CN204834635U - 太阳能电池 - Google Patents

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Abstract

本实用新型提供一种太阳能电池,包含半导体基板、钝化层、多个汇流电极与背电极层。半导体基板具有上表面与相对于上表面的下表面。钝化层设置于半导体基板的下表面,且钝化层包含多个空白区与多个第一穿孔。其中,各第一穿孔不通过多个空白区。多个汇流电极分别对应设置于钝化层的各空白区上。背电极层设置于钝化层上,并经由多个第一穿孔电性连接于半导体基板。背电极层包含多个第二穿孔,且多个第二开口个别对应于各汇流电极设置,且各第二穿孔不大于各汇流电极以使背电极层与多个汇流电极电性连接。

Description

太阳能电池
技术领域
本实用新型关于一种太阳能电池,具体涉及一种太阳能电池背面电极。
背景技术
近年来,各种提高太阳能电池转换效率的创新技术不断被开发出来,以因应市场上不断攀升的高转换效率的太阳能电池的市场需求。
目前,高转换效率的太阳能电池技术包含异质接面薄本质层(HeterojunctionWithIntrinsicThin-Layer,简称HIT)太阳能电池、背接触电极型(BackContact)太阳能电池、选择性射极型(SelectiveEmitter)太阳能电池、背面钝化射极(PassivatedEmitterRearCell,简称PERC)太阳能电池等。其中,PERC太阳能电池是藉由钝化技术将其正面的射极与背面钝化,以减少电子电洞对于半导体基板的表面再结合的机会,进而可提高其转换效率。
因此,一般于制造PERC太阳能电池的背面区域时,会先以电浆辅助化学气相沉积(PECVD)于半导体基板的背面形成钝化层,再以激光或蚀刻的方式于整面钝化层上形成多个穿孔。接续,藉由网印技术将铝胶形成于钝化层之上以通过多个穿孔与半导体基板接触,最后网印银胶于其上,以共同烧结后形成背电极(BackElectrode)与汇流电极(Busbar)。
然而,由于现有PERC太阳能电池的汇流电极下皆有激光剥蚀的孔洞,易促使汇流电极因于半导体基板上的接触压力不同而容易翘曲。此外,现有钝化层上的穿孔的数量过多,会影响到太阳能电池的特性,且此些穿孔更易造成太阳能电池的整体机械强度不佳。
实用新型内容
有鉴于此,为解决上述技术问题,本实用新型提供一太阳能电池,包含半导体基板、钝化层、背电极层与多个汇流电极。半导体基板具有上表面与相对于上表面的下表面。钝化层设置于半导体基板的下表面。钝化层包含多个空白区与多个第一穿孔,其中各第一穿孔不通过此些空白区,即空白区内不具有第一穿孔。多个汇流电极分别对应设置于钝化层的各空白区上。背电极层设置于钝化层上,并经由多个第一穿孔电性连接于半导体基板。背电极层包含多个第二穿孔,其中此些第二穿孔是个别对应于各汇流电极设置,且各第二穿孔不大于各汇流电极以使背电极层与多个汇流电极电性连接。
在一实施例中,各汇流电极的宽度是大于相邻的二第一穿孔间的距离。
在一实施例中,各汇流电极于X轴方向上与对应的空白区的周缘相隔第一间距,且各汇流电极于Y轴方向上与对应的空白区的周缘相隔第二间距。
在一实施例中,第一间距介于500微米至1500微米之间,较佳为500微米至800微米之间。
在一实施例中,第二间距介于500微米至1500微米之间,较佳为500微米至800微米之间。
在一实施例中,多个第一穿孔彼此平行,且多个汇流电极的长度方向与多个第一穿孔的长度方向平行。
在一实施例中,多个第一穿孔彼此平行,且多个汇流电极的长度方向与多个第一穿孔的长度方向垂直。
在一实施例中,多个空白区是为矩形、菱形、椭圆形、六边形、八边形及其组合。
在一实施例中,汇流电极的边缘与第二穿孔边缘的背电极层重叠。
本实用新型更提供另一太阳能电池,包含半导体基板、钝化层、背电极层以及多个汇流电极。半导体基板具有上表面与相对于上表面的下表面。钝化层设置于半导体基板的下表面。钝化层包含多个空白区与多个第一穿孔,其中各第一穿孔不通过此些空白区,即空白区内不具有第一穿孔。背电极层设置于钝化层上,并经由多个第一穿孔电性连接于半导体基板。背电极层包含多个第二穿孔,其中此些第二穿孔是个别对应于各空白区设置。多个汇流电极个别对应于背电极层的各第二穿孔设置,且与背电极层电性连接。
