混合于胶水之中；(3)向承载物上点混有微点的胶水；(4)固化胶水；(5)拍照胶滴，形成原始对比图片；(6)原始对比图片存入后台数据库；(7)防伪验证拍照胶滴，形成被比图片；(8)读取后台数据库原始对比图片，与被比图片比较，作出真伪判断；其中，第(5)步所述的拍照胶滴，为放大拍照；第(7)步所述的防伪验证拍照胶滴，也是放大拍照。本发明提供一种不可仿制的微点防伪方法。与此相对应，中国专利文献CN102267287A公开了类似的一种微点防伪印记的制备方法及实现该方法的装置。微点防伪印记的制备方法包括以下步骤：S1，提供一种微点标记物，提供一种墨水；S2，混墨，即将微点标记物与墨水混合均匀；S3，提供至少二个喷头，提供目标物；S4，喷射，通过喷头将混有微点标记物的墨水喷向标的物；S5，干燥混有微点标记物的墨水；在喷射过程中，混墨步骤连续地进行，混墨、向喷头供墨、喷射是在全封闭的液路内完成的。本发明提供一种加工过程中不易混入杂质、实时保持微点在墨水内分布均匀的微点防伪印记的制备方法及实现该方法的装置。

再比如，现有技术4，中国专利文献CN1350274A，公开的一种含有多数微小记号或图案的防伪标记及其形成方法，以含有多数微小图案记号的防伪标记，达成鉴定物品真伪及防止伪造的应用。物件鉴定用方法是根据在物件中所形成的至少一独特标记，它含有多数微小图案或记号，并以随机组合的方式合于标记内，以作为对比、鉴定的方法，而具有防止他人伪造及可以轻易达成识别及鉴定和对比的功效。

然而,诸如以上列举，现有技术的复合纤维、荧光硅纳米颗粒、微点或微小记号的形体及随机分布等作为防伪手段，并不是向公开文本叙述的那样可以防止他人伪造的效果，随着科学技术的进步，这些技术手段均可以廉价仿制，不能仿制的只有现有技术3所述的后台数据库，但后台数据也不安全，企业的数据库很容易遭受黑客攻击，且需要通讯安全保障，仍然不理想。现有技术3和现有技术4，解实能解决大部分防伪需求，然而都是单一材质构成的防伪材料容易被仿制，而且统一的灰色调没有层次感和立体感，仍然不能满足高端需求，因而，需要不断推陈出新，不断进步。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服上述现有技术的不足之处而提供一种具有多材质的防伪结构。

本实用新型的目的还在于克服上述现有技术的不足之处而提供一种具有可见光和紫外光双重防伪的防伪结构。

本实用新型的目的可以通过以下技术方案实现：

一种防伪结构，其特征在于：该防伪结构包括片状的单晶硅模块，单晶硅模块具有镂空区域，该防伪结构还包括紫外荧光模块，紫外荧光模块镶嵌于所述镂空区域。

所述的防伪结构，其特征在于：所述的紫外荧光模块，是指在单位防伪结构中，由紫外荧光子模块构成的总和，各个子模块之间离散分布，所述紫外荧光模块可以是一个图形或字符，也可以是由多数个子模块组成一组图形或字符串；所述的单晶硅模块，是指在单位防伪结构中，由单晶硅子模块构成的总和，各个子模块之间离散分布，所述单晶硅模块可以是一个图形或字符，也可以是由多数个子模块组成一组图形或字符串。

所述的防伪结构，其特征在于：所述紫外荧光模块底面与单晶硅模块底面位于同一平面上，所述紫外荧光模块与单晶硅模块厚度一致。

所述的防伪结构，其特征在于：所述紫外荧光模块底面与单晶硅模块底面位于同一平面上，所述紫外荧光模块比单晶硅模块厚度大。

所述的防伪结构，其特征在于：所述紫外荧光模块是紫外荧光粉均匀固化在光固胶之中的结构；所述紫外荧光材料是外荧光粉与光固胶的均匀混合物。紫外荧光粉是由金属(锌、镉)硫化物或稀土氧化物与微量活性剂配合，经煅烧而成。

所述的防伪结构，其特征在于：在可见光下，紫外荧光模块设置成无色或白色，在紫外光照射下，紫外荧光模块是彩色的，面且不同的紫外荧光模块子模块可以设置成不同的颜色，单晶硅模块设置成无色；而且在可见光下，白色紫外荧光模块或整体无色构成第一防伪信息，第一防伪信息具有隐藏第二防伪信息的作用；在紫外光照射下，彩色的紫外荧光模块构成第二防伪信息。

