CN205159339U - 双面吸光n型晶体硅太阳电池的表面钝化结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种双面吸光N型晶体硅太阳电池的表面钝化结构，所述双面吸光N型晶体硅太阳电池具有一硅片，所述表面钝化结构包括：第一SiO2层，覆盖于所述硅片的上表面；第一氮化硅叠层，覆盖于所述第一SiO2层的上表面；第二SiO2层，覆盖于所述硅片的下表面；第二氮化硅叠层，覆盖于所述第二SiO2层的下表面，其中，所述第一氮化硅叠层和所述第二氮化硅叠层各自包含至少两层厚度与折射率均不相同的氮化硅层。本实用新型的双面吸光N型晶体硅太阳电池的表面钝化结构能够解决电池的PID隐患，提高电池的光吸收能力，同时使电池表面具有更低的表面状态密度，确保了电池具有更高的开路电压，并且增强了减反射薄膜与硅片之间的附着力。
Description
技术领域
本实用新型涉及多晶硅太阳电池制备技术领域，特别涉及一种高效双面吸光N型晶体硅太阳电池的表面钝化结构。
背景技术
光伏行业发展初期，太阳电池主要应用于航天领域，在选择基体时必须考虑材料的抗辐射能力。随后太阳电池转向地面应用的过程中，P型晶体硅太阳电池结构得到沿用，并成为主流，约占到整个行业的90％。传统的P-Si太阳电池表面处理是，仅在正表面沉积双层氮化硅减反射薄膜，无氧化硅钝化薄膜。该类电池在近两年的光伏电站应用中，或多或少都出现了PID(电势诱导衰减)现象，严重减缓电池使用寿命。
近几年来，随着光伏电池制造行业工艺、设备等技术的更新递进，逐低的度电成本趋势，和区别于太空应用的辐射威胁，研究人员们对N型晶体硅电池用于地面电站重新进行了研究。近年来的研究成果证实：①P型晶体硅在地面应用中仍然存在衰减，而N型晶体硅的性能则更为稳定，几乎无光致衰减；②在太阳能级硅材料中，低注入情况下，N型硅比P型硅具有更长的少子寿命；③N型硅电池用于地面电站中，相同环境条件下，比P型硅电池在发电量上会多出6-10％。基于以上优点，N型晶体硅太阳电池得了到快速发展，根据国际光伏技术路线图预测，到2020年N-Si电池的市场份额将提高至50％。
为减少光生载流子的复合，同时增加电池对入射光波的吸收，目前效率较高的N型Si太阳电池均采用了良好的表面处理技术，主要包括：1、双面沉积氮化硅薄膜；2、单面沉积氧化硅薄膜后再双面沉积氮化硅减反射膜；3、正面沉积氧化铝或ZnS/MgF2钝化膜，背面沉积氧化硅层后再双面沉积氮化硅薄膜。如中国英利公司生产的N型PANDA太阳电池正面和背面均采用PECVD法沉积了氮化硅薄膜；美国SunPower公司的点接触及丝网印刷技术新一代背面点接触太阳电池，前后表面利用热氧钝化技术生成一层SiO2钝化层；赵建华博士设计的发射结钝化-全背场扩散太阳电池(PERT)，两面生长高质量的SiO2钝化层，且前面沉积ZnS/MgF2双层减反射薄；J.Benick,B.Hoex等人研制的N-PERL结构，正面P+层采用Al2O3作为钝化层，其上面沉积SixNy减反射膜，背面采用SiO2钝化层。但上述结构中，第一类也会存在PID隐患；第二、三类沉积氧化硅薄膜采用的都是热氧化法，其温度基本均在1000℃的高温以上，会对电池基体材料少子寿命产生影响，降低电池效率；同时第三类沉积氧化铝薄膜技术要求和材料成本价格都比较高。
因此形成能够解决电池的PID隐患、并能降低生产成本的表面钝化结构显得尤为重要。
发明内容
本实用新型的目的在于针对现有技术中存在的不足，提供一种有效、简洁的双面吸光N型晶体硅太阳电池的表面钝化结构。
本实用新型的目的可以通过以下技术方案实现：
一种双面吸光N型晶体硅太阳电池的表面钝化结构，所述双面吸光N型晶体硅太阳电池具有一硅片，所述表面钝化结构包括：
第一SiO2层，覆盖于所述硅片的上表面；
第一氮化硅叠层，覆盖于所述第一SiO2层的上表面；
第二SiO2层，覆盖于所述硅片的下表面；
第二氮化硅叠层，覆盖于所述第二SiO2层的下表面，
其中，所述第一氮化硅叠层和所述第二氮化硅叠层各自包含至少两层厚度与折射率均不相同的氮化硅层。
在本实用新型的表面钝化结构的一个实施方式中，所述第一SiO2层和所述第二SiO2层的厚度为2-10nm，折射率为1.45-1.50。