在另一太阳能电池的其中一实施例中,上述的各汇流电极的宽度大于相邻的二第一穿孔间的距离。
在另一太阳能电池的其中一实施例中,上述的各汇流电极于钝化层上的投影于X轴方向上与对应的空白区的周缘相隔第一间距,且各汇流电极于钝化层上的投影于Y轴方向上与对应的空白区的周缘相隔第二间距。
在另一太阳能电池的其中一实施例中,上述的第一间距介于500微米至1500微米之间,较佳为500微米至800微米之间。
在另一太阳能电池的其中一实施例中,上述的第二间距介于500微米至1500微米之间,较佳为500微米至800微米之间。
在另一太阳能电池的其中一实施例中,上述的多个第一穿孔彼此平行,且多个汇流电极的长度方向与多个第一穿孔的长度方向平行。
在另一太阳能电池的其中一实施例中,上述的多个第一穿孔彼此平行,且多个汇流电极的长度方向与多个第一穿孔的长度方向垂直。
在另一太阳能电池的其中一实施例中,上述的多个空白区是为矩形、菱形、椭圆形、六边形、八边形及其组合。
在另一太阳能电池的其中一实施例中,上述的汇流电极的边缘叠设于第二穿孔边缘的背电极层上。
综上所述,根据本实用新型实施的太阳能电池,通过在钝化层上对应多个汇流电极保留多个空白区的技术方案,来使得多个汇流电极下的钝化层不会出现第一穿孔并使得多个汇流电极与钝化层之间的接触压力平均,而不易发生翘曲。此外,保留多个空白区更适度减少了第一穿孔的分布数量(或面积),而改善了太阳能电池的转换效率,并提升太阳能电池的整体机械强度。
以下在实施方式中详细叙述本实用新型的详细特征以及优点,其内容足以使任何熟习相关技艺者了解本实用新型的技术内容并据以实施,且根据本说明书所揭露的内容、申请专利范围及图式,任何熟习相关技艺者可轻易地理解本实用新型相关的目的及优点。
附图说明
图1为本实用新型一实施例的太阳能电池的背面的俯视示意图。
图2为图1中沿AA剖线的侧面剖视示意图。
图3为图1中的局部放大的概要示意图。
图4为本实用新型的太阳能电池的背面的另一实施例的局部放大概要示意图。
图5为本实用新型的空白区的一实施例的概要示意图(一)。
图6为本实用新型的空白区的一实施例的概要示意图(二)。
图7为本实用新型的空白区的一实施例的概要示意图(三)。
图8为本实用新型的空白区的一实施例的概要示意图(四)。
图9为本实用新型的空白区的一实施例的概要示意图(五)。
图10为本实用新型的空白区的一实施例的概要示意图(六)。
图11为本实用新型的空白区的一实施例的概要示意图(七)。
图12为本实用新型的空白区的一实施例的概要示意图(八)。
图13为本实用新型的空白区的一实施例的概要示意图(九)。
图14为本实用新型另一实施例的太阳能电池的侧面剖视示意图。
其中,附图标记:
100太阳能电池
110半导体基板
110a上表面
110b下表面
120钝化层
130背电极层
130c边缘
140汇流电极
140c边缘
A1空白区
D1第一间距
D2第二间距
D3间距
D4间距
H1第一穿孔
H2第二穿孔
W1宽度
具体实施方式
在本实用新型的图式中,为了方便显示及说明,各结构的比例关系、纹理可能与实际结构的比例、纹理不符,于此仅作为参考而非用以限制本实用新型。此外,由于本实用新型的主要实用新型特点在于太阳能电池的背面结构,是以,以下仅着重描述设置于太阳能电池的半导体基板的下表面的相关结构特征。
图1为本实用新型一实施例的太阳能电池的背面的俯视示意图,图2为图1中沿AA剖线的侧面剖视示意图,而图3为图1中的局部放大的概要示意图。其中,图3并未有绘出背电极层130,以显示出本实用新型的空白区A1的相关特征。请参阅图1至图3,公开一太阳能电池100,所述太阳能电池100包含半导体基板110、钝化层120、多个汇流电极140与背电极层130,兹详细说明如下。
半导体基板110具有上表面110a与相对于上表面110a的下表面110b。于此,半导体基板110的上表面110a可为粗糙化表面,以提升半导体基板110的入光量。在本实施例中,半导体基板110可以是掺杂有N型掺质或掺杂有P型掺质的单晶硅基板或多晶硅基板。