所述的防伪结构，其特征在于：所述片状结构的厚度为2至10微米之间。

本实用新型所涉及的防伪结构包括片状的单晶硅模块，该防伪结构包括片状的单晶硅模块，单晶硅模块具有镂空区域，该防伪结构还包括紫外荧光模块，紫外荧光模块镶嵌于所述镂空区域；在可见光下，紫外荧光模块设置成无色或白色，在紫外光照射下，紫外荧光模块是彩色的，面且不同的紫外荧光模块子模块可以设置成不同的颜色，单晶硅模块设置成无色；而且在可见光下，白色紫外荧光模块或整体无色构成第一防伪信息，第一防伪信息具有隐蔽性；在紫外光照射下，彩色的紫外荧光模块构成第二防伪信息；具有多种材质，而且在可见光与紫外光下具有双重防伪信息，其工艺上比现有技术难度大，不易仿制，优其是紫外荧光模块形态分布数据无法从电子显微镜反向抄数，较现有技术安全。

附图说明

图1是本实用新型第一个和第二个实施例的正面示意图。

图2是本实用新型第一个实施例的图1中A-A剖面示意图。

图3是本实用新型第二个实施例的图1中A-A剖面示意图。

图4是本实用新型第三个和第四个实施例的S110至S150步骤的示意图。

图5是本实用新型第三个和第四个实施例的S160至S180步骤的示意图。

图6是本实用新型第三个和第四个实施例的S190步骤的示意图。

图7是本实用新型第三个和第四个实施例的S200步骤的示意图。

图8是本实用新型第三个和第四个实施例的S210步骤的示意图。

图9是本实用新型第三个实施例的S215步骤的示意图。

图10是本实用新型第三个实施例的S220至S240步骤的示意图。

图11是图10和图12中P处放大示意图。

图12是本实用新型第四个实施例的S220至S240步骤的示意图。

图13是本实用新型第三个和第四个实施例的S250步骤的示意图。

图14是本实用新型第三实施例的流程图。

具体实施方式

下面将结合附图对本实用新型作进一步详述。

参考图1、图2，图2是图1中A-A面剖面图，本实用新型第一个实施例是一种防伪结构，该防伪结构包括片状的单晶硅模块001，单晶硅模001块具有镂空区域，该防伪结构还包括紫外荧光模块002，紫外荧光模块002镶嵌于所述镂空区域，在本实施例中紫外荧光模块002完全填充了所述镂空区域。

所述的紫外荧光模块002，是指在单位防伪结构000中，由各个紫外荧光子模块构成的总和，各个子模块之间离散分布，所述紫外荧光模块002可以是一个图形或字符，也可以是由多数个子模块组成一组图形或字符串，在本实施例中，紫外荧光模块002是一组字符串“Red”,由离散分布的三个子模块“R”、“e”、“d”构成；所述的单晶硅模块001，是指在单位防伪结构中，由各个单晶硅子模块构成的总和，各个子模块之间离散分布，所述单晶硅模块可以是一个图形或字符，也可以是由多数个子模块组成一组图形或字符串，在本实施例中，单晶硅模块001由四个离散分布子模块构成，即字符“R”上部的封闭部分、字符“e”上部的封闭部分、字符“d”下部封闭部分、还有字符串“Red”周围的部分；在本实施例中单位防伪结构000就是指一个防伪结构。

再次参考图2，在本实施例中，所述紫外荧光模块002底面与单晶硅模块001底面位于同一平面上，所述紫外荧光模块002与单晶硅模块001厚度一致。

所述紫外荧光模块002是紫外荧光粉均匀固化在光固胶之中的结构；所述紫外荧光材料是外荧光粉与光固胶的均匀混合物。紫外荧光粉是由金属(锌、镉)硫化物或稀土氧化物与微量活性剂配合，经煅烧而成。

在可见光下，紫外荧光模块002设置成白色，在紫外光照射下，紫外荧光模块002是彩色的，面且不同的紫外荧光模块子模块可以设置成不同的颜色，在本实施例中，字符串“Red”是同一种颜色和，应当理解，也可以是不同色彩的，在第三个实施例中说明了不同色彩子模块的制备手段；单晶硅模块001设置成无色；而且在可见光下，白色紫外荧光模块或整体无色构成第一防伪信息，第一防伪信息具有隐蔽性；在紫外光照射下，彩色的紫外荧光模块构成第二防伪信息。

