CN205080892U - 像素驱动电路、像素电路、显示面板和显示装置 - Google Patents

像素驱动电路、像素电路、显示面板和显示装置 Download PDF

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Abstract

本实用新型提供一种像素驱动电路、像素电路、显示面板和显示装置。所述像素驱动电路,包括结构相同的两像素驱动单元所述像素驱动单元包括驱动晶体管和驱动控制模块,其中,所述驱动晶体管,栅极与所述驱动控制模块连接,第一极接入第一电源电压,第二极分别与所述驱动控制模块和发光元件连接;所述驱动控制模块,分别与数据线、栅线、所述驱动晶体管的栅极和所述驱动晶体管的第二极连接,用于在所述栅线输出的栅极驱动信号的控制下,根据所述数据线上的数据电压以控制所述驱动晶体管的栅极电位,从而控制所述驱动晶体管是否导通。本实用新型可以削弱驱动晶体管长时间单向工作引起的特性变化所产生的灰阶亮度变化。

Description

像素驱动电路、像素电路、显示面板和显示装置
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,尤其涉及一种像素驱动电路、像素电路、显示面板和显示装置。
背景技术
有机致电发光器件(OLED)相较于LCD(LiquidCrystalDisplay,液晶显示器)具有自发光、反应快、亮度高、视角广、色彩鲜艳及轻薄的优点,成为当前发展最快的显示技术。
当前OLED的主流发展方向是通过改变驱动晶体管的栅极电压,来控制源漏电流的大小以实现发光亮度的变化,这就使得直接驱动OLED发光的晶体管长时间处于工作状态,即栅极一直维持正压或负压状态;而现有的不同材料的薄膜晶体管,普遍具有在直流偏压下阈值电压Vth、Mobility(迁移率)变化的特性(正压与负压的改变趋势相反),所以OLED显示面板在工作一段时间后容易出现灰阶亮度变化、灰度不均(不同TFT(ThinFilmTransistor,薄膜晶体管)特性变化不同导致)的现象。现有的像素驱动电路不能削弱TFT长时间工作引起的特性变化所产生的灰阶亮度变化。
实用新型内容
本实用新型的主要目的在于提供一种像素驱动电路、像素电路、显示面板和显示装置,解决现有技术中的像素驱动电路不能削弱TFT长时间工作引起的特性变化所产生的灰阶亮度变化的问题。
为了达到上述目的,本实用新型提供了一种像素驱动电路,包括结构相同的两像素驱动单元;所述像素驱动单元包括驱动晶体管和驱动控制模块,其中,
所述驱动晶体管,栅极与所述驱动控制模块连接,第一极接入第一电源电压,第二极分别与所述驱动控制模块和发光元件连接;
所述驱动控制模块,分别与数据线、栅线、所述驱动晶体管的栅极和所述驱动晶体管的第二极连接,用于在所述栅线输出的栅极驱动信号的控制下,根据所述数据线上的数据电压以控制所述驱动晶体管的栅极电位,从而控制所述驱动晶体管是否导通。
实施时,所述像素驱动电路包括的第一像素驱动单元与第一数据线连接,所述像素驱动电路包括的第二像素驱动单元与第二数据线连接;
在同一帧时间内,所述第一数据线上的第一数据电压和所述第二数据线上的第二数据电压的电压值相等而极性相反;
在相邻帧,所述第一数据线上的第一数据电压的电压值相等而极性相反,所述第二数据线上的第二数据电压的电压值相等而极性相反。
实施时,所述像素驱动电路包括的第一像素驱动单元和第二像素驱动单元与同一栅线连接。
实施时,所述像素驱动电路包括结构相同的第一像素驱动单元和第二像素驱动单元;所述第一像素驱动单元包括第一驱动晶体管和第一驱动控制模块,所述第二像素驱动单元包括第二驱动晶体管和第二驱动控制模块;
