CN204130540U - 一种面接触型二极管 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种面接触型二极管,包括阴极引脚,所述阴极引脚与金属片欧姆接触,所述金属片上方设置有底座,所述底座上方设置有第一合金层,所述第一合金层上方设置有N型区,所述N型区上方设置有第二合金层,所述N型区与第二合金层之间设置有PN结,所述第二合金层上方设置有阳极引脚。本实用新型结构简单、易封装、制造成本低廉,所承载的整流电流、反响电压较大,不易被击穿。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种半导体器件,尤其涉及一种面接触型二极管。
背景技术
二极管(Diode),电子元件当中,一种具有两个电极的装置,只允许电流由单一方向流过。许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管(Varicap Diode)则用来当作电子式的可调电容器。
大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流(Rectifying)”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过(称为顺向偏压),反向时阻断(称为逆向偏压)。因此,二极管可以想成电子版的逆止阀。然而实际上二极管并不会表现出如此完美的开与关的方向性,而是较为复杂的非线性电子特征——这是由特定类型的二极管技术决定的。二极管使用上除了用做开关的方式之外还有很多其他的功能。
目前,二极管制造技术已经相当成熟,但仍然存在结构复杂、成本高、封装难、容易被击穿等问题。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种结构简单、易封装、制造成本低廉,所承载的整流电流、反响电压较大,不易被击穿的面接触型二极管。
本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下:一种面接触型二极管,包括阴极引脚,所述阴极引脚与金属片欧姆接触,所述金属片上方设置有底座,所述底座上方设置有第一合金层,所述第一合金层上方设置有N型区,所述N型区上方设置有第二合金层,所述N型区与第二合金层之间设置有PN结,所述第二合金层上方设置有阳极引脚。
半导体二极管是一个由第一合金层和第二合金层形成的PN结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层,构成自建电场。当外加电压等于零时,由于PN结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态,所述底座分别与第一合金层及阴极引脚导通,用于电流的输出。
在上述技术方案的基础上,本实用新型还可以做如下改进。
进一步,所述金属片为铜金属片,所述铜金属片电阻率低、导电性强,用于PN结整流电流的收集与传输。
进一步,所述阳极引脚、阴极引脚为镀铜金属,所述镀铜金属硬度大,有利于引脚的的支撑,同时镀铜引脚电阻率低,有助于降低对整流电流的干扰。
进一步,所述第二合金层为铝合金层,所述铝合金层为P型材料,用于构建PN结。
进一步,所述第一合金层为金锑合金层,所述金锑合金层为N型材料,用于构建PN结及载流子的传输。
本实用新型的有益效果是:结构简单、易封装、制造成本低廉,所承载的整流电流、反响电压较大,不易被击穿。
附图说明
图1为本实用新型一种面接触型二极管结构示意图;
附图中,各标号所代表的部件列表如下:1、阴极引脚,2、金属片,3、底座,4、第一合金层,5、N型区,6、PN结,7、第二合金层,8、阳极引脚。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述,所举实例只用于解释本实用新型,并非用于限定本实用新型的范围。
如图1所示,一种面接触型二极管,包括阴极引脚1,所述阴极引脚1与金属片2欧姆接触,所述金属片2上方设置有底座3,所述底座3上方设置有第一合金层4,所述第一合金层4上方设置有N型区5,所述N型区5上方设置有第二合金层7,所述N型区5与第二合金层7之间设置有PN结6,所述第二合金层7上方设置有阳极引脚8。
半导体二极管是一个由第一合金层4和第二合金层7形成的PN结6界面。在其界面的两侧形成空间电荷层,构成自建电场。当外加电压等于零时,由于PN结6两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态,所述底座3分别与第一合金层4及阴极引脚1导通,用于电流的输出。
所述金属片2为铜金属片,所述铜金属片电阻率低、导电性强,用于PN结6整流电流的收集与传输;所述阳极引脚8、阴极引脚1为镀铜金属,所述镀铜金属硬度大,有利于引脚的的支撑,同时镀铜引脚电阻率低,有助于降低对整流电流的干扰;所述第二合金层7为铝合金层,所述铝合金层为P型材料,用于构建PN结6;所述第一合金层4为金锑合金层,所述金锑合金层为N型材料,用于构建PN结6及载流子的传输。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种面接触型二极管,其特征在于,包括阴极引脚,所述阴极引脚与金属片欧姆接触,所述金属片上方设置有底座,所述底座上方设置有第一合金层,所述第一合金层上方设置有N型区,所述N型区上方设置有第二合金层,所述N型区与第二合金层之间设置有PN结,所述第二合金层上方设置有阳极引脚。
2.根据权利要求1所述一种面接触型二极管,其特征在于,所述金属片为铜金属片。
3.根据权利要求1所述一种面接触型二极管,其特征在于,所述阳极引脚、阴极引脚为镀铜金属。
4.根据权利要求1所述一种面接触型二极管,其特征在于,所述第二合金层为铝合金层。
5.根据权利要求1所述一种面接触型二极管,其特征在于,所述第一合金层为金锑合金层。
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GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20150128 Termination date: 20150930 |
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