参考图1、图3，图3是图1中A-A面剖面图，本实用新型第二个实施例是一种防伪结构，与本实用新型第一个实施例的不同之处在于，所述紫外荧光模块002底面与单晶硅模块001底面位于同一平面上，所述紫外荧光模块002比单晶硅模块001厚度大，本实施例可见光下立体效果加强。

参考图4至图11、图13至图14，本实用新型第三个实施例是一种防伪结构的制备方法，即制备本实用新型第一个实施例所描述的防伪结构的制备方法，该方法包括以下步骤：S110，提供玻璃基底；S120，在玻璃基底上面镀附着层；S130，在附着层上面镀牺牲层；S140，在牺牲层上面镀单晶硅层；S150，在单晶硅层上面涂布光固胶；S160，提供紫外线光源，提供第一淹模板，将S150步骤涂布的光固胶涂层曝光；S170，提供显影液，显影；S180，提供纯净水，清洗；S190，提供等离子刻蚀装备，刻蚀没有光固胶保护的单晶硅层，即镂空区域及各个单位防伪结构之外的周边区域；S200，提供清洗液，清洗，就是清洗掉用于保护无定硅层的光固胶；S210，在单晶硅表面涂布紫外荧光粉和光固胶的混合物；S215步骤，刮胶；S220，提供第二淹模板，将S200步骤涂布的混合物涂层曝光；S230，显影；S240，用纯净水清洗；S250，提供牺牲层蚀刻液，刻蚀牺牲层；S260，提供清洗过滤装备及纯净水，清洗，过滤；其中，S120步骤，所述附着层是Cr或Ni或不锈钢，所述镀是指真空镀；S130步骤，所述牺牲层是Al或Cu，所述镀是指真空镀；S170步骤，所述提供显影液，显影液是四甲基加水；所述显影，用显影液固化部分光固胶；S180步骤，清洗，用纯净水清洗掉S170显影步骤未固化部分光固胶。

所述S150步骤，还包括提供悬涂装备步骤，用悬涂方法涂布。所述S210步骤，还包括提供喷涂装备步骤，用喷涂方法涂布。所述S215步骤，刮胶，还包括提供刮胶装备，将单晶硅表面的S210步骤喷涂的混合物刮去。刮胶装备可以外购；也可以SMT刮锡机刮胶，工作时不装丝网，送料轨道下设置废胶回收装置即可完成。

所述光固胶可以选择正光固胶和负光固胶其中的一种，所述S170步骤提到的固化部分光固胶是指，曝光或未曝光的部分光固胶，具体地，对于正光固胶曝光的部分光固胶不固化，未曝光的部分光固胶固化；对应地，对于负光固胶曝光的部分光固胶固化，未曝光的部分光固胶不固化。

所述S110提供玻璃基底，还包括把玻璃片切成方形或长方形，以及倒角、抛光、清洗、干燥步骤，供玻璃基底的厚度介于0.3至0.5毫米之间。

所述S200步骤所述提供清洗液，清洗液是丙酮。

所述S190步骤刻蚀单晶硅层，所用气体是CF6，当然也可以增加辅助气体。

所述S250步骤，提供牺牲层蚀刻液，对于S130步骤所镀的牺牲层是Al的话，提供蚀刻液是盐酸、氢氧化钠中的一种；对于S130步骤所镀的牺牲层是Cu的话，提供蚀刻液是盐酸和三氯化铁的水溶液。