所述第一驱动控制模块包括第一存储电容、第一控制晶体管、第二控制晶体管和第一镜像晶体管;
所述第一控制晶体管,栅极与所述栅线连接,第一极与所述第一存储电容的第一端连接,第二极与对应的数据线连接;
所述第二控制晶体管,栅极与所述栅线连接,第一极与所述第一镜像晶体管的第一极连接,第二极与该数据线连接;
所述第一镜像晶体管,栅极与所述第一存储电容的第一端连接,第二极与所述第一存储电容的第二端连接;
所述第二驱动控制模块包括第二存储电容、第三控制晶体管、第四控制晶体管和第二镜像晶体管;
所述第三控制晶体管,栅极与所述栅线连接,第一极与所述第二存储电容的第一端连接,第二极与对应的数据线连接;
所述第四控制晶体管,栅极与所述栅线连接,第一极与所述第二镜像晶体管的第一极连接,第二极与该数据线连接;
所述第二镜像晶体管,栅极与所述第二存储电容的第一端连接,第二极与所述第二存储电容的第二端连接。
实施时,所述第一镜像晶体管的工艺参数和所述第一驱动晶体管的工艺参数相同,所述第二镜像晶体管的工艺参数与所述第二驱动晶体管的工艺参数相同。
实施时,所述第一驱动晶体管、所述第一控制晶体管、所述第二控制晶体管和所述第一镜像晶体管都为n型晶体管,所述第二驱动晶体管、所述第三控制晶体管、所述第四控制晶体管和所述第二镜像晶体管都为n型晶体管;或者,
所述第一驱动晶体管、所述第一控制晶体管、所述第二控制晶体管和所述第一镜像晶体管都为p型晶体管,所述第二驱动晶体管、所述第三控制晶体管、所述第四控制晶体管和所述第二镜像晶体管都为p型晶体管。
本实用新型还提供了一种像素电路,包括发光元件上述的像素驱动电路;
所述像素驱动电路中的两像素驱动单元包括的驱动晶体管的第二极都与所述发光元件连接。
本实用新型还提供了一种显示面板,包括上述的像素电路。
实施时,所述像素电路中的像素驱动电路包括的第一像素驱动单元与第一数据线连接,所述像素驱动电路包括的第二像素驱动单元与第二数据线连接;
所述显示面板还包括:数据驱动电路,用于向所述第一数据线提供第一数据电压并向所述第二数据线提供第二数据电压;
在同一帧时间内,所述第一数据线上的第一数据电压和所述第二数据线上的第二数据电压的电压值相等而极性相反;
在相邻帧,所述第一数据线上的第一数据电压的电压值相等而极性相反,所述第二数据线上的第二数据电压的电压值相等而极性相反。
本实用新型还提供了一种显示装置,包括上述的显示面板。
与现有技术相比,本实用新型所述的像素驱动电路、像素电路、显示面板和显示装置采用两个结构相同的在相邻帧交替工作的像素驱动单元,并且控制通过控制在相邻帧两像素驱动单元包括的驱动晶体管的栅极电位极性相反,从而可以削弱驱动晶体管长时间单向工作引起的特性变化所产生的灰阶亮度变化。
附图说明
图1是本实用新型实施例所述的像素驱动电路的结构图;
图2是本实用新型所述的像素驱动电路的一具体实施例的电路图;
图3是本实用新型如图2所示的像素驱动电路的工作时序图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
本实用新型实施例所述的像素驱动电路,包括结构相同的两像素驱动单元;所述像素驱动单元包括驱动晶体管和驱动控制模块,其中,
所述驱动晶体管,栅极与所述驱动控制模块连接,第一极接入第一电源电压,第二极分别与所述驱动控制模块和发光元件连接;
所述驱动控制模块,分别与数据线、栅线、所述驱动晶体管的栅极和所述驱动晶体管的第二极连接,用于在所述栅线输出的栅极驱动信号的控制下,根据所述数据线上的数据电压以控制所述驱动晶体管的栅极电位,从而控制所述驱动晶体管是否导通。
本实用新型实施例所述的像素驱动电路采用两个结构相同的在相邻帧交替工作的像素驱动单元,并且控制通过控制在相邻帧两像素驱动单元包括的驱动晶体管的栅极电位极性相反,从而可以通过采用本实用新型实施例所述的像素驱动电路的结构而削弱驱动晶体管长时间单向工作(即驱动晶体管的栅极电位极性一直相同)引起的特性变化所产生的灰阶亮度变化。
