CN112541205B - 一种建模方法 - Google Patents
一种建模方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112541205B CN112541205B CN202011389935.5A CN202011389935A CN112541205B CN 112541205 B CN112541205 B CN 112541205B CN 202011389935 A CN202011389935 A CN 202011389935A CN 112541205 B CN112541205 B CN 112541205B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- pattern
- alignment
- graph
- modeling method
- preset measurement
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
- G06F30/10—Geometric CAD
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
- G06F30/20—Design optimisation, verification or simulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Evolutionary Computation (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Pure & Applied Mathematics (AREA)
- Mathematical Optimization (AREA)
- Mathematical Analysis (AREA)
- Computational Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
本发明提供了一种建模方法，包括：获取预设量测图形；在所述预设量测图形的周边设计对准图形，形成具有对准功能的中间量测图形；基于所述中间量测图形进行仿真；获取仿真后图形影像上的轮廓图形；基于所述轮廓图形和所述中间量测图形上的对准图形进行漂移校准；基于校准结果对所述预设量测图形进行模型修正，得到目标建模图形。该建模方法通过在预设量测图形的周边设计对准图形，基于该对准图形进行漂移校准，进而对预设量测图形进行模型修正得到目标建模图形，解决了现有技术中存在漂移的问题。
Description
技术领域
本发明涉及建模设计技术领域，更具体地说，涉及一种建模方法。
背景技术
传统的OPC(Optical Proximity Correction，光学邻近效应校正)建模一般是采用不同长度的量尺去量测各种图形影像上的尺寸和距离，之后去调整光学和光阻模型中的不同参数来拟合量测参数。
随着科学技术的不断发展，新一代的OPC建模已广泛应用于半导体工艺中，其主要是利用图形影像上的图形轮廓去建模。
但是，从图形影像中获取图形轮廓存在着本质上的漂移问题，虽然漂移问题在对称图形中有机会利用演算法去补偿，但是对于不对称图形却很难解决，而不对称图形通常是良率较低的热点之一。
那么，如何提供一种新的建模方法，解决掉新一代OPC建模中存在的漂移问题，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
有鉴于此，为解决上述问题，本发明提供一种建模方法，技术方案如下：
一种建模方法，所述建模方法包括：
获取预设量测图形；
在所述预设量测图形的周边设计对准图形，形成具有对准功能的中间量测图形；
基于所述中间量测图形进行仿真；
获取仿真后图形影像上的轮廓图形；
基于所述轮廓图形和所述中间量测图形上的对准图形进行漂移校准；
基于校准结果对所述预设量测图形进行模型修正，得到目标建模图形。
可选的，在上述建模方法中，所述轮廓图形包括：所述预设量测图形的轮廓图形，以及所述对准图形的轮廓图形。
可选的，在上述建模方法中，所述对准图形的数量至少为一个。
可选的，在上述建模方法中，所述对准图形的尺寸量级远大于所述预设量测图形的尺寸量级。
可选的，在上述建模方法中，所述对准图形至少包括水平方向和垂直方向。
可选的，在上述建模方法中，所述对准图形为规则图形。
可选的，在上述建模方法中，当所述对准图形的数量为多个时，所述对准图形分布在所述预设量测图形对角线的两端。
可选的，在上述建模方法中，所述对准图形的位置远离所述预设量测图形的位置。
相较于现有技术，本发明实现的有益效果为：
本发明提供的一种建模方法包括：获取预设量测图形；在所述预设量测图形的周边设计对准图形，形成具有对准功能的中间量测图形；基于所述中间量测图形进行仿真；获取仿真后图形影像上的轮廓图形；基于所述轮廓图形和所述中间量测图形上的对准图形进行漂移校准；基于校准结果对所述预设量测图形进行模型修正，得到目标建模图形。该建模方法通过在预设量测图形的周边设计对准图形，基于该对准图形进行漂移校准，进而对预设量测图形进行模型修正得到目标建模图形，解决了现有技术中存在漂移的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种建模方法的流程示意图；
图2为本发明实施例提供的一种中间量测图形的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的另一种中间量测图形的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
参考图1，图1为本发明实施例提供的一种建模方法的流程示意图。
所述建模方法包括：
S101：获取预设量测图形。
S102：在所述预设量测图形的周边设计对准图形，形成具有对准功能的中间量测图形。
S103：基于所述中间量测图形进行仿真。
S104：获取仿真后图形影像上的轮廓图形。
S105：基于所述轮廓图形和所述中间量测图形上的对准图形进行漂移校准。
S106：基于校准结果对所述预设量测图形进行模型修正，得到目标建模图形。
在该实施例中，该建模方法通过在预设量测图形的周边设计对准图形，基于该对准图形进行漂移校准，进而对预设量测图形进行模型修正得到目标建模图形，解决了现有技术中存在漂移的问题。
