CN203965796U - 一种掩模板 - Google Patents

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Abstract

本实用新型涉及一种掩模板,掩模板上设有预设图形,在所述预设图形相对的两侧分别设有第一测试图形,所述第一测试图形用于确定所述掩模板在移动过程中产生的位置偏移的大小。本实用新型提供的掩模板,在其沿由第一测试图形所在的预设图形的第一侧至与第一册相对的第二侧的方向移动标准距离时,可以通过检测移动后的位于预设图形第一侧的第一测试图形与移动前的位于预设图形第二侧的第一测试图形之间的相对位置关系,确定掩模板在其移动过程中是否产生位置偏移,并在产生位置偏移时,确定位置偏移的大小,从而可以对掩模板的位置进行校正,进而在玻璃基板上获得准确的特定图形。

Description

一种掩模板
技术领域
本实用新型涉及半导体制造技术领域,具体地,涉及一种掩模板。
背景技术
在TFT LCD的成盒工艺中,需要对玻璃基板上涂覆封框胶的区域进行紫外光(Ultraviolet,以下简称为UV)照射,以使其固化;同时,在上述过程中,需要使用另一具有特定图形的玻璃基板对该玻璃基板上的其他区域进行遮挡,避免涂覆在其他区域的光刻胶固化。
在现有技术中,制备具有特定图形的玻璃基板的工艺过程如下:步骤S1,在玻璃基板上沉积不透明金属层,并在上述不透明金属层上涂覆一层光刻胶;步骤S2,使用掩模板对所需特定图形对应的玻璃基板上的相应区域进行曝光,使所需特定图形对应的区域的光刻胶变性;步骤S3,对玻璃基板上已曝光的区域进行显影,将已变性的光刻胶去除;步骤S4,对玻璃基板进行刻蚀处理,将所需特定图形对应的区域的不透明金属层去除,从而在玻璃基板上获得特定图形;步骤S5,去除玻璃基板上的光刻胶,在特定图形外的其他区域获得不透明金属层,并以该区域的不透明金属层作为挡光地带。
具体地,在上述步骤S2中,可通过下述多个步骤对玻璃基板上的多个区域依次进行多次曝光,使所需图形对应的区域的光刻胶变性:步骤S21,使用矩形掩模板1遮挡玻璃基板2的右下侧大部区域,如图1所示;步骤S22,对玻璃基板2的上部和右侧区域进行曝光,如图2所示;步骤S23,移动矩形掩模板1的位置,并使用曝光设备的挡光条3,遮挡玻璃基板2上的相应区域,如图3所示;步骤S24,对玻璃基板上未被遮挡的区域进行曝光,如图4所示;步骤S25,重复步骤S23~S24,获得如图5所示的玻璃基板,并多次重复步骤S23~S24,最终获得如图6所示的玻璃基板。
在上述制备具有特定图形的玻璃基板的工艺过程中,需要多次移动矩形掩模板,以遮挡玻璃基板上的相应区域。而在实际应用中,很难将掩模板完全准确地移动至相应位置,其二者之间一般存在一定的位置偏移,该位置偏移会导致部分所需特定图形对应的区域未被曝光或者部分其他不应曝光的区域被曝光,进而使玻璃基板上的特定图形与所需的特定图形之间产生一定的误差(就通过上述过程制备的玻璃基板而言,其表现为相邻两个挡光地带的距离a无法保证),因此,在实际应用中,需要对掩模板移动过程中的位置偏移进行检测,以便对其进行校正,从而使在玻璃基板获得的图形尽可能和所需的特定图形一致。
实用新型内容
本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种掩模板,其可以检测掩模板移动过程中产生的位置偏移,以便对该位置偏移进行校正,从而尽可能使在玻璃基板上获得的图形与所需的特定图形一致。
为实现本实用新型的目的而提供一种掩模板,其上设有预设图形,在所述预设图形相对的两侧分别设有第一测试图形,所述第一测试图形用于确定所述掩模板在移动过程中产生的位置偏移的大小。
其中,所述第一测试图形上设有多个标记,所述标记沿第一方向排布,且在所述预设图形相对的两侧的第一测试图形上的所述标记关于第一方向镜面对称。
其中,所述多个标记具有不同的预设宽度;并且,每个所述第一测试图形上的各标记的预设宽度沿所述第一方向递增或递减。
其中,在所述第一测试图形上设置多个开口,相邻的两个所述开口之间的图形构成所述标记。
其中,多个所述开口的开口方向相同。
其中,多个所述开口的宽度相同。
其中,所述第一方向与所述开口的开口方向相垂直。
其中,每个第一测试图形上的各标记的宽度的范围为1.0μm~3.0mm。
其中,所述预设图形为矩形。
其中,所述掩模板上还设有第二测试图形,所述第二测试图形包括宽度不同的多个图案,所述多个图案用以确定曝光强度。
优选地,所述图案为矩形或圆形。
优选地,每个所述图案的宽度范围为1.0μm~3.0mm。
本实用新型具有以下有益效果:
