CN205157061U - 红外传感器模块和红外成像设备 - Google Patents
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- 238000003331 infrared imaging Methods 0.000 title claims abstract description 100
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 68
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 54
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 49
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 46
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 42
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 25
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 15
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 15
- 238000003491 array Methods 0.000 claims description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 57
- 230000008859 change Effects 0.000 description 38
- 230000008569 process Effects 0.000 description 36
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 35
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 24
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 10
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 10
- 230000006870 function Effects 0.000 description 9
- 238000001931 thermography Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 238000003705 background correction Methods 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 5
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 4
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 3
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 3
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 3
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 3
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 210000002231 macronucleus Anatomy 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 2
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 1
- 239000005387 chalcogenide glass Substances 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003278 mimic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 229910052704 radon Inorganic materials 0.000 description 1
- SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N radon atom Chemical compound [Rn] SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- 238000009461 vacuum packaging Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/0225—Shape of the cavity itself or of elements contained in or suspended over the cavity
- G01J5/0245—Shape of the cavity itself or of elements contained in or suspended over the cavity for performing thermal shunt
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/04—Casings
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/04—Casings
- G01J5/046—Materials; Selection of thermal materials
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/06—Arrangements for eliminating effects of disturbing radiation; Arrangements for compensating changes in sensitivity
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/08—Optical arrangements
- G01J5/0803—Arrangements for time-dependent attenuation of radiation signals
- G01J5/0804—Shutters
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/08—Optical arrangements
- G01J5/0806—Focusing or collimating elements, e.g. lenses or concave mirrors
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/20—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation, e.g. photoconductive devices
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- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/57—Mechanical or electrical details of cameras or camera modules specially adapted for being embedded in other devices
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- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/67—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response
- H04N25/671—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction
- H04N25/673—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction by using reference sources
- H04N25/674—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction by using reference sources based on the scene itself, e.g. defocusing
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- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
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Abstract
本实用新型公开了一种红外传感器模块和红外成像设备。在一个实施例中,红外(IR)传感器模块包括IR传感器组件(128),其包括基板(140),布置在基板的上表面上的微测辐射热计阵列(132);和布置在基板的上表面上并且紧密地包围微测辐射热计阵列的帽(130)。基座(150)布置在基板下方,具有大体上平的部分的散热器(1400)插入到基板的下表面和基座的上表面之间。在一些实施例中,散热器可以包括具有各向异性热导率的材料,例如石墨。本实用新型可以减小焦平面阵列中的热梯度。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求申请号为61/748,024、申请日为2012年12月31日、题为“INFRAREDFOCALPLANEARRAYHEATSPREADERS”的美国临时专利申请的权益,通过引用的方式将其作为整体合并于此。
本申请是申请号为14/101,245、申请日为2013年12月9日、题为“LOWPOWERANDSMALLFORMFACTORINFRAREDIMAGING”的美国专利申请的部分延续申请,通过引用的方式将其作为整体合并于此。
本申请是申请号为14/099,818、申请日为2013年12月6日、题为“NON-UNIFORMITYCORRECTIONTECHNIQUESFORINFRAREDIMAGINGDEVICES”的美国专利申请的部分延续申请,通过引用的方式将其作为整体合并于此。
本申请是申请号为14/101,258、申请日为2013年12月9日、题为“INFRAREDCAMERASYSTEMARCHITECTURES”的美国专利申请的部分延续申请,通过引用的方式将其作为整体合并于此。
本申请是申请号为14/138,058、申请日为2013年12月21日、题为“COMPACTMULTI-SPECTRUMIMAGINGWITHFUSION”的美国专利申请的部分延续申请,通过引用的方式将其作为整体合并于此。
美国专利申请14/138,058要求申请号为61/748,018、申请日为2012年12月31日、题为“COMPACTMULTI-SPECTRUMIMAGINGWITHFUSION”的美国临时专利申请的权益,通过引用的方式将其作为整体合并于此。
本申请是申请号为14/138,040、申请日为2013年12月21日、题为“TIMESPACEDINFRAREDIMAGEENHANCEMENT”的美国专利申请的部分延续申请,通过引用的方式将其作为整体合并于此。
美国专利申请14/138,040要求申请号为61/792,582、申请日为2013年3月15日、题为“TIMESPACEDINFRAREDIMAGEENHANCEMENT”的美国临时专利申请的权益,通过引用的方式将其作为整体合并于此。
美国专利申请14/138,040还要求申请号为61/746,069、申请日为2012年12月26日、题为“TIMESPACEDINFRAREDIMAGEENHANCEMENT”的美国临时专利申请的权益,通过引用的方式将其作为整体合并于此。
本申请是申请号为14/138,052、申请日为2013年12月21日、题为“INFRAREDIMAGINGENHANCEMENTWITHFUSION”的美国专利申请的部分延续申请,通过引用的方式将其作为整体合并于此。
美国专利申请14/138,052要求申请号为61/793,952、申请日为2013年3月15日、题为“INFRAREDIMAGINGENHANCEMENTWITHFUSION”的美国临时专利申请的权益,通过引用的方式将其作为整体合并于此。
