CN204834217U - 抗雷击波的陶瓷热敏电阻器 - Google Patents

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何正安
汪鹰
孙振华
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Jiangsu Xinlingzhi Electronic Technology Co., Ltd.
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CHANGSHU LINZHI ELECTRONICS Co Ltd
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Abstract

本实用新型公开了一种抗雷击波的陶瓷热敏电阻器，包括基片、基片两侧的电极层、与电极层焊接的引脚，还包括第一包封层和第二包封层，所述第一包封层将基片、电极层和引脚的焊接端完全覆盖，所述第二包封层完全覆盖第一包封层，所述第一包封层材质为有机硅弹塑性包封料，所述第二包封层材质为有机硅树脂包封料。该热敏电阻器具有抗高电压、大电流的能力。

Description

抗雷击波的陶瓷热敏电阻器
技术领域
本实用新型涉及一种陶瓷电阻器，特别是涉及一种抗雷击波的陶瓷热敏电阻器。
背景技术
陶瓷热敏电阻器已广泛应用于通信、计算机、汽车、工业控制、电子等众多领域，随着应用领域的迅速发展，对陶瓷热敏电阻器的性能要求也越来越高，目前，在国内电信的雷击增强2～4KV防护技术中，所用陶瓷热敏电阻器必须具有以下性能：
耐雷击电压性能：雷击2～4KV，波形10/700μs，RS＝40Ω，间隔时间60s，10次，测试中不会发生冒烟、明火、闪络、爆炸、碎裂等不安全现象，复测电阻R25，|(R2-R1)/R1|＜20％；R1：测试前的电阻值、R2：测试后的电阻值。
在陶瓷热敏电阻器制造行业中，通常在热敏电阻器外面进行有机硅绝缘材料进行包封，可通过雷击1KV，波形10/700μs，RS＝40Ω，间隔时间60s，10次，情况下无冒烟、明火、闪络、爆炸、碎裂等不安全现象的电性能。但却无法通过在雷击2～4KV，波形10/700μs，RS＝40Ω，间隔时间60s，10次，情况下不会发生冒烟、明火、闪络、爆炸、碎裂等不安全现象的电性能。
实用新型内容
针对上述现有技术的不足，本实用新型的目的是提供一种抗雷击波的陶瓷热敏电阻器，解决抗雷击波性能不足的问题。
本实用新型的技术方案是这样的：抗雷击波的陶瓷热敏电阻器，包括基片、基片两侧的电极层、与电极层焊接的引脚，还包括第一包封层和第二包封层，所述第一包封层将基片、电极层和引脚的焊接端完全覆盖，所述第二包封层完全覆盖第一包封层，所述第一包封层材质为有机硅弹塑性包封料，所述第二包封层材质为有机硅树脂包封料。
进一步的，所述第一包封层厚度为基片厚度的20～30％。
进一步的，所述第二包封层厚度为第一包封层厚度的150～200％。
本实用新型所提供的技术方案的优点在于，采用特定厚度的有机硅弹塑性包封料作为第一包封层使热敏电阻器在通电发热瞬间使其本体有足够的膨胀弹性空间，避免了因膨胀因素而造成的瓷体碎裂现象。通过第二层包封层的媒介，最终建立了热敏电阻器发热和散热的热平衡状态，从而增强了热敏电阻器的抗高电压、大电流的能力。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图。
具体实施方式
下面结合实施例对本实用新型作进一步说明，但不作为对本实用新型的限定。
请参见图1，本实用新型所涉及的抗雷击波的陶瓷热敏电阻器包括PTC基片1、在基片1二侧通过真空溅射金属膜形成电极层2，通过自动焊接将金属引脚3与PTC电极层2间焊接形成焊接点，再在焊接点外包封二层包封料，第一包封层4用DC1-2577有机硅弹塑性包封料将基片1、电极层2和引脚3的焊接端完全覆盖，第二包封层5用耐高温有机硅树脂包封料完全覆盖第一包封层4。
实施例1的生产过程为配料→湿法球磨→预烧→二次湿法球磨→制粒→成型→烧结→清洗烘干→真空溅射→阻值分选→引线自动焊接→清洗烘干。浸涂DC1-2577有机硅弹塑性包封料并固化，再浸涂用耐高温有机硅树脂包封料并固化。基片1尺寸外圆Φ7mm，厚度2.4mm，第一包封层4厚度0.72mm，第二包封层5厚度1.1mm。
实施例2的生产过程同实施例1。基片1尺寸外圆Φ8mm，厚度3mm，第一包封层4厚度0.6mm，第二包封层5厚度1.2mm。
实施例3的生产过程同实施例1。基片1尺寸外圆Φ8.75mm，厚度3mm，第一包封层4厚度0.75mm，第二包封层5厚度1.4mm。
三个实施例所得的产品在进行耐雷击电压4KV，10/700uS波形，RS＝40Ω，间隔时间60s，10次，条件下测试时无冒烟、明火、闪络、爆炸、碎裂等不安全现象，且其余性能都通过相关技术要求。

Claims (3)

1.一种抗雷击波的陶瓷热敏电阻器，包括基片(1)、基片(1)两侧的电极层(2)、与电极层(2)焊接的引脚(3)，其特征在于：包括第一包封层(4)和第二包封层(5)，所述第一包封层(4)将基片(1)、电极层(2)和引脚(3)的焊接端完全覆盖，所述第二包封层(5)完全覆盖第一包封层(1)，所述第一包封层(4)材质为有机硅弹塑性包封料，所述第二包封层(5)材质为有机硅树脂包封料。
2.根据权利要求1所述的抗雷击波的陶瓷热敏电阻器，其特征在于：所述第一包封层(4)厚度为基片(1)厚度的20～30％。
3.根据权利要求1所述的抗雷击波的陶瓷热敏电阻器，其特征在于：所述第二包封层(5)厚度为第一包封层(4)厚度的150～200％。
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C14 Grant of patent or utility model
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TR01 Transfer of patent right

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Address after: 223900 No. 5 workshop of Sihong Economic Development Zone, Suqian City, Jiangsu Province

Patentee after: Jiangsu Xinlingzhi Electronic Technology Co., Ltd.

Address before: 215500 Tonglin Road, High-tech Park, Changshu Economic Development Zone, Suzhou City, Jiangsu Province, 88

Patentee before: Changshu Linzhi Electronics Co., Ltd.

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