CN204031100U - 一种电压整形电路 - Google Patents
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Abstract
一种电压整形电路,R1、R2串联后两端接入输入电压两端;LT1641的ON管脚接入R1和R2的公共端,VCC管脚的一支接入输入电压的正端,另一支串联C4后接入输入电压的负端;TIMER管脚串联C3后接入输入电压的负端;LT1641的GATE管脚的一支串联R4后接入MOSFET Q1的栅极,一支串联稳压二极管V1的阴极后接入输出电压的正端,一支串联R5、C5后接入输出电压的负端;R6和R7串联后一端接入输出电压的正端,另一端接入输出电压的负端。
Description
技术领域
本实用新型能够将缓慢爬升的电压波形调整为阶跃波形,为后级电路提供高品质电源。
背景技术
现有常规导弹武器常用的供电模式是在地面进行电池激活,待电池电压稳定后发出“转电”指令,为系统供电。在本应用系统中,电池是在空中进行远距离激活。若激活后直接输出电压,那么在电压爬升过程中,系统中的DSP、FGPA等数字处理电路由于电压波动会多次出现复位,导致系统工作不正常。
由此可见,供电品质的优劣关系到系统能否正常工作,因此必须将电池输出电压进行调整,为系统提供高品质电源,提高系统可靠性和适应性。
发明内容
本实用新型的技术解决问题是:克服现有技术的不足,提供一种电压整形电路,将缓慢爬升的电压波形调整为阶跃波形,成功解决电池激活后,在电压建立过程中,后级电路由于电压不稳导致的波动现象,实现电压的稳定输出。
本实用新型的技术解决方案是:一种电压整形电路,包括LT1641芯片、电阻R1~R7、电容C3~C5、MOSFET Q1、稳压二极管V1;
电阻R1、R2串联后两端接入输入电压的两端;LT1641芯片的ON管脚接入电阻R1和R2的公共端,VCC管脚分成两支,一支接入输入电压的正端,另一支串联电容C4后接入输入电压的负端;TIMER管脚串联电容C3后接入输入电压的负端;LT1641芯片的GATE管脚分成三支,一支串联电阻R4后接入MOSFET Q1的栅极,一支串联稳压二极管V1的阴极后经V1的阳极接入输出电压的正端,一支串联电阻R5、电容C5后接入输出电压的负端;电阻R6和R7串联后一端接入输出电压的正端,另一端接入输出电压的负端;电阻R6和R7的公共端接入LT1641的FB管脚;MOSFET Q1的漏极分成两支,一支串联电阻R3后接入输入电压的正端,一支接入LT1641的SENSE管脚;MOSFET Q1的源极为电路输出电压的正端;电阻R3两端分别接入LT1641的VCC管脚和SENSE管脚;LT1641的GND管脚接入电路输入电压的负端和输出电压的负端。
还包括电容C1、C2;电容C1和电容C2分别并联在电阻R2的两端。
本实用新型与现有技术相比有益效果为:
(1)常规导弹武器常用的供电模式是在地面进行电池激活,待电池电压稳定后发出“转电”指令,为系统供电。电压整形电路精简了传统的系统供电模式,通过延时输出,能够解决电池激活后,在电压建立过程中,后级电路由于电压不稳导致的波动现象,实现了电源的阶跃输出,能够为后级电路提供高品质电源,保证系统可靠工作。
(2)通过限流电阻的选取,能够可靠提高电路的负载性能,解决了系统在大电路负载情况下重启的技术问题。
附图说明
图1为本实用新型电路图;
图2为未加电压整形电路的电压波形;
图3为增加电压整形电路后的电压波形。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型做详细说明。
如图1所示,本实用新型一种电压整形电路,包括LT1641芯片、电阻R1~R7、电容C1~C5、MOSFET Q1、稳压二极管V1;
电阻R1、R2串联后两端接入输入电压的两端,电阻R2的两端并联电容C1和电容C2;LT1641芯片的ON管脚接入电阻R1和R2的公共端,VCC管脚分成两支,一支接入输入电压的正端,另一支串联电容C4后接入输入电压的负端;TIMER管脚串联电容C3后接入输入电压的负端;LT1641芯片的GATE管脚分成三支,一支串联电阻R4后接入MOSFET Q1的栅极,一支串联稳压二极管V1的阴极后经V1的阳极接入输出电压的正端,一支串联电阻R5、电容C5后接入输出电压的负端;电阻R6和R7串联后一端接入输出电压的正端,另一端接入输出电压的负端;电阻R6和R7的公共端接入LT1641的FB管脚;MOSFET Q1的漏极分成两支,一支串联电阻R3后接入输入电压的正端,一支接入LT1641的SENSE管脚。MOSFET Q1的源极为电路输出电压的正端。电阻R3两端分别接入LT1641的VCC管脚和SENSE管脚。LT1641的GND管脚接入电路输入电压的负端和输出电压的负端。
LT1641芯片具有欠压锁定功能,将电池输出电压调理后送给LT1641电压输入管脚ON,与芯片内部设定的欠压阈值(V=1.233V)_比较。当输入电压大于欠压阈值,LT1641芯片输出信号,打开电压通路,为后级电压供电。当输入电压小于欠压阈值,LT1641芯片截止,关闭电压通路。
