CN203953810U - 新型半导体激光脱毛手柄 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种光斑均匀、导光率高、发热量小、故障率低、而且使用寿命长的新型半导体激光脱毛手柄。包括安装在手柄壳体内的半导体激光器，所述半导体激光器的发光端安装有导光晶体，所述半导体激光器的发光端和所述导光晶体之间安装有激光整形透镜；还包括冷却装置。

Description

新型半导体激光脱毛手柄

技术领域

本实用新型涉及一种半导体激光脱毛手柄。

背景技术

半导体激光脱毛是一种非侵入性的现代脱毛技术，它能够安全、快速、永久地去除身体多余的毛发。半导体激光脱毛是基于选择性光热作用理论，让特定波长的激光穿透表皮，不损伤表皮毛囊，毛干中的黑色素选择性地吸收激光能量，毛囊受热凝固坏死，毛发便不再生长。半导体激光脱毛适用的范围很广，治疗部位包括：唇上、唇、腋下、臂、大臂、小腿、大腿等，不会对玄色素的处理有局限性，对任何肤色的人都不会挑剔。同时半导体激光脱毛仪拥有可调的脉冲宽度、能量及照射时间，他的这些选择性都进步了，不会对脱毛部位的皮肤造成损伤。半导体激光脱毛治疗效果好，不会影响患者的工作、学习和生活。但现有半导体激光脱毛手柄由于半导体激光器自己结构的特点，其输出光束在垂直于结平面（快轴方向）和平行于结平面（慢轴方向）方向的发散角不同，其中快轴方向具有很大的发散角，约为40度，而慢轴方向的发散角小，只有10度左右。半导体激光器的发光面输出的光斑形状为椭圆形。会有大约20%的激光不能进入导光晶体，未进入导光晶体的激光照射在激光器安装固定壳上，导致外壳的温度升高，容易造成外壳的过热而损坏。现有导光晶体的端面直接接触半导体激光器发光端面来传导激光，一方面耦合效率较低，只有约80%，另一方面两者直接接触时，导光晶体的温度低，会导致半导体激光器发光端面出现结露现象，结露会导致发光面烧毁。

有鉴于上述的缺陷，本设计人，积极加以研究创新，以期创设一种新型半导体激光脱毛手柄，使其更具有产业上的利用价值。

实用新型内容

为解决上述技术问题，本实用新型的目的是提供一种光斑均匀、导光率高、发热量小、故障率低，而且使用寿命长的新型半导体激光脱毛手柄。

本实用新型的新型半导体激光脱毛手柄，包括安装在手柄壳体内的半导体激光器，所述半导体激光器的发光端安装有导光晶体，所述半导体激光器的发光端和所述导光晶体之间安装有激光整形透镜；还包括冷却装置。

进一步的，所述激光整形透镜为柱透镜。

进一步的，所述导光晶体的激光输入面面积小于所述导光晶体的激光输出面的面积。

进一步的，所述导光晶体为正四棱台形，正四棱台形的所述导光晶体的小端端面相邻于所述半导体激光器的输出端。

进一步的，所述导光晶体的等腰梯形侧表面的腰和与所述激光整形透镜相邻的底边的夹角大于110°。

进一步的，所述半导体激光器为垂直叠阵半导体激光器。

进一步的，所述导光晶体的侧表面镀有全反膜。

进一步的，所述冷却装置包括安装在所述导光晶体外的金属冷却座，所述金属冷却座上可拆卸安装有位于所述导光晶体出光端的金属冷敷头，所述冷却装置还包括对金属冷却座制冷的制冷装置。

进一步的，所述金属冷却座为铜冷却座，所述金属冷敷头为铜冷敷头。

进一步的，所述金属冷敷头的外端面的长度和宽度分别大于所述导光晶体的出光端的长度和宽度。

借由上述方案，本实用新型至少具有以下优点：采用垂直叠阵半导体激光器，并在半导体激光器和导光晶体之间插入柱透镜，压缩快轴方向的发散角至10度，使半导体激光器的输出光斑均匀，增加导光晶体的耦合率至98%。针对激光光束发散的问题，采用了激光输入端面小于激光输出端面的导光晶体，同时导光晶体的侧表面镀全反膜，增加了导光晶体的导光率。

上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本实用新型的较佳实施例并配合附图详细说明如后。

附图说明

图1是本实用新型新型半导体激光脱毛手柄的结构示意图；

图2是本实用新型新型实施例中半导体激光器、导光晶体以及柱透镜的安装位置示意图；

图3是本实用新型实施例中正四棱台形导光晶体的结构示意图；

图4是本实用新型实施例中正四棱台形导光晶体的主视图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。

参见图1和图2所示，新型半导体激光脱毛手柄，包括安装在手柄壳体1内的半导体激光器2，所述半导体激光器2为垂直叠阵808nm半导体激光器。所述半导体激光器2的发光端安装有导光晶体3，所述导光晶体3的侧表面镀有全反膜，所述全反膜为808nm全反膜。所述半导体激光器2的发光端和所述导光晶体3之间安装有激光整形透镜4，所述激光整形透镜4为柱透镜；还包括冷却装置。

