CN205258656U - 单晶炉冷却盘 - Google Patents

单晶炉冷却盘 Download PDF

Info

Publication number
CN205258656U
CN205258656U CN201521054629.0U CN201521054629U CN205258656U CN 205258656 U CN205258656 U CN 205258656U CN 201521054629 U CN201521054629 U CN 201521054629U CN 205258656 U CN205258656 U CN 205258656U
Authority
CN
China
Prior art keywords
single crystal
crystal growing
cooling tube
growing furnace
flanged plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201521054629.0U
Other languages
English (en)
Inventor
张洪涛
宁斯琴
毛瑞川
李洪风
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nanjing Jingsheng Equipment Co.,Ltd.
Original Assignee
NANJING JINGSHENG ENERGY EQUIPMENT CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NANJING JINGSHENG ENERGY EQUIPMENT CO Ltd filed Critical NANJING JINGSHENG ENERGY EQUIPMENT CO Ltd
Priority to CN201521054629.0U priority Critical patent/CN205258656U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN205258656U publication Critical patent/CN205258656U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本实用新型公开一种本单晶炉冷却盘,其特征在于,包括法兰板、冷却管,所述冷却管抵靠在所述法兰板的一侧板面上。如此设计,避免需要在法兰板内部设置复杂管路结构,降低了制造难度和成本。

Description

单晶炉冷却盘
技术领域
本实用新型涉及一种单晶炉冷却盘,尤其是一种用于泡生法蓝宝石单晶炉晶体生长用的水冷铜盘。
背景技术
蓝宝石单晶炉是LED产业链中重要的晶体生长设备。目前,世界上用于蓝宝石单晶体生长的主流方法有以下几种:导模法、提拉法、热交换法和泡生法。泡生法在引晶、扩肩生长后的晶锭直径较大,有利于生长出大尺寸、低缺陷密度、高品质的蓝宝石单晶体,因此具有更大的优势。
泡生法是将一根受冷的籽晶与三氧化二铝熔液接触后熔化。当界面的温度低于凝固点,则籽晶开始生长,为了使籽晶晶体生长速度在可控的范围内,需要保持蓝宝石单晶炉的炉内温度在一定可控的范围内。同时为保证内部零部件不在高温下氧化及晶体的纯度,炉内需要为高真空环境。以保持在炉内无氧化性气体。因此,晶体生长过程中,炉内一直保持着高真空环境,同时温度很高。目前,用于泡生法晶体生长的设备多采用水冷炉体进行冷却,以带走热量。
由于设备在运行过程中,处于极高温度的高真空的环境内,为了冷却,大部分采取的是采用水冷法兰的形式,而水冷法兰是不锈钢材质,不锈钢材质的导热系数较小,换热效果不好,而且水冷法兰制作复杂,而紫铜的导热系数大,约为不锈钢材质的20倍,并且水冷铜盘的制作简单;相关使用未见诸报道。
实用新型内容
实用新型目的:本实用新型的目的在于针对现有泡生法蓝宝石长晶炉的水冷法兰冷却效果不好,制作复杂等问题,提供一种新型冷却效果好,制作简单的单晶炉冷却盘。通过单晶炉冷却盘,对设备进行冷却。
技术方案:本实用新型所述的单晶炉冷却盘,其特征在于,包括法兰板、冷却管,所述冷却管抵靠在所述法兰板的一侧板面上。如此设计,避免需要在法兰板内部设置复杂管路结构,降低了制造难度和成本。
进一步地,所述冷却管抵靠在所述法兰板朝向所述单晶炉内侧的板面上。通过将冷却管设置在单晶炉的内侧,可以更加靠近需要冷却的热源,冷却效果更好。
进一步地,所述冷却管呈蛇形盘旋并抵靠在所述法兰板的一侧板面上。采用蛇形盘旋,增加换热面积。
进一步地,所述法兰板上设置有开口,所述冷却管通过所述开口。
进一步地,所述法兰板上设置有冷却管入口和冷却管出口,所述冷却管一端通过所述冷却管入口到达所述法兰板朝向所述单晶炉外侧的外侧面,所述冷却管另一端通过所述冷却管出口到达所述法兰板朝向所述单晶炉外侧的外侧面。如此设置,使得铜管折弯半径变大,即单位长度折弯的角度变小,使得铜管的变形小,防止弯折部分发生撕裂。
进一步地,还包括冷却液接头,所述冷却液接头连接至所述冷却管位于所述法兰板朝向所述单晶炉外侧的外侧面的端部。这样可以避免将脆弱的冷却液接头结构设置于需要温度急剧变化的单晶炉内部,降低了对结构材料要求,降低了成本,提高接头结构的寿命。
本实用新型与现有技术相比,其有益效果是:通过采取了蛇形的无缝内螺纹紫铜管的良好换热性,使得其冷却效果良好,且其制作简单。
附图说明
图1为本实用新型所述的单晶炉冷却盘横截面结构示意图;
图2为本实用新型所述的单晶炉冷却盘俯视图;
图3为本实用新型中的冷却液接头示意图。
具体实施方式
下面对本实用新型技术方案进行详细说明,但是本实用新型的保护范围不局限于所述实施例。
实施例1:
如图1所示,整个装置分为法兰板1、冷却管2、冷却液接头3,O型圈4。冷却管2为一种蛇形的无缝内螺纹紫铜管焊接在紫铜材质的圆盘状法兰板1上,冷却管2的两端焊接了冷却液接头3。
其中,紫铜材质的法兰板1可以迅速的将热量传递给冷却管,并且可以使整个法兰板1范围内的温度较为均匀;无缝内螺纹紫铜管的冷却管呈蛇形并焊接在法兰板1上,无缝内螺纹紫铜管的内表面积大于普通材料,可以充分的与冷却水进行换热,而呈蛇形也增大了冷却管2的长度,提高换热的长度,使换热更加充分。紫铜材质的水接头不仅为冷却水提供接口,并与其安装在水接头上的O型圈同时起到密封真空的作用。
其中,
a)法兰板——圆盘状法兰;
b)冷却管——一种蛇形的无缝内螺纹紫铜管;
c)冷却液接头——一种紫铜材质的密封用零部件;
d)O型圈——一种氟橡胶制作的耐高温真空密封件;
在本实施例中:法兰板,冷却管,冷却液接头均为紫铜材质;
如上所述,尽管参照特定的优选实施例已经表示和表述了本实用新型,但其不得解释为对本实用新型自身的限制。在不脱离所附权利要求定义的本实用新型的精神和范围前提下,可对其在形式上和细节上作出各种变化。

