CN205231062U - 一种新型led芯片的互联结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种新型LED芯片的互联结构,并具体公开了利用透明绝缘的光刻胶形成的光阻层对LED芯片进行保护,同时对连接LED芯片的金属导线层进行支撑和粘附,使其不易断裂。由于光阻层是采用软性的光刻胶制作而成,易填充在LED芯片之间的空间,形成良好的支撑面,能很好地降低金属线的大幅度起伏引起的电压升高,且具备一定的粘附力,能很好的粘附金属导线层,此外,光刻胶的抗冲击、抗压的能力比硬性材料的SiO2更为优秀,使光阻层能起到保护作用;本设计还减少了设置钝化层和蚀刻钝化层两道工序,提高了LED芯片的生产效率,并降低制造成本。
Description
技术领域
本实用新型涉及LED领域,具体涉及一种新型LED芯片的互联结构。
背景技术
LED发光芯片具有体积小、能耗低、寿命长以及环保等优点,广泛应用于照明领域。LED芯片的主体是一个发光PN结,主要由N型半导体、发光层和P型半导体组成,所述N型半导体和P型半导体上分别设置有金属电极。现有的LED芯片一般在发光PN结外覆盖一层钝化层(SiO2层),起保护作用,光阻层(由光刻胶形成)设置在钝化层外。由于现有的LED芯片在制作过程中需要分别添加钝化层和光阻层,之后还需对金属电极上方的光阻层和钝化层分别进行蚀刻,使金属电极外露,工序繁琐,制作麻烦,增加成本,同时,当多个LED芯片通过金属导线连接时,串联用的金属导线蒸镀在钝化层上,由于SiO2的附着力低,容易使金属导线脱离并断开,影响LED芯片之间的连接;此外,由于SiO2是硬性材料,抗冲击、抗压的能力较差,钝化层不能很好起到保护作用。
发明内容
为克服现有技术的不足,本实用新型的目的在于提供一种新型LED芯片的互联结构,利用软性材料的光刻胶取代钝化层对LED芯片的主体进行保护,同时承托蒸镀的金属导线层。
本实用新型为解决其技术问题采用的技术方案是:
一种新型LED芯片的互联结构,包括衬底,所述衬底上设置有至少两块LED芯片,所述LED芯片包括依次设置在衬底上的N型半导体层、发光层和P型半导体层,其中N型半导体层部分暴露在发光层外,所述N型半导体层的暴露区上设置有N电极,P型半导体层表面设置有P电极,所述衬底上表面和LED芯片外涂抹有透明绝缘的光刻胶,并通过光刻工艺形成光阻层,所述光阻层上设置有使P电极和N电极外露的缺口,所述光阻层表面蒸镀有金属导线层,所述金属导线层两端分别连接不同的LED芯片上的电极。
作为上述技术方案的进一步改进,所述金属导线层一端连接P电极,另一端连接N电极。
作为上述技术方案的进一步改进,所述衬底上方设置有用于分隔LED芯片的绝缘的芯片隔离带,所述芯片隔离带用绝缘光刻胶填充,起到分隔LED芯片的作用。
本实用新型的有益效果是:
本实用新型采用透明绝缘的光阻层直接覆盖LED芯片,金属导线层蒸镀在光阻层上,由于光阻层是采用软性的光刻胶制作而成,易填充在LED芯片之间的空间,形成良好的支撑面,能很好地降低金属线的大幅度起伏引起的电压升高,且具备一定的粘附力,能很好的粘附金属导线层。此外,光刻胶的抗冲击、抗压的能力比硬性材料的SiO2更为优秀,光阻层取代钝化层能更好的起到保护作用;光阻层取代钝化层还减少了设置钝化层和蚀刻钝化层两道工序,提高了LED芯片的生产效率,并降低制造成本。
附图说明
以下结合附图和实例作进一步说明。
图1是本实用新型的LED芯片的互联结构的示意图。
具体实施方式
参照图1,本实用新型提供的一种新型LED芯片的互联结构,包括衬底10,所述衬底10上设置有至少两块LED芯片,所述LED芯片包括依次设置在衬底10上的N型半导体层20、发光层30和P型半导体层40,其中N型半导体层20部分暴露在发光层30外,所述N型半导体层20的暴露区上设置有N电极52,P型半导体层40表面设置有P电极51,所述衬底10上表面和LED芯片外涂抹有透明绝缘的光刻胶,并通过光刻工艺形成光阻层60,所述光阻层60上设置有使P电极51和N电极52外露的缺口,所述光阻层60表面蒸镀有金属导线层70,所述金属导线层70两端分别连接不同的LED芯片上的电极,其中一端连接P电极51,另一端连接N电极52。
