CN204118093U - 一种增强背面反射的异质结电池 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种增强背面反射的异质结电池,包括至少两片相邻的电池片，所述电池片包括主体硅层，所述主体硅层边缘设有延伸层，主体硅层下表面设置第一溅射层，第一溅射层下表面设有第二溅射层，延伸层与第一溅射层、第二溅射层适配。采用本实用新型的设计，能够使得无论阳光从何种角度射入，都可以发生至少2次发射，增强了光能转化效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种异质结电池，特别是一种增强背面反射的异质结电池。
背景技术
晶体硅太阳能电池在迅速发展的光伏发电技术领域中一直占据着主导地位，单晶硅太阳能电池和多晶硅太阳能电池更被作为了太阳能电池的主流产品，但由于价格昂贵和材料短缺，已不能满足经济社会快速发展的需求。目前，第二代薄膜型硅太阳能电池逐渐成为硅太阳能电池应用和发展的主流，然而非晶硅薄膜、多晶硅薄膜、微晶硅薄膜等太阳能电池均存在不同程度的光致衰退效应且转换效率远不如晶体硅太阳能电池，为减少晶体硅太阳能电池同时保持高效率状态，今年来HIT太阳能电池得到了迅速的发展。在太阳能电池制备工艺上，HIT太阳能电池结合了薄膜太阳能电池低温制造的优点，避免了晶体硅高温扩散工艺获得p-n结的方法，从而节约了制造成本。
但从目前来看，传统的HIT电池当光能照射在电池表面后，部分光能发生了反射产生流失，而部分光能发生折射产生流失，造成了大量能源不能有效利用的问题。
发明内容
发明目的：本实用新型的目的在于解决现有的异质结太阳能电池光能流失严重、反射次数少的问题。
技术方案：本实用新型提供以下技术方案：一种增强背面反射的异质结电池,包括至少两片相邻的电池片，所述电池片包括主体硅层，所述主体硅层边缘设有延伸层，主体硅层下表面设置第一溅射层，第一溅射层下表面设有第二溅射层，延伸层与第一溅射层、第二溅射层适配。
作为优化，所述第一溅射层为铜层、银层、或铝层。
作为优化，所述第二溅射层为银层或锌层。
作为优化，所述延伸层的厚度等于第一溅射层和第二溅射层的厚度之和。
工作原理：太阳光垂直自硅层上表面射入，会在硅层下表面发生部分反射，并在上表面和下表面之间多次反射增加光电转化效率，太阳光倾斜自硅层上表面射入，会有部分光经过延伸层多次反射，再从硅层侧面射出，进入相邻的电池片，增强光能使用率。
有益效果：本实用新型与现有技术相比：采用本实用新型的设计，能够使得无论阳光从何种角度射入，都可以发生至少2次发射，增强了光能转化效率，并且本实用新型实用的材料来源广，成本低，富于实用。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
如附图1所示，一种增强背面反射的异质结电池,包括两片相邻的电池片1，所述电池片1包括主体硅层2，所述主体硅层2边缘设有延伸层3，主体硅层2下表面设置第一溅射层4，第一溅射层4下表面设有第二溅射层5，延伸层3与第一溅射层4、第二溅射层5适配。所述第一溅射层4为铜层、银层、或铝层。所述第二溅射层5为银层或锌层。所述延伸层3的厚度为110nm，第一溅射层4厚度为90nm，第二溅射层5的厚度为20nm。所述延伸层3宽度为5mm。相邻电池片1之间距离为1cm。
太阳光垂直自硅层2上表面射入，会在硅层2下表面发生部分反射，并在上表面和下表面之间多次反射增加光电转化效率，太阳光倾斜自硅层2上表面射入，会有部分光经过延伸层3多次反射，再从硅层2侧面射出，进入相邻的电池片1，增强光能使用率。
Claims (4)
1.一种增强背面反射的异质结电池,其特征在于：包括至少两片相邻的电池片，所述电池片包括主体硅层，所述主体硅层边缘设有延伸层，主体硅层下表面设置第一溅射层，第一溅射层下表面设有第二溅射层，延伸层与第一溅射层、第二溅射层适配。
2.根据权利要求1所述的增强背面反射的异质结电池，其特征在于：所述第一溅射层为铜层、银层、或铝层。
3.根据权利要求1所述的增强背面反射的异质结电池，其特征在于：所述第二溅射层为银层或锌层。
4.根据权利要求1所述的增强背面反射的异质结电池，其特征在于：所述延伸层的厚度等于第一溅射层和第二溅射层的厚度之和。
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Cited By (1)
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| CN108475706A (zh) * | 2016-03-10 | 2018-08-31 | 株式会社钟化 | 太阳能电池模块 |
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2014
- 2014-08-26 CN CN201420483383.8U patent/CN204118093U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
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| CN108475706A (zh) * | 2016-03-10 | 2018-08-31 | 株式会社钟化 | 太阳能电池模块 |
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