CN204650218U - 一种单片机自断电重启电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种单片机自断电重启电路，与单片机连接，包括开关芯片U1、复位芯片U2、P沟道MOS管Q1、N沟道MOS管Q2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1、电容C2、供电电源VCC和受控电源VCC＿CTRL。本实用新型在单片机由于某种故障死机时，单片机的看门狗信号输出端停止输出看门狗信号，复位芯片在超过预设期限未接收到看门狗信号时，复位芯片的复位信号输出端输出低电平，由于开关芯片U1的常开端与开关芯片U1的公共端连接，将N沟道MOS管Q2的栅极电压拉低，使得N沟道MOS管Q2断开，N沟道MOS管Q2的漏极电压被电阻R3拉高，即将P沟道MOS管Q1的栅极电压拉高，P沟道MOS管Q1断开，实现受控电源VCC＿CTRL断电，供电电源VCC保持上电状态，电路重新启动。
Description
技术领域
本实用新型涉及嵌入式系统技术领域，特别是涉及一种单片机自断电重启电路。
背景技术
目前，单片机复位电路通常采用专用复位芯片实现，然而对于较强烈干扰环境，如输电线路在线检测线路等，由于某种原因导致专用复位芯片不能正常复位单片机，引起死机，此时，只有通过切断单片机电源并维持断电状态数秒后，系统重新上电才能正常工作。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种单片机自断电重启电路，当单片机由于某种故障死机时，单片机的看门狗信号输出端停止输出看门狗信号，复位芯片在超过预设期限未接收到看门狗信号时，复位芯片的复位信号输出端输出低电平，由于开关芯片U1的常开端与开关芯片U1的公共端连接， 将N沟道MOS管Q2的栅极电压拉低，使得N沟道MOS管Q2断开，N沟道MOS管Q2的漏极电压被电阻R3拉高，即将P沟道MOS管Q1的栅极电压拉高，P沟道MOS管Q1断开，实现受控电源VCC＿CTRL断电，供电电源VCC保持上电状态，电路重新启动。
本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的：一种单片机自断电重启电路，与单片机连接，包括开关芯片U1、复位芯片U2、P沟道MOS管Q1、N沟道MOS管Q2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1、电容C2、供电电源VCC和受控电源VCC＿CTRL，复位芯片的电源端与受控电源VCC＿CTRL连接，复位芯片的看门狗信号输入端与单片机的看门狗信号输出端连接，复位芯片的复位信号输出端与开关芯片U1的常开端连接，开关芯片U1的控制输入端通过电阻R1与受控电源VCC＿CTRL电连接，开关芯片U1的控制输入端通过电容C1接地，开关芯片U1的电源端与供电电源VCC电连接，开关芯片U1的公共端与N沟道MOS管Q2的栅极连接，N沟道MOS管Q2的栅极通过电阻R2与供电电源VCC连接，N沟道MOS管Q2的漏极通过电阻R3与供电电源VCC连接，N沟道MOS管Q2的栅极通过电容C2接地，N沟道MOS管Q2的源极接地，N沟道MOS管Q2的漏极与P沟道MOS管Q1的栅极连接，P沟道MOS管Q1的源极与供电电源VCC连接，P沟道MOS管Q1的漏极与受控电源VCC＿CTRL连接，受控电源VCC＿CTRL与单片机的电源端连接。
所述开关芯片U1为单刀双掷开关。
所述开关芯片U1的型号为TS5A3159。
所述P沟道MOS管Q1的型号为SI2347DS，N沟道MOS管Q2的型号为BSS138。
本实用新型的有益效果是：当单片机由于某种故障死机时，单片机的看门狗信号输出端停止输出看门狗信号，复位芯片在超过预设期限未接收到看门狗信号时，复位芯片的复位信号输出端输出低电平，由于开关芯片U1的常开端与开关芯片U1的公共端连接， 将N沟道MOS管Q2的栅极电压拉低，使得N沟道MOS管Q2断开，N沟道MOS管Q2的漏极电压被电阻R3拉高，即将P沟道MOS管Q1的栅极电压拉高，P沟道MOS管Q1断开，实现受控电源VCC＿CTRL断电，供电电源VCC保持上电状态，电路重新启动。
附图说明
图1为本实用新型单片机自断电重启电路的电路图。
具体实施方式
下面结合附图进一步详细描述本实用新型的技术方案，但本实用新型的保护范围不局限于以下所述。
如图1所示，一种单片机自断电重启电路，与单片机连接，包括开关芯片U1、复位芯片U2、P沟道MOS管Q1、N沟道MOS管Q2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1、电容C2、供电电源VCC和受控电源VCC＿CTRL，复位芯片的电源端与受控电源VCC＿CTRL连接，复位芯片的看门狗信号输入端与单片机的看门狗信号输出端连接，复位芯片的复位信号输出端与开关芯片U1的常开端连接，开关芯片U1的控制输入端通过电阻R1与受控电源VCC＿CTRL电连接，开关芯片U1的控制输入端通过电容C1接地，开关芯片U1的电源端与供电电源VCC电连接，开关芯片U1的公共端与N沟道MOS管Q2的栅极连接，N沟道MOS管Q2的栅极通过电阻R2与供电电源VCC连接，N沟道MOS管Q2的漏极通过电阻R3与供电电源VCC连接，N沟道MOS管Q2的栅极通过电容C2接地，N沟道MOS管Q2的源极接地，N沟道MOS管Q2的漏极与P沟道MOS管Q1的栅极连接，P沟道MOS管Q1的源极与供电电源VCC连接，P沟道MOS管Q1的漏极与受控电源VCC＿CTRL连接，受控电源VCC＿CTRL与单片机的电源端连接。