优选的,所述像素驱动电路包括的第一像素驱动单元与第一数据线连接,所述像素驱动电路包括的第二像素驱动单元与第二数据线连接;
在同一帧时间内,所述第一数据线上的第一数据电压和所述第二数据线上的第二数据电压的电压值相等而极性相反;
在相邻帧,所述第一数据线上的第一数据电压的电压值相等而极性相反,以控制第一驱动晶体管的栅极电位在相邻帧数值相等并极性相反,从而可以削弱第一驱动晶体管长时间单向工作引起的特性变化所产生的灰阶亮度变化;
所述第二数据线上的第二数据电压的电压值相等而极性相反,以控制第二驱动晶体管的栅极电位在相邻帧数值相等并极性相反,从而可以削弱第二驱动晶体管长时间单向工作引起的特性变化所产生的灰阶亮度变化。
在具体实施时,所述像素驱动电路包括的第一像素驱动单元和第二像素驱动单元可以与同一栅线连接,被同一栅线上的栅极驱动信号控制而通过相应的数据线上的数据电压向相应的存储电容充电。
本实用新型所有实施例中采用的晶体管均可以为薄膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件。在本实用新型实施例中,为区分晶体管除栅极之外的两极,将其中一极称为源极,另一极称为漏极。此外,按照晶体管的特性区分可以将晶体管分为n型晶体管或p型晶体管。在本实用新型实施例提供的驱动电路中,所有晶体管均是以n型晶体管为例进行的说明,可以想到的是在采用p型晶体管实现时是本领域技术人员可在没有做出创造性劳动前提下轻易想到的,因此也是在本实用新型的实施例保护范围内的。
如图1所示,本实用新型实施例所述的像素驱动电路包括第一像素驱动单元和第二像素驱动单元;
所述第一像素驱动单元的结构和所述第二像素驱动单元的结构相同;
第一像素驱动单元包括第一驱动晶体管DTFT1和第一驱动控制模块11,其中,
所述第一驱动晶体管DTFT1,栅极与所述第一驱动控制模块11连接,第一极接入高电平Vdd,第二极分别与所述第一驱动控制模块11和有机发光二极管OLED的阳极连接;
所述第一驱动控制模块11,分别与第一数据线Data1、栅线Gate、所述第一驱动晶体管DTFT1的栅极和所述第一驱动晶体管DTFT1的第二极连接,用于在所述栅线Gate输出的栅极驱动信号的控制下,根据所述第一数据线Data1上的数据电压以控制所述第一驱动晶体管DTFT1的栅极电位,从而控制所述第一驱动晶体管DTFT1是否导通;
第二像素驱动单元包括第二驱动晶体管DTFT2和第二驱动控制模块12,其中,
所述第二驱动晶体管DTFT2,栅极与所述第二驱动控制模块12连接,第一极接入高电平Vdd,第二极分别与所述第二驱动控制模块12和有机发光二极管OLED的阳极连接;
所述第二驱动控制模块12,分别与第二数据线Data2、栅线Gate、所述第二驱动晶体管DTFT2的栅极和所述第二驱动晶体管DTFT2的第二极连接,用于在所述栅线Gate输出的栅极驱动信号的控制下,根据所述第二数据线Data2上的数据电压以控制所述第二驱动晶体管DTFT2的栅极电位,从而控制所述第二驱动晶体管DTFT2是否导通;
所述有机发光二极管OLED的阴极接接地。
在同一帧时间内,所述第一数据线Data1上的第一数据电压和所述第二数据线Data2上的第二数据电压的电压值相等而极性相反;在相邻帧,所述第一数据线Data1上的第一数据电压的电压值相等而极性相反,所述第二数据线Data2上的第二数据电压的电压值相等而极性相反。
在本实用新型如图1所示的像素驱动电路中,所述第一驱动晶体管DTFT1和所述第二驱动晶体管DTFT2都为n型TFT。
