CN204666118U - 一种半导体用金属基板厚度测量仪 - Google Patents

一种半导体用金属基板厚度测量仪 Download PDF

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Abstract

本实用新型涉及一种半导体用金属基板厚度测量仪。其包括:下部支座,其沿着竖直框架升降;上部加压台,其在所述下部支座的上部,沿着竖直框架进行升降;测量部,其包括下部接触尖端和上部接触尖端,测量所述下部接触尖端上端与上部接触尖端下端之间的距离;如果被测量体位于所述下部支座与上部加压台之间,那么,下部接触尖端与上部接触尖端接触被测量体的上下面,测量部测量距离。它能够迅速、精密地测量半导体金属基板的多地点厚度,能够在半导体用金属基板生产后的全数或抽样尺寸检查工序中,迅速、正确地测量平板的一个地点的厚度,在其它地点的厚度测量过程中,能够容易、迅速地移动位置。

Description

一种半导体用金属基板厚度测量仪
技术领域
本实用新型涉及一种在通常具有0.5~10mm范围的设计厚度并在平板全部地点要求微米单位的精密度的半导体用金属基板厚度测量仪。
背景技术
公开专利特1996-0028718号提供了一种基板厚度测量装置,具备:传送机框架,其由相互相向的上部及下部水平构件和相互连接它们的竖直构件构成;弹簧,其一端固定于所述上部水平构件的底面;基板固定用板,其安装于所述上下部水平构件之间,所述弹簧的另一端固定于上面;支撑基座,其提供有支撑印刷电路基板的底面的多个支撑销,能够使所述印刷电路基板相对于所述基板固定用板的底面而上升、贴紧;缸,其使所述支撑基座上升运动既定高度;及距离感知传感器,其安装于所述上部水平构件的上部一侧,能够向配置于所述支撑销与所述基板固定用板之间的印刷电路基板的上部照射激光束并测量距离;使得能够根据印刷电路基板的厚度而调节贴装机头部的下降距离。
在半导体领域,散热特性优于原有塑料材质PCB基板的金属(特别是铝)基板的使用呈增加趋势,由于在半导体基板特性上,在5~30cm级别平面的全部地点中,厚度允许误差应在数微米以内,因此在厚度加工后,要求在金属平板上的基板的多地点进行精密厚度测量,但由于平板的弯曲等,在各地点进行精密检测厚度方面存在困难。
实用新型内容
(要解决的技术问题)
本实用新型旨在提供一种半导体用金属基板厚度测量仪,能够迅速、精密地测量例如横向纵向5~30cm左右、厚度0.5~10mm范围级别的半导体金属基板的多地 点(例如6~8点)厚度。
本实用新型旨在提供一种半导体用金属基板厚度测量仪,能够在半导体用金属基板生产后的全数或抽样尺寸检查工序中,迅速、正确地测量平板的一个地点的厚度,在其它地点的厚度测量过程中,能够容易、迅速地移动位置。
(解决问题的手段)
一种半导体用金属基板厚度测量仪,其特征在于,包括:
下部支座,其沿着竖直框架升降;
上部加压台,其在所述下部支座的上部,沿着竖直框架进行升降;
测量部,其包括下部接触尖端和上部接触尖端,测量所述下部接触尖端上端与上部接触尖端下端之间的距离;
如果被测量体位于所述下部支座与上部加压台之间,那么,下部接触尖端与上部接触尖端接触被测量体的上下面,测量部测量距离。
竖直框架,其在下部的底座上向上直立地形成;
第1下部升降块,其位于所述竖直框架的下部前方,借助于第1空压驱动部而沿第1导轨升降;
所述下部支座上形成有下部接触尖端通过槽,所述下部支座加装于所述第1下部升降块的前方,支撑所述被测量体的下面;
第2上部升降块,其位于所述竖直框架的上部前方,借助于第2空压驱动部而沿第2导轨升降,所述第2导轨竖直设置于竖直框架上;
上部加压台,其形成有上部接触尖端通过槽,加装于所述第2上部升降块的前方,加压把持所述被测量体的上面;
第2竖直框架,其在所述底座上向上直立地形成,
第3导轨,其竖直设置于第2竖直框架上;
