CN203967235U - 倒f天线 - Google Patents

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江建佑
湯庆仲
张圣鑫
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Kunshan Liantao Electronics Co Ltd
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Kunshan Liantao Electronics Co Ltd
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Abstract

本实用新型涉及一种倒F天线,其包括主天线部分、寄生天线及与主天线部分焊接的同轴线,所述主天线部分包括接地片、短路片、馈电片及辐射片,所述接地片与辐射片平行,所述短路片连接馈电片与接地片,所述同轴线包含中心导体与外导体,中心导体焊接在馈电片上,外导体焊接在接地片上,所述辐射片具有与寄生天线相靠近并间隔开的耦合片,所述耦合片与寄生天线相互共振以达成增强辐射,所述寄生天线是产品上的金属饰条或金属断条,增加了倒F天线的有效体积,改善倒F天线的辐射效能,倒F天线不受金属干扰并且融入产品外观中。

Description

倒F天线
技术领域
本实用新型涉及一种倒F天线。 
背景技术
因应产品外观追求美观与轻薄需求,金属外观设计已成为潮流趋势,如何应用金属机身结合天线设计,成为业界研究设计目标,以平板电脑为例,通常设计于金属边框的天线会采用泡棉垫高或是利用LDS(Laser Direct Structuring,激光直接成型技术)制程所设计的三维天线,并且设置净空间以解决天线无辐射空间的问题,降低金属对天线的干扰。 
所以,有必要对上述技术问题进行改进。 
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供了一种融入产品外观中的倒F天线。 
为实现前述目的,本实用新型采用如下技术方案:一种倒F天线,其包括主天线部分、寄生天线及与主天线部分焊接的同轴线,所述主天线部分包括接地片、短路片、馈电片及辐射片,所述接地片与辐射片平行,所述短路片连接馈电片与接地片,所述同轴线包含中心导体与外导体,中心导体焊接在馈电片上,外导体焊接在接地片上,所述辐射片具有与寄生天线相靠近并间隔开的耦合片,通过调节耦合片与寄生天线距离或主天线部分的形状,能够得到倒F天线所需的辐射效能,所述耦合片与寄生天线相互共振以达成增强辐射,所述寄生天线是产品上的金属饰条或金属断条。 
本实用新型倒F天线将金属饰条或金属断条转变为寄生天线,把金属饰条或金属断条对天线的负面作用变为正面作用,增加了倒F天线的有效体积,改善倒F天线的辐射效能,倒F天线不受金属干扰并且融入产品外观中。 
附图说明
附图为本实用新型倒F天线的示意图。 
具体实施方式
请参阅附图所示,本实用新型倒F天线10包括主天线部分11、寄生天线12及与主天线部分11焊接在同轴线13。主天线部分11包括接地片111、短路片112、馈电片113及辐射片114,接地片111与辐射片114平行,短路片112连接馈电片113与接地片111,同轴线13包含中心导体131与外导体132,中心导体131焊接在馈电片113上,外导体132焊接在接地片111上。 
辐射片114具有与寄生天线12相靠近并间隔开的耦合片115,耦合片115与寄生天线12相互平行,通过调节耦合片115与寄生天线12距离以及主天线部分11的形状,得到倒F天线10所需的辐射效能。寄生天线12是产品上的金属饰条20或金属断条20等。当信号在耦合片115上跑时,会因为电容效应而耦合至寄生天线12,从而促使耦合片115与寄生天线12相互共振达成增强辐射,可以解决倒F天线10在全金属外壳内辐射弱的缺陷,使用空间较小。 
通常情况下,金属饰条20或金属断条20尤其是在倒F天线10附近的金属饰条20或金属断条20对倒F天线10的负面影响很大,本实用新型倒F天线10干脆将金属饰条20或金属断条20转变为寄生天线12,把负面作用变为正面作用,增加了倒F天线10的有效体积,改善倒F天线10的辐射效能,倒F天线20不受金属干扰并且融入产品外观中。 

Claims (2)

1.一种倒F天线,其包括主天线部分、寄生天线及与主天线部分焊接的同轴线,所述主天线部分包括接地片、短路片、馈电片及辐射片,所述接地片与辐射片平行,所述短路片连接馈电片与接地片,所述同轴线包含中心导体与外导体,中心导体焊接在馈电片上,外导体焊接在接地片上,所述辐射片具有与寄生天线相靠近并间隔开的耦合片,通过调节耦合片与寄生天线距离或主天线部分的形状,能够得到倒F天线所需的辐射效能,其特征在于:所述耦合片与寄生天线经由电容式耦合达成相互共振以增强辐射,所述寄生天线是产品上的金属饰条或金属断条。
2.根据权利要求1所述的倒F天线,其特征在于:所述耦合片与寄生天线相互平行。
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CX01 Expiry of patent term

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