在本实用新型如图1所示的像素驱动电路工作时,第一像素驱动单元和第二像素驱动单元在相邻帧交替工作,并且通过控制第一驱动晶体管的栅极电位在相邻帧数值相等并极性相反,控制第二驱动晶体管的栅极电位在相邻帧数值相等并极性相反,从而可以削弱第一驱动晶体管和第二驱动晶体管长时间单向工作引起的特性变化所产生的灰阶亮度变化。
具体的,所述像素驱动电路包括结构相同的第一像素驱动单元和第二像素驱动单元;所述第一像素驱动单元包括第一驱动晶体管和第一驱动控制模块,所述第二像素驱动单元包括第二驱动晶体管和第二驱动控制模块;
所述第一驱动控制模块包括第一存储电容、第一控制晶体管、第二控制晶体管和第一镜像晶体管;
所述第一控制晶体管,栅极与所述栅线连接,第一极与所述第一存储电容的第一端连接,第二极与对应的数据线连接;
所述第二控制晶体管,栅极与所述栅线连接,第一极与所述第一镜像晶体管的第一极连接,第二极与该数据线连接;
所述第一镜像晶体管,栅极与所述第一存储电容的第一端连接,第二极与所述第一存储电容的第二端连接;
所述第二驱动控制模块包括第二存储电容、第三控制晶体管、第四控制晶体管和第二镜像晶体管;
所述第三控制晶体管,栅极与所述栅线连接,第一极与所述第二存储电容的第一端连接,第二极与对应的数据线连接;
所述第四控制晶体管,栅极与所述栅线连接,第一极与所述第二镜像晶体管的第一极连接,第二极与该数据线连接;
所述第二镜像晶体管,栅极与所述第二存储电容的第一端连接,第二极与所述第二存储电容的第二端连接。
当第一驱动控制模块和第二驱动控制模块采用如上结构时,第一像素驱动单元和第二像素驱动单元在工作时采用的是镜像式的充电和发光控制,因此第一驱动晶体管和第二驱动晶体管驱动发光元件的电流等于数据线上的数据电流。
优选的,所述第一镜像晶体管的工艺参数和所述第一驱动晶体管的工艺参数相同,所述第二镜像晶体管的工艺参数与所述第二驱动晶体管的工艺参数相同。
优选情况下,所述第一镜像晶体管的工艺参数和第一驱动晶体管的工艺参数保持一致,所述第二镜像晶体管的工艺参数和第二驱动晶体管的工艺参数保持一致,以使得发光阶段的发光元件的驱动电流与充电阶段的数据电流一致,以电流镜像补偿的方式,在一定程度上减弱不同像素的阈值电压Vth与Mobility(迁移率)差异带来的灰度不均。
在具体实施时,所述第一驱动晶体管、所述第一控制晶体管、所述第二控制晶体管和所述第一镜像晶体管都为n型晶体管,所述第二驱动晶体管、所述第三控制晶体管、所述第四控制晶体管和所述第二镜像晶体管都为n型晶体管;或者,
所述第一驱动晶体管、所述第一控制晶体管、所述第二控制晶体管和所述第一镜像晶体管都为p型晶体管,所述第二驱动晶体管、所述第三控制晶体管、所述第四控制晶体管和所述第二镜像晶体管都为p型晶体管。
在实际操作时,所述第一驱动控制模块和所述第二驱动控制模块也可以采用其他的任何可以分别对第一驱动晶体管和第二驱动晶体管进行数据电压输入、阈值电压补偿和发光驱动的电路结构,其为本领域技术人员所公知,在此不再赘述。
下面通过一具体实施例来具体说明本实用新型所述的像素驱动电路。
如图2所示,本实用新型一具体实施例所述的像素驱动电路的包括第一像素驱动单元和第二像素驱动单元;
所述第一像素驱动单元的结构和所述第二像素驱动单元的结构相同;
第一像素驱动单元包括第一驱动晶体管DTFT1和第一驱动控制模块,其中,
所述第一驱动控制模块包括第一存储电容Cs1、第一控制晶体管T11、第二控制晶体管T12和第一镜像晶体管T13;
所述第一驱动晶体管DTFT1,栅极与所述第一存储电容Cs1的第一端连接,第一极接入高电平Vdd,第二极分别与所述第一存储电容Cs1的第二端和有机发光二极管OLED的阳极连接;