钝化层120铺设于半导体基板110的下表面110b之上。其中,钝化层120可帮助减少半导体基板110中受激的电子电洞对于半导体基板110的表面再结合的机会,以提高光电转换效率。在本实施例中,钝化层120的材料可采用二氧化硅(SiO2)、氮氧化硅(SiOXNy)、氧化铝(AlO3)等。于此,钝化层120可利用电浆辅助化学气相沉积法(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,简称PECVD)沉积于半导体基板110的下表面110b,在其他实施例中,钝化层120可利用原子层沉积(AtomicLayerDeposition,ALD)形成。
钝化层120包含多个空白区A1与多个第一穿孔H1。在本实施例中,所谓多个空白区A1是指在钝化层120上刻意保留多个不被激光剥蚀(LaserAblation)的区域,以便后续供多个汇流电极140可对应设置于其上。因此,开设于钝化层120上沿Y轴方向延伸的各第一穿孔H1皆不通过多个空白区A1,如图3所示。在多个空白区A1以外的地方,各第一穿孔H1沿着Y轴方向延伸至半导体基板110的下表面110b的二侧。
此外,如图1所示,本实用新型一实施例的太阳能电池100的多个汇流电极140是设计以二维阵列的方式排列,换言之,多个汇流电极140于X轴方向上等距排列,且各汇流电极140于X轴方向上与相邻的汇流电极140相隔一间距D3;多个汇流电极140亦于Y轴方向上等距排列,且各汇流电极140于Y轴方向上与相邻的汇流电极140相隔一间距D4。因此,多个空白区A1于此根据多个汇流电极140的配置,以二维阵列的排列方式定义于钝化层120上。
多个第一穿孔H1开设于钝化层120上,且各第一穿孔H1皆不通过多个空白区A1,如图3所示。换言之,在钝化层120的多个空白区A1中,不会开设有任何第一穿孔H1。在本实施例中,多个第一穿孔H1是通过物理开孔制程,例如:激光剥蚀(LaserAblation)技术,开设于钝化层120上,然本实用新型不以此为限。换言之,多个第一穿孔H1亦可利用化学蚀刻(Etching)技术,例如:利用磷酸、氢氟酸或硝酸等蚀刻液,开设于钝化层120上。于此,多个第一穿孔H1是等距间隔设置,然亦可视实际需求而改为非等距设置。此外,多个第一穿孔H1可为线条状或圆孔状,本实施例以线条状为例来说明。
接着,分别于钝化层120的各空白区A1上对应设置具有宽度为W1的汇流电极140,再于钝化层120上设置背电极层130,背电极层130可经由钝化层120上开设的多个第一穿孔H1与半导体基板110的下表面110b相接触,以电性连接至半导体基板110。其中前述背电极层130包含多个第二穿孔H2,各第二穿孔H2分别对应于多个汇流电极140而开设于背电极层130上。于此,各汇流电极140的大小小于各空白区A1的大小,且第二穿孔H2的大小略小于汇流电极140,第二孔洞H2的形状大致上相同于汇流电极140的形状。又,各第二穿孔H2的宽度会大于各第一穿孔H1彼此等距相隔的距离,因此,汇流电极140的宽度W1可大于各第一穿孔H1彼此间相隔的距离。
在本实施例中,汇流电极140可利用网印(Screenprinting)或涂布的方式形成,且多个汇流电极140的材料可为含铝成份的导电胶或含银成份的导电胶。背电极层130可利用网印或涂布的方式形成,但不限于此。因此,多个第二穿孔H2可与背电极层130一同形成于钝化层120上。然本实用新型不以此为限,多个第二穿孔H2亦可于背电极层130形成于钝化层120上后,再通过物理或化学开孔制程开设于背电极层130上。于此,背电极层130的材料可为含铝成份的导电胶或含银成份的导电胶。
在本实施例中,空白区A1内具有背电极层130与多个汇流电极140,且背电极层130的第二穿孔H2与汇流电极140对应设置,由于第二穿孔H2略小于汇流电极140,因此汇流电极140的边缘140c于背电极层130的第二穿孔H2的边缘130c会有局部重叠,即部分背电极层130会叠设于汇流电极140的边缘140c上而与汇流电极140形成电性连接,以使汇流电极140得以汇集来自背电极层130的电流。