本实用新型提供的掩模板,在其沿由第一测试图形所在的预设图形的第一侧至与第一侧相对的第二侧的方向移动标准距离时,通过检测位于预设图形第一侧的第一测试图形在移动后的位置与位于预设图形第二侧的第一测试图形在移动前的位置之间的对应关系是否与预设的对应关系一致;并在一致时,确定掩模板在移动过程中未发生偏移;在不一致时,确定掩模板在移动过程中发生偏移,并且,通过比较其相对于预设的对应关系的变化值,可以确定掩模板在移动过程中产生的位置偏移的大小,从而,根据该位置偏移的大小,可以对掩模板的位置进行校正,从而在玻璃基板上获得准确的特定图形。
附图说明
图1为步骤S21中掩模板遮挡玻璃基板的示意图;
图2为经过一次曝光的玻璃基板的示意图;
图3为步骤S23中掩模板和挡光条遮挡玻璃基板的示意图;
图4为经过两次曝光的玻璃基板的示意图;
图5为经过三次曝光的玻璃基板的示意图;
图6为经过多次曝光最终获得的玻璃基板的示意图;
图7为本实用新型实施例提供的掩模板的俯视示意图;
图8为玻璃基板的俯视示意图;
图9为在玻璃基板上形成的图形的示意图;
图10为在玻璃基板上形成的图形产生偏移时的示意图;
图11为第一个第一测试图形的示意图;
图12为第二个第一测试图形的示意图;
图13为开口为通孔的示意图;
图14为第二测试图形的第一种示意图;以及
图15为第二测试图形的第二种示意图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本实用新型的技术方案,下面结合附图来对本实用新型提供的掩模板进行详细描述。
图7为本实用新型实施例提供的掩模板的俯视示意图。如图7所示,本实用新型实施例提供的掩模板10上设有预设图形11,在预设图形11的相对的两侧分别设有第一测试图形12;第一测试图形12用于确定掩模板10在移动过程中产生的位置偏移的大小。优选地,预设图形11为矩形。第一测试图形12包括设于预设图形11的第一侧的第一测试图形12a,以及设于与第一侧相对的第二侧的第一测试图形12b。
在使用掩模板10对玻璃基板上多个区域的光刻胶依次进行曝光时,将掩模板10沿由第一侧至第二侧的方向(即图7中有左至右方向)移动预设距离。具体地,通过检测掩模板10移动后,第一测试图形12a在玻璃基板上的曝光形成的图形,与掩模板10移动前,第一测试图形12b在玻璃基板上曝光形成的图形之间的位置对应关系是否与预设的对应关系一致;若是,则可以确定掩模板10在移动过程中未发生位置偏移;若否,则可以确定掩模板10在移动过程中发生位置偏移,并通过与预设的对应关系进行比较,可以确定掩模板10的位置偏移的大小。
在本实施例中,掩模板10用于制备具有特定图形的玻璃基板20。图8为玻璃基板的俯视示意图。具体地,玻璃基板20上沉积有不透明金属层,且不透明金属层上涂覆有一层光刻胶。在制备具有特定图形的玻璃基板20的过程中,需对玻璃基板20上的光刻胶层进行曝光。在进行曝光之前,将掩模板10置于玻璃基板20的区域A的正上方,同时遮挡玻璃基板20上除区域A外的其他区域。而后,对区域A进行曝光,使预设图形11在该区域A内对应的区域B,以及第一测试图形12在区域A内对应的区域C内的光刻胶不溶于显影液,而该区域A内的其他区域D内的光刻胶可溶于显影液。而后,依次将掩模板10移动至玻璃基板20的其他区域的上方,对相应区域依次进行多次曝光,最终使玻璃基板20上特定图形对应的区域内的光刻胶不溶于显影液,而特定图形对应的区域外的光刻胶可溶于显影液。进而,在后续的步骤中,可以通过显影去除玻璃基板20上特定图形对应的区域外的光刻胶,而特定图形对应区域内的光刻胶则被留存在玻璃基板20上。
下面结合附图对本实用新型提供的掩模板10检测其在移动过程中的位置偏移的原理和过程进行详细描述。
具体地,如图9所示,在完成对区域A的曝光过程后,区域C上形成两个分别与第一测试图形12a和12b对应的图形12a'和12b'。同时,在完成对区域A的曝光过程后,沿第一方向将掩模板10移动标准距离;所谓第一方向为由预设图形11的第一侧向第二侧的方向(图9中由左至右方向);所谓标准距离为:第一测试图形12a和12b之间的距离在掩膜版10移动路线上的投影长度。在将掩模板10移动标准距离后,第一测试图形12a所在位置和移动前的第一测试图形12b所在位置在掩模板10上的投影之间的位置对应关系应与预设的对应关系一致;在其后的曝光过程中即表现为:在玻璃基板20上产生的与第一测试图形12a对应的图形12a〞与图形12b'之间的位置对应关系与预设的对应关系一致,如图9所示。从而在实际应用中,若图形12a〞与图形12b'之间的位置对应关系与预设的对应关系不一致,如图10所示,则可以确定掩模板10在移动过程中发生位置偏移,其移动的距离不是预设的标准距离,并且,通过将图形12a〞与图形12b'之间的位置对应与预设的对应关系进行比较,可以确定掩模板10在移动过程中产生的位置偏移的大小;进而在制备玻璃基板20的过程中,可以对掩模板10在移动过程中产生的位置偏移进行校正,从而减小掩模板10在移动过程中产生的位置偏移,使在玻璃基板20上制备出的图形与所需的特定图形尽可能地一致。