在本实用新型的表面钝化结构的另一个实施方式中，所述第一氮化硅叠层包括第一氮化硅层和第二氮化硅层，所述第一氮化硅层覆盖于所述第一SiO2层的上表面，所述第二氮化硅层覆盖于所述第一氮化硅层的上表面。
在本实用新型的表面钝化结构的另一个实施方式中，所述第一氮化硅层的厚度为21-26nm，折射率为2.79-2.92，所述第二氮化硅层的厚度为56-60nm，折射率为1.9-2.0。
在本实用新型的表面钝化结构的另一个实施方式中，所述第一氮化硅叠层还包括第五氮化硅层，所述第五氮化硅层覆盖于所述第二氮化硅层的上表面，所述第一氮化硅层的厚度为27-33nm，折射率为2.6-2.8，所述第二氮化硅层的厚度为21-29nm，折射率为2.1-2.5，所述第五氮化硅层的厚度为47-56nm，折射率为2.0-2.2。
在本实用新型的表面钝化结构的另一个实施方式中，所述第二氮化硅叠层包括第三氮化硅层和第四氮化硅层，所述第三氮化硅层覆盖于所述第二SiO2层的下表面，所述第四氮化硅层覆盖于所述第三氮化硅层的下表面。
在本实用新型的表面钝化结构的另一个实施方式中，所述第三氮化硅层的厚度为21-26nm，折射率为2.79-2.92，所述第四氮化硅层的厚度为56-60nm，折射率为1.9-2.0。
在本实用新型的表面钝化结构的另一个实施方式中，所述第二氮化硅叠层还包括第六氮化硅层，所述第六氮化硅层覆盖于所述第四氮化硅层的下表面，所述第三氮化硅层的厚度为27-33nm，折射率为2.6-2.8，所述第四氮化硅层的厚度为21-29nm，折射率为2.1-2.5，所述第六氮化硅层的厚度为47-56nm，折射率为2.0-2.2。
在本实用新型的表面钝化结构的另一个实施方式中，所述第一SiO2层和所述第一氮化硅叠层的等效膜厚为75-88nm，总折射率为1.95-2.20。
在本实用新型的表面钝化结构的另一个实施方式中，所述第二SiO2层和所述第二氮化硅叠层的等效膜厚为75-88nm，总折射率为1.95-2.20。
本实用新型的双面吸光N型晶体硅太阳电池的表面钝化结构，能够解决电池的PID隐患，提高电池的光吸收能力，同时使电池表面具有更低的表面状态密度，确保了电池具有更高的开路电压，并且增强减反射薄膜与硅片之间的附着力。
附图说明
图1为本实用新型的一个实施方式的表面钝化结构的结构示意图。
图2为本实用新型的另一个实施方式的表面钝化结构的结构示意图。
图3为本实用新型的另一个实施方式的表面钝化结构的结构示意图。
其中，附图标记说明如下：
1硅片；
2第一SiO2层；
3第一氮化硅层；
4第二氮化硅层；
5第二SiO2层；
6第三氮化硅层；
7第四氮化硅层；
8第五氮化硅层；
9第六氮化硅层。
具体实施方式
下面根据具体实施例对本实用新型的技术方案做进一步说明。本实用新型的保护范围不限于以下实施例，列举这些实例仅出于示例性目的而不以任何方式限制本实用新型。
下面具体介绍本实用新型优选实施例的表面钝化结构。
图1为本实用新型的一个实施方式的表面钝化结构的结构示意图。如图1所示，双面吸光N型晶体硅太阳电池具有一硅片1，硅片1的上表面(正面)具有第一SiO2层2，第一氮化硅层3覆盖于第一SiO2层2的上表面，第二氮化硅层4覆盖于第一氮化硅层3的上表面；硅片1的下表面(背面)具有第二SiO2层5，第三氮化硅层6覆盖于第二SiO2层5的下表面，第四氮化硅层7覆盖于第三氮化硅层6的下表面。
第一氮化硅层3和第二氮化硅层4构成第一氮化硅叠层，第三氮化硅层6以及第四氮化硅层7构成第二氮化硅叠层。第一SiO2层2、第一氮化硅层3、第二氮化硅层4、第二SiO2层5、第三氮化硅层6以及第四氮化硅层7共同构成本实用新型的表面钝化结构。
硅片1为正面经硼扩散的N型晶体硅片。
第一SiO2层2和第二SiO2层5分别沉积在双面吸光晶体硅太阳电池的两个表面上，其折射率均为1.45-1.50，厚度均为2-10nm，可通过在热硝酸液体中生长形成。由于SiO2层较SixNy层有优良的导电性，底层引入SiO2层，可以将一部分富集的外来电荷引走，防止因电荷堆积而导致表面钝化结构失效，而且SiO2钝化层也可以提高电池的Voc，明显降低电池反向漏电流，提高电池性能和转换效率，降低电池组件发生PID的风险。