在本实施例中,多个第一穿孔H1彼此平行,且各汇流电极140的长度方向是平行于各第一穿孔H1的长度方向,如图3所示。而在另一实施例中,请参阅图4,多个第一穿孔H1彼此平行,而各汇流电极140的长度方向则是垂直于各第一穿孔H1的长度方向。换言之,汇流电极140的长度方向可平行或垂直于第一穿孔H1的长度方向。此外,无论汇流电极140如何设置,其皆位于空白区A1中且无任何第一穿孔H1设置于其下方。
参阅图3。在本实施例中,空白区A1概呈矩形。汇流电极140与空白区A1的周缘于X轴上相隔一第一间距D1,第一间距D1指汇流电极140与空白区A1的X轴上的周缘的最大间距,且于Y轴上相隔一第二间距D2,第二间距D2指汇流电极140与于空白区A1的Y轴上的周缘的最大间距。于此,第一间距D1大致上相等于第二间距D2。然而,本实用新型并不以此为限。
请参阅图5与图6。在本实施例中,空白区A1亦概呈矩形。惟,在图5的实施例中,各汇流电极140在X轴方向上与空白区A1的周缘相隔的第一间距D1大致上是小于在Y轴方向上与空白区A1的周缘相隔的第二间距D2。而在图6的实施例中,各汇流电极140在X轴方向上与空白区A1的周缘相隔的第一间距D1则大致上是大于在Y轴方向上与空白区A1的周缘相隔的第二间距D2。
因此,各汇流电极140在X轴方向上与空白区A1的周缘相隔的第一间距D1是可不相等于各汇流电极140在Y轴方向上与空白区A1的周缘相隔的第二间距D2。
请参阅图7,在本实施例中,空白区A1呈六边形。在图7中,空白区A1具有二个彼此等长且相互平行的长边,以及四个彼此等长且两两相互平行的短边。呈矩形的汇流电极140具有二个彼此等长且相互平行的长边,以及二个彼此等长且相互平行的短边。汇流电极140位于空白区A1的正中央,亦即汇流电极140在Y轴方向上的对称轴线重叠于空白区A1在Y轴方向的对称轴线。图中汇流电极140的长边的长度等于空白区A1的长边的长度,且汇流电极140的长边平行于空白区A1的长边。汇流电极140的短边会与相邻的空白区A1的短边夹一角度,所夹角度大小取决于空白区A1的设计。
请参阅图8,在本实施例中,空白区A1同样呈六边形。在图8中,空白区A1具有四个彼此等长且两两相互平行的长边,以及二个彼此等长且相互平行的短边。呈矩形的汇流电极140具有二个彼此等长且相互平行的长边,以及二个彼此等长且相互平行的短边。汇流电极140位于空白区A1的正中央,亦即汇流电极140在Y轴方向上的对称轴线重叠于空白区A1在Y轴方向的对称轴线。图中汇流电极140的短边的长度小于相邻的空白区A1的短边的长度,且汇流电极140的短边平行于空白区A1的短边。汇流电极140的长边会与相邻的空白区A1的长边夹一角度,所夹角度大小取决于空白区A1的设计。
请参阅图9,在本实施例中,空白区A1呈菱形。如图所示,呈矩形的汇流电极140位于空白区A1的正中央,亦即汇流电极140在Y轴方向上的对称轴线重叠于空白区A1在Y轴方向的对称轴线。
请参阅图10。在本实施例中,空白区A1概呈八边形。如图所示,呈矩形的汇流电极140位于空白区A1的正中央,亦即汇流电极140在Y轴方向上的对称轴线重叠于空白区A1在Y轴方向的对称轴线。
请参阅图11至图13。本实用新型的空白区A1可概呈椭圆形,或其周缘具有部分弧形的例,同样地,呈矩形的汇流电极140位于空白区A1的正中央,亦即汇流电极140在Y轴方向上的对称轴线重叠于空白区A1在Y轴方向的对称轴线。
前述多个空白区A1的大小、形状与各第一穿孔H1于钝化层120上的开设位置、开设长度、方向等等,都可通过蚀刻装置(如激光)进行设定与变化。因此,以上仅概要列举出数种空白区A1的实施例,而非用以限制本实用新型仅能为此些实施例。
根据本实用新型实施的太阳能电池的实施例中,上述的第一间距D1的大小在500微米至1500微米的范围间,较佳为500微米至800微米的范围间,上述的第二间距D2大小在500微米至1500微米之间,较佳为500微米至800微米的范围间,且第一间距D1与第二间距D2可依其空白区A1的设计而有各种变化。
