CN205141012U - 一种用于led灯丝的透明陶瓷基线路板 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种用于LED灯丝的透明陶瓷基线路板，包括透明陶瓷基板，该透明陶瓷基板上设置一层ITO薄膜层，在所述ITO薄膜层上通过刻蚀工艺形成线路层，以及在所述透明陶瓷基板上形成固晶区，在所述线路层设有电阻图形并通过溅射工艺在其上沉积ITO材料形成电阻；所述固晶区用于设置LED芯片并与线路层形成电气连接。采用本实用新型的技术方案，由于采用透明陶瓷基板，从而使LED芯片真正实现360°出光，大大提升了LED灯丝的立体出光效果；同时导电层采用ITO材料，其电阻率远大于铜等金属，故可在线路层上直接沉积ITO材料形成电阻，从而不需要焊接电阻元件，并保证了电阻元件的一致性和稳定性，从而延长LED灯丝的使用寿命。
Description
技术领域
本实用新型涉及LED线路板技术领域，尤其涉及一种用于LED灯丝的透明陶瓷基线路板。
背景技术
随着LED技术的不断成熟，传统白炽灯将逐渐被LED灯丝灯所取代。为了增加出光面积和角度，LED灯丝灯通常由多条LED灯丝相互拼接组成。现有技术中，LED灯丝通常采用金属基板等非透光材料，只能单面透光，其单根LED灯丝的出光角度最多只能为180°，这大大限制了LED的发光效果。同时现有技术中，LED灯丝上的电阻元件通常采用贴片电阻以焊接的方式固定在LED灯丝上，贴片电阻的一致性和稳定性存在无法得到保证，尤其在LED灯丝长时间使用的情况下，会极大影响LED灯丝的寿命，同时在制备过程中增加了一道贴片工艺，增加了LED灯丝制备工艺的复杂度。
故，针对目前现有技术中存在的上述缺陷，实有必要进行研究，以提供一种方案，解决现有技术中存在的缺陷。
实用新型内容
为了解决现有技术存在的问题，本实用新型的目的在于提供一种用于LED灯丝并使其实现360°出光的透明陶瓷基线路板。
为了克服现有技术的缺陷，本实用新型的技术方案为：
一种用于LED灯丝的透明陶瓷基线路板，包括透明陶瓷基板，该透明陶瓷基板上设置一层ITO薄膜层，在所述ITO薄膜层上通过刻蚀工艺形成线路层，以及在所述透明陶瓷基板上形成固晶区，在所述线路层设有电阻图形并通过溅射工艺在其上沉积ITO材料形成电阻；所述固晶区用于设置LED芯片并与线路层形成电气连接。
优选地，所述ITO薄膜层通过溅射工艺形成在所述透明陶瓷基板上。
优选地，所述ITO薄膜层通过喷涂工艺形成在所述透明陶瓷基板上。
优选地，根据所述电阻的阻值控制在所述线路层的电阻图形上沉积相应量的ITO材料，从而实现设置不同阻值的电阻。
优选地，所述透明陶瓷基板为长条形。
优选地，所述固晶区设有支架，所述LED芯片通过固晶胶设置在所述支架上。
优选地，所述ITO薄膜层为35μm～280μm。
相对于现有技术，采用本实用新型的技术方案，由于采用透明陶瓷基板，从而使LED芯片真正实现360°出光，大大提升了LED灯丝的立体出光效果；同时导电层采用ITO材料，其电阻率远大于铜等金属，故可在线路层上直接沉积ITO材料形成电阻，从而不需要焊接电阻元件，并保证了电阻元件的一致性和稳定性，从而延长LED灯丝的使用寿命。
附图说明
图1为本实用新型实施例提供的一种用于LED灯丝的透明陶瓷基线路板的结构示意图。
图2为本实用新型实施例提供的一种用于LED灯丝的透明陶瓷基线路板的平面结构示意图。
具体实施方式
以下是本实用新型的具体实施例并结合附图，对本实用新型的技术方案作进一步的描述，但本实用新型并不限于这些实施例。
为了克服现有技术存在的缺陷，请参阅图1和图2，所示为本实用新型实施例提供的一种用于LED灯丝的透明陶瓷基线路板的结构示意图，包括透明陶瓷基板1，该透明陶瓷基板1上设置一层ITO(氧化铟锡)薄膜层2，ITO薄膜层2是通过溅射工艺或者通过喷涂工艺形成在所述透明陶瓷基板1上，其厚度为35μm～280μm。材料ITO(氧化铟锡)同时具有优良电学传导和光学透明的特性，作为透明传导镀膜应用广泛。由于采用透明陶瓷基板，材料本身具有透光性，从而使LED芯片真正实现360°出光，大大提升了LED灯丝的立体出光效果。