此外,本发明提供了一种制作上述LED芯片互联结构的方法,包括以下步骤:S1、准备一衬底10,在衬底10上方依次设置N型半导体层20、发光层30、P型半导体层40,通过刻蚀工艺暴露部分N型半导体层20和形成绝缘的芯片隔离带,芯片隔离带通过干刻腐蚀到衬底10表面,得到多个由芯片隔离带分隔的LED芯片;S2、在N型半导体层20暴露区设置N电极52,P型半导体层40上表面设置P电极51;S3、通过光刻工艺将透明绝缘的光刻胶直接覆盖在衬底10、芯片隔离带和LED芯片外,形成光阻层60,采用显影液把P电极51和N电极52上方的光阻层60刻蚀,使P电极51和N电极52暴露出来;S4、在光阻层60上蒸镀金属导线层70,金属导线层70的两端分别连接不同的LED芯片上的电极。
进一步,上述方法中的步骤S2和S3还可以进行互换,形成另一种制备方法,包括以下步骤:T1、准备一衬底10,在衬底10上方依次设置N型半导体层20、发光层30、P型半导体层40,通过刻蚀工艺暴露部分N型半导体层20和形成绝缘的芯片隔离带,芯片隔离带通过干刻腐蚀到衬底10表面,得到多个由芯片隔离带分隔的LED芯片;T2、通过光刻工艺将透明绝缘的光刻胶直接覆盖在衬底10、芯片隔离带和LED芯片外,形成光阻层60,采用显影液把N型半导体层20暴露区和P型半导体层40上表面的部分光阻层60刻蚀掉,使N型半导体层20和P型半导体层40暴露出来;T3、在暴露出来的N型半导体层20上设置N电极52,P型半导体层40上设置P电极51;T4、在光阻层60上蒸镀金属导线层70,金属导线层70的两端分别连接不同的LED芯片上的电极。
本实用新型采用透明绝缘的光阻层60直接覆盖LED芯片,金属导线层70蒸镀在光阻层60上,由于光阻层60是采用软性的光刻胶制作而成,易填充在LED芯片之间的空间,形成良好的支撑面,能很好地降低金属线的大幅度起伏引起的电压升高,且具备一定的粘附力,能很好的粘附金属导线层70。此外,光刻胶的抗冲击、抗压的能力比硬性材料的SiO2更为优秀,光阻层60取代钝化层能更好的起到保护作用;光阻层60取代钝化层还减少了设置钝化层和蚀刻钝化层两道工序,提高了LED芯片的生产效率,并降低制造成本。
以上所述,只是本实用新型的较佳实施例而已,本实用新型并不局限于上述实施方式,只要其以相同的手段达到本实用新型的技术效果,都应属于本实用新型的保护范围。
Claims (3)
1.一种新型LED芯片的互联结构,其特征在于:包括衬底(10),所述衬底(10)上设置有至少两块LED芯片,所述LED芯片包括依次设置在衬底(10)上的N型半导体层(20)、发光层(30)和P型半导体层(40),其中N型半导体层(20)部分暴露在发光层(30)外,所述N型半导体层(20)的暴露区上设置有N电极(52),P型半导体层(40)表面设置有P电极(51),所述衬底(10)上表面和LED芯片外涂抹有透明绝缘的光刻胶,并通过光刻工艺形成光阻层(60),所述光阻层(60)上设置有使P电极(51)和N电极(52)外露的缺口,所述光阻层(60)表面蒸镀有金属导线层(70),所述金属导线层(70)两端分别连接不同的LED芯片上的电极。
2.根据权利要求1所述的一种新型LED芯片的互联结构,其特征在于:所述金属导线层(70)一端连接P电极(51),另一端连接N电极(52)。
3.根据权利要求1所述的一种新型LED芯片的互联结构,其特征在于:所述衬底(10)上方设置有用于分隔LED芯片的绝缘的芯片隔离带。
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CN201520984662.7U CN205231062U (zh) | 2015-11-30 | 2015-11-30 | 一种新型led芯片的互联结构 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105355642A (zh) * | 2015-11-30 | 2016-02-24 | 广东德力光电有限公司 | 一种新型led芯片的互联结构及其制作方法 |
-
2015
- 2015-11-30 CN CN201520984662.7U patent/CN205231062U/zh active Active
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