CN204991760U - 覆晶式发光二极管封装结构 - Google Patents

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Abstract

本实用新型提供一种覆晶式发光二极管封装结构，包含：一LED晶粒，在该LED晶粒的表面上设有二分开的指状铝或铜电极层、一反光层其以PVD或CVD形成而覆盖设在该电极层上、及二镍金或铜金凸块分别形成在该二电极层的一预定位置上并露出于该反光层外供作为焊垫；一LED载板，其表面设有至少二分开的表面粘着用接点供可凭借表面粘着工艺将该LED晶粒的二镍金或铜金凸块对应连结在该二分开的接点上，以形成一减少贵金属用量以降低制作成本的覆晶式LED封装结构；本实用新型更在该LED晶粒外围区以喷涂或模制形成一具均匀厚度且具荧光材的封装胶层，使该LED晶粒得通过该封装胶层的混光作用以形成白光或其他颜色光，以节省荧光材成本。

Description

覆晶式发光二极管封装结构
技术领域
本实用新型涉及一种覆晶式发光二极管(LED)封装结构，尤指一种在该LED晶粒的表面上包含二分开的铝或铜电极层、一反光层形成并覆盖在该电极层上及二镍金或铜金凸块分别形成在该二电极层的一预定位置上并露出于该反光层外以供作为焊垫(bondpad)；该LED晶粒的二镍金或铜金凸块再凭借表面粘着工艺(SMT)对应连结至一LED载板的表面上所设二分开的接点，以形成一减少贵金属用量以降低制作成本的覆晶式LED封装结构。
背景技术
在有关覆晶式发光二极管(flip-chipLED)如氮化镓LED结构或发光二极管的反光层的制造方法或覆晶式封装结构等技术领域中，目前已存在多种背景技术，如：US8,211,722、US6,914,268、US8,049,230、US7,985,979、US7,939,832、US7,713,353、US7,642,121、US7,462,861、US7,393,411、US7,335,519、US7,294,866、US7,087,526、US5,557,115、US6,514,782、US6,497,944、US6,791,119、US2011/0014734、US2002/0163302、US2004/0113156等。上述背景技术大都是针对一LED晶粒结构或其封装结构，在发光效率、散热功能、使用寿命、制造成本、组装合格率、制程简化、光衰等方面所产生的问题与缺失，而提出解决方案。
传统LED晶粒主要是以焊线(wirebond)为主，而设在LED晶粒表面上的焊垫(bondpad)及导线或电极层(finger)材质主要是以金(Au)来设计。后续发展出覆晶式(flip-chip)LED，其焊垫材质主要是以锡金(SnAu)合金来设计。由于金(Au)为贵金属，致使制成的覆晶式LED及/或其封装结构都无法有效地降低制作成本，不利于量产化及产业竞争。
此外，在LED的技术领域中，已有部分背景技术是利用荧光粉来产生混光作用，以使出射某颜色光的LED能通过该混光作用以转换形成白光或其他颜色光。上述背景技术大概是利用一出射某颜色光的LED如蓝光、绿光、紫外光或其他颜色的LED，再针对该LED配置一能产生对应混光作用的外护片(或称一级镜片)，如利用适当配比的某颜色荧光粉与胶体混合以制作该能产生对应混光作用的外护片，使该LED所出射某颜色光会先经过该外护片而转换形成白光或其他颜色光再向外出射。
然而在实际运用上，该外护片存在体积较大以致荧光材成本相对较高的问题，且该外护片也存在厚度不均匀以致混光后的出射光如白光或其他颜色光相对不均匀的问题，在在影响LED封装结构的制造成本及使用效率，不利于LED封装的量产化。
实用新型内容
因此，本领域的背景技术尚难以符合实际运用的需求，本实用新型即是针对现有技术的问题提出有效的解决方案。
为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：
一种覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于，包含：
一LED晶粒，在该LED晶粒的正面上设有：二分开且电性绝缘的电极层，其中该电极层以铝或铜构成；
一反光层形成设于该电极层上并覆盖在该电极层上，并在该二分开的电极层上各保留一预定位置未被该反光层所覆盖；及
二分开的凸块，其分别形成于该二分开的电极层上且未被该反光层所覆盖的预定位置上，其中该凸块以镍金或铜金形成，供作为表面粘着工艺时的焊垫使用。
所述的覆晶式发光二极管封装结构，进一步包含一LED载板，其中该LED载板的表面上设有二分开且电性绝缘的SMT接点，再利用表面粘着工艺使该LED晶粒上由镍金或铜金构成的二凸块能凭借导电胶以对应连结在该LED载板的表面上所设二分开的SMT接点上。
所述的覆晶式发光二极管封装结构，该LED晶粒与该LED载板之间进一步充填有胶材层，该胶材层填满该LED晶粒与该载板之间的空隙以增加该LED晶粒与该载板间的结合强度。
所述的覆晶式发光二极管封装结构，进一步包含一封装荧光胶层，该封装荧光胶层以均匀厚度包覆在该LED晶粒除正面以外的外围区而形成。
所述的覆晶式发光二极管封装结构，利用喷涂或模制方式以在该LED晶粒除正面以外的外围区形成一具有均匀厚度的封装荧光胶层。
