CN205264702U - 一种平板探测器结构 - Google Patents

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王红光
王杰杰
余院生
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Shanghai Yi Ruiguang electronic Polytron Technologies Inc
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SHANGHAI YIRUI OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY Co Ltd
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Abstract

本实用新型提供一种平板探测器结构,所述平板探测器结构至少包括具有容纳槽且顶部开口的结构件,所述结构件的侧壁顶部为安装面,所述安装面呈外高内低结构;固定于所述结构件安装面上的上盖;固定于所述容纳槽底部的TFT平板;形成于所述TFT平板表面的闪烁体层,利用外高内低的所述安装面,所述上盖固定后形成下凹面,从而将所述闪烁体层压合在所述TFT平板上。本实用新型通过将安装面设计成台阶或斜面结构,可以实现上盖在安装过程中发生形变,从而压紧闪烁体层和TFT平板。

Description

一种平板探测器结构
技术领域
本实用新型涉及一种平板探测器结构,特别是涉及一种在安装过程中产生形变而将闪烁体层和TFT平板压合的平板探测器结构。
背景技术
非晶硅X射线平板探测器的成像过程需要经历“X射线”到“可见光”,然后“电荷图像”到“数字图像”的成像转换过程。通常,非晶硅X射线平板探测器也被称作间接转换型平板探测器,是一种以非晶硅光电二极管阵列为核心的X射线影像探测器。在X射线照射下探测器的闪烁体或荧光体层将X射线光子转换为可见光,而后由具有光电二极管作用的非晶硅阵列变为图像电信号,通过外围电路积分读出及A/D变换,从而获得数字化图像。非晶硅平板探测器具有成像速度快,良好的空间及密度分辨率,高信噪比,直接数字输出等显著优点。
随着平板探测器技术的发展,平板探测器的结构设计也随之发展,多种多样,各家不一。但是,现有的平板探测器如图1所示,所述平板探测器结构包括:具有容纳槽101A且顶部开口的结构件10A,所述结构件10A的侧壁顶部为安装面102A;固定于所述结构件10A安装面102A上的上盖20A;固定于所述容纳槽101A底部的TFT平板30A;形成于所述TFT平板30A表面的闪烁体层40A。
其中,闪烁体层40A是将X射线转变成可见光的一种物质,TFT平板30A则是将可见光转变成电信号的材料,在平板探测器中,需要将闪烁体层40A和TFT平板30A平整压合,可以实现X射线的清晰采集。
现有的平板探测器在实现闪烁体层40A和TFT平板30A的结合主要有两种方式,第一种方式如图1所示,通过光学胶将闪烁体层40A和TFT平板30A直接粘接在一起,这种方式需要严格控制光学胶的厚度和均匀性,并且胶合之后不便于维护。第二种方式如图2所示,通过加工下凹形上盖20A,将闪烁体层40A和TFT平板30A压合在一起,这种方式对上盖20A的工艺要求太高,且需要经过多次测试才能获得合适的上盖凹形曲线。
实用新型内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种平板探测器结构,用以解决现有技术中平板探测器TFT平板和电路板压合之后不便于维护或者对上盖工艺要求太高的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型提供一种平板探测器结构,所述平板探测器结构至少包括:
具有容纳槽且顶部开口的结构件,所述结构件的侧壁顶部为安装面,所述安装面呈外高内低结构;
固定于所述结构件安装面上的上盖;
固定于所述容纳槽底部的TFT平板;
形成于所述TFT平板表面的闪烁体层,利用外高内低的所述安装面,所述上盖固定后形成下凹面,从而将所述闪烁体层压合在所述TFT平板上。
作为本实用新型平板探测器结构的一种优化的结构,所述闪烁体层和上盖之间还设置有缓冲层。
作为本实用新型平板探测器结构的一种优化的结构,所述缓冲层为泡棉。
作为本实用新型平板探测器结构的一种优化的结构,所述安装面为外高内低的台阶面或者斜面。
作为本实用新型平板探测器结构的一种优化的结构,所述安装面的外侧与内侧的高度差在0.3mm以下,通过调节所述高度差来调节所述上盖向下的压合力。
作为本实用新型平板探测器结构的一种优化的结构,所述上盖通过螺丝固定在所述结构件的安装面上。
作为本实用新型平板探测器结构的一种优化的结构,所述上盖为碳纤维板。
作为本实用新型平板探测器结构的一种优化的结构,所述TFT平板为基于非晶硅工艺技术制作的玻璃平板。
如上所述,本实用新型提供一种平板探测器结构,所述平板探测器结构至少包括具有容纳槽且顶部开口的结构件,所述结构件的侧壁顶部为安装面,所述安装面呈外高内低结构;固定于所述结构件安装面上的上盖;固定于所述容纳槽底部的TFT平板;形成于所述TFT平板表面的闪烁体层,利用外高内低的所述安装面,所述上盖固定后形成下凹面,从而将所述闪烁体层压合在所述TFT平板上。本实用新型通过将安装面设计成台阶或斜面结构,可以实现上盖在安装过程中发生形变,从而压紧闪烁体层和TFT平板。
