CN204046407U - 一种多电平igbt驱动电路 - Google Patents

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Abstract

本实用新型公开了本实用新型公开了一种低成本多电平IGBT驱动电路,包括直流隔离电源电路、第一IGBT驱动电路和第二IGBT驱动电路。直流隔离电源电路包括高性能固定频率电流模式控制器UC2845、电源软启动电路、脉冲变压器T1和输出电源滤波电路。第一IGBT驱动电路和第二IGBT驱动电路相同,包含光耦隔离驱动电路和推挽输出驱动电路。本实用新型提供了一种低成本、高性能的多电平IGBT驱动电路,该电路外围信号简单,仅需一路输入电源、两路PWM信号输入即可产生两路电气隔离的IGBT驱动信号,在多电平IGBT驱动领域中具有成本低、PCB布板尺寸小、高可靠性的优点。

Description

一种多电平IGBT驱动电路
技术领域
本实用新型涉及电力电子,尤其涉及一种低成本多电平IGBT驱动电路。。
背景技术
目前,随着半导体技术的进步,大量的以全控型开关器件(IGBT)为核心的电力电子设备在家电、工业、汽车以及军事等电力变化应用场合得到了广泛的应用。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。
IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
随着人们对电力变化效率和高压大功率的追求,多电平IGBT技术的发展也日趋白热化。多电平IGBT由于开关管的增加,其驱动器的的设计业较为复杂,驱动器的成本也占据了不可忽视。在传统的多电平驱动电路方案中,存在驱动电路输入所需电源数量大、电路复杂、故障率高、驱动电路体积大、成本高等问题。
实用新型内容
本实用新型针对现有产品的缺点而提出,提供了一种能够应用在多电平IGBT拓扑驱动的低成本、高可靠性的驱动电路。
本实用新型解决上述技术问题所采取的技术方案如下:
一种多电平IGBT驱动电路,包括:直流隔离电源电路,用于产生隔离的两路正负电压的直流电源,分别与第一IGBT驱动电路和第二IGBT驱动电路的电源输入相连;
第一IGBT驱动电路和第二IGBT驱动电路,其中,所述第一IGBT驱动电路的PWM输入通过插针引脚与从外部引入,输出连接IGBT的G极和E极,用于驱动第一IGBT开通与关断;第二IGBT驱动电路的PWM输入通过插针引脚与从外部引入,输出连接第二IGBT的G极和E极,用于驱动第二IGBT开通与关断,且所述第二IGBT驱动电路与第一IGBT驱动电路完全相同。
优选的是,所述直流隔离电源电路具体包括:电源软启动电路(11),控制器UC2845电路(12),脉冲变压器T1电路(13)及电源输出滤波电路(14);
其中,电源软启动电路(11)设于控制器UC2845电路(12)之前,用于通过对电容充电使参考电压缓慢上升到指定值;所述控制器UC2845电路(12),用于产生PWM波形;所述脉冲变压器电路T1(13),用于根据所述PWM波形产生等比例的脉冲电流;所述电源滤波电路(14),用于将所述脉冲变压器电路T1(13)产生的脉冲电压进行低通滤波。
优选的是,所述电源软启动电路(11)具体包括:电阻R5、R3,二极管D3、D5以及电容C7,二极管D5的阳极与电阻R5同时连接控制器的补偿端1脚,D5的阴极与D3的阳极连接电容C7的正极,电容C7的另一端接地,电阻R3并联接在D3上。
优选的是,所述控制器UC2845电路(12)具体包括: 控制器UC2845和外围电路,所述外围电路包括:由振荡电阻R2和电容C12构成的振荡电路,其中,电阻R2的1端接UC2845的8脚,2端接UC2845的4脚,C12一端接UC2845的4脚一端接地,控制器的电压反馈脚2和电流反馈脚3通过电阻R7和R8接地。