所述的覆晶式发光二极管封装结构，该反光层是一多层式反光层，其包含非导电性反光层或非导电性反光层与导电性反光层的叠层组合。
所述的覆晶式发光二极管封装结构，该反光层由一非导电性氧化硅膜、一导电性铝膜及一非导电性氧化硅膜层叠构成。
所述的覆晶式发光二极管封装结构，该反光层由非导电性的分散型布拉格反光膜所构成。
与现有技术相比较，本实用新型具有的有益效果是：有效减少贵金属用量以降低制作成本。
此外，本实用新型可使该LED晶粒得通过该封装荧光胶层的混光作用以形成白光或其他颜色光，以节省荧光材成本。
在本实用新型可以增加该LED晶粒与该载板间的结合强度。
附图说明
图1是本实用新型覆晶式LED封装结构(未设封装荧光胶层)的侧面剖视图。
图2是图1中LED晶粒的正面上所设二分开电极层的正面示意图。
图3是图1中LED晶粒的正面上所设反光层的正面示意图。
图4是图1中LED晶粒的正面上所设二凸块的正面示意图。
图5是本实用新型覆晶式LED封装结构(设有具混光作用的封装荧光胶层)的侧面剖视图。
图6是图5中LED晶粒与该载板之间填满胶材层的侧面剖视图。
附图标记说明：1-覆晶式LED封装结构；2-覆晶式LED封装结构；10-LED晶粒；11-正面；12-电极层；12a-预定位置；13-反光层；14-凸块；20-LED载板；21-绝缘层；22-SMT接点；23-导电胶；30-封装荧光胶层；40-胶材层。
具体实施方式
为使本实用新型更加明确详实，兹列举较佳实施例并配合下列图示，将本实用新型的结构及其技术特征详述如后：
参考图1-图4所示，本实用新型是一种覆晶式LED封装结构1，包含一LED晶粒10，在该LED晶粒10的正面11上设有二分开且电性绝缘的电极层12如图2所示，其中该电极层12是以铝(Al)或铜(Cu)构成，用以取代背景技术以镀金(Au)形成的电极层，以减少贵金属用量而相对降低制作成本。再于该电极层12上形成而设有一反光层13，其中该反光层13凭借PVD(PhysicalVaporDeposition，物理气相沉积)或CVD(ChemicalVaporDeposition，化学气相沉积)方式形成并覆盖在该电极层12上，但在该二分开的电极层12上各保留一预定位置12a未被该反光层13所覆盖如图3所示。再于该二分开的电极层12上且未被该反光层13所覆盖的预定位置12a上(如图3所示)分别形成一凸块(bump)14如图4所示，其中该凸块(bump)14是以镍金(Ni/Au)或铜金(Cu/Au)形成，供作为表面粘着工艺(SMT)时的焊垫(bondpad)使用。而凭借上述二电极层12、一反光层13及二凸块(bump)14以构成一能有效减少贵金属用量以降低制作成本的覆晶式LED封装结构1。
再参考图1所示，本实用新型的覆晶式LED封装结构1，进一步包含一LED载板(LEDsubstrate)20，以构成一覆晶式LED封装结构2如图1所示；其中该LED载板20的表面上设有一绝缘层21，该绝缘层21上设有至少二分开且电性绝缘的SMT接点(SMTpad)22但不限制。再利用表面粘着工艺(SMT，Surface-MountTechnology)，将该LED晶粒10上由镍金或铜金构成的二凸块14凭借导电胶23如锡胶(solderpaste)但不限制，对应连结在该LED载板20的表面上所设二分开的SMT接点22上，以进一步形成一有效减少贵金属用量以降低制作成本的覆晶式LED封装结构2。
参考图5所示，本实用新型的覆晶式LED封装结构1进一步包含一封装荧光胶层30，该封装荧光胶层30是利用适当配比的某颜色荧光粉与胶体混合以制作能产生对应混光作用的具荧光材的封装荧光胶层，该封装荧光胶层30可利用喷涂(spray)或模制(molding)方式但不限制，以在该LED晶粒10除正面11以外的外围区形成一具均匀厚度的封装荧光胶层30如图5所示，使该LED晶粒10得通过该封装荧光胶层30的混光作用以形成白光或其他颜色光；由于该封装荧光胶层30是以均匀厚度包覆在该LED晶粒10的外围区，故该封装荧光胶层30的材积(材料使用量)得以受到妥当控制，不但有利于提升该封装荧光胶层30的混光作用功效，也可相对节省该封装荧光胶层30中所使用荧光材的材料成本。
参考图6所示，在本实用新型的覆晶式LED封装结构2一实施例中，其中该LED晶粒10与该LED载板20之间进一步充填有胶材层40，该胶材层40是填满该LED晶粒10与该载板20之间的空隙，以增加该LED晶粒10与该载板20间的结合强度。
此外，在本实用新型的覆晶式LED封装结构1一实施例中，其中该反光层13可为一多层式反光层，其包含非导电性反光层或非导电性反光层与导电性反光层的组合，例如，该反光层13可由一非导电性氧化硅(SiO2)膜、一导电性铝膜及一非导电性氧化硅(SiO2)膜构成，或由非导电性的分散型布拉格反光膜DBR(distributedBraggreflector)所构成，但非用以限制本实用新型。
以上所述仅为本实用新型的优选实施例，对本实用新型而言仅是说明性的，而非限制性的；本领域普通技术人员理解，在本实用新型权利要求所限定的精神和范围内可对其进行许多改变，修改，甚至等效变更，但都将落入本实用新型的保护范围内。