附图说明
图1显示为现有技术的平板探测器其中一种结构示意图。
图2显示为现有技术的平板探测器另一种结构示意图。
图3显示为本实用新型平板探测器其中一种结构示意图。
图4显示为本实用新型平板探测器另一种结构示意图。
元件标号说明
10,10A结构件
101,101A容纳槽
102,102A安装面
20,20A上盖
30,30ATFT平板
40,40A闪烁体层
50缓冲层
60螺丝
具体实施方式
以下由特定的具体实施例说明本实用新型的实施方式,熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点及功效。
请参阅图3~图4。须知,本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等,均仅用以配合说明书所揭示的内容,以供熟悉此技术的人士了解与阅读,并非用以限定本实用新型可实施的限定条件,故不具技术上的实质意义,任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整,在不影响本实用新型所能产生的功效及所能达成的目的下,均应仍落在本实用新型所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时,本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语,亦仅为便于叙述的明了,而非用以限定本实用新型可实施的范围,其相对关系的改变或调整,在无实质变更技术内容下,当亦视为本实用新型可实施的范畴。
如图3所示,本实施例提供一种平板探测器结构,所述平板探测器结构至少包括结构件10、上盖20、TFT平板30以及闪烁体层40。
所述结构件10具有容纳槽101且顶部开口,所述结构件10的侧壁顶部为安装面102,所述安装面102呈外高内低结构。所述上盖20则盖在所述结构件10顶部的安装面上。具体地,可以通过螺丝60将所述上盖20锁付在安装面102上。
所述上盖20即为探测器窗口,利用所述上盖20来隔离结构件10内部的平板与外部空间并允许X射线几乎无遮挡的进入探测器。所述上盖20一般优选为碳纤维板。所述结构件10可以是铝合金或者镁合金等。
所述TFT平板30固定在所述容纳槽101底部,在所述TFT平板30表面形成有闪烁体层40。
所述TFT平板30为基于非晶硅工艺技术制作的玻璃平板,集成有光电传感器件。所述闪烁层40是使外界入射的X射线转变为可见光的材料。利用光电传感器可将所述将闪烁体层40射出的可见光转变为电信号。
固定之后,所述TFT平板30应该位于所述上盖20的正下方,X射线进入探测器之后,以使TFT平板30最大面积的接收X射线,使X射线转化为可见光,再进一步由光信号转变为电信号。
需要说明的是,所述上盖20在安装之前为平面结构,安装之后,由于安装面102为外高内低的结构,因此,在螺丝60向下的锁付作用下,所述上盖20发生形变,形成下凹面,中间部分先向下压合,四周随后压合,这种压合方式可以保证所述闪烁体层40和TFT平板30贴合紧密。
另外,所述安装面102可以为外高内低的台阶面或者斜面。如图3所示的安装面102为台阶面,如图4所示的安装面102为斜面。压合力可以通过所述安装面102的外侧与内侧的高度差(即台阶高度或者斜面倾斜度)来调节。所述安装面102的外侧与内侧的高度差越大,所述上盖20的形变越大,压合力也就越大,反之则形变越小,压合力越小。优选地,所述安装面102的外侧与内侧的高度差在0.3mm以下。
进一步地,所述闪烁体层40和上盖20之间还设置有缓冲层50,用于保护所述闪烁体层40,避免闪烁体层40在所述上盖20的压力下损坏。所述缓冲层50优选为泡棉,当然,在其他实施例中,所述缓冲层50也可以是其他合适的缓冲材料,在此不作限制。
如上所述,本实用新型提供一种平板探测器结构,所述平板探测器结构至少包括具有容纳槽且顶部开口的结构件,所述结构件的侧壁顶部为安装面,所述安装面呈外高内低结构;固定于所述结构件安装面上的上盖;固定于所述容纳槽底部的TFT平板;形成于所述TFT平板表面的闪烁体层,利用外高内低的所述安装面,所述上盖固定后形成下凹面,从而将所述闪烁体层压合在所述TFT平板上。本实用新型通过将安装面设计成台阶或斜面结构,可以实现上盖在安装过程中发生形变,从而压紧闪烁体层和TFT平板。
所以,本实用新型有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功效,而非用于限制本实用新型。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本实用新型的精神及范畴下,对上述实施例进行修饰或改变。因此,举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本实用新型所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变,仍应由本实用新型的权利要求所涵盖。