ITO薄膜层2作为导电层，其作用类似于现有技术中的铜箔层。通过光刻胶掩膜蚀刻工艺可将电路图形印制在ITO薄膜层2上，也即在ITO薄膜层2上通过刻蚀工艺形成线路层3，同时在透明陶瓷基板1上形成固晶区5，固晶区5用于设置LED芯片并与线路层3形成电气连接。在线路层设有电阻图形并通过溅射工艺在其上沉积ITO材料形成电阻4。
由于ITO材料的电阻率远大于铜等金属，故可以在ITO薄膜层2上直接设置电阻4。即在电路图形的电阻元件位置，根据电阻4的阻值控制在所述线路层3相对应的电阻图形以及在其上沉积相应量的ITO材料，从而实现设置不同阻值的电阻。根据其阻值的大小由电阻图形的大小以及所沉积ITO材料的厚度决定，可以根据ITO材料的电阻率计算得出。由于在ITO薄膜层2上直接形成电阻4，大大提升了电阻元件的一致性和稳定性，同时不需要焊接电阻元件，大大提升LED灯丝的性能和使用寿命。
在一种优选实施方式中，透明陶瓷基板为长条形，与LED灯丝的形状相适应。
在一种优选实施方式中，固晶区5设有支架，LED芯片通过固晶胶设置在所述支架上。
在一种优选实施方式中，固晶区5内设置透光孔，LED芯片通过固晶胶设置该透光孔，LED芯片以金线键合的方式与线路层相连。从而进一步增强立体发光效果。
在一种优选实施方式中，透明陶瓷基板1包括α-Al2O3陶瓷粉、碳化硅以及四方相氧化锆。α-Al2O3陶瓷粉主要用于增加绝缘层的导热率，其纯度大于等于99.9％且均匀分散在透明树脂混合剂中，α-Al2O3陶瓷粉的含量应当适量。当α-Al2O3陶瓷粉的含量较低时，无法满足LED灯丝的散热要求。当α-Al2O3陶瓷粉的含量较高时，导热率虽然会有较大程度的增加，但耐压性降低，无法满足LED灯具的耐压性要求。四方相氧化锆(t-ZrO2)占比较低，用于提高透明陶瓷基板1的韧性及与铝基板的结合力。
以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以对本实用新型进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本实用新型权利要求的保护范围内。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下在其它实施例中实现。因此，本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (7)
1.一种用于LED灯丝的透明陶瓷基线路板，其特征在于，包括透明陶瓷基板，该透明陶瓷基板上设置一层ITO薄膜层，在所述ITO薄膜层上通过刻蚀工艺形成线路层，以及在所述透明陶瓷基板上形成固晶区，在所述线路层设有电阻图形并通过溅射工艺在其上沉积ITO材料形成电阻；所述固晶区用于设置LED芯片并与线路层形成电气连接。
2.如权利要求1所述的用于LED灯丝的透明陶瓷基线路板，其特征在于，所述ITO薄膜层通过溅射工艺形成在所述透明陶瓷基板上。
3.如权利要求1所述的用于LED灯丝的透明陶瓷基线路板，其特征在于，所述ITO薄膜层通过喷涂工艺形成在所述透明陶瓷基板上。
4.如权利要求1所述的用于LED灯丝的透明陶瓷基线路板，其特征在于，根据所述电阻的阻值控制在所述线路层的电阻图形上沉积相应量的ITO材料，从而实现设置不同阻值的电阻。
5.如权利要求1所述的用于LED灯丝的透明陶瓷基线路板，其特征在于，所述透明陶瓷基板为长条形。
6.如权利要求1所述的用于LED灯丝的透明陶瓷基线路板，其特征在于，所述固晶区设有支架，所述LED芯片通过固晶胶设置在所述支架上。
7.如权利要求1所述的用于LED灯丝的透明陶瓷基线路板，其特征在于，所述ITO薄膜层为35μm～280μm。
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| CN105355756A (zh) * | 2015-10-31 | 2016-02-24 | 嘉兴市上村电子有限公司 | 一种用于led灯丝的透明陶瓷基线路板 |
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