优选的是,所述脉冲变压器T1电路(13)包括:脉冲变压器T1和外围器件,所述外围器件包括: NPN三极管Q1和PNP三极管Q2,电阻R1、R9,电容C6、C14,变压器的原边接三极管Q1的E极和Q2的C极,其中,电阻R1、R9分别接Q1的C极和Q2的E极,其另一端分别接VCC和GND,电阻R6和C6并联接在Q1和Q2的B极与控制器的6脚之间,二极管D8接在控制器6脚与GND之间。
优选的是,所述电源输出滤波电路(14)包括:
两路独立的输出滤波电路,第一路电源滤波电路包括电容C1、C2、C3、C4、C5,电阻R4,二极管D2、D4以及稳压管D1、电容C2一端接在变压器副边,另一端接在二极管D2与D4的阳极与阴极之间,电容C1、C3和D1并联,C4、C5和R4并联后最终串联;
C1的正极接二极管D2的阴极构成正直流电源VD1,C4的负极接二极管D4的阳极构成负直流电源VS1,电容C1与C4的中点构成电源零电位VN1;
所述第二路电源滤波电路,具体包括:包含电容C10、C8、C13、C11、C15,电阻R10,二极管D7、D9以及稳压管D6,其中,电容C10一端接在变压器副边,另一端接在二极管D7与D9的阳极与阴极之间。电容C8、C11和D7并联,C13、C15和R10并联后最终串联。
优选的是,所述第一IGBT驱动电路,具体包含:光耦隔离驱动电路(21)和推挽输出驱动电路(22),其中,所述光耦隔离驱动电路(21),用于将输入的PWM信号进行光电隔离,其产生的隔离信号驱动推挽输出三极管电路(22),使推挽输出驱动电路(22)的三极管导通或截止。
优选的是,所述光耦隔离驱动电路(21),包括:光耦驱动器HCPL3120(U2),电阻R12、R13、R14,二极管D13以及电容C16,电阻R12一端接外部输入PWM信号,电阻R14,C16与D13并联后一端接地,一端接R12的另一端。驱动器的2脚接电阻R13,3脚接地,R13另一端接R12。
优选的是,所述推挽输出驱动电路包括:NPN三极管Q3、PNP三极管Q5,二极管D10、D11,电阻R11,电容C17,且电容C17并联在外部IGBT的G极与E极之间,二极管D10接在电源VD1与G极之间,R11与D11并联后接在IGBT的G极与三极管推挽输出之间。
本实用新型采取了上述方案以后,该驱动电路仅需要单电源输入,两路独立PWM驱动信号输入即可完成对不共地的IGBT进行正压驱动导通、负压驱动关断的功能,具有较好的技术效果。
本实用新型的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本实用新型而了解。本实用新型的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
下面结合附图对本实用新型进行详细的描述,以使得本实用新型的上述优点更加明确。
图1是本实用新型多电平IGBT驱动电路中直流隔离电源电路的示意图;
图2本实用新型多电平IGBT驱动电路中第一和第二IGBT驱动电路的示意图。
具体实施方式
本实用新型实现上述目的所采取的技术方案如下:
本实用新型多电平IGBT驱动电路,原理分两部分如图1和图2所示。
直流隔离电源电路如图1所示,电源软启动电路11包括电阻R5、R3,二极管D3、D5以及电容C7,二极管D5的阳极与电阻R5同时连接控制器的补偿端1脚,D5的阴极与D3的阳极连接电容C7的正极,电容C7的另一端接地,电阻R3并联接在D3上。控制器UC2845的外围电路12由振荡电阻R2,电容C12构成振荡电路,电阻R2的1端接UC2845的8脚,2端接UC2845的4脚,C12一端接UC2845的4脚一端接地,控制器的电压反馈脚2和电流反馈脚3通过电阻R7和R8接地。脉冲变压器T1外围器件13有NPN三极管Q1和PNP三极管Q2,电阻R1、R9,电容C6、C14,变压器的原边接三极管Q1的E极和Q2的C极。电阻R1、R9分别接Q1的C极和Q2的E极,其另一端分别接VCC和GND。电阻R6和C6并联接在Q1和Q2的B极与控制器的6脚之间。二极管D8接在控制器6脚与GND之间。