美国专利申请14/138,052还要求申请号为61/746,074、申请日为2012年12月26日、题为“INFRAREDIMAGINGENHANCEMENTWITHFUSION”的美国临时专利申请的权益,通过引用的方式将其作为整体合并于此。
技术领域
本实用新型的一个或者多个实施例总体上涉及热成像设备,更具体地,例如,涉及用于非冷却红外(IR)焦平面阵列(FPA)成像设备的散热器,其改善了设备成像性能。
背景技术
非冷却微测辐射热计阵列对FPA基板温度的变化极其敏感。例如,在典型的微测辐射热计IR相机中,0.0025℃的基板温度变化对应于大约0.1℃的场景温度的明显变化。因而,相当大的设计工作量投入到校准基板温度的平均变化中,其可能发生在正常的操作过程中,由于设备的自加热或环境变化引起。可以通过在FPA中实现的偏压和/或偏移校正电路,和/或通过软件算法,来获得基板温度平均变化的补偿,所述软件算法补偿作为FPA温度的函数的每个像素的输出,FPA温度由FPA板载的精密温度传感器检测。然而,在许多情况下,FPA基板的变热是不均匀的。变热的这个不均匀性不能被单个温度传感器补偿,因此额外的固定图形噪声可能出现在图像中。另外,使用快门补偿固定图形噪声的传统方法在一些设备中不可用。尽管一些基于场景的非均匀补偿(SBNUC)技术在去除高空间频率不均匀性方面获得了满意的结果,但在低空间频率不均匀性的情况下,这些技术表现得不好,而如果FPA基板温度梯度性变化,很可能遭遇到低空间频率不均匀性。
因而,需要能减小IRFPA中的热梯度的机构,该热梯度造成图像不均匀并且导致设备输出水平中与场景无关的的变化。
实用新型内容
根据实用新型的一个或多个实施例,提供了用于多个IRFPA和包含它们的IR相机模块的新散热器,以及其制造和使用方法,该散热器和该方法减小了FPA中的热梯度,该热梯度造成图像不均匀性并且导致与场景无关的设备输出水平的变化。
在一个示例性实施例中,红外(IR)传感器模块包括IR传感器组件,其包括基板,布置在基板的上表面上的微测辐射热计阵列;和布置在基板的上表面上并且紧密地包围微测辐射热计阵列的帽。基座布置在基板下方,具有大体上平的部分的散热器插入到基板的下表面和基座的上表面之间。在一些实施例中,散热器可以包括具有各向异性热导率的材料,例如石墨。
在一个示例性实施例中,公开了一种红外成像设备,其以下述方式结合上述的红外传感器模块:使得所述微测辐射热计阵列布置在所述红外成像设备的焦平面处。
在另一个示例性实施例中,一种用于在其操作期间减小红外(IR)传感器模块中的固定图形噪声(FPN)的方法包括提供大体上平的散热器,其面内热导率大于在垂直于其的方向上的散热器热导率,并且将散热器插入到传感器模块的基板的下表面和传感器模块的基座的上表面之间。
本实用新型的范围由权利要求书限定,通过引用的方式将这部分合并于此。通过考虑下面对一个或者多个实施例的详细描述,将会向本领域技术人员提供对本实用新型实施例的更加完整的理解以及其中附加的优点的实现。下面将参考首先会简要描述的附图。
附图说明
图1示出了根据本公开实施例的被配置为在主机装置中实现的红外成像模块。
图2示出了根据本公开实施例的装配后的红外成像模块。
图3示出了根据本公开的实施例的并列地置于插座之上的红外成像模块的分解图。
图4示出了根据本公开的实施例的包括红外传感器阵列的红外传感器组件的框图。
图5示出了根据本公开实施例的确定非均匀校正(NUC)项的各种操作的流程图。
图6示出了根据本公开实施例的相邻像素之间的差值。
图7示出了根据本公开实施例的平场校正技术。
图8示出了根据本公开实施例的应用在图像处理流水线中的图5的各种图像处理技术和其他操作。
图9示出了根据本公开实施例的时域噪声削减步骤。
图10示出了根据本公开实施例的图8的图像处理流水线的几个步骤的具体的实施细节。
图11示出了根据本公开实施例的附近像素中的空间相关的固定图形噪声(FPN)。
图12示出了根据本公开实施例的包括红外传感器阵列和低压差稳压器的红外传感器组件的另一个实现方式的框图。
图13示出了根据本公开实施例的图12的红外传感器组件的一部分的电路图。
图14是根据本公开实施例的包含散热器的红外成像模块的示例性实施例的正视剖视图,散热器位于成像模块的基板和该模块的基座之间。
图15是位于图14的基板的下表面及其成像模块的基座的上表面之间的区域的平面图,其示出了根据本公开实施例的用于测量基板中的温度梯度的温度测试传感器的位置。
图16A是根据本公开实施例的、在基板和基座之间使用散热器的情况下,在红外成像模块操作的相对短的初始时期期间,基板中的选定点在不同时间的相应温度的图表,以开氏温度(°K)表示。
图16B是根据本公开实施例的、在基板和基座之间使用散热器的情况下,在红外成像模块操作的延长时间期间,基板中的选定点在不同时间的相应温度的图表,以开氏温度(°K)表示。
图17A是根据本公开实施例的在基板和基座之间使用铜散热器的情况下,在红外成像模块操作的短的初始时期期间,基板中的选定点在不同时间的相应温度的图表,以开氏温度(°K)表示。
图17B是根据本公开实施例的在基板和基座之间使用铜散热器的情况下,在红外成像模块操作的延长时间期间,区域中的选定点在不同时间的相应温度的图表,以开氏温度(°K)表示。
图18A是根据本公开实施例的在基板和基座之间使用石墨散热器的情况下,在红外成像模块操作的相对短的初始时期期间,区域中的选定点在不同时间的相应温度的图表,以开氏温度(°K)表示。
图18B是根据本公开实施例的、在基板和基座之间使用石墨散热器的情况下,在红外成像模块操作的延长时间期间,区域中的选定点在不同时间的相应温度的图表,以开氏温度(°K)表示。
图19是根据本公开实施例的在成像模块的基板和该模块的基座之间包含散热器的红外成像模块的另一个示例性实施例的透视图。
通过参考下面的详细说明,将会更好的理解本实用新型的实施例及其优点。应当理解的是,相同的参考数字用于表示在一副或者多幅附图中示出的相同元件。
具体实施例
图1示出了根据本公开实施例的、被配置为在主机装置102中实现的红外成像模块100(例如,红外照相机或者红外成像装置)。在一个或者多个实施例中,可根据晶圆级封装技术或者其他封装技术,实现小形状因子的红外成像模块100。
在一个实施例中,红外成像模块100可被配置为在小型的便携式主机装置102中实现,例如,移动电话、平板电脑装置、膝上型电脑装置、个人数字助理、可见光照相机、音乐播放器或者任何其他合适的移动装置。就这方面而言,红外成像模块100可用于向主机装置102提供红外成像功能。例如,红外成像模块100可被配置为捕获、处理、和/或管理红外图像,并将该红外图像提供给主机装置102,主机装置102能够以任何期望的方式来使用该红外图像(例如,对该红外图像进行进一步的处理、存储到存储器中、显示、由运行在主机装置102中的各种应用程序使用、输出到其他装置、或者其他应用)。
在各种实施例中,红外成像模块100可被配置为在低电压电平和宽温度范围内工作。例如,在一个实施例中,红外成像模块100可使用约2.4伏、2.5伏、2.8伏或更低的电压的电源工作,并且可在约-20℃到约+60℃的温度范围中工作(例如,在约80℃的环境温度范围中提供合适的动态范围和性能)。在一个实施例中,通过使红外成像模块100在低电压电平下工作,与其他类型的红外成像装置相比,红外成像模块100自身所产生的热量较少。因此,红外成像模块100在工作时,可利用简化的措施来补偿这种自身产生的热量。
如图1所示,主机装置102可包括插座104、快门105、运动传感器194、处理器195、存储器196、显示器197和/或其他部件198。插座104可被配置为如箭头101所示的接收红外成像模块100。就这方面而言,图2示出了根据本公开实施例的、装配在插座104中的红外成像模块100。
可由一个或者多个加速度计、陀螺仪或者可用于检测主机装置102的运动的其他合适的装置来实现运动传感器194。处理模块160或者处理器195可对运动传感器194进行监控并且运动传感器194向处理模块160或者处理器195提供信息,以检测运动。在各种实施例中,运动传感器194可实现为主机装置102的一部分(如图1所示),也可实现为红外成像模块100、或者连接到主机装置102或与主机装置102接触的其他装置的一部分。
处理器195可实现为任何合适的处理装置(例如,逻辑装置、微控制器、处理器、专用集成电路(ASIC)或者其他装置),主机装置102可使用上述处理装置来执行适当的指令,例如,存储在存储器196中的软件指令。显示器197可用于显示捕获的和/或处理后的红外图像和/或其他图像、数据和信息。其他部件198可用于实现主机装置102的任何功能,如可能期望的各种应用(例如,时钟、温度传感器、可见光照相机或者其他部件)。另外,机器可读介质193可用于存储非临时性指令,可将该非临时性指令加载到存储器196中并由处理器195执行。
在各种实施例中,可大量生产红外成像模块100和插座104,以推动它们的广泛应用,例如,其可应用在移动电话或者其他装置(例如,需要小形状因子的装置)中。在一个实施例中,当红外成像模块100安装到插座104中时,红外成像模块100和插座104的组合所显示出的整体尺寸大约为8.5mm×8.5mm×5.9mm。
图3示出了根据本公开的实施例的、并列的置于插座104之上的红外成像模块100的分解图。红外成像模块100可包括透镜镜筒110、外壳120、红外传感器组件128(见图4)、电路板170、基座150和处理模块160。如图14中所示,在一些实施例中,电路板179的功能可以合并到基座150中,基座150可以包括陶瓷结构,并且处理模块160可以例如用球栅阵列(BGA)技术来安装到和电连接到基座150的下表面。
透镜镜筒110可至少部分的装入光学元件180(例如,透镜),通过透镜镜筒110中的孔112,所述光学元件180在图3中部分的可见。透镜镜筒110可包括大致呈圆柱形的延长部分114,其可用于使透镜镜筒110与外壳120中的孔122接触。
红外传感器组件128例如可以实施在安装于基板140上的帽130(例如,盖子)的下方。如图4中所示,红外传感器组件128可包括按列或者其他方式设置在基板140上并由帽130覆盖的多个红外传感器132(例如,红外探测器)。例如,在一个实施例中,红外传感器组件128可实现为焦平面阵列(FPA)。这种焦平面阵列可实现为例如真空封装的组件(例如,由帽130和基板140紧密地密封)。在一个实施例中,红外传感器组件128可实现为晶片级封装(例如,红外传感器组件128可以是与设置在晶片上一组真空包装组件相分离的单片)。在一个实施例中,红外传感器组件128可实现为使用约2.4伏、2.5伏、2.8伏或者类似的电压的电源来工作。
红外传感器132可被配置为检测目标场景的红外辐射(例如,红外能量),所述目标场景包括:例如中波红外波段(MWIR)、长波红外波段(LWIR)、和/或如在特定应用中所期望的其他热成像波段。在一个实施例中,可根据晶片级封装技术来提供红外传感器组件128。
红外传感器132可实现为例如微辐射热计探测器,或者以任意期望的阵列方向图案配置以提供多个像素的其他类型的热成像红外传感器。在一个实施例中,红外传感器132可实现为具有17微米像素间距的氧化钒(VOx)探测器。在各种实施例中,可使用约32×32阵列的红外传感器132、约64×64阵列的红外传感器132、约80×64阵列的红外传感器132或者其他大小的阵列。
基板140可包括各种电路,其中包括例如读出集成电路(ROIC),在一个实施例中,该读出集成电路(ROIC)的尺寸比约5.5mm×5.5mm小。基板140还可包括接合焊盘142,其可用于当如图3所示的那样装配好红外成像模块100时,与放置在外壳120的内表面上的相辅相成的连接点相接触。在一个实施例中,可利用执行电压调节的低压差稳压器(LDO)来实现ROIC,以降低引入到红外传感器组件128中的噪声,从而提供改进的电源抑制比(PSRR)。另外,通过实现具有ROIC的LDO(例如,在晶圆级封装内),可消耗更少的管芯面积并且需要的离散管芯(或者芯片)较少。
图4示出了根据本公开的实施例的、包括布置在基板140上表面上的红外传感器132的阵列的红外传感器组件128的框图。在示出的实施例中,红外传感器132作为ROIC402的单位晶格阵列的一部分。ROIC402包括偏压产生和定时控制电路404、列放大器405、列多路复用器406、行多路复用器408和输出放大器410。可通过输出放大器410将红外传感器132捕获的图像帧(即,热图像)提供给处理模块160、处理器195和/或任何其他合适的部件,以执行本文所描述的各种处理技术。尽管图4示出的是8×8的阵列,但是任何期望的阵列配置均可用于其他实施例中。ROIC和红外传感器(例如,微测辐射热计电路)的进一步描述可在2000年2月22日公开的美国专利No.6,028,309中找到,通过引用的方式将其作为整体合并于此。
红外传感器阵列128可捕获图像(例如,图像帧),并以各种速率从它的ROIC提供这种图像。处理模块160可用于对捕获的红外图像执行适当的处理,并且可以根据任何适当的结构来实现该处理模块160。在一个实施例中,处理模块160可实现为ASIC。就这方面而言,这种ASIC可被配置为高性能的和/或高效率的执行图像处理。在另一个实施例中,可利用通用中央处理单元(CPU)来实现处理模块160,所述CPU可被配置为执行适当的软件指令,以进行图像处理、调整以及通过各种图像处理块进行图像处理、处理模块160和主机装置102之间的互相配合的交互和/或其他操作。在另一个实施例中,可利用现场可编程门阵列(FPGA)来实现处理模块160。在其他实施例中,如本领域技术人员所理解的,可利用其他类型的处理和/或逻辑电路来实现处理模块160。