第一氮化硅层3、第二氮化硅层4、第三氮化硅层6以及第四氮化硅层7均为氮化硅(SixNy)层，其中，SixNy可有多种不同的形式，例如y＝4，x＝3，或者其他的比例。
当仅有SixNy层时，SixNy-Si结构较高的界面态密度和较大的界面应力，影响氮化硅薄膜与硅表面的附着能力。本实用新型的表面钝化结构中，SiO2-Si界面态密度要比SixNy-Si界面态密度低，使SiO2-SixNy叠层既具有SixNy层的氢钝化效果，又具有较低的SiO2-Si界面态密度，综合了两者之间的优势，表现出更好的钝化与减反射效果。此外，SiO2的热膨胀系数比硅小，SixNy-SiO2界面的应力要比SixNy-Si界面小，SixNy-SiO2下面的SiO2层还可改善SixNy的附着力，形成一个连续的界面，这种界面在高温下有更好的热稳定性。
在电池表面的SiO2氧化膜上淀积氮化硅层，一方面阻止了外界的钠离子对器件的玷污，另一方面还能将氧化膜中已含有的钠转移到氮化硅膜中。另外，在SiO2膜中由于氧空位造成了大量的正电荷中心，而在氮化硅膜中存在负电荷中心，因此在复合SixNy-SiO2钝化膜中，SiO2膜中的正电荷就有可能被吸收到SiO2-SixNy界面上来，这点对控制可动电荷是有贡献的。在这种结构中，SiO2不但起到一个缓冲和中介的作用，也作为优良的表面钝化膜，在同减反射涂层结合时它足够薄不干扰SixNy减反射膜光学系统。而且制作的电池不易被腐蚀、防潮，从而提高了太阳能电池的使用寿命。
第一氮化硅层3和第三氮化硅层6的厚度均为21-26nm，折射率均为2.79-2.92。第二氮化硅层4和第四氮化硅层7的厚度均为56-60nm，折射率均为1.9-2.0。
在多层膜结构的镀膜过程中，沉积之前会设定各层膜的厚度，此厚度是指单独沉积该层膜时所形成的膜的厚度(理论厚度)。而在连续进行多层镀膜时，由于上下层挤压等原因，使得各单层膜的厚度相比单独沉积时的厚度有所缩减，导致最终得到的多层膜的实际总厚度略低于各层膜的理论厚度的总和，因此，在实际应用中，通常以等效膜厚来表征最终形成的多层膜的实际厚度。
最终得到的表面钝化结构中，第一SiO2层2、第一氮化硅层3以及第二氮化硅层4的等效膜厚为75-88nm，总折射率为1.95-2.20；第二SiO2层5、第三氮化硅层6以及第四氮化硅层7的等效膜厚为75-88nm，总折射率为1.95-2.20。
图2为本实用新型的另一个实施方式的表面钝化结构的结构示意图。如图2所示，该表面钝化结构大部分与图1所示的表面钝化结构相似，区别之处在于：图2所示的表面钝化结构在第二氮化硅层4之上还包括第五氮化硅层8，从而在硅片1的上表面形成一层SiO2层与三层氮化硅层堆叠的薄膜结构，能够得到更优异的减反射效果。
第一氮化硅层3、第二氮化硅层4以及第五氮化硅层8构成第一氮化硅叠层，其中第一氮化硅层3的厚度为27-33nm，折射率为2.6-2.8，第二氮化硅层4的厚度为21-29nm，折射率为2.1-2.5，第五氮化硅层8的厚度为47-56nm，折射率为2.0-2.22。
图2所示的表面钝化结构中，第一SiO2层2、第一氮化硅层3、第二氮化硅层4以及第五氮化硅层8的等效膜厚为75-88nm，总折射率为1.95-2.20。
图3为本实用新型的另一个实施方式的表面钝化结构的结构示意图。如图3所示，该表面钝化结构大部分与图2所示的表面钝化结构相似，区别之处在于：图3所示的表面钝化结构在第四氮化硅层7之下还包括第六氮化硅层9，从而在硅片1的下表面形成一层SiO2层与三层氮化硅层堆叠的薄膜结构，能够得到更优异的减反射效果。
第三氮化硅层6、第四氮化硅层7以及第六氮化硅层9构成第二氮化硅叠层，其中第三氮化硅层6的厚度为27-33nm，折射率为2.6-2.8，第四氮化硅层7的厚度为21-29nm，折射率为2.1-2.5，第六氮化硅层9的厚度为47-56nm，折射率为2.0-2.2。
图3所示的表面钝化结构中，第二SiO2层5、第三氮化硅层6、第四氮化硅层7以及第六氮化硅层9的等效膜厚为75-88nm，总折射率为1.95-2.20。