进一步的，基于本发明上述实施例，所述轮廓图形包括：所述预设量测图形的轮廓图形，以及所述对准图形的轮廓图形。
在该实施例中，基于中间量测图形进行仿真，也会将对准图形仿真至图形影像上，通过将轮廓图形中的对准图形部分与中间量测图形上的对准图形部分进行漂移校准，解决了现有技术中存在漂移的问题。
进一步的，基于本发明上述实施例，所述对准图形的数量至少为一个。
在该实施例中，基于设计版图的区域，合理规划对准图形的数量和位置，即可更完美的解决现有技术中存在漂移的问题。
例如，所述对准图形的数量为两个。
进一步的，基于本发明上述实施例，所述对准图形的尺寸量级远大于所述预设量测图形的尺寸量级。
在该实施例中，由于尺寸越大的图形在获取轮廓图形的过程中，漂移量就会越小，且越容易对准，因此，在保证对准图形对准的情况下，其预设量测图形和仿真后的预设量测图形的轮廓图形才可以更精确的对准。
进一步的，基于本发明上述实施例，参考图2，图2为本发明实施例提供的一种中间量测图形的结构示意图。
参考图3，图3为本发明实施例提供的另一种中间量测图形的结构示意图。
所述对准图形至少包括水平方向和垂直方向。
在该实施例中，通过设计多个方向的对准图形，可以保证对准图形之间的精确对准，进而使预设量测图形和仿真后的预设量测图形的轮廓图形才可以更精确的对准，进而提高对预设量测图像的模型修正。
进一步的，基于本发明上述实施例，如图2和图3所示，所述对准图形为规则图形。
在该实施例中，由于漂移问题在规则图形中有机会利用演算法去补偿，因此，本发明通过采用规则图形的对准图形，可以极大程度的降低对准图形自身的漂移问题，或可以对该漂移问题进行算法补偿。
进一步的，基于本发明上述实施例，如图2和图3所示，当所述对准图形的数量为多个时，所述对准图形分布在所述预设量测图形对角线的两端。
在该实施例中，通过将所述对准图形分布在所述预设量测图形对角线的两端，可以更好的实现预设量测图形的对位。
进一步的，基于本发明上述实施例，所述对准图形的位置远离所述预设量测图形的位置。
通过上述描述可知，本发明提供的一种建模方法通过在预设量测图形的周边设计对准图形，基于该对准图形进行漂移校准，进而对预设量测图形进行模型修正得到目标建模图形，解决了现有技术中存在漂移的问题。
以上对本发明所提供的一种建模方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
需要说明的是，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备所固有的要素，或者是还包括为这些过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (8)
1.一种建模方法，其特征在于，所述建模方法包括：
获取预设量测图形；
在所述预设量测图形的周边设计对准图形，形成具有对准功能的中间量测图形；
基于所述中间量测图形进行仿真；
获取仿真后图形影像上的轮廓图形；
基于所述轮廓图形中的对准图形和所述中间量测图形上的对准图形进行漂移校准；
基于校准结果对所述预设量测图形进行模型修正，得到目标建模图形。
2.根据权利要求1所述的建模方法，其特征在于，所述轮廓图形包括：所述预设量测图形的轮廓图形，以及所述对准图形的轮廓图形。
3.根据权利要求1所述的建模方法，其特征在于，所述对准图形的数量至少为一个。
4.根据权利要求1所述的建模方法，其特征在于，所述对准图形的尺寸量级远大于所述预设量测图形的尺寸量级。
5.根据权利要求1所述的建模方法，其特征在于，所述对准图形至少包括水平方向和垂直方向。
6.根据权利要求1所述的建模方法，其特征在于，所述对准图形为规则图形。
7.根据权利要求1所述的建模方法，其特征在于，当所述对准图形的数量为多个时，所述对准图形分布在所述预设量测图形对角线的两端。
8.根据权利要求1所述的建模方法，其特征在于，所述对准图形的位置远离所述预设量测图形的位置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011389935.5A CN112541205B (zh) | 2020-12-01 | 2020-12-01 | 一种建模方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011389935.5A CN112541205B (zh) | 2020-12-01 | 2020-12-01 | 一种建模方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112541205A CN112541205A (zh) | 2021-03-23 |
| CN112541205B true CN112541205B (zh) | 2022-12-30 |
Family
ID=75015354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011389935.5A Active CN112541205B (zh) | 2020-12-01 | 2020-12-01 | 一种建模方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112541205B (zh) |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8196068B2 (en) * | 2009-04-30 | 2012-06-05 | Synopsys, Inc. | Modeling critical-dimension (CD) scanning-electron-microscopy (CD-SEM) CD extraction |
| US8954899B2 (en) * | 2012-10-04 | 2015-02-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Contour alignment system |
| KR102190292B1 (ko) * | 2015-12-31 | 2020-12-14 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 패터닝 공정들을 위한 측정 위치들의 선택 |
