CN204167272U - 一种溢流槽 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种溢流槽，包括槽体和溢流管，槽体内装有清洗硅片的介质，溢流管连通槽体的顶部；槽体的顶部还安装有吹气管道，吹气管道上有面向槽体内部的吹气口，吹气口的高度不低于液面高度，从吹气口吹出的高压气体能将漂浮在介质上的杂质吹扫到溢流管中；作为优选方案，槽体为长方体结构，包括4个竖直的构成长方体结构的侧壁，吹气管道被固定于槽体上其中一个侧壁的顶部，该侧壁为安装侧壁，溢流管在与安装侧壁相对的侧壁上连通槽体，从吹气口吹出的高压气流的运动方向与杂质跟随介质流动的方向大致相当；本结构让高压气流吹扫杂质，配合介质的溢流将杂质迅速推送进溢流管，避免杂质长时间停留在溢流槽内，导致杂质重新粘附到晶体硅片上。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种硅片清洗设备，特别是一种带有吹气管道的溢流槽。
背景技术
现阶段多数太阳能电池均以半导体材料为基础，让光电材料吸收光能，再从光电转化效应中获得电能。晶体硅具有较好的光电转化效率，污染隐患又比较小，故在本领域的应用最为广泛。在太阳能电池的晶体硅制作过程中，必须祛除晶体硅片表面的杂质，以保证后续的加工能在一个洁净光滑的晶体硅片表面上进行。
如图1所示，现有技术中用于清洗晶体硅片杂质的溢流槽一般包括溢流管2和槽体1，槽体1内装有能与杂质中的污染物产生化学反应和具有溶解功能的液体介质3，其液面和溢流管2的入口4基本持平；机械手将晶体硅片放入槽体1内(附图未显示)，使其完全没入介质3中，晶体硅片表面的杂质5便会逐渐与晶体硅片分离，并漂浮于介质的液面；与此同时溢流槽内介质的液面将变得高于溢流管2的入口4，部分介质3便会携带漂浮的杂质5一起流入溢流管2，将它们排出槽体1。
上述清洗晶体硅片方法的缺点是，用常规的介质溢流将杂质冲入溢流管，速度太慢，部分杂质将在介质的液面上长时间停留，机械手将清洗完毕的晶体硅片取出时，杂质会重新粘附到晶体硅片的表面上，削弱介质对晶体硅片的清洁效果。加大水流又会增加水和能源的耗费，还可能使水流超出溢流管的承压能力。因此，有必要改进现有技术中溢流槽的结构，以有效解决杂质重新粘附的技术问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种能让溢流槽内介质液面上的杂质快速进入溢流管的结构；为达到上述目的，本实用新型采取的技术方案是：一种溢流槽，包括槽体和溢流管，槽体内装有清洗硅片的介质，溢流管连通于槽体的顶部；其特征在于：槽体的顶部还安装有吹气管道，吹气管道上带有面向槽体内部的吹气口，吹气口的高度不低于液面高度，从吹气口吹出的高压气体能将漂浮在介质上的杂质吹扫到溢流管中。
作为上述结构的优选方案，槽体应为长方体结构，包括4个竖直的构成长方体结构的侧壁，吹气管道被固定于槽体上其中一个侧壁的顶部，该侧壁为安装侧壁，溢流管在与安装侧壁相对的侧壁上连通槽体，从吹气口吹出的高压气流的运动方向与杂质跟随介质流动的方向大致相当；作为进一步的优选方案，吹气管道上带有多个吹气口，吹气口沿着安装侧壁顶部的长度方向均匀排列。
溢流管连通槽体的具体结构为：槽体上与安装侧壁相对的侧壁为溢流侧壁，溢流侧壁的高度略低于安装侧壁和槽体的其余2个侧壁；溢流侧壁上延伸出一个与溢流侧壁等长的长方体溢流区，溢流侧壁与另外3个处于槽体之外的侧壁共同围闭溢流区的侧面，共同限定溢流区的水平截面面积；溢流区的深度小于槽体的深度，溢流侧壁的顶部与溢流区的另外3个侧壁的顶部具有垂直高度差，因此溢流侧壁仅局部阻隔溢流区和槽体；溢流管安装在溢流区的底部，通过接通溢流区连通槽体内部；溢流区的水平截面面积大于溢流管的水平截面面积。
上述结构带来的有益效果是：
1.在槽体上接近液面的位置安装吹气管道和多个吹气口，让高压气流吹扫杂质，配合介质的溢流将杂质迅速推送往溢流管，避免杂质长时间停留在溢流槽内介质的液面上，导致晶体硅片被取出时杂质重新粘附到晶体硅片上。
2.让溢流管通过长方体的溢流区连通槽体内部，并让溢流区的水平截面面积大于溢流管的水平截面面积，有利于让上半部在短时间内先聚集被吹扫到此处的杂质，避免杂质长时间停留在溢流槽内重新粘附到晶体硅片上，也有利于让杂质彻底地随水流进入下半部，并降低杂质和介质回流或倒灌的可能。
附图说明
图1是现有技术的溢流槽结构示意图；
图2是本实用新型的溢流槽的结构示意图；
图3是本实用新型的溢流槽的立体结构示意图；
附图标记：1.槽体；2.溢流管；3.介质；4.入口；5.杂质；6.吹气管道；7.吹气口；8.溢流区；9.安装侧壁；10.液面；11.溢流侧壁。