再次参考图4，是本实施例的S110至S150步骤的示意图，在玻璃基底101上面镀附着层102，在附着层102上面镀牺牲层103，在牺牲层103上面镀单晶硅层104，在单晶硅层104上面涂布光固胶105，成为第一半成品100供下一步骤加工；再次参考图5，是本实施例的S160至S180步骤的示意图，提供紫外线光源999，提供第一淹模板901，将第一半成品100的光固胶涂层曝光，提供显影液，显影，提供纯净水，清洗，第一半成品100的光固胶105只留下用保护单晶硅层104的部分已经固化的光固胶201，成为第二半成品200供下一步骤加工；再次参考图6，是本实施例的S190步骤的示意图，S190，提供等离子刻蚀装备，刻蚀没有光固胶保护的单晶硅层，即刻蚀掉镂空区域301及各个单位防伪结构之外的周边区域，露出部分牺牲层103，成为第三半成品300供下一步骤加工；再次参考图7，是本实施例的S200步骤的示意图，提供清洗液，清洗掉第三半成品300用保护单晶硅层104的部分已经固化的光固胶201，在牺牲层103上只留下无定形模块001，成为第四半成品400供下一步骤加工；再次参考图8，是本实施例的S210步骤的示意图，在单晶硅表面涂布紫外荧光粉和光固胶的混合物501，实际上牺牲层的表面也必须一起涂布工艺上才能实施，本实施例采用喷涂方式，在单晶硅层很薄的情况下，也可以采用悬涂，镂空区域也可以涂满，选择悬涂与喷涂只是等同替换没有实质，只要将镂空区域填满，没有什么区别，成为第五半成品500供下一步骤加工；再次参考图9，是实施例的S215步骤的示意图，刮胶，还包括提供刮胶装备，将单晶硅表面的S210步骤喷涂的混合物刮去，成为第五半成品500a供下一步骤加工；再次参考图10，是本实施例的S220至S240步骤的示意图。提供第二淹模板902a，将第五半成品500a的混合物涂层曝光，显影，用纯净水清洗，至此，牺牲层103上只留下多个单位防伪结构000，成为第六半成品600a供下一步骤加工；再说说不同的紫外荧光模块子模块可以设置成不同的颜色的方法，先用一个子模块紫外荧光粉和光固胶的混合物501在单晶硅表面涂布，第二淹模板902a只有这一个子模块对应的镂空区域曝光，显影，用纯净水清洗，再用另一子模块紫外荧光粉和光固胶的混合物501在单晶硅表面涂布，第二淹模板902a只有这一个子模块对应的镂空区域曝光，显影，用纯净水清洗，直到完所有子模块设置，这样，不同的子模块就可以用不同紫外荧光粉，以实现不同子模块在紫外光照射下就呈现出不同的确良色彩；再次参考图13，是本实施例的S250步骤的示意图，提供牺牲层蚀刻液，刻蚀牺牲层，至此，一组多个单位防伪结构000就制备出来，提供清洗过滤装备及纯净水，清洗，过滤，就可以应用于工业中了。

图14是本实用新型第三实施例的流程图。

参考图4至图8、图11至图13，是本实用新型第四个实施例，是制备本实用新型第二个实施例是防伪结构方法，即制备紫外荧光模块002底面与单晶硅模块001底面位于同一平面上，所述紫外荧光模块002比单晶硅模块001厚度大的防伪结构，该方法包括以下步骤：S110，提供玻璃基底；S120，在玻璃基底上面镀附着层；S130，在附着层上面镀牺牲层；S140，在牺牲层上面镀单晶硅层；S150，在单晶硅层上面涂布光固胶；S160，提供紫外线光源，提供第一淹模板，将S150步骤涂布的光固胶涂层曝光；S170，提供显影液，显影；S180，提供纯净水，清洗；S190，提供等离子刻蚀装备，刻蚀没有光固胶保护的单晶硅层，即镂空区域及各个单位防伪结构之外的周边区域；S200，提供清洗液，清洗，就是清洗掉用于保护无定硅层的光固胶；S210，在单晶硅表面涂布紫外荧光粉和光固胶的混合物；S220，提供第二淹模板，将S200步骤涂布的混合物涂层曝光；S230，显影；S240，用纯净水清洗；S250，提供牺牲层蚀刻液，刻蚀牺牲层；S260，提供清洗过滤装备及纯净水，清洗，过滤；其中，S120步骤，所述附着层是Cr或Ni或不锈钢，所述镀是指真空镀；S130步骤，所述牺牲层是Al或Cu，所述镀是指真空镀；S170步骤，所述提供显影液，显影液是四甲基加水；所述显影，用显影液固化部分光固胶；S180步骤，清洗，用纯净水清洗掉S170显影步骤未固化部分光固胶。

所述S150步骤，还包括提供悬涂装备步骤，用悬涂方法涂布。所述S210步骤，还包括提供喷涂装备步骤，用喷涂方法涂布。所述S215步骤，刮胶，还包括提供刮胶装备，将单晶硅表面的S210步骤喷涂的混合物刮去。刮胶装备可以外购；也可以SMT刮锡机刮胶，工作时不装丝网，送料轨道下设置废胶回收装置即可完成。