LT1641芯片ON管脚用于监视输入电压。当ON管脚电压上升到欠压阀值以上时,LT1641芯片会升高GATE电压,从而开启外部MOSFET Q1,打开电压输出通路,为后级电路提供电源。当ON管脚电压下降到欠压阀值以下时,意味着出现了欠压故障,器件会降低GATE电压,从而关断MOSFET Q1,关闭电压输出通路。
为提高系统可靠性,在电路中增加延时功能,即在R2两端并联两个电容。靠RC电路充电时间延长ON管脚电压上升时间,相当于对电源品质的提升打了双保险。即要使电压整形电路输出需同时满足两个条件:一是电源输出经R1、R2分压;二是电源电压输出经RC延时充电后,达到ON管脚的欠压阈值要求。当两个条件同时满足时,电源电压已基本建立稳定,输出电压平稳,不会有较大的波动电压出现,使得整形效果更加明显。
同时,该电路可对输出电压、输出电流、芯片温度进行监视。如图1示,在VCC和SENSE管脚之间接一只检流电阻R3,来检测负载电流,当输出端短路或负载电流过大时,LT1641芯片截止,关闭电压通路。通过R6和R7电阻的选取,将LT1641芯片FB管脚电压设置为不小于0.5V,即可使检流电阻R3上的压降稳定在47mV。允许的最大负载电流即为:
Ilimit=47mV/R3
LT1641芯片可设置允许器件工作于限流状态的最长时间。当电路工作在限流状态时,TIMER管脚的电压就77μA/C3斜率上升。只要TIMER管脚电压达到1.233V,芯片内部故障锁存器就被置位,降低GATE电压,从而关断MOSFETQ1,关闭电压输出通路。一旦选定期望的限流最长时间Tlimit,按照以下公式来计算C3电容值:
Tlimit=(C3/80μA)x1.233V
当LT1641芯片温度达到+150℃,则产生过热故障。器件会降低GATE电压,从而关断MOSFET Q1。温度冷却到+130℃以下后,则自动退出过热保护状态。
对增加电压调整电路前后的3路电压波形进行对比如下,图2为未加电压整形电路的电压波形,图3为增加电压整形电路后的电压波形。比较可见,未加整形电路时,电源电压抖动剧烈,不稳定,后级电路无法得到有效供电。增加整形电路后,电源输出电压响应速度及稳定性有了明显改善,能够为后级电路可靠供电。
本实用新型未详细说明部分属于本领域技术人员公知常识。
Claims (2)
1.一种电压整形电路,其特征在于:包括LT1641芯片、电阻R1~R7、电容C3~C5、MOSFET Q1、稳压二极管V1;
电阻R1、R2串联后两端接入输入电压的两端;LT1641芯片的ON管脚接入电阻R1和R2的公共端,VCC管脚分成两支,一支接入输入电压的正端,另一支串联电容C4后接入输入电压的负端;TIMER管脚串联电容C3后接入输入电压的负端;LT1641芯片的GATE管脚分成三支,一支串联电阻R4后接入MOSFET Q1的栅极,一支串联稳压二极管V1的阴极后经V1的阳极接入输出电压的正端,一支串联电阻R5、电容C5后接入输出电压的负端;电阻R6和R7串联后一端接入输出电压的正端,另一端接入输出电压的负端;电阻R6和R7的公共端接入LT1641的FB管脚;MOSFET Q1的漏极分成两支,一支串联电阻R3后接入输入电压的正端,一支接入LT1641的SENSE管脚;MOSFET Q1的源极为电路输出电压的正端;电阻R3两端分别接入LT1641的VCC管脚和SENSE管脚;LT1641的GND管脚接入电路输入电压的负端和输出电压的负端。
2.根据权利要求1所述的一种电压整形电路,其特征在于:还包括电容C1、C2;电容C1和电容C2分别并联在电阻R2的两端。
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CN201420403651.0U CN204031100U (zh) | 2014-07-21 | 2014-07-21 | 一种电压整形电路 |
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CN105356879A (zh) * | 2015-09-29 | 2016-02-24 | 北京航天长征飞行器研究所 | 一种高g值加速度传感器信号调理电路 |
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2014
- 2014-07-21 CN CN201420403651.0U patent/CN204031100U/zh not_active Expired - Fee Related
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CN105356879A (zh) * | 2015-09-29 | 2016-02-24 | 北京航天长征飞行器研究所 | 一种高g值加速度传感器信号调理电路 |
CN105356879B (zh) * | 2015-09-29 | 2018-12-21 | 北京航天长征飞行器研究所 | 一种高g值加速度传感器信号调理电路 |
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