测量部升降块,其在搭载所述测量部的状态下,借助于第3空压驱动部而沿着第3导轨升降;
上部接触尖端升降部,其由固定于所述测量部升降块并与所述测量部升降块一同一体移动的第4空压驱动部、借助于所述第4空压驱动部而升降并使所述上部接触尖 端升降的上部接触尖端把持部构成。
(实用新型的效果)
根据本实用新型,提供一种半导体用金属基板厚度测量仪,能够迅速、精密地测量例如横向纵向5~30cm左右、厚度0.5~10mm范围级别的半导体金属基板的多地点(例如6~8点)厚度。
根据本实用新型,提供了一种半导体用金属基板厚度测量仪,能够在半导体用金属基板生产后的全数或抽样尺寸检查工序中,迅速、正确地测量平板的一个地点的厚度,在其它地点的厚度测量过程中,能够容易、迅速地移动位置。
附图说明
图1是本实用新型一个实施例的半导体用金属基板厚度测量仪整体立体图。
图2是本实用新型一个实施例的半导体用金属基板厚度测量仪立体图。
图3是本实用新型一个实施例的半导体用金属基板厚度测量仪主视图。
图4是本实用新型一个实施例的半导体用金属基板厚度测量仪侧视图。
图5(a,b,c)是本实用新型一个实施例的半导体用金属基板厚度测量仪运转状态图(初始位置、下部支座及上部加压板加压状态、下部接触尖端及上部接触尖端接触状态)。
图6是显示本实用新型一个实施例的半导体用金属基板的测量地点的构成图。
<符号说明>
B:底座                      10:竖直框架
20:第1下部升降块                 21:第1空压驱动部
30:下部支座                         40:第2上部升降块
41:第2空压驱动部                     50:上部加压台
60:测量部                              P1:下部接触尖端
P2:上部接触尖端                         70:测量部升降块
71:测量部升降块                    80:上部接触尖端升降部
81:第4空压驱动部                    85:上部接触尖端把持部
90:三自由度移送部
具体实施方式
下面对本实用新型一个实施例的半导体用金属基板厚度测量仪及测量方法进行详细说明。图1是本实用新型一个实施例的半导体用金属基板厚度测量仪整体立体图,图2是本实用新型一个实施例的半导体用金属基板厚度测量仪立体图,图3是本实用新型一个实施例的半导体用金属基板厚度测量仪主视图,图4是本实用新型一个实施例的半导体用金属基板厚度测量仪侧视图,图5(a,b,c)是本实用新型一个实施例的半导体用金属基板厚度测量仪运转状态图,图6是显示本实用新型一个实施例的半导体用金属基板的测量地点的构成图。
如图1至图4所示,本实用新型一个实施例的半导体用金属基板厚度测量仪包括:下部支座30,其沿着竖直框架10升降;上部加压台50,其在所述下部支座30的上部,沿着竖直框架10进行升降;测量部60,其包括下部接触尖端P1和上部接触尖端P2,测量所述下部接触尖端P1上端与上部接触尖端P2下端之间的距离;如果被测量体位于所述下部支座30与上部加压台50之间,那么,下部接触尖端P1与上部接触尖端P2接触被测量体的上下面,测量部60测量距离。
优选的,本实用新型的半导体用金属基板厚度测量仪还包括:
竖直框架10,其在下部的底座B上向上直立地形成;
第1下部升降块20,其位于所述竖直框架10的下部前方,借助于第1空压驱动部21而沿第1导轨R1升降;
所述下部支座30上形成有下部接触尖端通过槽30a,所述下部支座30加装于所述第1下部升降块20的前方,支撑所述被测量体S的下面;
第2上部升降块40,其位于所述竖直框架10的上部前方,借助于第2空压驱动部41而沿第2导轨升降,所述第2导轨竖直设置于竖直框架10上;
