CN205177814U - 一种具有良好减震密封的mos管 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种具有良好减震密封的MOS管，包括：塑料外壳、高导热填料、芯片和硅胶片，所述塑料外壳内部设置有芯片，所述芯片通过所述高导热填料与所述塑硅胶片相连接，所述芯片与栅极、漏极和源极相连接，所述栅极连接有引脚，所述塑料外壳上方设置有粘合片。本实用新型的有益效果是：采用高导热材料能够填充缝隙，完成发热部位与散热部位的热传递，同时还起到减震，绝缘，密封的作用，并且使用优质的材料，提高了工作性能，能够满足高要求设备的工艺性。
Description
技术领域
本实用材料涉及MOS管材料领域，具体的说是一种具有良好减震密封的MOS管。
背景技术
随着电子设备不断将更大的功能集成到更小的组件中，很多设备对导热、耐温性要求较高，如开关电源、温控器、散热器、微波传输设备，需要一种能够减震密封，提高导热性，耐温性的材料。
基于以上原因，需要一种具有良好减震密封的MOS管，具有良好的减震密封性，耐高温和耐低温，具有良好的绝缘性能，有效提高MOS管的性能。
发明内容
为了解决上述现有技术存在的技术问题，本实用新型提供一种具有良好减震密封的MOS管。
本实用材料解决其技术问题所采用的技术方案是：
一种具有良好减震密封的MOS管，包括：塑料外壳、高导热填料、芯片和硅胶片，所述塑料外壳内部设置有芯片，所述芯片通过所述高导热填料与所述塑硅胶片相连接，所述芯片与栅极、漏极和源极相连接，所述栅极连接有引脚，所述塑料外壳上方设置有粘合片。
为了进一步提高其性能，所述塑料外壳为绝缘的、可以支撑、保护的加聚反应聚合的高分子化合物。
为了进一步提高其性能，所述芯片为含集成电路的硅片，体积小，反应速度快。
为了进一步提高其性能，所述高导热填料为无毒无腐蚀，化学物理性能稳定的聚硅氧烷。
为了进一步提高其性能，所述硅胶片为具有优异的绝缘性和优异的导热性。
为了进一步提高其性能，所述栅极、所述漏极和所述源极为内阻极高的二氧化硅材料。
为了进一步提高其性能，所述粘合片为具有粘合性的导热硅胶。
本实用新型的有益效果是：采用高导热材料能够填充缝隙，完成发热部位与散热部位的热传递，同时还起到减震，绝缘，密封的作用，并且使用优质的材料，提高了工作性能，能够满足高要求设备的工艺性。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用材料进一步说明。
图1是本实用材料的结构图。
1、源极，2、漏极，3、引脚，4、栅极，5、塑料外壳，6、高导热填料，7、芯片，8、粘合片，9、硅胶片。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用材料进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用材料，并不用于限定本实用材料。
如图1所示，一种具有良好减震密封的MOS管，包括：塑料外壳5、高导热填料6、芯片7和硅胶片9，塑料外壳5内部设置有芯片7，芯片7通过高导热填料6与硅胶片9相连接，芯片7与栅极4、漏极2和源极1相连接，栅极4连接有引脚3，塑料外壳5上方设置有粘合片8。
作为本实用材料一个较佳的实施例，如图1所示，为了进一步提高其性能，塑料外壳5为绝缘的、可以支撑、保护的加聚反应聚合的高分子化合物，塑料外壳可以保护芯片7，提高其散热性能，芯片7为含集成电路的硅片，体积小，反应速度快，可以快速处理信息，高导热填料6为无毒无腐蚀，化学物理性能稳定的聚硅氧烷，能够填充缝隙，完成发热部位与散热部位的热传递，同时还起到减震，绝缘，密封的作用，硅胶片9为具有优异的绝缘性和优异的导热性，可以耐高温和耐低温的硅胶，使其适应不同的温度，提高使用寿命，加强性能，栅极4、漏极2和源极1为内阻极高的二氧化硅材料，可以快速传导电流，减少电流的损失，不易发热，粘合片8为具有粘合性的导热硅胶，可以与外界设备黏合，有利于固定，使其工作稳定。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (7)
1.一种具有良好减震密封的MOS管，包括：塑料外壳（5）、高导热填料（6）、芯片（7）和硅胶片（9），所述塑料外壳（5）内部设置有芯片（7），所述芯片（7）通过所述高导热填料（6）与所述硅胶片（9）相连接，所述芯片（7）与栅极（4）、漏极（2）和源极（1）相连接，所述栅极（4）连接有引脚（3），所述塑料外壳（5）上方设置有粘合片（8）。
2.根据权利要求1所述的一种具有良好减震密封的MOS管，其特征在于：所述塑料外壳（5）为绝缘的、可以支撑、保护的加聚反应聚合的高分子化合物。
3.根据权利要求1所述的一种具有良好减震密封的MOS管，其特征在于：所述芯片（7）为含集成电路的硅片，体积小，反应速度快。
4.根据权利要求1所述的一种具有良好减震密封的MOS管，其特征在于：所述高导热填料（6）为无毒无腐蚀，化学物理性能稳定的聚硅氧烷。
5.根据权利要求1所述的一种具有良好减震密封的MOS管，其特征在于：所述硅胶片（9）为具有优异的绝缘性和优异的导热性。
6.根据权利要求1所述的一种具有良好减震密封的MOS管，其特征在于：所述栅极（4）、所述漏极（2）和所述源极（1）为内阻极高的二氧化硅材料。
7.根据权利要求1所述的一种具有良好减震密封的MOS管，其特征在于：所述粘合片（8）为具有粘合性的导热硅胶。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105972436A (zh) * | 2016-07-07 | 2016-09-28 | 安庆宜源石油机械配件制造有限责任公司 | 石油加热装置 |
| CN110581105A (zh) * | 2019-07-30 | 2019-12-17 | 陈碧霞 | 一种金属氧化物半导体粘结防挡光滑动的场效应管 |
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2015
- 2015-11-02 CN CN201520858715.0U patent/CN205177814U/zh not_active Expired - Fee Related
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