所述第一控制晶体管T11,栅极与所述栅线Gate连接,第一极与所述第一存储电容Cs1的第一端连接,第二极与第一数据线Data1连接;
所述第二控制晶体管T12,栅极与所述栅线Gate连接,第一极与所述第一镜像晶体管T13的第一极连接,第二极与该第一数据线Data1连接;
所述第一镜像晶体管T13,栅极与所述第一存储电容Cs1的第一端连接,第二极与所述第一存储电容Cs1的第二端连接;
第二像素驱动单元包括第二驱动晶体管DTFT2和第二驱动控制模块,其中,
所述第二驱动控制模块包括第三控制晶体管T21、第四控制晶体管T22和第二镜像晶体管T23;
所述第二驱动晶体管DTFT2,栅极与所述第二存储电容Cs2的第一端连接,第一极接入高电平Vdd,第二极分别与所述第二存储电容Cs2的第二端和有机发光二极管OLED的阳极连接;
所述第三控制晶体管T21,栅极与所述栅线Gate连接,第一极与所述第二存储电容Cs2的第一端连接,第二极与第二数据线Data2连接;
所述第四控制晶体管T22,栅极与所述栅线Gate连接,第一极与所述第二镜像晶体管T23的第一极连接,第二极与该第二数据线Data2连接;
所述第二镜像晶体管T13,栅极与所述第二存储电容Cs2的第一端连接,第二极与所述第二存储电容Cs2的第二端连接;
所述第一驱动晶体管DTFT1的栅极与第一控制节点Q1连接,所述第二驱动晶体管DTFT2的栅极与第二控制节点Q2连接;有机发光二极管OLED的阴极接地;
在本实用新型如图2所示的像素驱动电路中,所有的晶体管都为n型TFT,因此在与图2对应的描述中,第一极可以为漏极,第二极可以为源极。
本实用新型如图2所示的像素驱动电路采用第一像素驱动单元和第二像素驱动单元在相邻帧交替驱动有机发光二极管OLED发光,保证第一驱动晶体管DTFT1和第二驱动晶体管DTFT2处于交替工作的状态,避免了现有技术中驱动晶体管始终在直流偏压下的情况,削弱了驱动晶体管长时间工作引起的特性变化所产生的灰阶亮度变化,并且本实用新型如图2所示的像素驱动电路包括的第一像素驱动单元和第二像素驱动单元采用的是镜像式的充电和发光控制,因此第一驱动晶体管和第二驱动晶体管驱动有机发光二极管的电流等于数据线上的数据电流,并且第一镜像晶体管T13的工艺参数和第一驱动晶体管DTFT1的工艺参数保持一致,第二镜像晶体管T23的工艺参数和第二驱动晶体管DTFT2的工艺参数保持一致,以使得发光阶段的有机发光二极管的驱动电流与充电阶段的数据电流一致,以电流镜像补偿的方式,在一定程度上减弱不同像素的阈值电压Vth与Mobility(迁移率)差异带来的灰度不均。
如图3所示,本实用新型如图2所示的像素驱动电路的具体实施例在工作时,
在一帧的充电阶段(时段①),Gate输出高电平,控制T11、T12、T21和T22都打开,Data1输出与灰阶对应的恒定的第一数据电流Idata1,Idata1为高电平信号;初始状态下T13不导通,Idata1先经T11向Cs1充电,流经T11的电流为IT11,T13的栅极(第一控制节点Q1)的电压逐渐升高,T13逐渐开启,流经T13的电流IT13升高,IT11减小,IT13+IT11=Idata1,当IT13=Idata1,IT11=0时,第一存储电容Cs1两端的电压VGS1满足以下公式,此时IData1通过T12流经T13,此时Data2输出的第二数据电流为低电平,向Q2充入低电平信号,关闭T23与DTFT2;
Idata1=k×(VGS1-Vth)2
其中,K为DTFT1的电流系数,Vth为DTFT1的阈值电压;
在一帧的发光阶段(时段②),Gate输出低电平,关闭T11、T12、T21与T22,Q1由Cs1在一帧内保持高电平,于是T13和DTFT1维持导通状态,OLED驱动电流由T14控制;Q2由Cs2在一帧内保持低电平,T23和DTFT2维持关闭状态;
