CN204874729U - Mocvd设备中的石墨盘 - Google Patents
Mocvd设备中的石墨盘 Download PDFInfo
- Publication number
- CN204874729U CN204874729U CN201520550332.7U CN201520550332U CN204874729U CN 204874729 U CN204874729 U CN 204874729U CN 201520550332 U CN201520550332 U CN 201520550332U CN 204874729 U CN204874729 U CN 204874729U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- disk body
- graphite plate
- utility
- model
- conical surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种MOCVD设备中的石墨盘，包括盘体，所述盘体的上表面形成有若干用于装载衬底的圆形凹槽，所述凹槽的侧壁靠近底部的部分为锥面，且所述凹槽自开口向底部径向尺寸逐渐变大，所述锥面与所述盘体的上表面之间通过外凸的弧面过渡连接。本实用新型能够有效防止石墨盘在高速旋转时，衬底与凹槽边缘碰撞，解决凹槽边缘开裂现象，且能够使石墨盘与旋转平台连接的更精密，误差更小。
Description
技术领域
本实用新型涉及MOCVD设备中的部件，具体是涉及一种MOCVD设备中的石墨盘。
背景技术
MOCVD(MetalOrganicChemicalVaporDeposition)设备，即金属有机物化学气相沉积设备，是一种集计算流体力学、热力传导、系统集成控制、化合物生长等各学科于一体的高科技、新技术高度集中的设备，是半导体产业中的关键性设备。石墨盘是MOCVD设备中十分重要的部件，石墨盘上排布有若干圆形凹槽，用于在MOCVD外延生长中装载衬底片。石墨盘置于MOCVD反应室中的旋转平台上，通过柱状旋转轴与旋转平台固定连接。但是，现有技术中的圆形凹槽通常是开口径向尺寸小于底部径向尺寸，即开口处为尖锐角，在旋转过程中，凹槽中的衬底与凹槽尖锐的边缘口会发生碰撞，导致凹槽边缘开裂现象。此外，通过柱状旋转轴实现石墨盘与旋转平台的连接结构精度较差，尤其是石墨盘在经过多次取放后，接触部位很容易被磨损和碰伤。
发明内容
为了解决上述技术问题，本实用新型提出一种MOCVD设备中的石墨盘，能够有效防止石墨盘在高速旋转时，衬底与凹槽边缘碰撞，解决凹槽边缘开裂现象，且能够使石墨盘与旋转平台连接的更精密，误差更小。
本实用新型的技术方案是这样实现的：
一种MOCVD设备中的石墨盘，包括盘体，所述盘体的上表面形成有若干用于装载衬底的圆形凹槽，所述凹槽的侧壁靠近底部的部分为锥面，且所述凹槽自开口向底部径向尺寸逐渐变大，所述锥面与所述盘体的上表面之间通过外凸的弧面过渡连接。
作为本实用新型的进一步改进，所述盘体的下表面中心位置形成一用于连接石墨盘旋转平台的旋转轴的槽孔，所述槽孔包括靠近开口处的圆柱孔和靠近底部的锥形凸台孔。
作为本实用新型的进一步改进，所述盘体的上表面靠近边缘处形成有用于标记若干所述凹槽的起始位的标记。
本实用新型的有益效果是：本实用新型提供一种MOCVD设备中的石墨盘，通过将圆形凹槽的开口处设计成外凸的弧面，即将开口处的尖锐角改为R角，在旋转过程中，可有效避免衬底与凹槽的边缘口发生碰撞，解决凹槽边缘出现开裂现象的问题。通过将连接石墨盘旋转平台的旋转轴的槽孔设计成锥形凸台孔与圆柱孔的组合，即将垂直连接的圆柱孔修改为带斜度的锥形凸台孔，能够使石墨盘与旋转轴的连接更加精密，减少高速旋转带来了误差。通过在盘体上表面的边缘处设计标记，可以定义若干凹槽的起始位置，便于识别。
附图说明
图1为本实用新型一视角结构示意图；
图2为图1中A-A向剖面图；
图3为图2中B处局部放大示意图；
图4为图2中C处放大示意图。
结合附图，作以下说明：
1——盘体11——盘体的上表面
12——盘体的下表面2——凹槽
21——锥面22——弧面
3——槽孔31——圆柱孔
32——锥形凸台孔4——标记
具体实施方式
为使本实用新型能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
如图1、图2、图3和图4所示，一种MOCVD设备中的石墨盘，包括盘体1，所述盘体的上表面11形成有若干用于装载衬底的圆形凹槽2，所述凹槽的侧壁靠近底部的部分为锥面21，且所述凹槽自开口向底部径向尺寸逐渐变大，所述锥面与所述盘体的上表面之间通过外凸的弧面22过渡连接。这样，通过将圆形凹槽的开口处设计成外凸的弧面，即将开口处的尖锐角改为R角，在旋转过程中，可有效避免衬底与凹槽的边缘口发生碰撞，解决凹槽边缘出现开裂现象的问题。
优选的，所述盘体的下表面12中心位置形成一用于连接石墨盘旋转平台的旋转轴的槽孔3，所述槽孔包括靠近开口处的圆柱孔31和靠近底部的锥形凸台孔32。通过将连接石墨盘旋转平台的旋转轴的槽孔设计成锥形凸台孔与圆柱孔的组合，即将垂直连接的圆柱孔修改为带斜度的锥形凸台孔，能够使石墨盘与旋转轴的连接更加精密，减少高速旋转带来了误差。
优选的，所述盘体的上表面靠近边缘处形成有用于标记若干所述凹槽的起始位的标记4。通过在盘体上表面的边缘处设计标记，可以定义若干凹槽的起始位置，便于识别。
以上实施例是参照附图，对本实用新型的优选实施例进行详细说明。本领域的技术人员通过对上述实施例进行各种形式上的修改或变更，但不背离本实用新型的实质的情况下，都落在本实用新型的保护之内。
Claims (3)
1.一种MOCVD设备中的石墨盘，其特征在于：包括盘体(1)，所述盘体的上表面(11)形成有若干用于装载衬底的圆形凹槽(2)，所述凹槽的侧壁靠近底部的部分为锥面(21)，且所述凹槽自开口向底部径向尺寸逐渐变大，所述锥面与所述盘体的上表面之间通过外凸的弧面(22)过渡连接。
2.根据权利要求1所述的MOCVD设备中的石墨盘，其特征在于：所述盘体的下表面(12)中心位置形成一用于连接石墨盘旋转平台的旋转轴的槽孔(3)，所述槽孔包括靠近开口处的圆柱孔(31)和靠近底部的锥形凸台孔(32)。