相比于传统P型晶体硅太阳电池，本实用新型的表面钝化结构能够解决电池用于光伏电站后出现的PID隐患；减反射薄膜与晶体硅之间界面应力、表面状态密度都得到改善，可以使薄膜与晶体硅粘合性提高、电池具有更高的开路电压；同时，背表面不再是不透光的铝层，而被替代为增透的SixNy-SiO2薄膜，使太阳电池对周围的散射光、反射光等光线进行吸收利用，对电池贡献约20％的光电转换效率。
相比于新型N型晶体硅太阳电池，本实用新型的表面钝化结构工艺技术和设备配备要求较低，改善了仅生长一定厚度氧化硅层时的高温(一般在1000℃)、长时间(约1小时)带来的硅基体材料少子寿命降低的问题，同时成本低廉，不需要增添新设备，在已有的P型晶体硅电池生产线上可以完成。
以下介绍本实用新型的表面钝化结构的生产工艺及工艺参数，所涉及的工艺均为本领域技术人员所公知的，在此对工艺的具体步骤不再赘述。
同时在电池的正面和背面形成厚度为2-10nm，折射率在1.45-1.50的SiO2钝化层，然后采用PECVD法在两层SiO2钝化层上分别沉积至少两层的氮化硅薄膜，最终得到本实用新型的表面钝化结构。
其中，生长SiO2钝化层时，采用先湿法氧化后再进行短时、中温热氧化，能够保证钝化层结构完整致密，不损坏预先形成的电池PN结。
热氧化的时间为15-45min，温度为450-750℃。
湿法氧化工艺即选用具有氧化作用的腐蚀液(如添加HNO3、H2O2、浓H2SO4、HCl等)，对晶体硅片进行室温或加热双面腐蚀氧化，保持时间约5-45min。
采用本实用新型的钝化结构小批量试制了约4000片高效双面吸光N型单晶硅太阳电池，其部分测试数据结果如表1所示：
表1具有本实用新型表面钝化结构的太阳电池的性能测试数据
| 序号 | Pmpp/W | Uoc/V | Isc/A | Rs/Ω | Rsh/Ω | FF/％ | NCell/％ | Irev1/A | Irev2/A |
| 1 | 4.804 | 0.6528 | 9.288 | 0.00185 | 746.21 | 79.23 | 20.10 | 0.0032 | 0.0077 |
| 2 | 4.811 | 0.6515 | 9.289 | 0.00186 | 295.27 | 79.50 | 20.13 | 0.0271 | 0.0331 |
| 3 | 4.813 | 0.6504 | 9.374 | 0.00235 | 614.77 | 78.95 | 20.14 | 0.0102 | 0.0150 |
| 4 | 4.806 | 0.6540 | 9.291 | 0.00205 | 475.67 | 79.09 | 20.11 | 0.0119 | 0.0181 |
| 5 | 4.804 | 0.6547 | 9.281 | 0.00214 | 731.22 | 79.06 | 20.11 | 0.0035 | 0.0080 |
| 6 | 4.823 | 0.6554 | 9.313 | 0.00232 | 685.09 | 79.02 | 20.18 | 0.0036 | 0.0080 |
| 7 | 4.812 | 0.6526 | 9.309 | 0.00199 | 515.25 | 79.20 | 20.14 | 0.0090 | 0.0150 |
| 8 | 4.805 | 0.6534 | 9.276 | 0.00203 | 291.83 | 79.28 | 20.11 | 0.0286 | 0.0372 |
| 9 | 4.806 | 0.6538 | 9.299 | 0.00239 | 776.49 | 79.06 | 20.11 | 0.0049 | 0.0090 |
| 10 | 4.811 | 0.6526 | 9.297 | 0.00209 | 296.08 | 79.30 | 20.13 | 0.0271 | 0.0339 |
| 11 | 4.812 | 0.6546 | 9.290 | 0.00241 | 290.02 | 79.12 | 20.14 | 0.0241 | 0.0316 |
| 12 | 4.814 | 0.6537 | 9.352 | 0.00231 | 358.37 | 78.75 | 20.15 | 0.0241 | 0.0287 |