通过工艺设计使DTFT1的特性与T13的特性保持一致,可近似认为DTFT1的特性与T13的特性相同,同时由于T13的栅极电压和DTFT1的栅极电压相等,于是数据电流Idata1被镜像为发光阶段流经OLED的电流,Vdd提供驱动OELD二极管的电压,DTFT1控制流经OLED的电流一直保持与Idata1大小相同;
在下一帧的充电阶段(时段③),Data1输出低电平信号,Data2输出的Idata2为高电平恒定电流信号,Gate控制T11、T12、T21和T22打开,Q1被充入低电平,Q2被充入高电平,于是T13和DTFT1关闭,T23和DTFT2打开;在充电结束后,Cs2两端的电压VGS2使得流经T23的电流IT23的大小与Idata2的大小相同;
在下一帧的发光阶段(时段④),Q2的电位维持高电平,T23和DTFT2维持导通状态,OLED的驱动电流由DTFT2控制,流经OLED的电流的大小与Idata2的大小相同,Q1的电位维持低电平,T13与DTFT1在一帧内始终保持关闭状态,Cs1内的储存电压可减弱上一帧高电平对T13的特性和DTFT1的特性的影响;此帧结束后,下一帧Gate信号开启,两组TFT(即第一像素驱动单元包括的TFT和第二像素驱动单元包括的TFT)状态交换,DTFT1驱动控制OLED工作,DTFT2处于关闭状态,时序状态返回到时段①。
本实用新型如图2所示的像素驱动电路的具体实施例可以通过控制第一驱动晶体管DTFT1和第二驱动晶体管DTFT2在相邻帧交替驱动OLED发光,并在不需驱动OLED发光的一帧内控制相应的驱动晶体管的栅极的电位被充电为极性相反,可以避免现有技术中驱动晶体管始终在直流偏压下的情况,削弱了驱动晶体管长时间工作引起的特性变化所产生的灰阶亮度变化。
本实用新型实施例所述的像素电路包括发光元件和上述的像素驱动电路;
所述像素驱动电路中的两像素驱动单元包括的驱动晶体管的第二极都与所述发光元件连接。
本实用新型实施例所述的显示面板,其特征在于,包括上述的像素电路。
具体的,所述像素电路中的像素驱动电路包括的第一像素驱动单元与第一数据线连接,所述像素驱动电路包括的第二像素驱动单元与第二数据线连接;
所述显示面板还包括:数据驱动电路,用于向所述第一数据线提供第一数据电压并向所述第二数据线提供第二数据电压;
在同一帧时间内,所述第一数据线上的第一数据电压和所述第二数据线上的第二数据电压的电压值相等而极性相反;
在相邻帧,所述第一数据线上的第一数据电压的电压值相等而极性相反,所述第二数据线上的第二数据电压的电压值相等而极性相反。
本实用新型实施例所述的显示装置,其特征在于,包括上述的显示面板。
以上所述是本实用新型的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型所述原理的前提下,还可以作出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。

Claims (10)

1.一种像素驱动电路,其特征在于,包括结构相同的两像素驱动单元;所述像素驱动单元包括驱动晶体管和驱动控制模块,其中,
所述驱动晶体管,栅极与所述驱动控制模块连接,第一极接入第一电源电压,第二极分别与所述驱动控制模块和发光元件连接;
所述驱动控制模块,分别与数据线、栅线、所述驱动晶体管的栅极和所述驱动晶体管的第二极连接,用于在所述栅线输出的栅极驱动信号的控制下,根据所述数据线上的数据电压以控制所述驱动晶体管的栅极电位,从而控制所述驱动晶体管是否导通。
2.如权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述像素驱动电路包括的第一像素驱动单元与第一数据线连接,所述像素驱动电路包括的第二像素驱动单元与第二数据线连接;