Claims (8)

1.一种单晶炉冷却盘,其特征在于,包括法兰板(1)、冷却管(2),所述冷却管(2)抵靠在所述法兰板(1)的一侧板面上。
2.根据权利要求1所述的单晶炉冷却盘,其特征在于,所述冷却管(2)抵靠在所述法兰板(1)朝向所述单晶炉内侧的板面上。
3.根据权利要求1或2所述的单晶炉冷却盘,其特征在于,所述冷却管呈蛇形盘旋并抵靠在所述法兰板(1)的一侧板面上。
4.根据权利要求2所述的单晶炉冷却盘,其特征在于,所述法兰板(1)上设置有开口,所述冷却管(2)通过所述开口。
5.根据权利要求2所述的单晶炉冷却盘,其特征在于,所述法兰板(1)上设置有冷却管入口和冷却管出口,所述冷却管(2)一端通过所述冷却管入口到达所述法兰板(1)朝向所述单晶炉外侧的外侧面,所述冷却管(2)另一端通过所述冷却管出口到达所述法兰板(1)朝向所述单晶炉外侧的外侧面。
6.根据权利要求5所述的单晶炉冷却盘,其特征在于,所述冷却管(2)所述的一端向所述单晶炉内侧弯曲后再通过所述冷却管入口到达所述法兰板(1)朝向所述单晶炉外侧的外侧面,所述冷却管(2)所述的另一端向所述单晶炉内侧弯曲后再通过所述冷却管入口到达所述法兰板(1)朝向所述单晶炉外侧的外侧面。
7.根据权利要求4或5所述的单晶炉冷却盘,其特征在于,还包括水冷接头(3),所述水冷接头(3)连接至所述冷却管(2)位于所述法兰板(1)朝向所述单晶炉外侧的外侧面端部。
8.根据权利要求7所述的单晶炉冷却盘,其特征在于,还抱过O型圈(4),所述O型圈(4)安装在水冷接头(3)上,保证整个水冷系统的真空密封性。
CN201521054629.0U 2015-12-17 2015-12-17 单晶炉冷却盘 Active CN205258656U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201521054629.0U CN205258656U (zh) 2015-12-17 2015-12-17 单晶炉冷却盘

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201521054629.0U CN205258656U (zh) 2015-12-17 2015-12-17 单晶炉冷却盘

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN205258656U true CN205258656U (zh) 2016-05-25

Family

ID=56000194

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201521054629.0U Active CN205258656U (zh) 2015-12-17 2015-12-17 单晶炉冷却盘

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN205258656U (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102352530B (zh) 用于直拉硅单晶炉的热屏装置
CN202530196U (zh) 一种生长单晶用籽晶杆及包括该籽晶杆的生长单晶设备
CN202430319U (zh) 一种螺旋型水冷套
CN104651935B (zh) 一种坩埚上升法制备高品质蓝宝石晶体的方法
WO2018129863A1 (zh) 一种低能耗蓝宝石晶体生长炉
CN206591201U (zh) 晶硅铸锭炉
CN102102219A (zh) 一种可提高单晶炉生长速度的冷却装置
CN103966668A (zh) 一种基于保护气氛控制棒状蓝宝石晶体直径的生长方法
JP2014527013A5 (zh)
CN205711031U (zh) 一种单晶炉
CN204849118U (zh) 改进的泡生法蓝宝石单晶炉冷却系统结构
CN105951169A (zh) 一种大梯度可视化管式单晶生长炉
CN202137358U (zh) 一种定向凝固设备
CN103469305B (zh) 蓝宝石晶体长晶方法及其专用长晶设备
CN205258656U (zh) 单晶炉冷却盘
CN213327923U (zh) 一种单晶炉水冷屏结构
CN104250852A (zh) 蓝宝石晶体生长装置及生长方法
CN102312284A (zh) 具有多个均布向下的排气管道的直拉式硅单晶炉热场
CN104862776B (zh) 一种新型蓝宝石上轴冷却杆
CN206562482U (zh) 一种蓝宝石长晶炉的分级闭环控制冷却设备
CN202202015U (zh) 具有多个均布向下的排气管道的直拉式硅单晶炉热场
CN207850050U (zh) 铝锭预溶锅
CN102912430A (zh) 一种蓝宝石晶体生长设备及生长方法
CN105696072A (zh) 蓝宝石长晶炉
CN203007472U (zh) 长晶炉

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CP03 Change of name, title or address

Address after: 210000 west side of building B4, Hongfeng Science Park, Nanjing Economic and Technological Development Zone, Nanjing City, Jiangsu Province

Patentee after: Nanjing Jingsheng Equipment Co.,Ltd.

Address before: No. 30-1, HENGFA Road, Nanjing Economic and Technological Development Zone, Nanjing, Jiangsu 210000

Patentee before: NANJING CRYSTAL GROWTH & ENERGY EQUIPMENT Co.,Ltd.

CP03 Change of name, title or address