在这些和其他实施例中,处理模块160还可与其他合适的部件来实现,例如,易失性存储器、非易失性存储器和/或一个或者多个接口(例如,红外检测器接口、内部集成电路(I2C)接口、移动行业处理器接口(MIPI)、联合测试行动组(JTAG)接口(例如,IEEE1149.1标准测试访问端口和边界扫描结构)、和/或其他接口)。
在一些实施例中,红外成像模块100可进一步包括一个或者多个致动器199,其可用于调整红外传感器组件128捕获的红外图像帧的焦点。例如,致动器199可用于移动光学元件180、红外传感器132和/或彼此相关的其他部件,以根据本文所描述的技术来选择性地聚焦和散焦红外图像帧。可根据任何类型的运动感应设备或者装置来实现致动器199,并且可将致动器199放置在红外成像模块100内部或者外部的任何位置,以适应不同的应用。
当将红外成像模块100装配好后,外壳120随后可将红外传感器组件128、基座150以及处理模块160完全的密封起来。外壳120可便于红外成像模块100的各种部件的连接。例如,在一个实施例中,外壳120可提供用于连接各种部件的电连接部件126,下面将对其进行详细描述。
当将红外成像模块100装配好时,电连接部件126(例如,导电路径、电气轨迹或者其他类型的电连接部件)可与接合焊盘142电气连接。在各种实施例中,可将电连接部件126嵌入到外壳120中、设置在外壳120的内表面上和/或由外壳120提供所述电连接部件126。如图3所示,电连接部件126可终止于突出于外壳120的底表面的连接部件124中。当将红外成像模块100装配好时,连接部件124可与电路板170连接(例如,在各种实施例中,外壳120可置于电路板170的顶部)。处理模块160可通过合适的电连接部件与电路板170电连接。因此,红外传感器组件128可例如通过导电路径与处理模块160电连接,所述导电路径可由接合焊盘142、外壳120内部表面上的相辅相成的连接点、外壳120的电连接部件126、连接部件124、电路板170和/或基座150提供。有利的是,这种布置的实现可无需在红外传感器组件128和处理模块160之间设置焊线。
在各种实施例中,可使用任何期望的材料(例如,铜或者任何其他合适的导电材料)来制造外壳120中的电连接部件126。在一个实施例中,电连接部件126可有助于对红外成像模块100产生的热量进行散热。
其他连接可用于其他实施例中。例如,如图14中所示,在一个实施例中,传感器组件128可通过陶瓷基座150连接到处理模块160,所述陶瓷基座例如通过焊线151连接到传感器组件128并通过球栅阵列(BGA)布置152连接到处理模块160。在另一个实施例中,传感器组件128可直接安装到刚柔性板上并与焊线电连接,并且可利用焊线或者BGA将处理模块160安装并且连接到刚柔性板。
本文所阐述的红外成像模块100和主机装置102的各种应用只是为了举例,而不是限制。就这方面而言,本文所描述的各种技术中的任何一个均可应用到任何红外照相机系统、红外成像器或者用于进行红外/热成像的其他装置。
如图14中所示,红外传感器组件128的基板140可安装到基座150上。在各种实施例中,基座150(例如,底座)可例如由通过金属注射成形(MIM)形成的铜制造,并且对所述基座150进行黑色氧化处理或者镍涂层处理。备选地,在其它实施例中,基座150可由任何期望的材料制造,例如,可根据特定应用,由例如锌、铝、镁或者陶瓷制造,并且,基座150可通过任何期望的应用流程形成,例如,可根据特定应用,例如通过铝铸件、MIM或者锌的快速铸造、烧结、或光刻技术来形成。在各种实施例中,基座150可用于提供结构支撑、各种电路路径、热散热器性能以及其他合适的功能。例如,在一个实施例中,基座150可以是包含导电电路迹线层且至少部分使用陶瓷材料实现的多层结构。
在各种实施例中,电路板170可容纳外壳120,从而可在物理上支撑红外成像模块100的各种部件。在各种实施例中,电路板170可实现为印刷电路板(例如,FR4电路板或者其他类型的电路板)、刚性或者柔性的互连设备(例如,互连带或者其他类型的互连设备)、柔性电路基板、柔性塑料基板或者其他合适的结构。在各种实施例中,基座150可实现为具有描述的电路板170的各种功能和属性,反之亦然。
插座104可包括被配置为容纳红外成像模块100(例如,如图2所示的装配后的视图)的腔体106。红外成像模块100和/或插座104可包括合适的卡片、臂、销、紧固件或者任何其他合适的接合部件,所述接合部件可用于通过摩擦、张力、粘附和/或任何其他合适的方式将红外成像模块100固定到插座104,或者将红外成像模块100固定到插座104内部。插座104可包括接合部件107,其可在当红外成像模块100插入到插座104的腔体106中时,接合外壳120的表面109。其他类型的接合部件可用于其他实施例中。
红外成像模块100可通过适当的电连接部件(例如,触点、销、电线或者任何其他合适的连接部件)与插座104电连接。例如,插座104可包括电连接部件108,其可与红外成像模块100的相应的电连接部件(例如,互连焊盘、触点、或者在电路板170侧面或者底表面上的其他电连接部件、接合键盘142或者基座150上的其他电连接部件、或者其他连接部件)接触。电连接部件108可由任何期望的材料(例如,铜或者任何其他合适的导电材料)制造。在一个实施例中,电连接部件108可被机械的压扁,以当红外成像模块100插入到插座104的腔体106中时可贴着红外成像模块100的电连接部件。在一个实施例中,电连接部件108可至少部分的将红外成像模块100固定到插座104中。其他类型的电连接部件可用于其他实施例中。
插座104可通过类似类型的电连接部件与主机102电连接。例如,在一个实施例中,主机102可包括穿过孔190与电连接部件108连接的电连接部件(例如,焊接连接、搭扣式连接或者其他连接)。在各种实施例中,这种电连接部件可置于插座104的侧面和/或底部。
可通过倒装芯片技术来实现红外成像模块100的各种部件,所述倒装芯片技术可用于将部件直接安装到电路板上,而无需通常用于焊线连接的额外的间隙。倒装芯片连接例如可用于在紧凑小形状因子应用中减少红外成像模块100的整体尺寸。例如,在一个实施例中,可使用倒装芯片连接部件将处理模块160安装到电路板170。例如,可使用这种倒装芯片配置来实现红外成像模块100。
在各种实施例中,可根据如申请号为12/844,124,申请日为2010年7月27日的美国专利申请和申请号为61/469,651,申请日为2011年3月30日的美国临时专利申请所记载的各种技术(例如,圆晶级封装技术),来实现红外成像模块100和/或相关的部件,通过引用的方式将其作为整体合并于此。另外,根据一个或者多个实施例,可根据如下所述文献记载的各种技术来实现、校正、测试和/或使用红外成像模块100和/或相关的部件,所述文献例如为:如公开号为7,470,902、公开日为2008年12月30日的美国专利,公开号为6,028,309、公开日为2000年2月22日的美国专利,公开号为6,812,465、公开日为2004年11月2日的美国专利,公开号为7,034,301、公开日为2006年4月25日的美国专利,公开号为7,679,048、公开日为2010年3月16日的美国专利,公开号为7,470,904、公开日为2008年12月30日的美国专利,申请号为12/202,880、申请日为2008年9月2日的美国专利申请以及申请号为12/202,896、申请日为2008年9月2日的美国专利申请,通过引用的方式将上述文献作为整体合并于此。
在一些实施例中,主机设备102可以包括其他部件198,如非热相机(例如,可见光相机或其他类型的非热成像器)。非热相机可以是小形状因数的成像模块或成像设备,并且在一些实施方式中,可以以与本申请中披露的红外成像模块100的各种实施方式类似的方式实现,其中一个或多个传感器和/或传感器阵列对非热光谱中的辐射(例如,可见光波长、紫外线波长和/或其他非热波长中的辐射)作出响应。例如,在一些实施方式中,非热相机可以用电荷耦合器件(CCD)传感器、电子倍增CCD(EMCCD)传感器、互补金属氧化物半导体(CMOS)传感器、科学CMOS(sCMOS)传感器或其他滤波器和/或传感器实现。
在一些实施方式中,非热相机可以与红外成像模块100位于同一位置并且定向成使得非热相机的视场(FOV)至少部分地重叠红外成像模块100的FOV。在一个例子中,根据在2012年12月31日申请的美国临时专利申请61/748,018中描述的各种技术,红外成像模块100和非热相机可以被实施为共用公共基板的双传感器模块,通过引用将该临时专利申请的全文并入本文中。
对于具有这种非热光相机的实施方式而言,各种部件(例如,处理器195、处理模块160和/或其他处理部件)可以配置成重叠、合并、混合、或以其他方式合成由红外成像模块100捕获的红外图像(例如,包括热图像)和由非热相机捕获的非热图像(例如,包括可见光图像),无论基本上在同一时间还是不同时间捕获(例如,时间间隔超过若干小时、若干天,日间-夜间,和/或以其他方式)。
在一些实施方式中,可以处理热图像和非热图像以产生合成图像(例如,在一些实施方式中对这些图像进行的一个或多个处理)。例如,可以执行基于场景的NUC处理(如下文中进一步描述的),可以执行真彩色处理,和/或可以执行高对比度处理。
关于真彩色处理,例如,通过根据混合参数将热图像的辐射测定分量与非热图像的对应分量混合,可以使热图像与非热图像混合,在一些实施方式中,混合参数可以由用户和/或机器调节。例如,可以根据混合参数合成热图像和非热图像的亮度或色度分量。在一个实施方式中,这种混合技术可以被称为真彩色红外图像法。例如,在白天成像中,混合的图像可以包括非热彩色图像,其包括亮度分量和色度分量,其中其亮度值被来自热图像的亮度值替换和/或与其混合。来自热图像的亮度数据的使用使真非热彩色图像的强度根据物体的温度变亮或变暗。照此,这些混合技术为白天或可见光图像提供热成像。
关于高对比度处理,可以从一个或多个热和非热图像获得高空间频率含量(例如,通过执行高通滤波、差分成像和/或其他技术)。合成图像可以包括热图像的辐射测定分量和混合分量,混合分量包括根据混合参数与高空间频率含量混合的场景的红外(例如,热)特性,在一些实施方式中,混合参数可以由用户和/或机器调节。在一些实施方式中,通过将高空间频率含量叠加到热图像上,来自非热图像的高空间频率含量可以与热图像混合,其中高空间频率含量替代或覆盖热图像的与存在高空间频率含量的位置对应的那些部分。例如,高空间频率含量可以包括在场景的图像中描绘的物体的边缘,但可能不存在于这种物体的内部。在这样的实施方式中,混合图像数据可以简单地包括高空间频率含量,随后可以将其编码成合成图像的一个或多个分量。
例如,热图像的辐射测定分量可以是热图像的色度分量,并且高空间频率含量可能来自非热图像的亮度和/或色度分量。在这个实施方式中,合成图像可以包括辐射测定分量(例如,热图像的色度分量)和高空间频率含量,辐射测定分量被编码成合成图像的色度分量,高空间频率含量被直接编码(例如,作为混合的图像数据但没有热图像贡献)成合成图像的亮度分量。通过这样做,可以保留热图像的辐射测定分量的辐射测定校准。在类似的实施方式中,混合的图像数据可以包括被添加到热图像的亮度分量中的高空间频率含量,并且最终得到的混合数据被编码成最终得到的合成图像的亮度分量。
例如,在下列申请中披露的任何技术都可以用在各个实施方式中:2009年6月3日申请的美国专利申请12/477,828;2010年4月23日申请的美国专利申请12/766,739;2011年5月11日申请的美国专利申请13/105,765;2012年4月2日申请的美国专利申请13/437,645;2011年4月8日申请的美国临时专利申请61/473,207;2012年12月26日申请的美国临时专利申请61/746,069;2012年12月26日申请的美国临时专利申请61/746,074;2012年12月31日申请的美国临时专利申请61/748,018;2013年3月15日申请的美国临时专利申请61/792,582;2013年3月15日申请的美国临时专利申请61/793,952;和2011年4月21日申请的国际专利申请PCT/EP2011/056432,所有这些申请都通过引用将其全文并入本文中。本申请中描述的或在本申请引用的其他申请或专利中描述的任何技术,都可以适用于各种热设备、非热设备以及本申请中描述的用途中的任一个。
再次参考图1,在各种实施例中,主机装置102可包括快门105。就这方面而言,可在红外成像模块100安装在插座中时,将快门105选择性的放置在插座104上(例如,如箭头103所确定的方向)。就这方面而言,快门105例如可用于在红外成像模块100不使用时对其进行保护。快门105还可用作温度参考,如本领域技术人员所应当理解的,所述温度参考作为红外成像模块100的校正过程(例如,非均匀性校正(NUC)过程或者其他校正过程)的一部分。
在各种实施例中,快门105可由各种材料制造,例如,聚合物、玻璃、铝(例如,涂漆的或者经过阳极氧化处理后的)或者其他材料。在各种实施例中,快门105可包括一个或者多个涂层(例如,均匀的黑体涂层或者反射性的镀金涂层),其用于选择性地过滤电磁辐射和/或调整快门105的各种光学属性。
