CN205791484U - 一种欠压锁定电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种欠压锁定电路，包括MOS管V1、电阻R1、电阻R2和反向器U1，所述MOS管V1的源极连接电阻R1、电容C1、电阻R5、电源VCC和MOS管V2的源极，电阻R1的另一端连接电阻R2和MOS管V1的漏极，MOS管V1的栅极连接电阻R7，电阻R2的另一端连接MOS管Q1的栅极和电阻R3。本实用新型欠压锁定电路电路通过低功耗的先导控制电路控制电流较大的比较器的灌电流，使比较器只有在状态发生翻转时有微弱的电流流过Q2。在其余时间，无论比较器是输出高电平还是低电平，都没有电流流过Q2，也就是说使电路无论是在正常工作状态还是在欠压锁定状态，比较器都不消耗功率，这样就可以把电路的静态功耗降到最低。

Description

一种欠压锁定电路

技术领域

本实用新型涉及一种电子电路，具体是一种欠压锁定电路。

背景技术

在DC-DC电源管理芯片中，电压的稳定尤为重要，因此需要在芯片内部集成欠压锁定电路来提高电源的可靠性和安全性。对于其它的集成电路，为提高电路的可靠性和稳定性，欠压锁定电路同样十分重要。传统的欠压锁定电路要求简单、实用，但忽略了欠压锁定电路的功耗，使系统在正常工作时，仍然有较大的静态功耗，这样就降低了电源的效率，并且无效的功耗增加了芯片散热系统的负担，影响系统的稳定性。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种欠压锁定电路，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种欠压锁定电路，包括MOS管V1、电阻R1、电阻R2和反向器U1，所述MOS管V1的源极连接电阻R1、电容C1、电阻R5、电源VCC和MOS管V2的源极，电阻R1的另一端连接电阻R2和MOS管V1的漏极，MOS管V1的栅极连接电阻R7，电阻R2的另一端连接MOS管Q1的栅极和电阻R3，电阻R3的另一端连接电阻R4和MOS管Q2的栅极，电阻R4的另一端连接MOS管Q1的源极、MOS管Q2的源极和施密特触发器IC1的接地端4，MOS管Q1的漏极连接反向器U1的输入端和电阻R5的另一端，反向器U1的输出端连接MOS管V2的栅极，MOS管V2的漏极连接电阻R6和MOS管V3的源极，MOS管V3的栅极连接反向器U2的输出端，MOS管V3的漏极连接电阻R7的另一端，MOS管Q2的漏极连接电阻R6的另一端、与反向器U2的输入端、电容C1的另一端和施密特触发器IC1的输入端1，施密特触发器IC1的输出端连接反向器U3的输入端，反相器U3的输出端为欠压锁定电路的输出端。

作为本实用新型的优选方案：所述MOS管V1、MOS管V2和MOS管V3均为P型MOS管。

作为本实用新型的优选方案：所述MOS管Q1和MOS管Q2均为N型MOS管。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型欠压锁定电路电路通过低功耗的先导控制电路控制电流较大的比较器的灌电流，使比较器只有在状态发生翻转时有微弱的电流流过Q2。在其余时间，无论比较器是输出高电平还是低电平，都没有电流流过Q2，也就是说使电路无论是在正常工作状态还是在欠压锁定状态，比较器都不消耗功率，这样就可以把电路的静态功耗降到最低。