电源输出滤波电路14包含两路独立的输出滤波电路,第一路电源滤波电路包括电容C2、C2、C4、C3、C5,电阻R4,二极管D2、D4以及稳压管D1.电容C2一端接在变压器副边,另一端接在二极管D2与D4的阳极与阴极之间。电容C1、C3和D1并联,C4、C5和R4并联后最终串联。C1的正极接二极管D2的阴极构成正直流电源VD1,C4的负极接二极管D4的阳极构成负直流电源VS1,电容C1与C4的中点构成电源零电位VN1.第二路电源滤波电路包含电容C10、C8、C13、C11、C15,电阻R10,二极管D7、D9以及稳压管D6,连接方式与第一电源滤波电路相同。
第一和第二IGBT驱动电路如图2所示,包含光耦隔离驱动电路21和推挽输出驱动电路22,光耦隔离驱动电路包含光耦驱动器HCPL3120(U2),电阻R12、R13、R14,二极管D13以及电容C16,电阻R12一端接外部输入PWM信号,电阻R14,C16与D13并联后一端接地,一端接R12的另一端。驱动器的2脚接电阻R13,3脚接地,R13另一端接R12。推挽输出驱动电路包括NPN三极管Q3、PNP三极管Q5,二极管D10、D11,电阻R11,电容C17。电容C17并联在外部IGBT的G极与E极之间,二极管D10接在电源VD1与G极之间,R11与D11并联后接在IGBT的G极与三极管推挽输出之间。
本实用新型的低成本多电平IGBT驱动电路的原理如下:
将PWM控制器的电压反馈端和电流反馈端通过电阻接地,使电压反馈和电流反馈为零,使控制器的内部调节器输出正向饱和。选取恰当的R2和C12参数,使振荡周期在1us至1.25us之间,根据控制器的器件手册,使选取的R2阻值满足PWM占空比的最大值不大于42%,即固定PWM占空比为40%。设计合理的脉冲变压器T1的变比N,在变压器原边和副边串联电容来隔里直流电流。这样在副边绕组上产生的脉冲电压幅值为N倍的原边脉冲电压。脉冲电压经过二极管整流即可得到直流电压(VD1-VS1),这个直流电压是由电容串联支撑,对上部直流电容并联稳压二极管,即可稳定上部直流电压,这样即得到了稳定的正负直流电源。这个直流电源的电压是由PWM控制器的占空比和变压器的绕组唯一决定的,正负直流电源的比例是由稳压管唯一决定的。
得到正负直流电压是驱动IGBT的前提调节,当驱动信号使能时,光耦隔离驱动管内部三极管导通,使推挽输出三极管的基极为高电平,即推挽三极管的输出为正电压,IGBT的Vge为高电平,驱动IGBT导通。当驱动信号不使能时,推挽电路中的NPN三极管Q3截止,PNP三极管Q5导通,输出负电压,驱动IGBT截止。
本实用新型与现有技术相比的有益效果是:
本实用新型将控制器的电压反馈与电流反馈接地,使控制器输出固定频率和占空比的PWM波来驱动三极管,减少了反馈电路、减少了反馈调节引起的调节振荡,使结构更为简单,通过稳压管来实现输出电压的稳定,通过合理选取变压器的绕组来实现输出所期望的电压,大大减少了外围控制器件的数量,因而能够提高可靠性、使PCB布板尺寸更小,节省成本。
以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已,并不用于限制本实用新型,尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种多电平IGBT驱动电路,其特征在于,包括:直流隔离电源电路,用于产生隔离的两路正负电压的直流电源,分别与第一IGBT驱动电路和第二IGBT驱动电路的电源输入相连;
第一IGBT驱动电路和第二IGBT驱动电路,其中,所述第一IGBT驱动电路的PWM输入通过插针引脚与从外部引入,输出连接IGBT的G极和E极,用于驱动第一IGBT开通与关断;第二IGBT驱动电路的PWM输入通过插针引脚与从外部引入,输出连接第二IGBT的G极和E极,用于驱动第二IGBT开通与关断,且所述第二IGBT驱动电路与第一IGBT驱动电路完全相同所述直流隔离电源电路具体包括:电源软启动电路(11),控制器UC2845电路(12),脉冲变压器T1电路(13)及电源输出滤波电路(14);