在另一个实施例中,可将快门105固定在适当位置以全天候的保护红外成像模块100。在这种情况下,快门105或者快门105的一部分可由基本上不会过滤掉需要的红外线波长的合适的材料(例如,聚合物,或者诸如硅、锗、硒化锌或硫系玻璃的红外透射材料)制造。如本领域技术人员所应当理解的,在另一个实施例中,快门可实现为红外成像模块100的一部分(例如,在透镜镜筒或者红外成像模块100的其他部件内,或者作为透镜镜筒或者红外成像模块100的其他部件的一部分)。
可选的,在另一个实施例中,无需提供快门(例如,快门105或者其他类型的外部或者内部快门),而是可使用无快门的技术进行NUC步骤或者其他类型的校正。在另一个实施例中,使用无快门技术的NUC步骤或者其他类型的校正可与其他基于快门的技术结合进行,如在下面更详细地描述的。
可根据下述文献记载的各种技术中的任意一种来实现红外成像模块100和主机装置102,所述文献为:申请号为61/495,873,申请日为2011年6月10日的美国临时专利申请;申请号为61/495,879,申请日为2011年6月10日的美国临时专利申请;以及申请号为61/495,888,申请日为2011年6月10日的美国临时专利申请。通过引用的方式将上述文献作为整体合并于此。
在各种实施例中,主机装置102和/或红外成像模块100的部件可实现为本地系统,或者实现为部件之间通过有线和/或无线网络进行通信的分布式系统。因此,可根据特定实施的需要,通过本地和/或远程部件来执行本公开所提及的各种操作。
图5示出了根据本公开实施例的、确定NUC项的各种操作的流程图。在一些实施例中,可由对红外传感器132捕获的图像帧进行处理的处理模块160或者处理器195(二者通常也指处理器)来执行图5的操作。
在块505,红外传感器132开始捕获场景的图像帧。通常,场景将会是主机装置102当前处于的真实环境。就这方面而言,快门105(如果可选的提供)可打开以允许红外成像模块从场景接收红外辐射。在图5所示的所有操作期间,红外传感器132可连续地捕获图像帧。就这方面而言,连续地捕获图像帧可用于如下文所进一步讨论的各种操作。在一个实施例中,可对捕获的图像帧进行时域滤波(例如,根据块826的步骤对捕获的图像帧进行时域滤波,本文将根据图8对其进一步描述),并且在所述图像帧被用于图5所示的操作之前,由其他项(例如,工厂增益项812、工厂偏移项816、先前确定的NUC项817、列FPN项820以及行FPN项824,本文将根据图8对其做进一步描述)对它们进行处理。
在块510,检测到NUC步骤的启动事件。在一个实施例中,NUC步骤可响应于主机装置102的物理移动而启动。例如,可由被处理器轮询的运动传感器194来检测这种移动。在一个例子中,用于可能会以特定的方式来移动主机装置102,例如,通过有意的来回移动主机装置102,使主机装置102做“消除”或者“重击”运动。就这方面而言,用户可根据预定的速率和方向(速度),例如,通过上下、左右或者其他类型的运动来移动主机装置102从而启动NUC步骤。在这个例子中,这种移动的使用可允许用户直观的操作主机装置102,以模拟对捕获的图像帧的噪声“消除”。
在另一个例子中,如果检测到超过阈值的运动(例如,运动超过了期望的正常使用),则可由主机装置102来启动NUC步骤。可以预期的是,主机装置102的任何期望的类型的空间移位均可用于启动NUC步骤。
在另一个例子中,如果自从先前执行的NUC步骤以来,已经过去了最小时间,则可由主机装置102启动NUC步骤。在另一个例子中,如果自从先前执行的NUC步骤以来,红外成像模块100已经经历了最小的温度改变,则可由主机装置102启动NUC步骤。在另外的例子中,可连续地启动并重复NUC步骤。
在块515,检测到NUC步骤启动事件之后,确定是否应该真正地执行NUC步骤。就这方面而言,可基于一个或者多个附加条件是否满足,来选择性地启动NUC步骤。例如,在一个实施例中,除非自从先前执行的NUC步骤以来,已经过去了最小时间,否则不会执行NUC步骤。在另一个实施例中,除非自从先前执行的NUC步骤以来,红外成像模块100已经经历了最小的温度变化,否则不会执行NUC步骤。其他标准或者条件可用于其他实施例中。如果已经满足合适的标准或者条件,流程图就会继续到块520。否则,流程图返回到块505。
在NUC步骤中,模糊图像帧可用于确定NUC项,所述NUC项可应用于捕获的图像帧以校正FPN。如所讨论的,在一个实施例中,可通过累加运动场景的多个图像帧(例如,当场景和/或热成像仪处于运动的状态时捕获的图像帧)来获得模糊图像帧。在另一个实施例中,可通过使热成像仪的光学元件或者其他部件散焦,来获得模糊图像帧。
因此,块520提供了两种方法的选择。如果使用基于运动的方法,则流程图继续到块525。如果使用基于散焦的方法,则流程图继续到块530。
现在参考基于运动的方法,在块525,检测到运动。例如,在一个实施例中,可基于红外传感器132捕获的图像帧检测运动。就这方面而言,合适的运动检测步骤(例如,图像配准步骤、帧到帧的差值计算或者其他合适的步骤)可应用于捕获的图像帧,以确定是否存在运动(例如,是否已经捕获到静态的或者运动的图像帧)。例如,在一个实施例中,能够确定连续图像帧的像素的周围的像素或者区域发生改变的数量已经超过了用户定义的数量(例如,百分比和/或阈值)。如果至少给定百分比的像素已经发生改变且发生改变的像素的数量至少为用户定义的数量,则可以非常肯定的检测到运动,从而流程图转到块535。
在另一个实施例中,可以在每个像素的基础上确定运动,其中,只累加那些显示出明显变化的像素,以提供模糊图像帧。例如,可以为每个像素设置计数器,所述计数器用于保证每个像素累加的像素值的数量相同,或者用于根据每个像素实际上累加的像素值的数量来对像素值取平均。可执行其他类型的基于图像的运动检测,例如,执行拉东(Radon)变换。
在另一个实施例中,可基于运动传感器194提供的数据来检测运动。在一个实施例中,这种运动检测可包括检测主机装置102是否在空间中沿着相对笔直的轨迹移动。例如,如果主机装置102正沿着相对笔直的轨迹移动,那么下述情况是可能的:出现在成像后的场景中的某些对象可能不够模糊(例如,场景中的对象与笔直轨迹对准或者基本上沿着平行于所述笔直轨迹的方向移动)。因此,在该实施例中,只有主机装置102显示出运动、或者没有显示出运动但沿着特定轨迹运动时,运动传感器194才能检测到运动。
在另一个实施例中,可使用运动检测步骤和运动传感器194二者。因此,使用这些各种实施例中任意一个,能够确定在场景的至少一部分和主机装置102相对于彼此之间运动的同时(例如,这可由主机装置102相对于场景移动、场景的至少一部分相对于主机装置102移动或者上述两种情况引起),是否捕获到每个图像帧。
可以预期的是,检测到运动的图像帧可显示出捕获的场景的某些次级模糊(例如,与场景相关的模糊的热图像数据),所述次级模糊是由于红外传感器132的热时间常数(例如,微辐射热时间常数)与场景移动交互而引起的。
在块535,对检测到运动的图像帧进行累加。例如,如果检测到连续的一系列图像帧的运动,则可对系列图像帧进行累加。做为另外一个例子,如果只检测到某些图像帧的运动,则可忽略掉没有运动的图像帧并不对这些没有运动的图像帧进行累加。因此,可基于检测到的运动,选择连续的或者不连续的一系列图像帧进行累加。
在块540,对累加的图像帧进行平均以提供模糊图像帧。因为累加的图像帧是在运动期间捕获到的,所以我们期望图像帧之间实际的场景信息将会不同,从而导致模糊之后的图像帧中的场景信息被进一步的模糊(块545)。
与此相反,在运动期间,在至少短时间内以及场景辐射的至少有限变化时,FPN(例如,由红外成像模块100的一个或者多个部件引起的)保持不变。结果是,在运动期间捕获到的时间和空间上接近的图像帧将会遭受相同的或者至少类似的FPN。因此,尽管连续图像帧中的场景信息可能会改变,但是FPN将保持基本不变。通过对运动期间捕获到的多个图像帧进行平均,所述多个图像帧将会模糊场景信息,但是不会模糊FPN。结果是,与场景信息相比,FPN将在块545提供的模糊图像帧中保持的更加清楚。
在一个实施例中,在块535和540中,对32个或者更多图像帧进行累加和平均。然而,任何期望数量的图像帧均可用在其他实施例中,只是随着帧的数量的减少,校正精度通常会降低。
现在参考基于散焦的方法,在块530,进行散焦操作以有意地使红外传感器132捕获的图像帧散焦。例如,在一个实施例中,一个或者多个致动器199可用于调整、移动或者平移光学元件180、红外传感器组件128和/或红外成像模块100的其他部件,以使得红外传感器132捕获场景的模糊的(例如,没有聚焦)图像帧。也可考虑使用其他不基于致动器的技术来有意地使红外图像帧散焦,例如,如人工(例如,用户启动的)散焦。
尽管图像帧中的场景可能会出现模糊,但是通过散焦操作,FPN(例如,由红外成像模块100的一个或者多个部件引起)将会保持不受影响。结果是,场景的模糊图像帧(块545)将会具有FPN,并且与场景信息相比,所述FPN将在所述模糊图像中保持的更加清楚。
在上面的讨论中,已经描述的基于散焦的方法与单个捕获的图像帧有关。在另一个实施例中,基于散焦的方法可包括当红外成像模块100已经被散焦时对多个图像帧进行累加,并且对散焦的图像帧进行平均以消除时域噪声的影响并在块545提供模糊图像帧。
因此,可以理解的是,既可通过基于运动的方法也可通过基于散焦的方法来在块545提供模糊的图像帧。因为运动、散焦或者上述二者均会使很多的场景信息模糊,所以可实际上将模糊图像帧认为是原始捕获的有关场景信息的图像帧的低通滤波版本。
在块505,对模糊图像帧进行处理以确定更新的行和列的FPN项(例如,如果之前没有确定行和列的FPN项,那么更新的行和列的FPN项可以是块550的第一次迭代中的新的行和列的FPN项)。如本公开所使用的,根据红外传感器132和/或红外成像模块100的其他部件的方向,术语行和列可互换的使用。
在一个实施例中,块550包括确定每行模糊图像帧(例如,每行模糊图像帧可具有其自身的空间FPN校正项)的空间FPN校正项,以及还确定每列模糊图像帧(例如,每列模糊图像帧可具有其自身的空间FPN校正项)的空间FPN校正项。这种处理可用于减少空间并减少热成像仪固有的行和列FPN的缓慢变化(1/f),这种缓慢变化例如是由ROIC402中的放大器的1/f噪声特征引起,所述1/f噪声特征可表现为图像帧中的垂直和水平条。
有利的是,通过利用模糊图像帧确定空间行和列的FPN,会降低将实际成像的场景中的垂直和水平物体误认为是行和列噪声的风险(例如,真实场景内容被模糊,而FPN保持不被模糊)。
在一个实施例中,可通过考虑模糊图像帧的相邻像素之间的差值来确定行和列FPN项。例如,图6示出了根据本公开实施例的、相邻像素之间的差值。具体地,在图6中,将像素610与它附近的8个水平相邻像素进行比较:d0-d3在一侧,d4-d7在另一侧。可对相邻像素之间的差值进行平均,以获得示出的像素组的偏移误差的估计值。可对行或者列中的每个像素的偏移误差均进行计算,并且得到的平均值可用于校正整个行或者列。
为了防止将真实的场景数据解释为噪声,可使用上限阈值和下限阈值(thPix和-thPix)。落入该阈值范围之外的像素值(在该例子中,是像素d1和d4)不用于获得偏移误差。另外,这些阈值可限制行和列FPN校正的最大量。
申请号为12/396,340,申请日为2009年3月2日的美国专利申请记载了执行空间行和列FPN校正处理的其他技术,通过引用的方式将其作为整体合并于此。
再次参考图5,将在块550确定的更新的行和列FPN项进行存储(块552)并将其应用于(块555)块545提供的模糊图像帧。在应用这些项之后,可降低模糊图像帧中的一些空间行和列的FPN。然而,因为这些项通常应用于行和列,所以附加的FPN可保持,例如,空间不相关的FPN与像素到像素的偏移或者其他原因相关。与单个行和列可能不直接相关的、空间相关的FPN的邻域也可保持不变。因此,可进行进一步的处理以确定NUC项,下面将对其进行描述。
在块560,确定模糊图像帧中的局部反差值(例如,相邻像素或者小组像素之间的梯度边缘值或者绝对值)。如果模糊图像帧中的场景信息包括还没有被明显模糊的反差区域(例如,原始场景数据中的高反差边缘),那么可由块560的反差确定步骤来识别这些特征。
例如,可计算模糊图像帧中的局部反差值,或者任何其他类型的边缘检测步骤可应用于识别作为局部反差区域的一部分的、模糊图像中的某些像素。可以认为以这种方式标记的像素包含很高空间频率的场景信息,可将该很高空间频率的场景信息解释为FPN(例如,这种区域可对应于还没有被充分模糊的场景的部分)。因此,可将这些像素排除在用于进一步确定NUC项的处理之外。在一个实施例中,这种反差检测处理可依赖于高于与FPN相关的期望反差值的阈值(例如,可以认为显示出的反差值高于阈值的像素是场景信息,而认为那些低于阈值的像素是显示FPN)。
在一个实施例中,在行和列FPN项已经应用于模糊图像帧之后,可对模糊图像帧执行块560的反差确定(例如,如图5所示)。在另一个实施例中,可在块550之前执行块560,以在确定行和列FPN项之前确定反差(例如,以防止基于场景的反差对于确定该项有影响)。