所述开关芯片U1为单刀双掷开关。
所述开关芯片U1的型号为TS5A3159。
所述P沟道MOS管Q1的型号为SI2347DS，N沟道MOS管Q2的型号为BSS138。
工作时，供电电源VCC上电，开关芯片U1由供电电源VCC供电，开关芯片U1的控制输入端未上电，开关芯片U1的公共端连接到开关芯片U1的常闭端，供电电源VCC通过电阻R2向电容C2充电，充电时间由充电时间常数t2决定，电容C2的电压达到N沟道MOS管Q2的门限电压后，N沟道MOS管Q2导通，N沟道MOS管Q2的漏极和源极接通，由于N沟道MOS管Q2的源极接地，从而拉低P沟道MOS管Q1的栅极电压，使得P沟道MOS管Q1导通，从而接通供电电源VCC与受控电源VCC＿CTRL；受控电源VCC＿CTRL向复位芯片供电，复位芯片的复位信号输出端输出高电平，受控电源VCC＿CTRL通过电阻R1向电容C1充电，充电时间由充电时间常数t1决定，达到门限电压后，开关芯片U1的公共端切换到常开端，从而连接到复位芯片的复位信号输出端，保持高电平，保证P沟道MOS管Q1导通，实现供电电源VCC与受控电源VCC＿CTRL接通。
当单片机由于某种故障死机时，单片机的看门狗信号输出端停止输出看门狗信号，复位芯片在超过预设期限未接收到看门狗信号时，复位芯片的复位信号输出端输出低电平，由于开关芯片U1的常开端与开关芯片U1的公共端连接， 将N沟道MOS管Q2的栅极电压拉低，使得N沟道MOS管Q2断开，N沟道MOS管Q2的漏极电压被电阻R3拉高，即将P沟道MOS管Q1的栅极电压拉高，P沟道MOS管Q1断开，实现受控电源VCC＿CTRL断电，供电电源VCC保持上电状态，电路重新启动。
本实施例中，电阻R1的阻值为20kΩ，电阻R2的阻值为499kΩ，电容C1的电容值为10μF，电容C2的电容值为10μF，充电时间常数t1=R1*C1=0.2S，充电时间常数t2=R2*C2=4.99S。通过修改电阻R1、电阻R2、电容C1和电容C2的值能够改变自断电重启电路的自断电重启时间。
Claims (4)
1.一种单片机自断电重启电路，与单片机连接，其特征在于：包括开关芯片U1、复位芯片U2、P沟道MOS管Q1、N沟道MOS管Q2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1、电容C2、供电电源VCC和受控电源VCC＿CTRL，复位芯片的电源端与受控电源VCC＿CTRL连接，复位芯片的看门狗信号输入端与单片机的看门狗信号输出端连接，复位芯片的复位信号输出端与开关芯片U1的常开端连接，开关芯片U1的控制输入端通过电阻R1与受控电源VCC＿CTRL电连接，开关芯片U1的控制输入端通过电容C1接地，开关芯片U1的电源端与供电电源VCC电连接，开关芯片U1的公共端与N沟道MOS管Q2的栅极连接，N沟道MOS管Q2的栅极通过电阻R2与供电电源VCC连接，N沟道MOS管Q2的漏极通过电阻R3与供电电源VCC连接，N沟道MOS管Q2的栅极通过电容C2接地，N沟道MOS管Q2的源极接地，N沟道MOS管Q2的漏极与P沟道MOS管Q1的栅极连接，P沟道MOS管Q1的源极与供电电源VCC连接，P沟道MOS管Q1的漏极与受控电源VCC＿CTRL连接，受控电源VCC＿CTRL与单片机的电源端连接。
2.根据权利要求1所述的一种单片机自断电重启电路，其特征在于：所述开关芯片U1为单刀双掷开关。
3.根据权利要求2所述的一种单片机自断电重启电路，其特征在于：所述开关芯片U1的型号为TS5A3159。
4.根据权利要求1所述的一种单片机自断电重启电路，其特征在于：所述P沟道MOS管Q1的型号为SI2347DS，N沟道MOS管Q2的型号为BSS138。
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| CN104914966A (zh) * | 2015-06-09 | 2015-09-16 | 四川汇源光通信有限公司 | 一种单片机自断电重启电路 |
| CN111708308A (zh) * | 2020-07-03 | 2020-09-25 | 迈普通信技术股份有限公司 | 单板电源控制电路及电子设备 |
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| CN104914966B (zh) * | 2015-06-09 | 2019-04-12 | 四川汇源光通信有限公司 | 一种单片机自断电重启电路 |
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