其中,电源软启动电路(11)设于控制器UC2845电路(12)之前,用于通过对电容充电使参考电压缓慢上升到指定值;所述控制器UC2845电路(12),用于产生PWM波形;所述脉冲变压器电路T1(13),用于根据所述PWM波形产生等比例的脉冲电流;所述电源滤波电路(14),用于将所述脉冲变压器电路T1(13)产生的脉冲电压进行低通滤波。
2.根据权利要求1所述的多电平IGBT驱动电路,其特征在于,所述电源软启动电路(11)具体包括:电阻R5、R3,二极管D3、D5以及电容C7,二极管D5的阳极与电阻R5同时连接控制器的补偿端1脚,D5的阴极与D3的阳极连接电容C7的正极,电容C7的另一端接地,电阻R3并联接在D3上。
3.根据权利要求1所述的多电平IGBT驱动电路,其特征在于,所述控制器UC2845电路(12)具体包括: 控制器UC2845和外围电路,所述外围电路包括:由振荡电阻R2和电容C12构成的振荡电路,其中,电阻R2的1端接UC2845的8脚,2端接UC2845的4脚,C12一端接UC2845的4脚一端接地,控制器的电压反馈脚2和电流反馈脚3通过电阻R7和R8接地。
4.根据权利要求1所述的多电平IGBT驱动电路,其特征在于,所述脉冲变压器T1电路(13)包括:脉冲变压器T1和外围器件,所述外围器件包括: NPN三极管Q1和PNP三极管Q2,电阻R1、R9,电容C6、C14,变压器的原边接三极管Q1的E极和Q2的C极,其中,电阻R1、R9分别接Q1的C极和Q2的E极,其另一端分别接VCC和GND,电阻R6和C6并联接在Q1和Q2的B极与控制器的6脚之间,二极管D8接在控制器6脚与GND之间。
5.根据权利要求1所述的多电平IGBT驱动电路,其特征在于,所述电源输出滤波电路(14)包括:
两路独立的输出滤波电路,第一路电源滤波电路包括电容C1、C2、C3、C4、C5,电阻R4,二极管D2、D4以及稳压管D1、电容C2一端接在变压器副边,另一端接在二极管D2与D4的阳极与阴极之间,电容C1、C3和D1并联,C4、C5和R4并联后最终串联;
C1的正极接二极管D2的阴极构成正直流电源VD1,C4的负极接二极管D4的阳极构成负直流电源VS1,电容C1与C4的中点构成电源零电位VN1;
第二路电源滤波电路,具体包括:包含电容C10、C8、C13、C11、C15,电阻R10,二极管D7、D9以及稳压管D6,其中,电容C10一端接在变压器副边,另一端接在二极管D7与D9的阳极与阴极之间,电容C8、C11和D7并联,C13、C15和R10并联后最终串联。
6.根据权利要求1所述的多电平IGBT驱动电路,其特征在于,所述第一IGBT驱动电路,具体包含:光耦隔离驱动电路(21)和推挽输出驱动电路(22),其中,所述光耦隔离驱动电路(21),用于将输入的PWM信号进行光电隔离,其产生的隔离信号驱动推挽输出三极管电路(22),使推挽输出驱动电路(22)的三极管导通或截止。
7.根据权利要求6所述的多电平IGBT驱动电路,其特征在于,所述光耦隔离驱动电路(21),包括:光耦驱动器HCPL3120(U2),电阻R12、R13、R14,二极管D13以及电容C16,电阻R12一端接外部输入PWM信号,电阻R14,C16与D13并联后一端接地,一端接R12的另一端,驱动器的2脚接电阻R13,3脚接地,R13另一端接R12。
8.根据权利要求7所述的多电平IGBT驱动电路,其特征在于,所述推挽输出驱动电路包括:NPN三极管Q3、PNP三极管Q5,二极管D10、D11,电阻R11,电容C17,且电容C17并联在外部IGBT的G极与E极之间,二极管D10接在电源VD1与G极之间,R11与D11并联后接在IGBT的G极与三极管推挽输出之间。
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