所述光固胶可以选择正光固胶和负光固胶其中的一种，所述S170步骤提到的固化部分光固胶是指，曝光或未曝光的部分光固胶，具体地，对于正光固胶曝光的部分光固胶不固化，未曝光的部分光固胶固化；对应地，对于负光固胶曝光的部分光固胶固化，未曝光的部分光固胶不固化。

所述S110提供玻璃基底，还包括把玻璃片切成方形或长方形，以及倒角、抛光、清洗、干燥步骤，供玻璃基底的厚度介于0.3至0.5毫米之间。

所述S200步骤所述提供清洗液，清洗液是丙酮。

所述S190步骤刻蚀单晶硅层，所用气体是CF6，当然也可以增加辅助气体。

所述S250步骤，提供牺牲层蚀刻液，对于S130步骤所镀的牺牲层是Al的话，提供蚀刻液是盐酸、氢氧化钠中的一种；对于S130步骤所镀的牺牲层是Cu的话，提供蚀刻液是盐酸和三氯化铁的水溶液。

再次参考图4，是本实施例的S110至S150步骤的示意图，在玻璃基底101上面镀附着层102，在附着层102上面镀牺牲层103，在牺牲层103上面镀单晶硅层104，在单晶硅层104上面涂布光固胶105，成为第一半成品100供下一步骤加工；再次参考图5，是本实施例的S160至S180步骤的示意图，提供紫外线光源999，提供第一淹模板901，将第一半成品100的光固胶涂层曝光，提供显影液，显影，提供纯净水，清洗，第一半成品100的光固胶105只留下用保护单晶硅层104的部分已经固化的光固胶201，成为第二半成品200供下一步骤加工；再次参考图6，是本实施例的S190步骤的示意图，S190，提供等离子刻蚀装备，刻蚀没有光固胶保护的单晶硅层，即刻蚀掉镂空区域301及各个单位防伪结构之外的周边区域，露出部分牺牲层103，成为第三半成品300供下一步骤加工；再次参考图7，是本实施例的S200步骤的示意图，提供清洗液，清洗掉第三半成品300用保护单晶硅层104的部分已经固化的光固胶201，在牺牲层103上只留下无定形模块001，成为第四半成品400供下一步骤加工；再次参考图8，是本实施例的S210步骤的示意图，在单晶硅表面涂布紫外荧光粉和光固胶的混合物501，实际上牺牲层的表面也必须一起涂布工艺上才能实施，本实施例采用喷涂方式，在单晶硅层很薄的情况下，也可以采用悬涂，镂空区域也可以涂满，选择悬涂与喷涂只是等同替换没有实质，只要将镂空区域填满，没有什么区别，成为第五半成品500供下一步骤加工；再次参考图12，是本实施例的S220至S240步骤的示意图，是本实施例的S220至S240步骤的示意图，提供第二淹模板902，将第五半成品500的混合物涂层曝光，显影，用纯净水清洗，至此，牺牲层103上只留下多个单位防伪结构000，成为第六半成品600供下一步骤加工；再次参考图13，是本实施例的S250步骤的示意图，提供牺牲层蚀刻液，刻蚀牺牲层，至此，一组多个单位防伪结构000就制备出来，提供清洗过滤装备及纯净水，清洗，过滤，就可以应用于工业中了。

本实施例未设置流程图，可以参考图14，只是没有刮胶步骤。

Claims (5)

1.一种防伪结构，其特征在于：该防伪结构包括片状的单晶硅模块，单晶硅模块具有镂空区域，该防伪结构还包括紫外荧光模块，紫外荧光模块镶嵌于所述镂空区域。

2.根据权利要求1所述的防伪结构，其特征在于：所述紫外荧光模块底面与单晶硅模块底面位于同一平面上，所述紫外荧光模块与单晶硅模块厚度一致。

3.根据权利要求1所述的防伪结构，其特征在于：所述紫外荧光模块底面与单晶硅模块底面位于同一平面上，所述紫外荧光模块比单晶硅模块厚度大。

4.根据权利要求1所述的防伪结构，其特征在于：所述紫外荧光模块是紫外荧光粉均匀固化在光固胶之中的结构。

5.根据权利要求1所述的防伪结构，其特征在于：所述片状结构的厚度为2至10微米之间。