Claims (8)

1.一种平板探测器结构,其特征在于,所述平板探测器结构至少包括:
具有容纳槽且顶部开口的结构件,所述结构件的侧壁顶部为安装面,所述安装面呈外高内低结构;
固定于所述结构件安装面上的上盖;
固定于所述容纳槽底部的TFT平板;
形成于所述TFT平板表面的闪烁体层,利用外高内低的所述安装面,所述上盖固定后形成下凹面,从而将所述闪烁体层压合在所述TFT平板上。
2.根据权利要求1所述的平板探测器结构,其特征在于:所述闪烁体层和上盖之间还设置有缓冲层。
3.根据权利要求2所述的平板探测器结构,其特征在于:所述缓冲层为泡棉。
4.根据权利要求1所述的平板探测器结构,其特征在于:所述安装面为外高内低的台阶面或者斜面。
5.根据权利要求1所述平板探测器结构,其特征在于:所述安装面的外侧与内侧的高度差在0.3mm以下,通过调节所述高度差来调节所述上盖向下的压合力。
6.根据权利要求1所述的平板探测器结构,其特征在于:所述上盖通过螺丝固定在所述结构件的安装面上。
7.根据权利要求1所述的平板探测器结构,其特征在于:所述上盖为碳纤维板。
8.根据权利要求1所述的平板探测器结构,其特征在于:所述TFT平板为基于非晶硅工艺技术制作的玻璃平板。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105913891A (zh) * 2016-06-03 2016-08-31 上海奕瑞光电子科技有限公司 一种包含具备辐射防护能力的碳纤维制品的平板探测器
CN110148602A (zh) * 2019-05-07 2019-08-20 上海奕瑞光电子科技股份有限公司 一种x射线探测器
CN110376630A (zh) * 2019-07-18 2019-10-25 江苏康众数字医疗科技股份有限公司 一种平板式放射线图像探测器的制造方法及图像探测器

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105913891A (zh) * 2016-06-03 2016-08-31 上海奕瑞光电子科技有限公司 一种包含具备辐射防护能力的碳纤维制品的平板探测器
CN105913891B (zh) * 2016-06-03 2018-02-16 上海奕瑞光电子科技股份有限公司 一种包含具备辐射防护能力的碳纤维制品的平板探测器
CN110148602A (zh) * 2019-05-07 2019-08-20 上海奕瑞光电子科技股份有限公司 一种x射线探测器
CN110148602B (zh) * 2019-05-07 2022-07-19 上海奕瑞光电子科技股份有限公司 一种x射线探测器
CN110376630A (zh) * 2019-07-18 2019-10-25 江苏康众数字医疗科技股份有限公司 一种平板式放射线图像探测器的制造方法及图像探测器
CN110376630B (zh) * 2019-07-18 2021-07-06 江苏康众数字医疗科技股份有限公司 一种平板式放射线图像探测器的制造方法及图像探测器
CN113433577A (zh) * 2019-07-18 2021-09-24 江苏康众数字医疗科技股份有限公司 一种平板式放射线图像探测器

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