在块560之后,可以预期的是,残留在模糊图像帧中的任何高空间频率分量可一般的归因于空间不相关的FPN。就这方面而言,在块560之后,已经将很多其他噪声或者真正需要的基于场景的信息去除或者排除在模糊图像帧之外,这是因为:对图像帧的有意地模糊(例如,通过从块520到545的运动或者散焦)、行和列FPN项的应用(块555)以及反差的确定(块560)。
因此,可以预期的是,在块560之后,任何残留的高空间频率分量(例如,显示为模糊图像帧中的反差或者差别区域)均可归因于空间不相关的FPN。因此,在块565,对模糊图像帧进行高通滤波。在一个实施例中,这可包括应用高通滤波器以从模糊图像帧中提取高空间频率分量。在另一个实施例中,这可包括对模糊图像帧应用低通滤波器,并提取低通滤波后的图像帧和没有滤波的图像帧之间的差值以获得高空间频率分量。根据本公开的各种实施例,可通过计算传感器信号(例如,像素值)和其相邻信号之间的平均差值来实现高通滤波器。
在块570,对高通滤波后的模糊图像帧进行平场校正处理,以确定更新的NUC项(例如,如果先前没有进行NUC步骤,那么更新的NUC项可以是块570的第一次迭代中的新的NUC项)。
例如,图7示出了根据本公开实施例的平场校正技术700。在图7中,可通过使用像素710的相邻像素712到726的值来确定模糊图像帧的每个像素710的NUC项。对于每个像素710来说,可基于各种相邻像素的值之间的绝对差值来确定数个梯度。例如,可确定下述像素之间的绝对差值:像素712和714之间(从左到右的对角梯度)、像素716和718之间(从上到下的垂直梯度)、像素720和722之间(从右到左的对角梯度)以及像素724和726之间(从左到右的水平梯度)。
可对这些绝对差值进行求和,以提供像素710的求和梯度。可确定像素710的权重值,所述权重值与求和梯度成反比。可对模糊图像帧的全部像素710执行该步骤,直到为每个像素710提供加权值。对于具有低梯度的区域(例如,被模糊的区域或者具有低对比度的区域)来说,权重值将会接近1。相反,对于具有高梯度的区域来说,权重值将会为0或者接近0。如由高通滤波器估计的NUC项的更新值与权重值相乘。
在一个实施例中,通过将一定量的时间衰减应用到NUC项确定步骤,能够进一步地降低将场景信息引入到NUC项的风险。例如,可选择位于0和1之间的时间衰减因子λ,这样存储的新的NUC项(NUCNEW)是旧的NUC项(NUCOLD)和估计的更新的NUC项(NUCUPDATE)的平均加权值。在一个实施例中,这可表示为:NUCNEW=λ·NUCOLD+(1-λ)·(NUCOLD+NUCUPDATE)。
尽管已经描述了根据梯度来确定NUC项,但是适当的时候也可使用局部反差值来代替梯度。也可使用其他技术,例如,标准偏差计算。可执行其他类型的平场校正步骤以确定NUC项,包括:例如公开号为6,028,309,公开日为2000年2月22日的美国专利;公开号为6,812,465,公开日为2004年11月2日的美国专利;以及申请号为12/114,865,申请日为2008年5月5日的美国专利申请所记载的各种步骤。通过引用的方式将上述文献作为整体合并于此。
再次参考图5,块570可包括对NUC项的附加处理。例如,在一个实施例中,为了保留场景信号的平均值,可通过从每个NUC项中减去NUC项的平均值来将全部NUC项的和归一化到0。同样的在块570,为了避免影响NUC项的行和列噪声,可从每行和列的NUC项中减去每行和列的平均值。结果是,使用在块550确定的行和列FPN项的行和列FPN滤波器可以更好地过滤掉将NUC项应用到捕获的图像之后(例如,在块580所进行的步骤,本文将对此作进一步地描述)的进一步的迭代中(例如,如图8所详细示出的)的行和列噪声。就这方面而言,行和列FPN滤波器通常可使用更多的数据来计算每行和每列的偏移系数(例如,行和列的FPN项),并且与基于高通滤波器来捕获空间上不相关的噪声的NUC项相比,可从而提供更加可靠的、用于减少空间相关的FPN的可选项。
在块571-573,可以可选地对更新的NUC项执行附加高通滤波和进一步的确定处理以消除空间相关的FPN,所述空间相关的FPN具有比先前由行和列FPN项消除的空间频率更低的空间频率。就这方面而言,红外传感器132或者红外成像模块100的其他部件的一些变化可产生空间相关的FPN噪声,不能容易地将所产生的空间相关的FPN噪声建模为行或者列噪声。这种空间相关的FPN可包括例如传感器组件或者红外传感器132组上的窗样缺损,所述红外传感器132组与相邻的红外传感器132相比,其响应不同的辐射度。在一个实施例中,可使用偏移校正来减少这种空间相关的FPN。如果这种空间相关的FPN的数量很多,则也可在模糊图像帧中检测到噪声。由于这种类型的噪声可影响相邻像素,具有很小内核的高通滤波器可能不能检测到相邻像素中的FPN(例如,高通滤波器使用的全部值可从与受到影响的像素附近的像素中提取,从而所述全部值可被同样的偏移误差影响)。例如,如果使用小的内核执行块565的高通滤波(例如,只考虑落入受到空间相关的FPN影响的像素的附近范围中的直接相邻的像素),则可能不能检测到广泛分布的空间相关的FPN。
例如,图11示出了根据本公开实施例的、附近像素中的空间相关的FPN。如采样的图像帧1100所示,像素1110附近的像素可表现出空间相关的FPN,所述空间相关的FPN不准确的与单个行和列相关,并且分布于附近的多个像素(例如,在该例子中,附近的像素约为4×4的像素)。采样的图像帧1100还包括一组像素1120和一组像素1130,所述像素1120表现出在滤波计算中没有使用的基本上均匀的响应,所述像素1130用于估计像素1110附近的像素的低通值。在一个实施例中,像素1130可以是可分为2个的多个像素,以便于硬件或者软件的有效计算。
再次参考图5,在块571-573,可以可选的对更新的NUC项执行附加高通滤波和进一步的确定处理,以消除空间相关的FPN,例如,像素1110表现出的空间相关的FPN。在块571,将在块570确定的更新的NUC项应用到模糊图像帧。因此,此时,模糊图像帧将会已经用于初步校正空间相关的FPN(例如,通过在块555应用更新的行和列FPN项),并且也用于初步校正空间不相关的FPN(例如,通过在块571应用更新的NUC项)。
在块572,进一步的应用高通滤波器,该高通滤波器的核比块565中使用的高通滤波器的核大,并且可在块573进一步地确定更新的NUC项。例如,为了检测像素1110中存在的空间相关的FPN,在块572应用的高通滤波器可包括来自像素的足够大的相邻区域的数据,从而能够确定没有受到影响的像素(例如,像素1120)和受到影响的像素(例如,像素1110)之间的差值。例如,可使用具有大核的低通滤波器(例如,远大于3×3像素的N×N内核),并且可减去得到的结果以进行适当的高通滤波。
在一个实施例中,为了提高计算效率,可使用稀疏内核,从而仅使用N×N附近区域内的较少数量的相邻像素。对于任何给定的使用较远的相邻像素的高通滤波器操作(例如,具有大核的高通滤波器)来说,存在将实际的(可能模糊的)场景信息建模为空间相关的FPN的风险。因此,在一个实施例中,可将用于在块573确定的更新的NUC项的时间衰减因子λ设置为接近1。
在各种实施例中,可重复块571-573(例如,级联),以利用递增的核尺寸迭代地执行高通滤波,从而提供进一步更新的NUC项,所述进一步更新的NUC项用于进一步校正需要的相邻尺寸区域的空间相关的FPN。在一个实施例中,可根据通过块571-573的先前操作所得到的更新的NUC项是否已经将空间相关的FPN真正的消除,来确定执行这种迭代的决定。
在块571-573完成之后,作出是否将更新的NUC项应用到捕获的图像帧的决定(块574)。例如,如果整个图像帧的NUC项的绝对值的平均值小于最小的阈值,或者大于最大的阈值,则可认为该NUC项是假的或者不能提供有意义的校正。可选的,可将阈值标准应用到各个像素,以确定哪个像素接收到更新的NUC项。在一个实施例中,阈值可对应于新计算的NUC项和先前计算的NUC项之间的差值。在另一个实施例中,阈值可独立于先前计算的NUC项。可应用其他测试(例如,空间相关性测试)以确定是否应用该NUC项。
如果认为NUC项是假的或者不可能提供有意义的校正,则流程图返回到块505。否则,存储最新确定的NUC项(块575)以替代先前的NUC项(例如,由图5中先前执行的迭代确定),并将所述最新确定的NUC项应用到(块580)捕获的图像帧。
图8示出了根据本公开实施例的、应用在图像处理流水线800中的图5的各种图像处理技术和其他操作。就这方面而言,流水线800标识了在用于校正红外成像模块100提供的图像帧的全部迭代图像的处理方案的情况下,图5的各种操作。在一些实施例中,可由对通过红外传感器132捕获的图像帧进行操作的处理模块160或者处理器195(二者通常也指处理器)来提供流水线800。
可将红外传感器132捕获的图像帧提供给帧平均器804,所述帧平均器804求多个图像帧的积分以提供具有改进的信噪比的图像帧802。可通过红外传感器132、ROIC402以及实现为支持高图像捕获速率的红外传感器组件128的其他组件来有效地提供帧平均器804。例如,在一个实施例中,红外传感器组件128可以以240Hz的帧速率(例如,每秒捕获240幅图像)来捕获红外图像帧。在该实施例中,例如可通过使红外传感器组件128工作在相对较低的电压(例如,与移动电话的电压相兼容),以及通过使用相对较小的红外传感器132阵列(例如,在一个实施例中,为64×64的红外传感器阵列),来实现这样高的帧速率。
在一个实施例中,可以以较高的帧速率(例如,240Hz或者其他帧速率)将这种来自红外传感器组件128的红外图像帧提供给处理模块160。在另一个实施例中,红外传感器组件128可以在较长的时间段或者多个时间段进行积分,从而以较低的帧速率(例如,30Hz、9Hz或者其他帧速率)将积分后的(例如,取平均后的)红外图像帧提供给处理模块160。有关可用于提供较高图像捕获速率的实现方案的详细信息可在申请日为2011年6月10日、申请号为61/495,879的美国临时专利申请中找到,通过引用的方式将其作为整体合并于此。
通过流水线800处理的图像帧802用于确定各种调整项和增益补偿,其中,由各种项、时域滤波来对所述图像帧802进行调整。
在块810和814,将工厂增益项812和工厂偏移项816应用于图像帧802,以分别补偿在制造和测试期间所确定的各种红外传感器132和/或红外成像模块100的其他部件之间的增益和偏移差。
在块580,将NUC项817应用于图像帧802,以如上所述的校正FPN。在一个实施例中,如果还没有确定NUC项817(例如,在已经启动NUC步骤之前),则可能不会执行块580,或者可将初始值用于不会导致图像数据改变的NUC项817(例如,每个像素的偏移值将等于0)。
在块818到822,分别将列FPN项820和行FPN项824应用到图像帧802。如上所述可根据块550来确定列FPN项820和行FPN项824。在一个实施例中,如果还没有确定列FPN项820和行FPN项824(例如,在已经启动NUC步骤之前),则可能不会执行块818和822,或者可将初始值用于不会导致图像数据改变的列FPN项820和行FPN项824(例如,每个像素的偏移值将等于0)。
在块826,根据时域噪声消减(TNR)步骤对图像帧802执行时域滤波。图9示出了根据本公开实施例的TNR步骤。在图9中,对当前接收到的图像帧802a和先前时域滤波后的图像帧802b进行处理以确定新的时域滤波后的图像帧802e。图像帧802a和802b包括分别以像素805a和805b为中心的局部相邻像素803a和803b。相邻像素803a和803b对应于图像帧802a和802b内的相同位置,并且是图像帧802a和802b全部像素的子集。在示出的实施例中,相邻像素803a和803b包括5×5像素的区域。其他尺寸的相邻像素可用于其他实施例中。
确定相邻像素803a和803b对应的像素的差值并对其求平均,以为对应于像素805a和805b的位置提供平均增量值805c。平均增量值805c可用于在块807确定权重值,以将其应用到图像帧802a和802b的像素805a和805b。
在一个实施例中,如曲线图809所示,在块807确定的权重值可与平均增量值805c成反比,以使得当相邻像素803a和803b之间差别较大时,权重值迅速的降低到0。就这方面而言,相邻像素803a和803b之间较大差别可表示场景内已经发生了变化(例如,由于运动而发生的变化),并且在一个实施例中,可对像素802a和802b进行适当的加权,以避免在遇到帧到帧的场景改变时引入模糊。权重值和平均增量值805c之间的其他关联可用于其他实施例中。
在块807确定的权重值可用于像素805a和805b,以确定图像帧802e的相应像素805e的值(块811)。就这方面而言,像素805e可具有根据在块807确定的平均增量值805c和权重值对像素805a和805b加权平均(或者其他组合)后的值。
例如,时域滤波后的图像帧802e的像素805e可能是图像帧802a和802b的像素805a和805b的加权和。如果像素805a和805b之间的平均差别是由于噪声引起的,那么可以预期的是,相邻像素805a和805b之间的平均值的变化将会接近于0(例如,对应于不相关的变化的平均值)。在这种情况下,可以预期的是,相邻像素805a和805b之间的差值的和将会接近于0。在这种情况下,可对图像帧802a的像素805a进行适当的加权,以有助于生成像素805e的值。