上部加压台50,其形成有上部接触尖端通过槽50a,加装于所述第2上部升降块40的前方,加压把持所述被测量体S的上面;
第2竖直框架15,其在所述底座B上向上直立地形成,
第3导轨R3,其竖直设置于第2竖直框架15上;
测量部升降块70,其在搭载所述测量部60的状态下,借助于第3空压驱动部71而沿着第3导轨R3升降;
上部接触尖端升降部80,其由固定于所述测量部升降块70并与所述测量部升降块70一同一体移动的第4空压驱动部81、借助于所述第4空压驱动部81而升降并使所述上部接触尖端P2升降的上部接触尖端把持部85构成。
如图1所示,优选的,本实用新型一个实施例的半导体用金属基板厚度测量仪还包括使被测量体S位于所述下部支座30的上面与所述上部加压台50下面之间的三自由度移送部90;所述三自由度移送部90包括:横向轨91-R,其横向安装于所述底座B上;横向往复块91-B,其沿所述横向轨91-R横向移动;纵向轨93-R,其在所述横向往复块91-B的上面并与横向垂直地安装;纵向往复块93-B,其沿所述纵向轨93-R纵向移动;旋转支撑件95-R,其利用轴承B1可旋转地直立向上安装于纵向往复块93-B上;被测量体支撑板95-B,其搭载于所述旋转支撑件95-R的上部。
如图1至图4所示,就本实用新型一个实施例的半导体用金属基板厚度测量仪而言,优选所述竖直框架10与第2竖直框架15相互平行地在底座B上向上直立地形成且所述第2竖直框架15位于所述竖直框架10后方;所述测量部升降块70包括:竖直主体部70a,其沿第2竖直框架15升降;下部接触尖端安放部70b,其经过所述竖直框架10和第1下部升降块通过槽20a,从所述竖直主体部70a的下部向前方凸出。
如图1至图4所示,就本实用新型一个实施例的半导体用金属基板厚度测量仪而言,优选在所述竖直框架10或第2竖直框架15之一上,向前方形成有支撑棱14;所述支撑棱14和下部接触尖端安放部70b的下部之间设置为下部接触尖端安放部70b提供复原力的复原弹簧S1。
如图5(a,b,c)和图6所示,本实用新型一个实施例的半导体用金属基板厚度测量方法包括被测量体供应步骤S10、下面支撑步骤S20、上面加压步骤S30、测量及示出步骤S60和初始复位步骤S70。在被测量体供应步骤S10中,被测量体S位于下部支座30与上部加压台50之间。在被测量体供应步骤S10中,位于竖直框架10的下 部前方的第1下部升降块20借助于第1空压驱动部21而沿第1导轨R1上升,形成有下部接触尖端通过槽30a并加装于所述第1下部升降块20前方的下部支座30上升,支撑所述被测量体S的下面。
在上面加压步骤S30中,位于竖直框架10上部前方的第2上部升降块40借助于第2空压驱动部41而沿第2导轨下降,形成有上部接触尖端通过槽50a并加装于所述第2上部升降块40前方的上部加压台50加压把持被测量体S的上面。在下部尖端接触步骤S40中,在搭载测量部60的状态下,测量部升降块70借助于第3空压驱动部71而沿着第3导轨R3,沿在所述底座B上向上直立地形成的第2竖直框架15上升,下部接触尖端P1接触被测量体S的下面。
在上部尖端接触步骤S50中,借助固定于测量部升降块40并与所述测量部升降块40一同一体移动的第4空压驱动部81,上部接触尖端把持部85使所述上部接触尖端P2下降,上部接触尖端P2接触被测量体S的测量地点100上面。在测量及示出步骤S60中,所述测量部60通过显示部D,示出所述下部接触尖端P1与上部接触尖端P2之间的距离。在初始复位步骤S70中,下部支座30、上部加压台50、下部接触尖端P1及上部接触尖端P2恢复初始位置。
本实用新型就上述提及的优选实施例进行了说明,但本实用新型的范围并非限定于这种实施例,本实用新型的范围根据以下权利要求书确定,包括属于与本实用新型均等范围的多种修改及变形。
需要指出的是,以下权利要求书中记载的附图标号单纯用于辅助实用新型的理解,不影响权利范围的解释,不得根据记载的附图标号缩窄解释权利范围。