每个第一测试图形12上设置有多个标记121,用于确定图形12a〞和图形12b'之间的对应位置关系。优选地,上述多个标记121沿第一方向排布,且在预设图形11相对的两侧的第一测试图形12上的标记121关于第一方向镜面对称;以便于快速且准确地确定图形12a〞和图形12b'之间的对应位置关系。具体地,在本实施例中,如图11和图12所示,第一测试图形12上设有多个开口120,在本实施例中,相邻两个开口120之间的图形构成标记121。并且,构成标记121的多个开口120均位于第一测试图形12的同一侧,且多个开口120的开口方向相同;并且,第一测试图形12上的开口120的开口方向均不朝向预设图形11,且也不朝向与预设图形11相反的方向。这样设置可以在掩模板10的移动过程中掩模板10产生位置偏移的情况下,根据图形12a〞与12b'偏移的开口120的数量直观地确定其二者之间偏移的幅度,进而确定掩模板10在移动过程中产生的位置偏移的大小。优选地,每个第一测试图形12中所有开口120的宽度相同,多个开口120的开口方向与第一方向相垂直,以使工作人员可以更精准、更方便地确定掩模板10在其移动过程中产生位置偏移的大小。进一步优选地,开口120为未贯穿第一测试图形12的非通孔。
优选地,第一测试图形12a与第一测试图形12b在与开口120的朝向相平行的方向上的投影相接,或者小于预设值。这样设置可以使通过曝光在玻璃基板20上形成的图形12a〞与12b'相接或使其二者之间的距离较近,从而更便于工作人员确定二者偏移的幅度,如图10所示。基于同样的理由,在本实施例中,优选地,如图11和图12所示,在上述一组第一测试图形中,两个第一测试图形12上的开口120的开口方向相反;从而便于观察两个图形12a〞与12b'之间的偏移幅度,如图10所示。
在本实施例中,优选地,第一测试图形12上的多个标记121具有不同的预设宽度;并且,每个第一测试图形12上的各标记121的预设宽度沿第一方向递增或递减,如图11和12所示。具体地,相邻两个开口120之间的距离的最小值为1.0~3.0μm,最大值为1.0~3.0mm;也就是说,标记121的宽度范围为1.0μm~3.0mm。在实际应用中,根据曝光后在玻璃基板20上形成的图形中的多个孔壁的形状,可以确定曝光过程中的曝光强度是否过高,对玻璃基板20上形成的图形的尺寸精度造成不利影响。例如,若在玻璃基板20上形成的与第一测试图形12对应的图形中,标记121消失,则可以根据该标记的宽度值的大小,确定曝光过程中的曝光强度是否过高;若曝光强度过高,则需要降低曝光强度,以便在后续的曝光过程中,使在玻璃基板20上形成的图形具有较好的尺寸精度。
本实用新型实施例提供的掩模板,在其沿第一方向(由第一测试图形12所在的预设图形的第一侧至与第一侧相对的第二侧的方向)移动标准距离时,通过检测位于预设图形11第一侧的第一测试图形12a在移动后的位置与位于预设图形11第二侧的第一测试图形12b在移动前的位置之间的对应关系是否与预设的对应关系一致;并在一致时,确定掩模板10在移动过程中未发生偏移;在不一致时,确定掩模板10在移动过程中发生偏移,并通过将其与预设的对应关系进行比较,可以确定掩模板10在移动过程中产生的位置偏移的大小,从而,根据该位置偏移的大小,可以对掩模板10的位置进行校正,从而在玻璃基板上获得准确的特定图形。
需要说明的是,在本实施例中,开口120为未贯穿第一测试图形12的非通孔,但本实用新型并不限于此,在实际应用中,开口120还可以是通孔,如图13所示。
还需要说明的是,在本实施例中,在位于预设图形11相对的两侧的第一测试图形12上均设有多个开口120,但本实用新型并不限于此,在实际应用中,只需在位于预设图形11一侧的第一测试图形12上设置多个开口120即可,从而可以简化掩模板10的制备步骤,降低掩模板10的制备成本。
此外,在本实施例中,沿第一方向,第一测试图形12上各标记的宽度递增或递减;但本实用新型并不限于此,在实际应用中,第一测试图形12上各标记的宽度还可以相等。在此情况下,可以在掩模板10上设置第二测试图形13,并设置第二测试图形13包括宽度不同的多个图案;在曝光过程中,根据该宽度不同的多个图案在曝光后形成的图形,可以确定对曝光过程中的曝光强度是否过强或不足。具体地,上述多个图案可以彼此连接为一体,如图14所示,同时,其也可以间隔地设置在掩模板10上,如图15所示。优选地,如图14和15所示,上述图案可以为矩形或圆形。在上述多个图案中,宽度最小的图案的宽度为1.0μm~3.0mm。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本实用新型的原理而采用的示例性实施方式,然而本实用新型并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本实用新型的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本实用新型的保护范围。