然而,如果该差值的和不为0(例如,在一个实施例中,甚至很接近于0),那么可将变化解释为是由运动引起的,而不是由噪声引起的。因此,可基于相邻像素805a和805b所表现出的平均值的变化来检测运动。在这种情况下,可对图像帧802a的像素805a施加较大的权重,而对图像帧802b的像素805b施加较小的权重。
其他实施例也是可以考虑的。例如,尽管描述的是根据相邻像素805a和805b来确定平均增量值805c,但是在其他实施例中,可根据任何期望的标准(例如,根据单个像素或者其他类型的由一系列像素组成的像素组)来确定平均增量值805c。
在上面的实施例中,已经将图像帧802a描述为当前接收到的图像帧,并且已经将图像帧802b描述为先前经过时域滤波后的图像帧。在另一个实施例中,图像帧802a和802b可以是红外成像模块100捕获到的还没有经过时域滤波的第一和第二图像帧。
图10示出了与块826所执行的TNR步骤有关的详细的实施细节。如图10所示,分别将图像帧802a和802b读入到行缓冲器1010a和1010b,并且在将图像帧802b(例如,先前图像帧)读入到行缓冲器1010b之前,可将其存储到帧缓冲器1020中。在一个实施例中,可由红外成像模块100和/或主机装置102的任何合适的部件提供的一块随机存储器(RAM)来实现行缓冲器1010a-b和帧缓冲器1020。
再次参考图8,可将图像帧802e传送到自动增益补偿块828,其对图像帧802e进行进一步地处理,以提供主机装置102可根据需要使用的结果图像帧830。
图8进一步地示出了用于如所讨论的确定行和列FPN项以及NUC项所执行的各种操作。在一个实施例中,这些操作可使用如图8所示的图像帧802e。因为已经对图像帧802e进行了时域滤波,所以可消除至少某些时域噪声,从而不会不经意的影响对行和列FPN项824和820以及NUC项817的确定。在另一个实施例中,可使用没有经过时域滤波的图像帧802。
在图8中,图5的块510、515和520集中的表示在一起。如所讨论的,可响应于各种NUC步骤启动事件以及基于各种标准或者条件来选择性地启动和执行NUC步骤。还如所讨论的,可根据基于运动的方法(块525、535和540)或者基于散焦的方法(块530)来执行NUC步骤,以提供模糊的图像帧(块545)。图8进一步地示出了先前所讨论的关于图5的各种附加块550、552、555、560、565、570、571、572、573和575。
如图8所示,可确定行和列FPN项824和820以及NUC项817,并且以迭代的方式应用上述项,以使得使用已经应用了先前项的图像帧802来确定更新的项。结果是,图8的所有步骤可重复地更新,并应用这些项以连续地减少主机装置102将要使用的图像帧830中的噪声。
再次参考图10,其示出了图5和图8中与流水线800有关的各种块的详细的实施细节。例如,将块525、535和540显示为以通过流水线800接收的图像帧802的正常帧速率操作。在图10所示的实施例中,将在块525所做的决定表示为决定菱形(decisiondiamond),其用于确定给定图像帧802是否已经充分的改变,从而可以认为如果将图像帧加入到其他图像帧中,该图像帧将会增强模糊,因此将该图像帧进行累加(在该实施例中,通过箭头来表示块535)和平均(块540)。
同样的在图10中,将对列FPN项820的确定(块550)显示为以更新速率操作,在该例子中,由于在块540执行的平均处理,该更新速率为传感器帧速率(例如,正常帧速率)的1/32。其他更新速率可用于其他实施例中。尽管图10仅标识出了列FPN项820,但是可以以相同的方式,以降低的帧速率来实现行FPN项824。
图10还示出了与块570的NUC确定步骤有关的详细的实施细节。就这方面而言,可将模糊图像帧读入到行缓冲器1030(例如,由红外成像模块100和/或主机装置102的任何合适的部件提供的一块RAM来实现)。可对模糊图像帧执行图7的平场校正技术700。
鉴于本公开的内容,应当理解的是,本文描述的技术可用于消除各种类型的FPN(例如,包括很高幅度的FPN),例如,空间相关的行和列FPN以及空间不相关的FPN。
其他实施例也是可以考虑的。例如,在一个实施例中,行和列FPN项和/或NUC项的更新速率可与模糊图像帧中的模糊的估计数量成反比,和/或与局部反差值(例如,在块560确定的局部反差值)的大小成反比。
在各种实施例中,描述的技术优于传统的基于快门的噪声校正技术。例如,通过使用无快门的步骤,不需要设置快门(例如,如快门105),从而可以减少尺寸、重量、成本和机械复杂度。如果不需要机械的操作快门,还可降低提供给红外成像模块100或者由红外成像模块100产生的电源和最大电压。通过将作为潜在的故障点的快门去除,将会提高可靠性。无快门的步骤还消除了由通过快门成像的场景的暂时性堵塞所引起的潜在的图像中断。
同样的,通过有意地使用从真实场景(不是快门提供的均匀场景)捕获的模糊图像帧来校正噪声,可对辐射水平与期望成像的那些真实场景类似的图像帧进行噪声校正。这能够改进根据各种描述的技术所确定的噪声校正项的精度和效率。
如所讨论的,在各种实施例中,红外成像模块100可被配置为在低电压下工作。特别的,可通过被配置为在低功耗下工作和/或根据其他参数工作的电路来实现红外成像模块100,所述其他参数允许红外成像模块100方便有效地在各种类型的主机装置102(例如,移动装置及其他装置)中实现。
例如,图12示出了根据本公开实施例的、包括红外传感器132和低压差稳压器(LDO)1220的红外传感器组件128的另一个实现方式的框图。如图所示,图12还示出了各种部件1202、1204、1205、1206、1208和1210,可以以与先前描述的有关图4的相应的部件相同或者相似的方式来实现这些部件。图12还示出了偏压校正电路1212,其可用于对提供给红外传感器132的一个或者多个偏压电压进行调整(例如,以补偿温度改变、自热和/或其他因素)。
在一些实施例中,可将LDO1220设置为红外传感器组件128的一部分(例如,位于相同的芯片上和/或晶片级封装为ROIC)。例如,可将LDO1220设置为具有红外传感器组件128的FPA的一部分。如所讨论的,这种实现可减少引入到红外传感器组件128中的电源噪声,从而提供改进的电源电压抑制比(PSRR)。另外,通过利用ROIC来实现LDO,可消耗较少的模片面积,并且需要较少的分离模片(或者芯片)。
LDO1220通过馈电线1232接收电源1230提供的输入电压。LDO1220通过馈电线1222向红外传感器组件128的各种部件提供输出电压。就这方面而言,LDO1220可响应于从电源1230接收到的单输入电压,根据各种技术,例如在申请日为2013年12月9日、申请号为14/101,245的美国专利申请中描述的技术,向红外传感器组件128的各个部件提供基本上相同的调节输出电压,通过引用的方式将该美国专利申请作为整体合并于此。
例如,在一些实施例中,电源1230可提供从大约2.8v到大约11v范围的输入电压(例如,在一个实施例中为大约2.8v),并且LDO1220可提供从大约1.5v到大约2.8v范围的输出电压(例如,在各个实施例中大约为2.8、2.5、2.4和/或更低的电压)。就这方面而言,无论电源1230是提供大约9v到大约11v的传统电压范围,还是提供低电压(例如,大约2.8v),LDO1220都可用于提供恒定的调节输出电压。因此,尽管为输入和输出电压提供了多种电压范围,但是可以预期的是,不管输入电压如何变化,LDO1220的输出电压将会保持不变。
与用于FPA的传统电源相比,将LDO1220实现为红外传感器组件128的一部分具有很多优点。例如,传统的FPA通常依赖于多个电源,所述多个电源中的每一个可分开的向FPA供电,并且分开的分布于FPA的各个部件。通过由LDO1220对单电源1230进行调节,合适的电压可分别的提供给(例如,以减少可能的噪声)低复杂性的红外传感器组件128的所有部件。即使来自电源1230的输入电压发生改变(例如,如果由于电池或者用于电源1230的其他类型的装置的充电或者放电而使输入电压增加或者降低),LDO1220的使用还使得红外传感器组件128仍能以恒定的方式工作。
图12中示出的红外传感器组件128的各种部件也可实现为在比传统装置使用的电压更低的电压下工作。例如,如所讨论的,LDO1220可实现为提供低电压(例如,大约2.5v)。这与通常用于为传统的FPA供电的多个较高电压形成了鲜明的对比,所述多个较高电压例如为:用于为数字电路供电的大约3.3v到大约5v的电压;用于为模拟电路供电的大约3.3v的电压;以及用于为负载供电的大约9v到大约11v的电压。同样的,在一些实施例中,LDO1220的使用可减少或者消除对提供给红外传感器组件128的单独负参考电压的需要。
参考图13,可进一步地理解红外传感器组件128的低电压操作的其他方面。图13示出了根据本公开实施例的、图12的红外传感器组件128的一部分的电路图。特别的,图13示出了连接到LDO1220和红外传感器132的偏压校正电路1212的其他部件(例如,部件1326、1330、1332、1334、1336、1338和1341)。例如,根据本公开的实施例,偏压校正电路1212可用于补偿偏置电压中依赖于温度的变化。通过参考公开号为7,679,048、公开日为2010年3月16的美国专利中标示的相似的部件,可进一步地理解这些其他附件的操作,通过引用的方式将其作为整体合并于此。还可根据公开号为6,812,465、公开日为2004年11月2日的美国专利中标示的各种部件来实现红外传感器组件128,也通过引用的方式将其作为整体合并于此。
在各种实施例中,全部或者部分偏压校正电路1212可实现在如图13所示的整体阵列基础上(例如,用于集中在阵列中的所有红外传感器132)。在其他实施例中,可在单个传感器基础上实现全部或者部分偏压校正电路1212(例如,对每个传感器132都全部或者部分地复制)。在一些实施例中,图13的偏压校正电路1212和其他部件可实现为ROIC1202的一部分。
如图13所示,LDO1220向沿着馈电线1222中的一个的偏压校正电路1212提供负载电压Vload。如所讨论的,在一些实施例中,Vload可以大约为2.5v,与此形成对比的是,可用作传统红外成像装置中的负载电压的大小大约为9v到大约11v的较高的电压。
基于Vload,偏压校正电路1212在节点1360提供传感器偏置电压Vbolo。Vbolo可通过适合的开关电路1370(例如,由图13中的虚线表示的)分发至一个或者多个红外传感器132。在一些例子中,可根据本文之前引用的公开号为6,812,465和7,679,048的专利中标示出的合适的部件来实现开关电路1370。
每个红外传感器132均包括通过开关电路1370接收Vbolo的节点1350以及可接地的另一个节点1352、基板和/或负参考电压。在一些实施例中,节点1360处的电压与节点1350处的Vbolo基本相同。在其他实施例中,可调整在节点1360处的电压,以补偿与开关电路1370和/或其他因素有关的可能的压降。
可利用通常比传统红外传感器偏压所使用的电压较低的电压来实现Vbolo。在一个实施例中,Vbolo可以在从大约0.2v到大约0.7v的范围。在另一个实施例中,Vbolo可以在大约0.4v到大约0.6v的范围。在另一个实施例中,Vbolo大约为0.5v。相比之下,传统红外传感器通常使用的偏置电压大约为1v。
与传统的红外成像装置相比,根据本公开的红外传感器132的较低偏置电压的使用使得红外传感器组件128能够具有显著降低的功耗。特别的,每个红外传感器132的功耗以偏置电压的平方减少。因此,电压的降低(例如,从1.0v降到0.5v)提供了显著的功耗的降低,特别是当所述电压的降低应用到红外传感器阵列中的多个红外传感器132时。这种功率的降低还可导致红外传感器阵列128的自热的减少。
根据本公开的其他实施例,提供了用于降低由工作在低电压的红外成像装置提供的图像帧中的噪声效应的各种技术。就这方面而言,当红外传感器组件128以所描述的低电压工作时,如果不对噪声、自热和/或其他现象进行校正,所述噪声、自热和/或其他现象会在红外传感器组件128所提供的图像帧中变得更加明显。
例如,参考图13,当LDO1220以本文所述的方式保持在低电压Vload时,Vbolo也将保持在它的相应的低电压,并且可降低它的输出信号的相对尺寸。因此,噪声、自热和/或其他现象可对从红外传感器132读出的较小的输出信号产生较大的影响,从而导致输出信号的变化(例如,错误)。如果不进行校正,这些变化可能表现为图像帧中的噪声。此外,尽管低电压工作可以降低某些现象(例如,自热)的总体数量,但是较小的输出信号可使得残留的误差源(例如,残留的自热)在低电压工作期间对输出信号产生不成比例的影响。
为了补偿这种现象,可利用各种阵列尺寸、帧率和/或帧平均技术来实现红外传感器组件128、红外成像模块100和/或主机装置102。例如,如上面讨论的,各种不同的阵列尺寸可考虑用于红外传感器132。在一些实施例中,可利用范围从32×32到160×120的阵列尺寸的红外传感器132来实现红外传感器132。其他例子的阵列尺寸包括80×64、80×60、64×64以及64×32。可使用任何期望的尺寸。
有利的是,当利用这种相对小的阵列尺寸实现红外传感器组件128时,所述红外传感器组件128可以在无需对ROIC及相关电路进行较大变动的情况下,以相对高的帧率来提供图像帧。例如,在一些实施例中,帧率的范围可以从大约120Hz到大约480Hz。