附图说明

图1为欠压锁定电路的电路图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1，一种欠压锁定电路，包括MOS管V1、电阻R1、电阻R2和反向器U1，所述MOS管V1的源极连接电阻R1、电容C1、电阻R5、电源VCC和MOS管V2的源极，电阻R1的另一端连接电阻R2和MOS管V1的漏极，MOS管V1的栅极连接电阻R7，电阻R2的另一端连接MOS管Q1的栅极和电阻R3，电阻R3的另一端连接电阻R4和MOS管Q2的栅极，电阻R4的另一端连接MOS管Q1的源极、MOS管Q2的源极和施密特触发器IC1的接地端4，MOS管Q1的漏极连接反向器U1的输入端和电阻R5的另一端，反向器U1的输出端连接MOS管V2的栅极，MOS管V2的漏极连接电阻R6和MOS管V3的源极，MOS管V3的栅极连接反向器U2的输出端，MOS管V3的漏极连接电阻R7的另一端，MOS管Q2的漏极连接电阻R6的另一端、与反向器U2的输入端、电容C1的另一端和施密特触发器IC1的输入端1，施密特触发器IC1的输出端连接反向器U3的输入端，反相器U3的输出端为欠压锁定电路的输出端。

MOS管V1、MOS管V2和MOS管V3均为P型MOS管。MOS管Q1和MOS管Q2均为N型MOS管。

本实用新型的工作原理是：电路结构由采样、先导控制、比较器、迟滞反馈回路、加速响应电路、缓冲器六部分构成。电阻R1、R2、R3、R4构成分压电阻网络实现对VCC的采样；Q1、R5、U1组成先导控制电路，实现对比较器灌电流的控制；Q2、R6、V2组成比较器，实现采样电压与Q2的导通电压相比较；V1构成正反馈回路，可实现VCC的迟滞功能；U2、V3、R7构成正反馈回路，可加速比较器的翻转，从而提高电路的响应速度；施密特触发器IC1和反相器U3是缓冲电路，对比较器的输出波形进行缓冲和整形，电容C1起滤波和储能作用。

在VCC电压升高过程中，当电压较低时，由于Q1、Q2截止，a电位处于高电位，可通过先导控制电路使V2导通，同时V3也导通，给电容C1充电，使b点的电压等于VCC，使输出端为高电平，电路处于欠压锁定状态；随着VCC电压升高，由于Q1基极电压高于Q2基极电压，使Q1比Q2先导通，先导控制电路使V2截止，使比较器的灌电流消失，此时由于电容C1没有放电回路，使b点保持高电平，电路仍处于欠压锁定状态；当VCC进一步上升使Q2基极电压高于Q2的阈值时，Q2导通，由于没有灌电流的作用，Q2迅速给C1放电，使b点电压迅速下降到0V，电路解除欠压锁定，进入正常工作状态，此时V1导通，R1被短接。此后VCC继续升高，先导控制电路使V2保持截止状态，使电路保持在正常工作状态。

对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。

此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

Claims (3)

1.一种欠压锁定电路，包括MOS管V1、电阻R1、电阻R2和反向器U1，其特征在于，所述MOS管V1的源极连接电阻R1、电容C1、电阻R5、电源VCC和MOS管V2的源极，电阻R1的另一端连接电阻R2和MOS管V1的漏极，MOS管V1的栅极连接电阻R7，电阻R2的另一端连接MOS管Q1的栅极和电阻R3，电阻R3的另一端连接电阻R4和MOS管Q2的栅极，电阻R4的另一端连接MOS管Q1的源极、MOS管Q2的源极和施密特触发器IC1的接地端4，MOS管Q1的漏极连接反向器U1的输入端和电阻R5的另一端，反向器U1的输出端连接MOS管V2的栅极，MOS管V2的漏极连接电阻R6和MOS管V3的源极，MOS管V3的栅极连接反向器U2的输出端，MOS管V3的漏极连接电阻R7的另一端，MOS管Q2的漏极连接电阻R6的另一端、与反向器U2的输入端、电容C1的另一端和施密特触发器IC1的输入端1，施密特触发器IC1的输出端连接反向器U3的输入端，反相器U3的输出端为欠压锁定电路的输出端。

2.根据权利要求1所述的一种欠压锁定电路，其特征在于，所述MOS管V1、MOS管V2和MOS管V3均为P型MOS管。

3.根据权利要求1所述的一种欠压锁定电路，其特征在于，所述MOS管Q1和MOS管Q2均为N型MOS管。