CN204577782U - 低驻波同轴连接器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种低驻波同轴连接器。它包括内导体和外导体以及绝缘子，外导体具有等径的通孔，通孔内的中段设置有位于外导体内壁上的两组倒刺，每组倒刺设置有多个且位于外导体内壁的同一径向位置，两组倒刺相对设置并形成用于安置绝缘子的定位槽，绝缘子安置在两组倒刺之间的定位槽内，内导体上的表面上至少设置有两阶锥台，两阶锥台的倾斜角度方向均设置为从绝缘子的装入方向上倾斜角度逐渐增大并使得绝缘子能够由两阶锥台的后端面限位，锥台的外表面具有沿圆周方向分布的直纹。采用上述的结构后，结构简单合理，外导体内腔基本一致，内孔直径变化小，提高了驻波性能，具有内导体及绝缘子轴向不窜动，径向不旋转等特点。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种射频同轴连接器结构，具体是一种低驻波同轴连接器，属于微波通讯器件技术领域。
背景技术
普通的射频同轴连接器一般由外导体、内导体、绝缘子等部分组成，外导体内腔中有直径大小不同的多个台阶，绝缘子安装在直径较大的台阶孔中，避免了绝缘子轴向移动；这种结构导致直径变化处产生电容，影响了产品驻波性能。
发明内容
本实用新型所解决的技术问题是，提供一种结构简单合理，内孔直径变化小，驻波性能好的低驻波同轴连接器。
为了解决上述技术问题，本实用新型的低驻波同轴连接器，包括内导体和外导体以及位于内导体和外导体之间的绝缘子，外导体具有等径的通孔，通孔内的中段设置有位于外导体内壁上的两组倒刺，每组倒刺设置有多个且位于外导体内壁的同一径向位置，两组倒刺相对设置并形成用于安置绝缘子的定位槽，绝缘子安置在两组倒刺之间的定位槽内，内导体上的表面上至少设置有两阶锥台，两阶锥台的倾斜角度方向均设置为从绝缘子的装入方向上倾斜角度逐渐增大并使得绝缘子能够由两阶锥台的后端面限位，锥台的外表面具有沿圆周方向分布的直纹。
所述绝缘子的外表面上设置有密封圈槽，所述密封圈槽内安置有位于绝缘子与外导体内壁之间的一号密封圈，所述内导体的两阶锥台之间形成环槽，所述环槽内安置有位于内导体和绝缘子之间的二号密封圈。
采用上述的结构后，由于外导体具有等径的通孔，外导体上设置有两节相对的倒刺之间有一定的距离用于安置绝缘子，使得结构简单合理，外导体内腔基本一致，内孔直径变化小，提高了驻波性能，同时锥台的外表面具有沿圆周方向分布的直纹，使其具有内导体及绝缘子轴向不窜动，径向不旋转等特点。
附图说明
图1为本实用新型低驻波同轴连接器的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式，对本实用新型的低驻波同轴连接器作进一步详细说明。
如图所示，本实用新型的低驻波同轴连接器，包括内导体1和外导体2以及位于内导体和外导体之间的绝缘子3，外导体2具有等径的通孔，通孔内的中段设置有位于外导体内壁上的两组倒刺4，每组倒刺4设置有多个且位于外导体内壁的同一径向位置，两组倒刺4相对设置并形成用于安置绝缘子的定位槽，绝缘子3安置在两组倒刺之间的定位槽内，安装时，绝缘子3从外导体2一端顺着一节倒刺方向压进后，将会在第二节倒刺处被卡住，绝缘子为较软的PTFE材质，其会膨胀卡会在第一节倒刺上，其作用防止了绝缘子旋转；因倒刺高度很小，长度很短，其产生的电容相对于原先直径大小不一的台阶所产生的电容较小，因此在7.5GHz频率范围内其驻波较低；内导体上1的表面上至少设置有两阶锥台，两阶锥台的倾斜角度方向均设置为从绝缘子的装入方向上倾斜角度逐渐增大并使得绝缘子能够由两阶锥台的后端面限位，锥台的外表面具有沿圆周方向分布的直纹，防止内导体旋转。
进一步地，绝缘子3的外表面上设置有密封圈槽，密封圈槽内安置有位于绝缘子3与外导体2内壁之间的一号密封圈5，内导体1的两阶锥台之间形成环槽，环槽内安置有位于内导体1和绝缘子3之间的二号密封圈6，起到防水和气密作用，由此可见，本实用新型的结构具有驻波性能好、内导体及绝缘子轴向不窜动，径向不旋转以及防水防漏气等多种优点。
Claims (2)
1.一种低驻波同轴连接器，包括内导体（1）和外导体（2）以及位于内导体和外导体之间的绝缘子（3），其特征在于：所述外导体（2）具有等径的通孔，通孔内的中段设置有位于外导体内壁上的两组倒刺（4），每组倒刺（4）设置有多个且位于外导体内壁的同一径向位置，所述两组倒刺（4）相对设置并形成用于安置绝缘子的定位槽，所述绝缘子（3）安置在两组倒刺之间的定位槽内，所述内导体上（1）的表面上至少设置有两阶锥台，所述两阶锥台的倾斜角度方向均设置为从绝缘子的装入方向上倾斜角度逐渐增大并使得绝缘子能够由两阶锥台的后端面限位，所述锥台的外表面具有沿圆周方向分布的直纹。
2.按照权利要求1所述的低驻波同轴连接器，其特征在于：所述绝缘子（3）的外表面上设置有密封圈槽，所述密封圈槽内安置有位于绝缘子（3）与外导体（2）内壁之间的一号密封圈（5），所述内导体（1）的两阶锥台之间形成环槽，所述环槽内安置有位于内导体（1）和绝缘子（3）之间的二号密封圈（6）。
Priority Applications (1)
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| CN201520136671.0U CN204577782U (zh) | 2015-03-11 | 2015-03-11 | 低驻波同轴连接器 |
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| CN201520136671.0U CN204577782U (zh) | 2015-03-11 | 2015-03-11 | 低驻波同轴连接器 |
Publications (1)
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| CN204577782U true CN204577782U (zh) | 2015-08-19 |
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| CN (1) | CN204577782U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105281114A (zh) * | 2015-11-18 | 2016-01-27 | 镇江华坚电子有限公司 | 一种气密性din型连接器结构 |
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2015
- 2015-03-11 CN CN201520136671.0U patent/CN204577782U/zh not_active Expired - Fee Related
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Legal Events
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| C14 | Grant of patent or utility model | ||
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Granted publication date: 20150819 Termination date: 20200311 |
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