在一些实施例中,阵列尺寸和帧率可以相对于彼此之间增减(例如,以成反比例的方式或者其他方式),以使得较大的阵列实现为具有较低的帧率,而较小的阵列实现为具有较高的帧率。例如,在一个例子中,160×120的阵列可提供大约为120Hz的帧率。在另一个实施例中,80×60的阵列可提供相应的大约为240Hz的较高的帧率。其他阵列尺寸和帧率也是可以考虑的。
通过阵列尺寸和帧率相对于彼此之间的增减,无论实际的FPA尺寸或者帧率为多少,FPA的行和/或列的特定读出定时都可以保持不变。在一个实施例中,读出定时可以为大约每行或列63微秒。
如之前关于图8的讨论,红外传感器132捕获的图像帧可提供给帧平均器804,所述帧平均器804求多个图像帧的积分以提供具有低帧率(例如,大约30Hz、大约60Hz或者其他帧率)和改进的信噪比的图像帧802(例如,处理后的图像帧)。特别的,通过对由相对小的FPA提供的高帧率图像帧进行平均,可将图像帧802中由于低电压工作而产生的图像噪声有效的平均掉和/或显著的减少。因此,红外传感器组件128可以工作在由如所讨论的LDO1220提供的相对低的电压,并且在帧平均器804对产生的图像帧802进行处理之后,红外传感器组件128不会受到所述产生的图像帧802中的额外的噪声及相关的副作用的影响。
其他实施例也是可以考虑的。例如,尽管示出了红外传感器132的单个阵列,但是可以预期的是,可一起使用多个这样的阵列以提供较高分辨率的图像帧(例如,一个场景可以在多个这样的阵列上成像)。这种阵列可设置在多个红外传感器组件128和/或设置在同样的红外传感器组件128中。如所描述的,每个这样的阵列均可工作在低电压,并且也可为每个这样的阵列配置相关的ROIC电路,以使得每个阵列仍然可以相对高的帧率工作。共享或者专用帧平均器804可对由这种阵列提供的高帧率图像帧进行平均,以减少和/或消除与低电压工作相关的噪声。因此,当工作在低电压时仍然可获得高分辨率红外图像。
在各种实施例中,可将红外传感器组件128实现为合适的尺寸,以使得红外成像模块100能够与小形状因子的插座104(例如,用于移动装置的插座)一起使用。例如,在一些实施例中,可将红外传感器组件128实现为范围为大约4.0mm×大约4.0mm到大约5.5mm×大约5.5mm(例如,在一个实施例中,大约4.0mm×大约5.5mm)的芯片尺寸。可将红外传感器组件128实现为这种尺寸或者其他合适的尺寸,以使得能够与实现为各种尺寸的插座104一起使用,所述插座104的尺寸例如为:8.5mm×8.5mm、8.5mm×5.9mm、6.0mm×6.0mm、5.5mm×5.5mm、4.5mm×4.5mm和/或其他插座尺寸,例如,如申请日为2011年6月10日、申请号为61/495,873的美国临时专利申请的表1所示的那些尺寸,通过引用的方式将该美国临时专利申请作为整体合并于此。
如上面所讨论的,由于设备自加热和/或环境的变化,IRFPA传感器模块中不期望的固定图形噪声(FPN)的来源与FPA基板温度的变化有关。因此,相当大的设计工作量投入到校准基板温度的平均变化中,该变化可能发生在正常操作的过程中。可以通过补偿作为平均FPA温度的函数的每个像素的输出,来实现基板温度的平均变化的补偿。然而,在许多情况下,FPA基板在传感器操作期间的变热是不均匀的。变热的这个不均匀性不能通过使用单个温度传感器补偿,因此额外的FPN可能出现在未被补偿的图像中。
同样如上面所讨论的,在IR传感器模块中可以使用快门以补偿FPN。然而,该技术在无快门的设备中不可用。并且,尽管在包括上面详细描述的NUC方法的一些基于场景的非均匀补偿(SBNUC)方法在去除高空间频率不均匀性方面获得了满意的结果,但在低空间频率不均匀的情况下,这些技术表现得不好,而如果传感器模块的IR传感器组件的基板中的温度随着时间梯度性变化,很可能遭遇到低空间频率不均匀性。这是因为,在许多实际情况中,在操作过程中FPA基板的变热是不均匀的。
然而,通过研究和研制,已经发现,通过将“散热器”(即,具有较高热导率的薄的、大体上平的片材)放置在IR传感器组件的基板和IR传感器模块的基座之间,可以极大地减小基板温度梯度及在设备操作过程中其随时间的发展。
此外,除了高热导率以外,如可能在诸如铜或金的金属中发现的那样,理想的材料还应该表现出“各向异性”的热导率,其中铜的热导率为大约400瓦/米开氏温度(W/m·°K),金的热导率为大约318W/m·°K。具体而言,在材料的平面上的热导率应该是高的,而垂直于材料的平面的热导率应该小几个数量级。这种安排使由于不均匀功耗引起的源于IR传感器组件的基板内的热梯度大大减小或完全消除,同时也使组件中源自外部影响(例如,源自主机设备的其他功耗部件,或源自局部环境的外部变化)的热梯度“平滑”,其中,如果传感器模块安装在便携式电子设备例如内部GPS、图像信号处理器、电源IC或可视相机模块中,其中作为被激活的设备的具体部件的函数,所述便携式电子设备在模块周围具有可变的功耗,则可能经历局部环境的外部变化。
存在各种形式的石墨,其是各向异性热导体的良好候选物。例如,GrafTechInternationalLtd.(Parma,OH)提供了大量石墨产品,包括片材,其表现出高度各向异性的热传导。因此,例如,由例如100微米(μm)厚的薄石墨片构成的散热器可以具有高达大约800至1600W/m·°K之间的面内热导率,和在垂直于片厚度的方向上的仅在大约6至10W/m·°K之间的热导率。
用由石墨(例如,与铜相比)构成的散热器作为IR传感器组件和模块之间的界面材料所得到的额外好处是在微型相机或其他类似设备中实现的高度减小。因此,上面描述的示例性石墨片散热器的特定导热性能能使100μm厚的石墨片比500μm厚的铜片更有效地起作用。这个好处已经被热建模和原型组件的直接测量所证实,如在下面更详细描述的。因此,IR传感器模块高度的400μm的减小可以是能帮助IR传感器模块集成到相机和正在逐渐变得更薄的其他设备中的重要因素。
图14是根据本公开的实施例的IR成像模块100的示例性实施例的正视剖视图,其中散热器1400布置在成像组件128的基板140和成像模块100的基座150之间。如图14所示,IR成像模块100可以包括上面结合图3讨论的示例性IR成像模块100的许多相同的元件,如IR传感器组件128,其可以包括基板140、布置在基板140上表面上的微测辐射热计阵列132和布置在基板上表面上且紧密地包围微测辐射热计阵列132的帽130。
基座150直接布置在基板140下面,在一些实施例中,基座150可以是包含导电电路迹线层且至少部分用陶瓷材料实现的多层结构,并且根据这个示例性实施例,至少具有片状的、大体上平的部分的散热器1400被插入到基板140的下表面和基座150的上表面之间。
如上所述,在一些有利的实施例中,散热器1400的大体上平的部分可以理想地具有各向异性的热导率,其中面内热导率比在垂直于大体上平的部分的方向上的热导率大得多,即,大几个数量级。例如,在一些实施例中,散热器的大体上平的部分,即布置在基板140的下表面和基座150的上表面之间的部分,可以具有从约600W/m·°K至约1600W/m·°K的面内热导率,和在垂直于大体上平的部分的方向上的从约6W/m·°K至约10W/m·°K的热导率。如上面所讨论的,上述性质在一些实施例中可以利用包括石墨的散热器1400得到。
使用上述类型的各向异性的散热器1400布置的功效已经通过IR成像模块100的精确热模拟来评估。在这些模拟中,传感器模块100的精确热模型被构建成包括利用BGA布置152电耦合到基座150下表面的ASIC处理模块160,如图14所示。处理模块160(预计其使用大约150毫瓦(mW)的电力)被模型化为传感器模块100的自加热源。获得模拟节点的数据,模拟节点对应于直接位于IR传感器组件的基板140下面的区域1402,并且获得模拟IR成像模块100的从最初的“OFF”状态到在IR成像模块100操作一段时间(例如,约5000秒真实世界时间)后达到的稳定状态温度条件的模型化瞬时加热的数据。在有和没有散热器1400的两个实施例,即100μm厚的石墨散热器和533μm厚的铜散热器的情况下,评估原型模块100。
暂时参考图19,示出了根据本公开的实施例的IR成像模块100的另一个示例性实施例的透视图,其中散热器1400可以布置在基板140和基座170之间。在所示的实施例中,基座170可以包括刚柔性的印刷电路(RFPC)板,其穿过壳体120延伸到一侧,处理模块160布置在基座170的顶面上和外壳120之外。因为在IR成像模块100的这个实施例中,来自处理模块160的热量可以从成像组件128的一侧流出,所以成像组件128可能会受到不均匀的加热,从而与图14的实施例相比可能导致较大的热梯度。然而,在直接测试中,各向异性的散热器1400已经证明甚至对于图19的IR成像模块100也是有效的。
图15是位于图14的传感器模块100的IR传感器组件128的基板140下表面和其基座150上表面之间的区域1402的俯视图,显示了用于测量基板100中的温度梯度的温度测试传感器J1,J2……,和H1,H2……HN的相应位置。如图15所示,在此区域内一般有两个值得关注的区域,即,1)特别重要的对应于基板140的整个下表面的区域1402,2)直接布置在微测辐射热计传感器阵列132下面的较小的区域1402,在其内希望使温度梯度最小化,如上面所讨论的。
图16A是在基板140和基座150之间不使用散热器的情况下,在IR传感器模块100的相对短的初始操作期间(即5秒)内的不同时间,直接位于传感器阵列132下面的区域1404中的点J3-J7的相应温度的图,以开氏温度(°K)表示。图16B是在没有散热器的情况下,在传感器模块操作的持续时间(即5000秒)期间的不同时间,在那些相同点处的相应温度的图。
如图16A中可以看到的,在操作的0至6秒之间,在区域1404的中心点J5和位于区域1404的相对角处的点J3或J7之间有大约10-3°K(mK)的温度梯度,并且如图16B中可以看到的,在从模块操作的大约3秒至大约1分钟的时间段内,这个温度梯度改变大约3.5mK。
图17A和17B分别是类似于图16A和16B的图,除了在图17A和17B的情况中,533μm厚的铜散热器1400插入到传感器组件128的基板140的下表面和基座150的上表面之间。如图17A和17B中可以看到的,与没有使用散热器1400的上面的图16A和16B的情况相比,由于提供了铜散热器1400,在传感器模块100的任何操作时间点在基板140中的热梯度降低了大约3倍。此外,与在上述没有散热器存在的情况中的大约3.5mK变化相比,在从操作的大约3秒至大约1分钟的时期内的温度梯度变化是大约1mK。
图18A和18B分别是类似于图17A和17B的图,除了在图18A和18B的情况中,100μm厚的石墨散热器1400插入到传感器组件128的基板140的下表面和基座150的上表面之间。此外,在与图15的区域1402的角部对应的位置中,消耗大约20mW的第二ASIC(图14中未示出)被添加到基座150的下表面以模拟传感器阵列132的区域1404中的温度上的“热点”的效果。
如图18A和18B中可以看到的,虽然基板中的温度梯度是朝向增加的ASIC的位置“歪斜的”,并且虽然石墨散热器1400的厚度仅为铜散热器1400厚度的大约25%,但在降低传感器模块100的任何操作时间点在基板140中的温度梯度方面,石墨散热器1400比铜散热器1400做得更好。
鉴于上述评估,可以得出结论:将散热器1400,特别是石墨换热器1400,插入到传感器模块100的传感器组件128的基板140的下表面和其基座150的上表面之间可以降低传感器输出的热瞬变效果三倍或更多倍,此外,可以显著降低由于模块自加热引起的热梯度。
在合适的情况下,可通过硬件、软件或者硬件和软件的结合来实现本公开所提供的各种实施例。同样的在合适的情况下,在不脱离本公开的精神的情况下,可将本文所提出的各种硬件部件和/或软件部件合并为包括软件、硬件和/或二者的复合部件。在合适的情况下,在不脱离本公开的精神的情况下,可将本文所提出的各种硬件部件和/或软件部件分离为包括软件、硬件或二者的子部件。另外,在合适的情况下,可以预期的是,软件部件能够实现为硬件部件,反之亦然。
根据本公开的软件,例如,非暂时性指令、程序代码和/或数据可存储在一个或者多个非暂时性机器可读介质中。还可以预期的是,可使用一个或者多个通用或者专用计算机和/或计算机系统、网络和/或其他方式来实现本文所提及的软件。在合适的情况下,本文所描述的各种步骤的顺序可以改变、合并为复合步骤和/或分离为子步骤,以提供本文所描述的功能。
以上所描述的实施例仅为了举例说明,而不是限制本实用新型。还应当理解的是,根据本实用新型的原理,许多修改和改变是可能的。因此,本实用新型的范围仅由下面的权利要求书限定。
Claims (18)
1.一种红外传感器模块,其特征在于,包括:
红外传感器组件,其包括:
基板;
布置在所述基板的上表面上的微测辐射热计阵列;和
布置在所述基板的所述上表面上并且紧密地包围所述微测辐射热计阵列的帽;
布置在所述基板下方的基座;和
具有大体上平的部分的散热器,其被插入到所述基板的下表面和所述基座的上表面之间。
2.如权利要求1所述的红外传感器模块,其特征在于,所述散热器的所述大体上平的部分具有各向异性的热导率。
3.如权利要求1所述的红外传感器模块,其特征在于,所述散热器的所述大体上平的部分的面内热导率大于在垂直于所述大体上平的部分的方向上的热导率。