Claims (5)

1.一种半导体用金属基板厚度测量仪,其特征在于,包括:
下部支座(30),其沿着竖直框架(10)升降;
上部加压台(50),其在所述下部支座(30)的上部,沿着竖直框架(10)进行升降;
测量部(60),其包括下部接触尖端(P1)和上部接触尖端(P2),测量所述下部接触尖端(P1)上端与上部接触尖端(P2)下端之间的距离;
如果被测量体位于所述下部支座(30)与上部加压台(50)之间,那么,下部接触尖端(P1)与上部接触尖端(P2)接触被测量体的上下面,测量部(60)测量距离。
2.根据权利要求1所述的半导体用金属基板厚度测量仪,其特征在于,还包括:
竖直框架(10),其在下部的底座(B)上向上直立地形成;
第1下部升降块(20),其位于所述竖直框架(10)的下部前方,借助于第1空压驱动部(21)而沿第1导轨(R1)升降;
所述下部支座(30)上形成有下部接触尖端通过槽(30a),所述下部支座(30)加装于所述第1下部升降块(20)的前方,支撑所述被测量体(S)的下面;
第2上部升降块(40),其位于所述竖直框架(10)的上部前方,借助于第2空压驱动部(41)而沿第2导轨升降,所述第2导轨竖直设置于竖直框架(10)上;
上部加压台(50),其形成有上部接触尖端通过槽(50a),加装于所述第2上部升降块(40)的前方,加压把持所述被测量体(S)的上面;
第2竖直框架(15),其在所述底座(B)上向上直立地形成,
第3导轨(R3),其竖直设置于第2竖直框架(15)上;
测量部升降块(70),其在搭载所述测量部(60)的状态下,借助于第3空压驱动部(71)而沿着第3导轨(R3)升降;
上部接触尖端升降部(80),其由固定于所述测量部升降块(70)并与所述测量部升降块(70)一同一体移动的第4空压驱动部(81)、借助于所述第4空压驱动部(81)而升降并使所述上部接触尖端(P2)升降的上部接触尖端把持部(85)构成。
3.根据权利要求2所述的半导体用金属基板厚度测量仪,其特征在于,
还包括使被测量体(S)位于所述下部支座(30)的上面与所述上部加压台(50)下面之间的三自由度移送部(90);
所述三自由度移送部(90)包括:
横向轨(91-R),其横向安装于所述底座(B)上;
横向往复块(91-B),其沿所述横向轨(91-R)横向移动;
纵向轨(93-R),其在所述横向往复块(91-B)的上面并与横向垂直地安装;
纵向往复块(93-B),其沿所述纵向轨(93-R)纵向移动;
旋转支撑件(95-R),其利用轴承(B1)可旋转地直立向上安装于纵向往复块(93-B)上;
被测量体支撑板(95-B),其搭载于所述旋转支撑件(95-R)的上部。
4.根据权利要求2所述的半导体用金属基板厚度测量仪,其特征在于,
所述竖直框架(10)与第2竖直框架(15)相互平行地在底座(B)上向上直立地形成且所述第2竖直框架(15)位于所述竖直框架(10)后方;
所述测量部升降块(70)包括:
竖直主体部(70a),其沿第2竖直框架(15)升降;
下部接触尖端安放部(70b),其经过所述竖直框架(10)和第1下部升降块通过槽(20a),从所述竖直主体部(70a)的下部向前方凸出。
5.根据权利要求4所述的半导体用金属基板厚度测量仪,其特征在于,
在所述竖直框架(10)或第2竖直框架(15)之一上,向前方形成有支撑棱(14);
所述支撑棱(14)和下部接触尖端安放部(70b)的下部之间设置为下部接触尖端安放部(70b)提供复原力的复原弹簧(S1)。
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