图14为本实用新型另一实施例的太阳能太阳能电池的侧面剖视图,且图14所示是沿图1中的AA剖线切割的侧面剖视图。请参阅图14并搭配参阅图3至图13,本实用新型的另一实施例的太阳能电池100亦包含半导体基板110、钝化层120、背电极层130与多个汇流电极140。其中,钝化层120设置于半导体基板110的下表面110b,且钝化层120包含多个空白区A1与多个第一穿孔H1。
由于本实施例与前述实施例的最大差异在于背电极层130与多个汇流电极140的制程顺序与设置,而其他如半导体基板110、钝化层120、多个空白区A1以及多个第一穿孔H1的形状、结构、设置位置或材质等实施例皆概与前述的实施例相同,故于此不再赘述。以下,兹仅从背电极层130与多个汇流电极140的部分进行说明。
背电极层130设置于钝化层120上,且可经由钝化层120上开设的多个第一穿孔H1与对应于此些第一穿孔H1的半导体基板110的局部背面相接触,进而电性连接于半导体基板110。
背电极层130包含多个第二穿孔H2,且各第二穿孔H2分别对应于钝化层120的各空白区A1而开设于背电极层130。于此,第二穿孔H2的大小小于空白区A1的大小,而仅可露出局部的空白区A1。
在本实施例中,背电极层130可利用网印(Screenprinting)或涂布的方式形成。因此,多个第二穿孔H2可与背电极层130一同形成于钝化层120上。然本实用新型不以此为限,多个第二穿孔H2亦可于背电极层130形成于钝化层120上后,再通过物理或化学开孔制程开设于背电极层130上。于此,背电极层130的材料可为含铝成份的导电胶或含银成份的导电胶。
于背电极层130设置于钝化层120上后,多个汇流电极140便可个别对应于背电极层130上的各第二穿孔H2设置于其中,并与背电极层130电性连接。于此,为了使各汇流电极140确实与背电极层130相接触以彼此电性连接,在各汇流电极140对应于各第二穿孔H2设置时,各汇流电极140的边缘140c于背电极层130的各第二穿孔H2的边缘130c会有局部重叠以确实相互接触,如图14所示。换言之,在本实施例中,各第二穿孔H2的大小是略小于各汇流电极140的大小,且各汇流电极140的边缘140c会叠设于背电极层130的各第二穿孔H2的边缘130c上,以与背电极层130形成电性连接而可汇集来自背电极层130的电流。
于此,汇流电极140可利用网印(Screenprinting)或涂布的方式形成,且多个汇流电极140的材料可为含铝成份的导电胶或含银成份的导电胶,但不限于此。
由于多个汇流电极140是分别对应于各第二穿孔H2设置,且各第二穿孔H2又对应于各空白区A1设置,因此,在本实施例中,各汇流电极140下的钝化层120亦不会出现任何第一穿孔H1。
此外,各汇流电极140于钝化层120上的投影,即汇流电极140的边缘在X轴方向上与对应的空白区A1的边缘相隔一第一间距D1,且可于Y轴方向上与对应的空白区A1的的边缘相隔一第二间距D2。其中,第一间距D1可相等于第二间距D2,如图3或图4所示。然而,本实用新型不以此为限,第一间距D1亦可不相等于第二间距D2,如图5或图6所示。
因此,在本实施例中,上述的第一间距D1的大小在500微米至1500微米的范围间,较佳为500微米至800微米的范围间,上述的第二间距D2大小在500微米至1500微米之间,较佳为500微米至800微米的范围间,且第一间距D1与第二间距D2可依其空白区A1的设计(可参阅图5至图13)而有各种变化。
综上所述,根据本实用新型实施的太阳能电池,通过在钝化层上对应多个汇流电极设置多个空白区的技术方案,使得多个汇流电极下的钝化层不会出现第一穿孔,致使多个汇流电极与钝化层之间的接触压力得以平均,而不易发生翘曲。此外,保留多个空白区更适度减少了第一穿孔的分布数量(或面积),而改善了太阳能电池的转换效率,并提升太阳能电池的整体机械强度。