3.根据权利要求1所述的MOCVD设备中的石墨盘，其特征在于：所述盘体的上表面靠近边缘处形成有用于标记若干所述凹槽的起始位的标记(4)。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201520550332.7U CN204874729U (zh) | 2015-07-27 | 2015-07-27 | Mocvd设备中的石墨盘 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201520550332.7U CN204874729U (zh) | 2015-07-27 | 2015-07-27 | Mocvd设备中的石墨盘 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN204874729U true CN204874729U (zh) | 2015-12-16 |
Family
ID=54819125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201520550332.7U Expired - Fee Related CN204874729U (zh) | 2015-07-27 | 2015-07-27 | Mocvd设备中的石墨盘 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN204874729U (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105803425A (zh) * | 2016-05-16 | 2016-07-27 | 中国科学院半导体研究所 | 金属有机化合物气相沉积反应装置的反应基座 |
| CN106449493A (zh) * | 2016-09-30 | 2017-02-22 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种适用于制作发光二极管的石墨基座 |
| WO2020258676A1 (zh) * | 2019-06-28 | 2020-12-30 | 聚灿光电科技股份有限公司 | 石墨载盘及具有其的mocvd反应装置 |
-
2015
- 2015-07-27 CN CN201520550332.7U patent/CN204874729U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105803425A (zh) * | 2016-05-16 | 2016-07-27 | 中国科学院半导体研究所 | 金属有机化合物气相沉积反应装置的反应基座 |
| CN105803425B (zh) * | 2016-05-16 | 2018-03-30 | 中国科学院半导体研究所 | 金属有机化合物气相沉积反应装置的反应基座 |
| CN106449493A (zh) * | 2016-09-30 | 2017-02-22 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种适用于制作发光二极管的石墨基座 |
| CN106449493B (zh) * | 2016-09-30 | 2020-03-27 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种适用于制作发光二极管的石墨基座 |
| WO2020258676A1 (zh) * | 2019-06-28 | 2020-12-30 | 聚灿光电科技股份有限公司 | 石墨载盘及具有其的mocvd反应装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN204874729U (zh) | Mocvd设备中的石墨盘 | |
| US20150267295A1 (en) | Removable substrate tray and assembly and reactor including same | |
| US20180105924A1 (en) | Vapor Deposition Crucible | |
| CN204321258U (zh) | 一种多内冷孔通用刀片槽可转位钻头刀体 | |
| CN107195579A (zh) | 晶圆承载装置 | |
| CN105624634B (zh) | 反应腔室及半导体加工设备 | |
| EP3164884B1 (en) | Tool for manipulating substrates, manipulation method and epitaxial reactor | |
| CN104440149A (zh) | 用于切削工具的螺钉头楔形夹具组件 | |
| CN203174197U (zh) | 一种反应腔组件 | |
| CN206052204U (zh) | 具有碳化硅涂层的硅片外延基座 | |
| CN204651297U (zh) | 清洗花篮 | |
| CN203621527U (zh) | 一种新型镗刀 | |
| US20160218024A1 (en) | Susceptor | |
| CN203639603U (zh) | 一种mocvd石墨盘与反应室的连接结构 | |
| CN206357201U (zh) | 一种划线工具 | |
| CN207958510U (zh) | 一种刀柄插放装置 | |
| CN215404654U (zh) | 一种外延生长设备的载具 | |
| CN204033184U (zh) | 一种可拆卸式锅具手柄 | |
| CN102703883A (zh) | 一种板式pecvd镀膜载板 | |
| CN213977870U (zh) | Mocvd设备用石墨基座 | |
| CN201770800U (zh) | 外延片生产用承载平台 | |
| CN109333496A (zh) | 一种用于立式数控车床的划线装置及方法 | |
| CN210610599U (zh) | 一种方形杯 | |
| CN204171154U (zh) | 高筒件精密冲孔装置 | |
| CN221304613U (zh) | 一种用于多晶片清洗的花篮 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20151216 Termination date: 20210727 |