Claims (8)

1.一种覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于，包含：
一LED晶粒，在该LED晶粒的正面上设有：二分开且电性绝缘的电极层，其中该电极层以铝或铜构成；
一反光层形成设于该电极层上并覆盖在该电极层上，并在该二分开的电极层上各保留一预定位置未被该反光层所覆盖；及
二分开的凸块，其分别形成于该二分开的电极层上且未被该反光层所覆盖的预定位置上，其中该凸块以镍金或铜金形成，供作为表面粘着工艺时的焊垫使用。
2.如权利要求1所述的覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于：进一步包含一LED载板，其中该LED载板的表面上设有二分开且电性绝缘的SMT接点，再利用表面粘着工艺使该LED晶粒上由镍金或铜金构成的二凸块能凭借导电胶以对应连结在该LED载板的表面上所设二分开的SMT接点上。
3.如权利要求2所述的覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于：该LED晶粒与该LED载板之间进一步充填有胶材层，该胶材层填满该LED晶粒与该载板之间的空隙以增加该LED晶粒与该载板间的结合强度。
4.如权利要求1所述的覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于：进一步包含一封装荧光胶层，该封装荧光胶层以均匀厚度包覆在该LED晶粒除正面以外的外围区而形成。
5.如权利要求4所述的覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于：利用喷涂或模制方式以在该LED晶粒除正面以外的外围区形成一具有均匀厚度的封装荧光胶层。
6.如权利要求1所述的覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于：该反光层是一多层式反光层，其包含非导电性反光层或非导电性反光层与导电性反光层的叠层组合。
7.如权利要求6所述的覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于：该反光层由一非导电性氧化硅膜、一导电性铝膜及一非导电性氧化硅膜层叠构成。
8.如权利要求6所述的覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于：该反光层由非导电性的分散型布拉格反光膜所构成。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105932018A (zh) * 2016-04-11 2016-09-07 友达光电股份有限公司 发光装置及其制造方法
CN106549089A (zh) * 2015-09-21 2017-03-29 茂邦电子有限公司 覆晶式发光二极管封装结构
WO2017049419A1 (zh) * 2015-09-21 2017-03-30 璩泽明 覆晶式发光二极管封装结构
TWI718261B (zh) * 2016-02-22 2021-02-11 德商漢高股份有限及兩合公司 導電組合物及其應用

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106549089A (zh) * 2015-09-21 2017-03-29 茂邦电子有限公司 覆晶式发光二极管封装结构
WO2017049419A1 (zh) * 2015-09-21 2017-03-30 璩泽明 覆晶式发光二极管封装结构
TWI718261B (zh) * 2016-02-22 2021-02-11 德商漢高股份有限及兩合公司 導電組合物及其應用
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