本实用新型的技术内容已以较佳实施例揭示如上述,然其并非用限定本实用新型,任何熟悉此技艺者,在不脱离本实用新型的精神所做些许的更动与润饰,皆应涵盖余本实用新型的范畴内,因此本实用新型的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。

Claims (18)

1.一种太阳能电池,其特征在于,包含:
一半导体基板,具有一上表面与相对于该上表面的一下表面;
一钝化层,设置于该下表面,该钝化层包含多个空白区与多个第一穿孔,其中各该第一穿孔不通过该多个空白区;
多个汇流电极,分别对应设置于该钝化层的各该空白区上;以及
一背电极层,设置于该钝化层上,并经由该多个第一穿孔电性连接该半导体基板,该背电极层包含多个第二穿孔,该多个第二穿孔个别对应各该汇流电极设置,且各该第二穿孔不大于各该汇流电极以使该背电极层与该多个汇流电极电性连接。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,各该汇流电极的宽度大于相邻的二该第一穿孔间的距离。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,各该汇流电极于X轴方向上与对应的该空白区的周缘相隔一第一间距,且各该汇流电极于Y轴方向上与对应的该空白区的周缘相隔一第二间距。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池,其特征在于,该第一间距在500微米至1500微米的范围间。
5.根据权利要求3所述的太阳能电池,其特征在于,该第二间距在500微米至1500微米的范围间。
6.根据权利要求1至5其中任一项所述的太阳能电池,其特征在于,该多个第一穿孔彼此平行,且该多个汇流电极的长度方向与该多个第一穿孔的长度方向平行。
7.根据权利要求1至5其中任一项所述的太阳能电池,其特征在于,该多个第一穿孔彼此平行,且该多个汇流电极的长度方向与该多个第一穿孔的长度方向垂直。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,该多个空白区为矩形、菱形、椭圆形、六边形、八边形及其组合。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,该汇流电极的边缘与该第二穿孔边缘的该背电极层重叠。
10.一种太阳能电池,其特征在于,包含:
一半导体基板,具有一上表面与相对于该上表面的一下表面;
一钝化层,设置于该下表面,该钝化层包含多个空白区与多个第一穿孔,其中各该第一穿孔不通过该多个空白区;
一背电极层,设置于该钝化层上,并经由该多个第一穿孔电性连接该半导体基板,该背电极层包含多个第二穿孔,该多个第二穿孔个别对应各该空白区设置;以及
多个汇流电极,该汇流电极个别对应于各该第二穿孔设置,且与该背电极层电性连接。
11.根据权利要求10所述的太阳能电池,其特征在于,各该汇流电极的宽度大于相邻的二该第一穿孔间的距离。
12.根据权利要求10所述的太阳能电池,其特征在于,各该汇流电极于该钝化层上的投影于X轴方向上与对应的该空白区的周缘相隔一第一间距,且各该汇流电极于该钝化层上的投影于Y轴方向上与对应的该空白区的周缘相隔一第二间距。
13.根据权利要求12所述的太阳能电池,其特征在于,该第一间距在500微米至1500微米的范围间。
14.根据权利要求12所述的太阳能电池,其特征在于,该第二间距在500微米至1500微米的范围间。
15.根据权利要求10至14其中任一项所述的太阳能电池,其特征在于,该多个第一穿孔彼此平行,且该多个汇流电极的长度方向与该多个第一穿孔的长度方向平行。
16.根据权利要求10至14其中任一项所述的太阳能电池,其特征在于,该多个第一穿孔彼此平行,且该多个汇流电极的长度方向与该多个第一穿孔的长度方向垂直。
17.根据权利要求10所述的太阳能电池,其特征在于,该多个空白区为矩形、菱形、椭圆形、六边形、八边形及其组合。
18.根据权利要求10所述的太阳能电池,其特征在于,该汇流电极的边缘叠设于该第二穿孔边缘的该背电极层上。
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