CN204088292U - 芯片封装结构 - Google Patents

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史永军
冯建中
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Beijing Superpix Micro Technology Co Ltd
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Abstract

本实用新型公开了一种芯片封装结构，在芯片的非感光区与感光区之间增加一道阻隔，阻隔将芯片空腔区域从中间隔开，成为2个单独的小空腔，芯片的非感光区和感光区分别置于其中的一个小空腔内。芯片切割后在氧化层的边缘部位增加阻焊层，使氧化层包裹在阻焊层内，然后进行终切割，阻焊层自芯片衬底的边缘向内缩进9至11μm。在环境变化时由于单个空腔面积减小，芯片内部压力减小，增加了产品后续应用的可靠性。

Description

芯片封装结构
技术领域
本实用新型涉及一种芯片封装技术，尤其涉及一种芯片封装结构。
背景技术
如图1所示，现有技术中，芯片封装的结构一般是将芯片直接封装在芯片空腔区域内。这种封装结构的缺点是：
产品在后段装配作业及应用中，由于温湿度的变化使其空腔区域内的压力骤变，造成玻璃与芯片本体分层。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种产品后续应用可靠的芯片封装结构。
本实用新型的目的是通过以下技术方案实现的：
本实用新型的芯片封装结构，在芯片的非感光区与感光区之间增加一道阻隔，所述阻隔将芯片空腔区域从中间隔开，成为2个单独的小空腔，所述芯片的非感光区和感光区分别置于其中的一个小空腔内。
由上述本实用新型提供的技术方案可以看出，本实用新型实施例提供的芯片封装结构，由于在芯片非感光区增加一道阻隔，将芯片空腔区域从中间隔开，成为2个单独的小空腔，在环境变化时由于单个空腔面积减小，芯片内部压力减小，增加了产品后续应用的可靠性。
附图说明
图1为现有技术中的芯片封装结构的结构示意图；
图2为本实用新型实施例提供的芯片封装结构的结构示意图。
具体实施方式
下面将对本实用新型实施例作进一步地详细描述。
本实用新型的芯片封装结构，其较佳的具体实施方式是：
在芯片的非感光区与感光区之间增加一道阻隔，所述阻隔将芯片空腔区域从中间隔开，成为2个单独的小空腔，所述芯片的非感光区和感光区分别置于其中的一个小空腔内。
将芯片非感光区与感光区切割开后，在割缝处增加所述阻隔。
切割后的芯片的氧化层的边缘部位设有阻焊层。
所述阻焊层自芯片衬底的边缘向内缩进9至11um。
具体实施例：
现有技术中的芯片，其感光区中心一般都是偏离芯片中心的一侧。
如图2所示，本实用新型在芯片非感光区增加一道阻隔，将芯片空腔区域从中间隔开，成为2个单独的小空腔。在环境变化时由于单个空腔面积减小，芯片内部压力减小，增加了产品后续应用的可靠性。
阻焊层内缩：
由于芯片在测试过程及装入包装盒时，不可避免的需要使用镊子夹取芯片及芯片会碰到芯片的边缘。再加上芯片阻焊层比较脆弱，很容易造成芯片阻焊层脱落的情况。本实用新型将芯片阻焊层重新设计，使其自芯片边缘向内缩10um，在使用镊子取芯片及包装时无法碰触到阻焊层。
以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型披露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。

Claims (4)

1.一种芯片封装结构，其特征在于，在芯片的非感光区与感光区之间增加一道阻隔，所述阻隔将芯片空腔区域从中间隔开，成为2个单独的小空腔，所述芯片的非感光区和感光区分别置于其中的一个小空腔内。
2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，将芯片非感光区与感光区切割开后，在割缝处增加所述阻隔。
3.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，切割后的芯片的氧化层的边缘部位设有阻焊层。
4.根据权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，所述阻焊层自芯片衬底的边缘向内缩进9至11um。
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CN104241221B (zh) * 2014-09-28 2017-09-29 北京思比科微电子技术股份有限公司 芯片封装结构

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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