| 13 | 4.806 | 0.6536 | 9.278 | 0.00219 | 641.92 | 79.26 | 20.11 | 0.0090 | 0.0120 |
| 14 | 4.815 | 0.6525 | 9.287 | 0.00217 | 625.82 | 79.46 | 20.15 | 0.0087 | 0.0120 |
| 15 | 4.812 | 0.6541 | 9.289 | 0.00227 | 376.45 | 79.20 | 20.14 | 0.0196 | 0.0226 |
| 16 | 4.804 | 0.6524 | 9.282 | 0.00198 | 474.76 | 79.34 | 20.11 | 0.0143 | 0.0181 |
| 17 | 4.805 | 0.6509 | 9.315 | 0.00206 | 405.74 | 79.24 | 20.11 | 0.0181 | 0.0211 |
| 18 | 4.804 | 0.6527 | 9.299 | 0.00211 | 490.32 | 79.15 | 20.11 | 0.0150 | 0.0181 |
| 19 | 4.806 | 0.6524 | 9.317 | 0.00203 | 472.18 | 79.07 | 20.11 | 0.0181 | 0.0202 |
| 20 | 4.810 | 0.6528 | 9.307 | 0.00198 | 520.58 | 79.16 | 20.13 | 0.0137 | 0.0150 |
| 21 | 4.807 | 0.6540 | 9.332 | 0.00230 | 314.11 | 78.75 | 20.12 | 0.0241 | 0.0301 |
| 22 | 4.808 | 0.6514 | 9.308 | 0.00208 | 453.82 | 79.30 | 20.12 | 0.0181 | 0.0241 |
| 23 | 4.813 | 0.6529 | 9.318 | 0.00188 | 446.51 | 79.11 | 20.14 | 0.0165 | 0.0196 |
| 24 | 4.812 | 0.6499 | 9.308 | 0.00190 | 358.87 | 79.54 | 20.14 | 0.0221 | 0.0269 |
| 25 | 4.804 | 0.6527 | 9.329 | 0.00252 | 653.00 | 78.89 | 20.10 | 0.0068 | 0.0120 |
| 26 | 4.803 | 0.6523 | 9.298 | 0.00217 | 275.64 | 79.20 | 20.10 | 0.0293 | 0.0392 |
| 27 | 4.804 | 0.6527 | 9.291 | 0.00216 | 364.38 | 79.22 | 20.10 | 0.0202 | 0.0285 |
| 28 | 4.804 | 0.6518 | 9.292 | 0.00181 | 293.69 | 79.31 | 20.10 | 0.0265 | 0.0312 |
| 29 | 4.810 | 0.6511 | 9.330 | 0.00174 | 406.88 | 79.17 | 20.13 | 0.0179 | 0.0211 |
| 30 | 4.806 | 0.6502 | 9.314 | 0.00186 | 376.49 | 79.36 | 20.11 | 0.0211 | 0.0254 |
| 31 | 4.813 | 0.6505 | 9.311 | 0.00171 | 636.25 | 79.47 | 20.14 | 0.0055 | 0.0110 |
| 32 | 4.806 | 0.6503 | 9.306 | 0.00181 | 280.98 | 79.41 | 20.11 | 0.0324 | 0.0553 |
| 33 | 4.819 | 0.6510 | 9.306 | 0.00198 | 288.10 | 79.53 | 20.17 | 0.0320 | 0.0457 |