如图3和图4所示，所述导光晶体3的激光输入面面积小于所述导光晶体3的激光输出面的面积。所述导光晶体3为正四棱台形，正四棱台形的所述导光晶体3的小端端面相邻于所述半导体激光器2的输出端。所述正四棱台形的导光晶体3各个侧表面均为等腰梯形，所述导光晶体3的等腰梯形侧表面的腰5和与所述激光整形透镜相邻的底边6的夹角为120°。手柄壳体内安装有垂直叠阵808nm半导体激光器，半导体激光器输出的激光经过柱透镜整形，光斑变得均匀，然后耦合进入导光晶体，所述导光晶体3的激光输入面面积小于所述导光晶体3的激光输出面的面积，所述导光晶体3的等腰梯形侧表面的腰5和与所述激光整形透镜相邻的底边6的夹角为大于110°的120°夹角，当采用808nm半导体激光器时，所述导光晶体3的等腰梯形侧表面的腰5和与所述激光整形透镜相邻的底边6的夹角还可以为大于110°的其他度数，导光晶体能够完全把808nm激光传导至皮肤，而不会在传导过程中发生漏光现象。

如图1所示，所述冷却装置包括安装在所述导光晶体3外的金属冷却座，所述金属冷却座上可拆卸安装有位于所述导光晶体3出光端的金属冷敷头8，所述冷却装置还包括对金属冷却座制冷的制冷装置。所述金属冷却座为铜冷却座，所述金属冷敷头8为铜冷敷头。制冷装置对金属冷却座进行制冷，进而降低了金属冷敷头8的温度，所述制冷装置可以采用半导体制冷片，所述冷却装置还包括安装在所述半导体制冷片外侧的水箱7，通过水循环，把热量带走。所述金属冷敷头8对皮肤进行冷敷，防止了激光能量照射所导致的皮肤表面烫伤，进而减少了术后恢复时间。

所述金属冷敷头8的外端面的长度和宽度分别大于所述导光晶体3的出光端的长度和宽度。使得皮肤的受热范围小于金属冷敷头8进行冷却的范围，方便了操作。

采用垂直叠阵半导体激光器，并在半导体激光器和导光晶体之间插入柱透镜，压缩快轴方向的发散角至10度，使半导体激光器的输出光斑均匀，增加导光晶体的耦合率至98%。针对激光光束发散的问题，采用了激光输入端面小于激光输出端面的导光晶体，同时导光晶体的侧表面镀808nm全反膜，增加了导光晶体的导光率。减少了半导体激光脱毛手柄中相关结构件对未在导光晶体中传输激光的吸收，减少了半导体激光脱毛手柄容易过热而损坏问题。 

以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，并不用于限制本实用新型，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本实用新型的保护范围。

Claims (10)

1.新型半导体激光脱毛手柄，其特征在于：包括安装在手柄壳体内的半导体激光器，所述半导体激光器的发光端安装有导光晶体，所述半导体激光器的发光端和所述导光晶体之间安装有激光整形透镜；还包括冷却装置。

2.根据权利要求1所述的新型半导体激光脱毛手柄，其特征在于：所述激光整形透镜为柱透镜。

3.根据权利要求1所述的新型半导体激光脱毛手柄，其特征在于：所述导光晶体的激光输入面面积小于所述导光晶体的激光输出面的面积。

4.根据权利要求3所述的新型半导体激光脱毛手柄，其特征在于：所述导光晶体为正四棱台形，正四棱台形的所述导光晶体的小端端面相邻于所述半导体激光器的输出端。

5.根据权利要求4所述的新型半导体激光脱毛手柄，其特征在于：所述导光晶体的等腰梯形侧表面的腰和与所述激光整形透镜相邻的底边的夹角大于110°。

6.根据权利要求1所述的新型半导体激光脱毛手柄，其特征在于：所述半导体激光器为垂直叠阵半导体激光器。

7.根据权利要求1所述的新型半导体激光脱毛手柄，其特征在于：所述导光晶体的侧表面镀有全反膜。

8.根据权利要求1至7任一权利要求所述的新型半导体激光脱毛手柄，其特征在于：所述冷却装置包括安装在所述导光晶体外的金属冷却座，所述金属冷却座上可拆卸安装有位于所述导光晶体出光端的金属冷敷头，所述冷却装置还包括对金属冷却座制冷的制冷装置。

9.根据权利要求8所述的新型半导体激光脱毛手柄，其特征在于：所述金属冷却座为铜冷却座，所述金属冷敷头为铜冷敷头。

10.根据权利要求8所述的新型半导体激光脱毛手柄，其特征在于：所述金属冷敷头的外端面的长度和宽度分别大于所述导光晶体的出光端的长度和宽度。