具体实施方式
如图2所示的是本实用新型的溢流槽，与现有技术相同的是，它包括槽体1和溢流管2，槽体1内装有清洗晶体硅片的介质3，溢流管2连通到槽体1的内部；与现有技术不同的是，槽体1的顶部还安装有连通增压装置(附图未显示)的吹气管道6。
如图2和图3所示，在本实施例中，槽体1为长方体结构，包括4个竖直的构成长方体结构的侧壁，吹气管道6被固定于槽体1上的安装侧壁9的顶部；与安装侧壁9相对的为溢流侧壁11，溢流侧壁9的高度略低于安装侧壁9和槽体1的其余2个侧壁，溢流侧壁11上延伸出一个长方体的溢流区8；溢流侧壁11与另外3个处于槽体1之外的侧壁共同围闭起溢流区8的侧面，共同限定溢流区8的水平截面面积；溢流区8的深度小于槽体1的深度，溢流侧壁11的顶部与溢流区的另外3个侧壁的顶部具有垂直高度差，因此溢流侧壁11仅局部阻隔溢流区8和槽体1，使溢流区8与槽体1的内部连通，竖直结构的溢流管2安装在溢流区8的底部，其入口4开在溢流区8的底壁上，溢流管2的管壁与槽体1的侧壁相互分离，溢流区8的水平截面面积大于溢流管2的水平截面面积，当槽体1内介质3的液面10上升到一定程度后，携带杂质5的介质3能跨过溢流侧壁11进入溢流区8，然后从溢流管2的入口4流入溢流管2中。
如图3所示，在本实施例中，吹气管道6上带有多个面向溢流区8的吹气口7，多个吹气口7沿着安装侧壁9顶部的长度方向均匀等距排列，保证从吹气口7吹出的高压气流的运动方向与杂质5跟随介质3流至溢流区8的方向大致相当。
在上述结构中，只要将要清洗的晶体硅片(附图未显示)放入槽体中，晶体硅片上的杂质便会在介质的作用下，与晶体硅片分离并漂浮于介质的液面上，液面也会略为上升至略高于溢流侧壁的位置，介质会发生溢流，携带漂浮于液面上的杂质先进入溢流区，再通过溢流区底壁上的溢流管入口流到溢流管中；与此同时吹气管道的吹气口的底部刚好略高于介质的液面和溢流侧壁的顶部；操作人员只要开动在槽体外部与吹气管道连接的增压装置，便能让高压气流通过吹气管道和多个吹气口到达介质的液面位置，对液面上的杂质进行吹扫；由于吹气口均面向溢流区，因此从吹气口吹出的高压气流的运动方向与溢流的方向大致相当，这能保证杂质更快更彻底地进入溢流区；由于溢流区的水平截面积大于溢流管，因此溢流区能有较充足的空间来暂时容纳跟随溢流进入的杂质，这能降低增压装置停止运行后杂质回流到槽体内的可能性。
本实用新型的实施方式不受上述实施例的限定，利用本领域的普通知识和惯用技术手段，在不脱离本实用新型的技术思想的前提下，可以对本实用新型做出其它形式的修改和替换，但所有经过修改和替换的技术方案均应落在本实用新型的权利保护范围内。
Claims (4)
1.一种溢流槽，包括槽体和溢流管，槽体内装有清洗硅片的介质，溢流管连通于槽体的顶部；其特征在于：槽体的顶部还安装有吹气管道，吹气管道上带有面向槽体内部的吹气口，吹气口的高度不低于液面高度，从吹气口吹出的高压气体能将漂浮的杂质吹扫到溢流管中。
2.根据权利要求1所述的溢流槽，其特征是：槽体为长方体结构，包括4个竖直的构成长方体结构的侧壁，吹气管道被固定于槽体上其中一个侧壁的顶部，该侧壁为安装侧壁，溢流管在与安装侧壁相对的侧壁上连通槽体，从吹气口吹出的高压气流的运动方向与杂质跟随介质流动的方向大致相当。
3.根据权利要求2所述的溢流槽，其特征是：所述吹气管道上带有多个吹气口，吹气口沿着安装侧壁顶部的长度方向均匀排列。
4.根据权利要求3所述的溢流槽，其特征是，溢流管连通槽体的具体结构为：槽体上与安装侧壁相对的侧壁为溢流侧壁，溢流侧壁的高度略低于安装侧壁和槽体的其余2个侧壁；溢流侧壁上延伸出一个与溢流侧壁等长的长方体溢流区，溢流侧壁与另外3个处于槽体之外的侧壁共同围闭溢流区的侧面，共同限定溢流区的水平截面面积；溢流区的深度小于槽体的深度，溢流侧壁的顶部与溢流区的另外3个侧壁的顶部具有垂直高度差，因此溢流侧壁仅局部阻隔溢流区和槽体；溢流管安装在溢流区的底部，通过接通溢流区连通槽体内部；溢流区的水平截面面积大于溢流管的水平截面面积。
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|---|---|---|---|---|
| CN112939632A (zh) * | 2021-01-19 | 2021-06-11 | 宁夏润安微肥科技有限公司 | 硝酸铵钙生产系统 |
| CN114042594A (zh) * | 2021-11-17 | 2022-02-15 | 蚌埠通达汽车零部件有限公司 | 应用于汽车油箱的表面处理装置及处理方法 |
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