| 34 | 4.804 | 0.6509 | 9.351 | 0.00190 | 331.49 | 78.93 | 20.11 | 0.0249 | 0.0388 |
| 35 | 4.809 | 0.6506 | 9.293 | 0.00162 | 303.04 | 79.54 | 20.13 | 0.0241 | 0.0303 |
| 36 | 4.804 | 0.6526 | 9.296 | 0.00210 | 241.26 | 79.18 | 20.10 | 0.0328 | 0.0392 |
| 37 | 4.803 | 0.6522 | 9.300 | 0.00158 | 312.87 | 79.19 | 20.10 | 0.0237 | 0.0300 |
| 平均 | 4.808 | 0.6538 | 9.306 | 0.00205 | 443.82 | 79.20 | 20.12 | 0.0181 | 0.0241 |
表1的数据表明，采用本实用新型的表面钝化结构能够制作出双面吸光N型单晶硅太阳电池，且制作出的N型双面吸光太阳电池各项电性能参数优良，尤其光电转换效率高，反向漏电流小。
本领域技术人员应当注意的是，本实用新型所描述的实施方式仅仅是示范性的，可在本实用新型的范围内作出各种其他替换、改变和改进。因而，本实用新型不限于上述实施方式，而仅由权利要求限定。
Claims (10)
1.一种双面吸光N型晶体硅太阳电池的表面钝化结构，所述双面吸光N型晶体硅太阳电池具有一硅片，其特征在于，所述表面钝化结构包括：
第一SiO2层，覆盖于所述硅片的上表面；
第一氮化硅叠层，覆盖于所述第一SiO2层的上表面；
第二SiO2层，覆盖于所述硅片的下表面；
第二氮化硅叠层，覆盖于所述第二SiO2层的下表面，
其中，所述第一氮化硅叠层和所述第二氮化硅叠层各自包含至少两层厚度与折射率均不相同的氮化硅层。
2.根据权利要求1所述的表面钝化结构，其特征在于，所述第一SiO2层和所述第二SiO2层的厚度为2-10nm，折射率为1.45-1.50。
3.根据权利要求1所述的表面钝化结构，其特征在于，所述第一氮化硅叠层包括第一氮化硅层和第二氮化硅层，所述第一氮化硅层覆盖于所述第一SiO2层的上表面，所述第二氮化硅层覆盖于所述第一氮化硅层的上表面。
4.根据权利要求3所述的表面钝化结构，其特征在于，所述第一氮化硅层的厚度为21-26nm，折射率为2.79-2.92，所述第二氮化硅层的厚度为56-60nm，折射率为1.9-2.0。
5.根据权利要求3所述的表面钝化结构，其特征在于，所述第一氮化硅叠层还包括第五氮化硅层，所述第五氮化硅层覆盖于所述第二氮化硅层的上表面，所述第一氮化硅层的厚度为27-33nm，折射率为2.6-2.8，所述第二氮化硅层的厚度为21-29nm，折射率为2.1-2.5，所述第五氮化硅层的厚度为47-56nm，折射率为2.0-2.2。
6.根据权利要求1所述的表面钝化结构，其特征在于，所述第二氮化硅叠层包括第三氮化硅层和第四氮化硅层，所述第三氮化硅层覆盖于所述第二SiO2层的下表面，所述第四氮化硅层覆盖于所述第三氮化硅层的下表面。
7.根据权利要求6所述的表面钝化结构，其特征在于，所述第三氮化硅层的厚度为21-26nm，折射率为2.79-2.92，所述第四氮化硅层的厚度为56-60nm，折射率为1.9-2.0。
8.根据权利要求6所述的表面钝化结构，其特征在于，所述第二氮化硅叠层还包括第六氮化硅层，所述第六氮化硅层覆盖于所述第四氮化硅层的下表面，所述第三氮化硅层的厚度为27-33nm，折射率为2.6-2.8，所述第四氮化硅层的厚度为21-29nm，折射率为2.1-2.5，所述第六氮化硅层的厚度为47-56nm，折射率为2.0-2.2。
9.根据权利要求1所述的表面钝化结构，其特征在于，所述第一SiO2层和所述第一氮化硅叠层的等效膜厚为75-88nm，总折射率为1.95-2.20。
10.根据权利要求1所述的表面钝化结构，其特征在于，所述第二SiO2层和所述第二氮化硅叠层的等效膜厚为75-88nm，总折射率为1.95-2.20。
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