| KR102440202B1 (ko) * | 2016-12-28 | 2022-09-05 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 메트롤로지 이미지와 디자인 사이의 시뮬레이션-지원 정렬 |
| CN106873315B (zh) * | 2017-03-16 | 2018-10-16 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种通孔层opc建模方法 |
| US10395362B2 (en) * | 2017-04-07 | 2019-08-27 | Kla-Tencor Corp. | Contour based defect detection |
| US10495967B2 (en) * | 2017-09-28 | 2019-12-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of mask simulation model for OPC and mask making |
-
2020
- 2020-12-01 CN CN202011389935.5A patent/CN112541205B/zh active Active
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| Weiwei Wu ; Shirui Yu ; Quan Chen ; Zhibiao Mao ; Yu Zhang.Mask corner chopping effect in OPC modeling.《2015 China Semiconductor Technology International Conference》.2015, * |
| 纳米级电路分辨率增强技术及可制造性设计研究;杨祎巍;《中国博士学位论文全文数据库信息科技辑》;20110815;全文 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112541205A (zh) | 2021-03-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW539913B (en) | Method of evaluating rule-based OPC and method of evaluating simulation-based OPC model | |
| US20170024510A1 (en) | Semiconductor device manufacturing method and mask manufacturing method | |
| CN108333865A (zh) | 掩膜版图形的修正方法 | |
| CN101311825A (zh) | 修正光学邻近效应的方法 | |
| CN106950795A (zh) | 辅助图形的形成方法 | |
| TW202211075A (zh) | 校正在精簡模型中的隨機訊號 | |
| US7805699B2 (en) | Shape-based photolithographic model calibration | |
| US20170052452A1 (en) | Method for Verifying a Pattern of Features Printed by a Lithography Process | |
| JP5224853B2 (ja) | パターン予測方法、パターン補正方法、半導体装置の製造方法、及びプログラム | |
| US20060195808A1 (en) | Method for correcting the optical proximity effect | |
| CN105334694A (zh) | 一种光刻胶侧墙角度的预测及改善方法 | |
| CN106294935B (zh) | 一种基于图形密度的工艺模型建模与修正方法 | |
| CN112099309B (zh) | 光学邻近修正模型的校正方法 | |
| CN112541205B (zh) | 一种建模方法 | |
| JP2016021008A (ja) | マルチパターニング用マスクのパターン評価方法およびパターン評価装置 | |
| Ekberg et al. | Traceable X, Y self-calibration at single nm level of an optical microscope used for coherence scanning interferometry | |
| US10578978B2 (en) | Method for determining the dose corrections to be applied to an IC manufacturing process by a matching procedure | |
| JP2004163472A (ja) | フォトマスクの設計方法、フォトマスク、及び半導体装置 | |
| CN104516192B (zh) | 建立opc模型的方法、布局图形的检查方法 | |
| KR20090000868A (ko) | 광 근접효과 보정방법 | |
| US8174681B2 (en) | Calibration of lithographic process models | |
| KR20080102648A (ko) | 광근접효과 보정 방법 | |
| JP2011164484A (ja) | マスク検証方法、半導体装置の製造方法およびマスク検証プログラム | |
| CN104752251B (zh) | 采用cdsem测试图形的方法 | |
| US8015513B2 (en) | OPC models generated from 2D high frequency test patterns |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |