CN205248309U - 一种单向高光通量白光器件 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及光电技术领域，尤其涉及一种单向高光通量白光器件，主要包括LED倒装芯片，所述LED倒装芯片包括蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底上自下而上依次生长有成核层、N型层、发光层、P型层、反射层和绝缘层，所述绝缘层上设有P电极和N电极，所述蓝宝石衬底的外面设有荧光胶层，所述LED倒装芯片的四个侧面均设有高反射率的白胶层。本实用新型结构简单、成本低、一致性好、可靠性高、高光通量、单向出光效果好，适合大批量生产制造。
Description
技术领域
本实用新型涉及光电技术领域，尤其涉及一种单向高光通量白光器件。
背景技术
随着人类社会的不断发展，能源的消耗越来越大，全球范围的能源短缺已成为了大家的共识。而发光二极管所具有的高耐久性、寿命长、轻巧、低耗电、响应速度快等优点，使其广泛应用于各类光显示、交通信号、照明等光源。
通常的单面发光白光器件的结构复杂，消耗的材料很多，品质难于控制，从而大大影响白光器件的出光效果。
实用新型内容
针对现有技术存在的不足，本实用新型的目的在于提供一种结构简单、出光效果好的单向高光通量白光器件。
为实现上述目的，本实用新型可以通过以下技术方案予以实现：
一种单向高光通量白光器件，包括LED倒装芯片，所述LED倒装芯片包括蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底上自下而上依次生长有成核层、N型层、发光层、P型层、反射层和绝缘层，所述绝缘层上设有P电极和N电极，所述蓝宝石衬底的外面设有荧光胶层，所述LED倒装芯片的四个侧面均设有高反射率的白胶层。
进一步的，所述N型层与N电极之间设有枝状金属层。
进一步的，所述白胶层的高度从P电极、N电极延伸至荧光胶层。
进一步的，所述白胶层宽度与LED倒装芯片侧面的宽度相匹配，其厚度为200微米。
进一步的，所述荧光胶层的长度和宽度与蓝宝石衬底的长度和宽度相匹配，其厚度为200微米。
本实用新型结构简单、成本低、一致性好、可靠性高、高光通量、单向出光效果好，适合大批量生产制造。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图；
图中：1-蓝宝石衬底、2-成核层、3-N型层、4-发光层、5-P型层、6-反射层、7-绝缘层、8-P电极、9-N电极、10-荧光胶层、11-白胶层、12-枝状金属层。
具体实施方式
下面将结合附图以及具体实施方式对本实用新型作进一步的说明：
如图1所示，本实用新型所述的单向高光通量白光器件，主要包括LED倒装芯片、荧光胶层10和白胶层11。
LED倒装芯片包括蓝宝石衬底1，蓝宝石衬底1上自下而上依次生长有成核层2、N型层3、发光层4、P型层5、反射层6和绝缘层7，绝缘层7上设有P电极8和N电极9，其中N型层3与N电极9之间设有枝状金属层12。蓝宝石衬底1的外面设有荧光胶层10，LED倒装芯片的四个侧面均设有高反射率的白胶层11，使得光反射到蓝宝石衬底1面，获得单面尽可能多的出光，从而提高了蓝宝石衬底1面的单向光通量，使LED倒装芯片实现单向高光通量的白光效果。
为了更好地实现单向高光通量的白光效果，白胶层11的高度从P电极8、N电极9延伸至荧光胶层10。白胶层11宽度与LED倒装芯片侧面的宽度相匹配，其厚度为200微米。荧光胶层10的长度和宽度与蓝宝石衬底1的长度和宽度相匹配，其厚度为200微米。
优选的，荧光胶层10由荧光粉和绝缘胶调配而成，荧光粉包括红色荧光粉、黄色荧光粉、绿色荧光粉及三者的混合粉。
对于本领域的技术人员来说，可根据以上技术方案以及构思，做出其他各种相应的改变以及变形，而所有的这些改变和变形都应该属于本实用新型权利要求的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种单向高光通量白光器件，其特征在于：包括LED倒装芯片，所述LED倒装芯片包括蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底上自下而上依次生长有成核层、N型层、发光层、P型层、反射层和绝缘层，所述绝缘层上设有P电极和N电极，所述蓝宝石衬底的外面设有荧光胶层，所述LED倒装芯片的四个侧面均设有高反射率的白胶层。
2.根据权利要求1所述的单向高光通量白光器件，其特征在于：所述N型层与N电极之间设有枝状金属层。
3.根据权利要求1所述的单向高光通量白光器件，其特征在于：所述白胶层的高度从P电极、N电极延伸至荧光胶层。
4.根据权利要求1或3所述的单向高光通量白光器件，其特征在于：所述白胶层宽度与LED倒装芯片侧面的宽度相匹配，其厚度为200微米。
5.根据权利要求1所述的单向高光通量白光器件，其特征在于：所述荧光胶层的长度和宽度与蓝宝石衬底的长度和宽度相匹配，其厚度为200微米。
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2015
- 2015-12-18 CN CN201521071383.8U patent/CN205248309U/zh active Active
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