CN204288069U - 一种服务器内存 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种服务器内存，包括：电子线路板；设于所述电子线路板并通过所述板上线路连接的存储芯片模块、读写错误纠正模块及模式寄存器模块，从而克服现有技术的缺陷。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体制造技术领域，特别是涉及一种服务器内存。
背景技术
传统的内存主要作用在于加大运行缓存，提高电脑整体运行速度。2:但由于传统内存的制造工艺水平较低、内存功耗较大、容量小、没有读写错误纠正功能等缺陷很难满足一些大型服务器的使用要求。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种服务器内存，解决上述现有技术中服务器内存测试系统缺乏的问题。
为实现上述目标及其他相关目标，本实用新型提供一种服务器内存，包括：电子线路板；设于所述电子线路板并通过所述板上线路连接的存储芯片模块、读写错误纠正模块、EPROM及模式寄存器模块。
可选的，所述服务器内存还包括金手指，所述金手指中的部分对应典型连接所述读写错误纠正模块及模式寄存器模块。
可选的，所述读写错误纠正模块为2个，分别设于所述电子线路板的正面及反面。
可选的，所述模式寄存器模块设于所述电子线路板的正面。
可选的，所述电子线路板上各存储芯片模块的分布采用并排排列方式。
可选的，所述服务器内存为8GB存储容量。
如上所述，本实用新型提供一种服务器内存，包括：电子线路板；设于所述电子线路板并通过所述板上线路连接的存储芯片模块、读写错误纠正模块、EPROM及模式寄存器模块，从而克服现有技术的缺陷。
附图说明
图1显示为本实用新型的服务器内存的结构示意图。
元件标号说明：
1-服务器内存；
11-电子线路板；
12-存储芯片模块；
13-读写错误纠正模块；
14-模式寄存器模块；
15-金手指；
16-EPROM。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本实用新型的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点与功效。本实用新型还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本实用新型的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
如图1所示，本实用新型提供一种服务器内存1，包括：电子线路板11，即电路板，内存的电路板一般分为宽板及窄板；设于所述电子线路板11并通过所述板上线路连接的存储芯片模块12、读写错误纠正模块13（例如图示的ECC）、EPROM（可擦写可编程只读存储器，即Erasable Programmable Read-Only Memory）及模式寄存器模块14（例如图示的REG）。优选的，所述服务器内存1为8GB存储容量。
在一实施例中，所述服务器内存1还包括金手指15，所述金手指15中的部分对应典型连接所述读写错误纠正模块13及模式寄存器模块14。
在一实施例中，所述读写错误纠正模块13为2个，分别设于所述电子线路板11的正面及反面，当然在其他实施例中，亦可只设一个，但对于双面的内存而言，每个读写错误纠正模块13分别对应同一面的存储芯片模块12。
在一实施例中，所述模式寄存器模块14设于所述电子线路板11的正面。
具体的，优选的，本实用新型中还有改进点：
1：如图1所示，存储器芯片模块12即内存颗粒的分布采用并排排列方式，对8GB相对较小容量的内存来说，使得布线更加便捷，外观更加美观。
2：基于29纳米制成技术的DDR3 DRAM动态随机存取存储器颗粒,单个颗粒容量达到4Gb，工作电压稳定在1.35V,为当今世界技术最为领先的DRAM颗粒之一。
3：相对于一般只能检查错误的奇偶校验技术，服务器内存采用模式寄存控制芯片及ECC错误检查及纠正技术。它新增了错误纠正的功能，使得数据在读写错误的情况下能够自我纠正，确保服务器的正常运行。
4：另外相对于一般内存1~2物理Rank,新研发的服务器内存采用4物理Rank，使得服务器内存的工作的可控性更为强大并且与外部设备通信的更为快速。
综上所述，本实用新型提供一种服务器内存，包括：电子线路板；设于所述电子线路板并通过所述板上线路连接的存储芯片模块、读写错误纠正模块、EPROM及模式寄存器模块，从而克服现有技术的缺陷。
上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功效，而非用于限制本实用新型。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本实用新型的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本实用新型所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本实用新型的权利要求所涵盖。
Claims (6)
1.一种服务器内存，其特征在于，包括：
电子线路板；
设于所述电子线路板并通过所述板上线路连接的存储芯片模块、读写错误纠正模块、EPROM及模式寄存器模块。
2.根据权利要求1所述的服务器内存，其特征在于，所述服务器内存还包括金手指，所述金手指中的部分对应典型连接所述读写错误纠正模块及模式寄存器模块。
3.根据权利要求1所述的服务器内存，其特征在于，所述读写错误纠正模块为2个，分别设于所述电子线路板的正面及反面。
4.根据权利要求1所述的服务器内存，其特征在于，所述模式寄存器模块设于所述电子线路板的正面。
5.根据权利要求1所述的服务器内存，其特征在于，所述电子线路板上各存储芯片模块的分布采用并排排列方式。
6.根据权利要求1所述的服务器内存，其特征在于，为8GB存储容量。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201420811070.0U CN204288069U (zh) | 2014-12-19 | 2014-12-19 | 一种服务器内存 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201420811070.0U CN204288069U (zh) | 2014-12-19 | 2014-12-19 | 一种服务器内存 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN204288069U true CN204288069U (zh) | 2015-04-22 |
Family
ID=52871206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201420811070.0U Active CN204288069U (zh) | 2014-12-19 | 2014-12-19 | 一种服务器内存 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN204288069U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106557130A (zh) * | 2015-12-31 | 2017-04-05 | 深圳市嘉合劲威电子科技有限公司 | 内存模组及应用该内存模组的电子装置 |
| CN111402938A (zh) * | 2019-01-02 | 2020-07-10 | 海太半导体（无锡）有限公司 | 一种低负载的64gb容量新型服务器内存条 |
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2014
- 2014-12-19 CN CN201420811070.0U patent/CN204288069U/zh active Active
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN106557130A (zh) * | 2015-12-31 | 2017-04-05 | 深圳市嘉合劲威电子科技有限公司 | 内存模组及应用该内存模组的电子装置 |
| CN106557130B (zh) * | 2015-12-31 | 2023-11-24 | 深圳市嘉合劲威电子科技有限公司 | 内存模组及应用该内存模组的电子装置 |
| CN111402938A (zh) * | 2019-01-02 | 2020-07-10 | 海太半导体（无锡）有限公司 | 一种低负载的64gb容量新型服务器内存条 |
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