CN203688745U - Scr高压击穿检测器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种SCR高压击穿检测器，主要由可控硅测量端、外部测量端、限流电阻、发光二极管和检测工具组成，所述的可控硅测量端分别连接限流电阻、发光二极管和外部测量端，限流电阻分别连接发光二极管和外部测量端，外部测量端连接检测工具。本实用新型原理简单，易于实现，弥补了可控硅检测领域的不足，具有很好的市场前景。
Description
技术领域
本实用新型涉及光电隔离技术和SCR检测技术领域，具体为一种SCR高压击穿检测器。
背景技术
SCR(单向可控硅)是一种可控整流电子元件，能在外部控制信号作用下由关断变为导通，但一旦导通，外部信号就无法使其关断，只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断。单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件，与具有一个PN结的二极管相比，单向可控硅正向导通受控制极电流控制；与具有两个PN结的三极管相比，差别在于可控硅对控制极电流没有放大作用。SCR在工业生产中是易损件，但是由于可控硅处于高压工作环境中，对其性能检测十分危险。
实用新型内容
本实用新型的目的是根据上述现有技术中存在不足，提供一种SCR高压击穿检测器。
为了达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：
一种SCR高压击穿检测器，主要由可控硅测量端、外部测量端、限流电阻、发光二极管和检测工具组成，所述的可控硅测量端分别连接限流电阻、发光二极管和外部测量端，限流电阻分别连接发光二极管和外部测量端，外部测量端连接检测工具。
所述的可控硅测量端连接可控硅的阴极和阳极。
所述的发光二极管有2个，2个发光二极管反向并联。
所述的检测工具为外部连接的检测工具。
本实用新型的有益效果是：本实用新型解决了在高压环境下，可控硅检测困难的问题。并且可以通过指示及时定位可控硅故障。本实用新型原理简单，易于实现，弥补了可控硅检测领域的不足，具有很好的市场前景。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图；
图2为本实用新型的电路原理图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作具体说明。
如图1和图2所示，本实用新型是一种SCR高压击穿检测器，主要由可控硅测量端、外部测量端、限流电阻、发光二极管和检测工具组成，可控硅测量端分别连接限流电阻、发光二极管和外部测量端，限流电阻分别连接发光二极管和外部测量端，外部测量端连接检测工具。可控硅测量端连接可控硅的阴极和阳极。发光二极管有2个，2个发光二极管反向并联。检测工具为外部连接的检测工具。
将SCR高压击穿检测器接入可控硅阴极和阳极两端，当可控硅正常工作时，可控硅受控正向导通，则可控硅两端存在反向电压，而正向电压很小。此时两个反向并联的发光二极管会一个发亮一个不亮。当可控硅被高压击穿时，可控硅不受控双向导通，两个发光二极管都会亮起。
上述方案只是本实用新型的最佳实施方案，但在不改变本实用新型的精神背景下，所做的任何改进，均落在本实用新型的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种SCR高压击穿检测器，主要由可控硅测量端、外部测量端、限流电阻、发光二极管和检测工具组成，其特征在于：所述的可控硅测量端分别连接限流电阻、发光二极管和外部测量端，限流电阻分别连接发光二极管和外部测量端，外部测量端连接检测工具。
2.根据权利要求1所述的SCR高压击穿检测器，其特征在于：所述的可控硅测量端连接可控硅的阴极和阳极。
3.根据权利要求1所述的SCR高压击穿检测器，其特征在于：所述的发光二极管有2个，2个发光二极管反向并联。
4.根据权利要求1所述的SCR高压击穿检测器，其特征在于：所述的检测工具为外部连接的检测工具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201320748873.1U CN203688745U (zh) | 2013-11-25 | 2013-11-25 | Scr高压击穿检测器 |
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| CN201320748873.1U CN203688745U (zh) | 2013-11-25 | 2013-11-25 | Scr高压击穿检测器 |
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| CN203688745U true CN203688745U (zh) | 2014-07-02 |
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Family Applications (1)
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Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN203688745U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111812472A (zh) * | 2018-11-06 | 2020-10-23 | 长江存储科技有限责任公司 | 时间相关电介质击穿测试结构及其测试方法 |
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2013
- 2013-11-25 CN CN201320748873.1U patent/CN203688745U/zh not_active Expired - Fee Related
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