Claims (12)

1.一种掩模板,其特征在于,所述掩模板上设有预设图形,在所述预设图形相对的两侧分别设有第一测试图形,所述第一测试图形用于确定所述掩模板在移动过程中产生的位置偏移的大小。
2.根据权利要求1所述的掩模板,其特征在于,所述第一测试图形上设有多个标记,所述标记沿第一方向排布,且在所述预设图形相对的两侧的第一测试图形上的所述标记关于第一方向镜面对称。
3.根据权利要求2所述的掩模板,其特征在于,所述多个标记具有不同的预设宽度;并且,每个所述第一测试图形上的各标记的预设宽度沿所述第一方向递增或递减。
4.根据权利要求2所述的掩模板,其特征在于,在所述第一测试图形上设置有多个开口,相邻的两个所述开口之间的图形构成所述标记。
5.根据权利要求4所述的掩模板,其特征在于,多个所述开口的开口方向相同。
6.根据权利要求4或5所述的掩模板,其特征在于,多个所述开口的宽度相同。
7.根据权利要求4或5所述的掩模板,其特征在于,所述第一方向与多个所述开口的开口方向相垂直。
8.根据权利要求2或3所述的掩模板,其特征在于,每个第一测试图形上的各标记的宽度的范围为1.0μm~3.0mm。
9.根据权利要求1所述的掩模板,其特征在于,所述预设图形为矩形。
10.根据权利要求1所述的掩模板,其特征在于,所述掩模板上还设有第二测试图形,所述第二测试图形包括宽度不同的多个图案,所述多个图案用以确定曝光强度。
11.根据权利要求10所述的掩模板,其特征在于,所述图案为矩形或圆形。
12.根据权利要求10所述的掩模板,其特征在于,每个所述图案的宽度范围为1.0μm~3.0mm。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN104035275A (zh) * 2014-05-21 2014-09-10 京东方科技集团股份有限公司 一种掩模板
CN107447191A (zh) * 2016-06-01 2017-12-08 上海和辉光电有限公司 一种金属掩膜及其制备方法
WO2022142364A1 (zh) * 2021-01-04 2022-07-07 长鑫存储技术有限公司 光罩摆放误差校正方法和装置

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104035275A (zh) * 2014-05-21 2014-09-10 京东方科技集团股份有限公司 一种掩模板
CN107447191A (zh) * 2016-06-01 2017-12-08 上海和辉光电有限公司 一种金属掩膜及其制备方法
WO2022142364A1 (zh) * 2021-01-04 2022-07-07 长鑫存储技术有限公司 光罩摆放误差校正方法和装置
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