在同一帧时间内,所述第一数据线上的第一数据电压和所述第二数据线上的第二数据电压的电压值相等而极性相反;
在相邻帧,所述第一数据线上的第一数据电压的电压值相等而极性相反,所述第二数据线上的第二数据电压的电压值相等而极性相反。
3.如权利要求2所述的像素驱动电路,其特征在于,所述像素驱动电路包括的第一像素驱动单元和第二像素驱动单元与同一栅线连接。
4.如权利要求1至3中任一权利要求所述的像素驱动电路,其特征在于,
所述像素驱动电路包括结构相同的第一像素驱动单元和第二像素驱动单元;所述第一像素驱动单元包括第一驱动晶体管和第一驱动控制模块,所述第二像素驱动单元包括第二驱动晶体管和第二驱动控制模块;
所述第一驱动控制模块包括第一存储电容、第一控制晶体管、第二控制晶体管和第一镜像晶体管;
所述第一控制晶体管,栅极与所述栅线连接,第一极与所述第一存储电容的第一端连接,第二极与对应的数据线连接;
所述第二控制晶体管,栅极与所述栅线连接,第一极与所述第一镜像晶体管的第一极连接,第二极与该数据线连接;
所述第一镜像晶体管,栅极与所述第一存储电容的第一端连接,第二极与所述第一存储电容的第二端连接;
所述第二驱动控制模块包括第二存储电容、第三控制晶体管、第四控制晶体管和第二镜像晶体管;
所述第三控制晶体管,栅极与所述栅线连接,第一极与所述第二存储电容的第一端连接,第二极与对应的数据线连接;
所述第四控制晶体管,栅极与所述栅线连接,第一极与所述第二镜像晶体管的第一极连接,第二极与该数据线连接;
所述第二镜像晶体管,栅极与所述第二存储电容的第一端连接,第二极与所述第二存储电容的第二端连接。
5.如权利要求4所述的像素驱动电路,其特征在于,所述第一镜像晶体管的工艺参数和所述第一驱动晶体管的工艺参数相同,所述第二镜像晶体管的工艺参数与所述第二驱动晶体管的工艺参数相同。
6.如权利要求5所述的像素驱动电路,其特征在于,所述第一驱动晶体管、所述第一控制晶体管、所述第二控制晶体管和所述第一镜像晶体管都为n型晶体管,所述第二驱动晶体管、所述第三控制晶体管、所述第四控制晶体管和所述第二镜像晶体管都为n型晶体管;或者,
所述第一驱动晶体管、所述第一控制晶体管、所述第二控制晶体管和所述第一镜像晶体管都为p型晶体管,所述第二驱动晶体管、所述第三控制晶体管、所述第四控制晶体管和所述第二镜像晶体管都为p型晶体管。
7.一种像素电路,其特征在于,包括发光元件和如权利要求1至6中任一权利要求所述的像素驱动电路;
所述像素驱动电路中的两像素驱动单元包括的驱动晶体管的第二极都与所述发光元件连接。
8.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求7所述的像素电路。
9.如权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述像素电路中的像素驱动电路包括的第一像素驱动单元与第一数据线连接,所述像素驱动电路包括的第二像素驱动单元与第二数据线连接;
所述显示面板还包括:数据驱动电路,用于向所述第一数据线提供第一数据电压并向所述第二数据线提供第二数据电压;
在同一帧时间内,所述第一数据线上的第一数据电压和所述第二数据线上的第二数据电压的电压值相等而极性相反;
在相邻帧,所述第一数据线上的第一数据电压的电压值相等而极性相反,所述第二数据线上的第二数据电压的电压值相等而极性相反。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求8或9所述的显示面板。
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