4.如权利要求1所述的红外传感器模块,其特征在于,所述散热器的所述大体上平的部分具有从600W/m·°K至1600W/m·°K的面内热导率。
5.如权利要求1所述的红外传感器模块,其特征在于,所述散热器的所述大体上平的部分在垂直于所述大体上平的部分的方向上具有从6W/m·°K至10W/m·°K的热导率。
6.如权利要求1所述的红外传感器模块,其特征在于,所述散热器的所述大体上平的部分包括石墨。
7.如权利要求1所述的红外传感器模块,其特征在于,所述散热器的所述大体上平的部分包括铜。
8.如权利要求1所述的红外传感器模块,其特征在于,还包括读出集成电路,其布置在所述基板的上表面上并且与所述微测辐射热计阵列电力地互相连接。
9.如权利要求1所述的红外传感器模块,其特征在于,所述基座包括陶瓷材料。
10.如权利要求1所述的红外传感器模块,其特征在于,所述基座包括刚柔性印刷电路板。
11.如权利要求10所述的红外传感器模块,其特征在于,还包括:
壳体,其布置在所述刚柔性印刷电路板的上表面上并且包围所述红外传感器组件;和
处理模块,其布置在所述刚柔性印刷电路板的上表面上且位于所述壳体之外。
12.如权利要求1所述的红外传感器模块,其特征在于,还包括电耦合到所述基座的下表面的处理模块。
13.如权利要求1所述的红外传感器模块,其特征在于,还包括壳体,其布置在所述基座的上表面上并且包围所述红外传感器组件。
14.如权利要求13所述的红外传感器模块,其特征在于,还包括透镜镜筒,其布置在所述壳体的表面中的小孔中。
15.如权利要求14所述的红外传感器模块,其特征在于,
所述红外传感器组件的所述帽对于红外辐射是透明的,和
所述透镜镜筒还包括光学元件,其布置在所述透镜镜筒中并且布置成使得通过所述透镜镜筒中的小孔进入的红外辐射穿过所述光学元件和所述帽的上表面,并且入射到所述微测辐射热计阵列上。
16.一种红外成像设备,其特征在于,其以下述方式结合权利要求1的红外传感器模块:使得所述微测辐射热计阵列布置在所述红外成像设备的焦平面处。
17.如权利要求16所述的红外成像设备,其特征在于,所述微测辐射热计适合于接收偏压,所述偏压选自0.2伏特至0.7伏特的范围,所述红外成像设备还包括下列中的一个或多个:
以插入接合的方式接收所述红外传感器模块的插座;
快门;
处理器,其适合于基于有意模糊的热图像确定多个非均匀校正项并将所述非均匀校正项应用于未被模糊的热图像以从所述未被模糊的热图像移除噪声;
存储器;
显示器;和/或
运动传感器。
18.如权利要求17所述的红外成像设备,其特征在于,所述红外成像设备包括:
移动电话;
平板计算设备;
膝上型计算设备;和/或
个人数字助理。
Applications Claiming Priority (25)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201261746074P | 2012-12-26 | 2012-12-26 | |
US201261746069P | 2012-12-26 | 2012-12-26 | |
US61/746,069 | 2012-12-26 | ||
US61/746,074 | 2012-12-26 | ||
US201261748018P | 2012-12-31 | 2012-12-31 | |
US201261748024P | 2012-12-31 | 2012-12-31 | |
US61/748,018 | 2012-12-31 | ||
US61/748,024 | 2012-12-31 | ||
US201361792582P | 2013-03-15 | 2013-03-15 | |
US201361793952P | 2013-03-15 | 2013-03-15 | |
US61/792,582 | 2013-03-15 | ||
US61/793,952 | 2013-03-15 | ||
US14/099,818 | 2013-12-06 | ||
US14/099,818 US9723227B2 (en) | 2011-06-10 | 2013-12-06 | Non-uniformity correction techniques for infrared imaging devices |
US14/101,245 | 2013-12-09 | ||
US14/101,245 US9706139B2 (en) | 2011-06-10 | 2013-12-09 | Low power and small form factor infrared imaging |
US14/101,258 | 2013-12-09 | ||
US14/101,258 US9723228B2 (en) | 2011-06-10 | 2013-12-09 | Infrared camera system architectures |
US14/138,052 US9635285B2 (en) | 2009-03-02 | 2013-12-21 | Infrared imaging enhancement with fusion |
US14/138,040 US9451183B2 (en) | 2009-03-02 | 2013-12-21 | Time spaced infrared image enhancement |
US14/138,052 | 2013-12-21 | ||
US14/138,058 US10244190B2 (en) | 2009-03-02 | 2013-12-21 | Compact multi-spectrum imaging with fusion |
US14/138,058 | 2013-12-21 | ||
US14/138,040 | 2013-12-21 | ||
PCT/US2013/077696 WO2014105904A1 (en) | 2012-12-26 | 2013-12-24 | Infrared focal plane array heat spreaders |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN205157061U true CN205157061U (zh) | 2016-04-13 |
Family
ID=51022044
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201390001120.2U Expired - Lifetime CN205157061U (zh) | 2012-12-26 | 2013-12-24 | 红外传感器模块和红外成像设备 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN205157061U (zh) |
WO (1) | WO2014105904A1 (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110108364A (zh) * | 2019-05-08 | 2019-08-09 | 武汉高德智感科技有限公司 | 一种基于黑体定时补偿的可移动人体温度筛选方法及系统 |
CN110567588A (zh) * | 2019-09-10 | 2019-12-13 | 合肥英睿系统技术有限公司 | 一种红外双光感应器及红外双光测温仪 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016151523A (ja) | 2015-02-18 | 2016-08-22 | 浜松ホトニクス株式会社 | 赤外線検出装置 |
CN110823371B (zh) * | 2019-11-14 | 2020-06-16 | 中国科学院国家空间科学中心 | 一种高光谱探测仪成像元件的固定装置 |
IT202000007009A1 (it) | 2020-04-02 | 2021-10-02 | St Microelectronics Srl | Sensore di temperatura ambientale accoppiabile a una scheda di circuito stampato con incapsulamento perfezionato |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5763885A (en) * | 1995-12-19 | 1998-06-09 | Loral Infrared & Imaging Systems, Inc. | Method and apparatus for thermal gradient stabilization of microbolometer focal plane arrays |
US6028309A (en) | 1997-02-11 | 2000-02-22 | Indigo Systems Corporation | Methods and circuitry for correcting temperature-induced errors in microbolometer focal plane array |
US6821625B2 (en) * | 2001-09-27 | 2004-11-23 | International Business Machines Corporation | Thermal spreader using thermal conduits |
US6812465B2 (en) | 2002-02-27 | 2004-11-02 | Indigo Systems Corporation | Microbolometer focal plane array methods and circuitry |
US7034301B2 (en) | 2002-02-27 | 2006-04-25 | Indigo Systems Corporation | Microbolometer focal plane array systems and methods |
US7470904B1 (en) | 2006-03-20 | 2008-12-30 | Flir Systems, Inc. | Infrared camera packaging |
US7470902B1 (en) | 2006-03-20 | 2008-12-30 | Flir Systems, Inc. | Infrared camera electronic architectures |
GB0700917D0 (en) * | 2007-01-17 | 2007-02-28 | Queen Mary & Westfield College | Structures with improved properties |
US7679048B1 (en) | 2008-04-18 | 2010-03-16 | Flir Systems, Inc. | Systems and methods for selecting microbolometers within microbolometer focal plane arrays |
US9143703B2 (en) * | 2011-06-10 | 2015-09-22 | Flir Systems, Inc. | Infrared camera calibration techniques |
BR112019025668B1 (pt) | 2017-06-08 | 2024-03-12 | Superior Energy Services, L.L.C | Válvula de segurança de subsuperfície |
-
2013
- 2013-12-24 CN CN201390001120.2U patent/CN205157061U/zh not_active Expired - Lifetime
- 2013-12-24 WO PCT/US2013/077696 patent/WO2014105904A1/en active Application Filing
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110108364A (zh) * | 2019-05-08 | 2019-08-09 | 武汉高德智感科技有限公司 | 一种基于黑体定时补偿的可移动人体温度筛选方法及系统 |
CN110567588A (zh) * | 2019-09-10 | 2019-12-13 | 合肥英睿系统技术有限公司 | 一种红外双光感应器及红外双光测温仪 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2014105904A1 (en) | 2014-07-03 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20160413 |
|
CX01 | Expiry of patent term |