CN203930776U - 一种高强度的投射式电容屏 - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 117
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 103
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 77
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 77
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 29
- 238000010422 painting Methods 0.000 claims description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 28
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 169
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 20
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 14
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 12
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 12
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 11
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 11
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 10
- 238000011161 development Methods 0.000 description 9
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 6
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 5
- 229910000570 Cupronickel Inorganic materials 0.000 description 4
- NPYPAHLBTDXSSS-UHFFFAOYSA-N Potassium ion Chemical compound [K+] NPYPAHLBTDXSSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000019504 cigarettes Nutrition 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 229910001414 potassium ion Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 4
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 3
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 150000001447 alkali salts Chemical class 0.000 description 2
- ZXTFQUMXDQLMBY-UHFFFAOYSA-N alumane;molybdenum Chemical compound [AlH3].[Mo] ZXTFQUMXDQLMBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 244000309464 bull Species 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 description 1
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000005340 laminated glass Substances 0.000 description 1
- 229910003002 lithium salt Inorganic materials 0.000 description 1
- 159000000002 lithium salts Chemical class 0.000 description 1
- LGZXYFMMLRYXLK-UHFFFAOYSA-N mercury(2+);sulfide Chemical compound [S-2].[Hg+2] LGZXYFMMLRYXLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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Abstract
本实用新型公开了一种高强度的投射式电容屏。该高强度的投射式电容屏包括第一玻璃基板、设置于第一玻璃基板上的第一ITO层、第二玻璃基板、设置于第二玻璃基板上的第二ITO层，第一TIO层与第二ITO层之间通过压合层连接；第一玻璃基板为钢化玻璃基板；第一ITO层包括由若干X轴方向电极形成的X轴电极层，第二ITO层包括由若干Y轴方向电极形成的Y轴电极层；X轴电极层边缘上还设有与X轴电极层相连的X金属线，Y轴电极层边缘上还设有与Y轴电极层相连的Y金属线，X金属线与Y金属线分别与柔性线路板相连；压合层为EVA胶层或PVB胶层。该投射式电容屏的抗冲击强度强，且其制作方法中节省搭桥工艺，可有效提高产品良率。
Description
技术领域
本实用新型涉及电容屏领域，尤其涉及一种高强度的投射式电容屏。
背景技术
投射式电容屏是采用投射电容触控技术的屏幕，触摸屏面板能在手指触碰到时检测到该位置电容的变化从而计算出手指所在，进行多点触控操作。投射式电容屏广泛应用于我们日常生活各个领域,如手机、平板电脑、媒体播放器、导航系统、数码相机、电器控制、医疗设备等等。
投射电容式触摸屏是在两层ITO导电玻璃涂层上蚀刻出不同的ITO导电线路模块。两个模块上蚀刻的图形相互垂直，可以把它们看作是X和Y方向连续变化的滑条。由于X、Y架构在不同表面，其相交处形成一电容节点。一个滑条可以当成驱动线，另外一个滑条当成是侦测线。当电流经过驱动线中的一条导线时，如果外界有电容变化的信号，那么就会引起另一层导线上电容节点的变化。侦测电容值的变化可以通过与之相连的电子回路测量得到，再经由A/D控制器转为数字讯号让计算机做运算处理取得(X，Y)轴位置，进而达到定位的目地。
现有技术中的投射式电容屏主要有以下几种结构：(1)GG模式；其中第一个G为保护玻璃，第二个G是SENSOR传感器，即双面ITO玻璃，将X方向电极形成的X轴电极层的图案和Y方向电极形成的Y轴电极图案分别做到双面ITO玻璃的两个面，并使用金属线将X方向电极和Y方向电极引出，该GG结构采用双层玻璃，结构较为厚重。(2)GFF模式；其中G是保护玻璃，F是ITO膜，用于分别将X轴电极图案与Y轴电极图案分别做到两个ITO膜，再使用OCA贴合；GFF模式制作过程中需使用OCA贴合三次，其透光性不好而且良率难以控制。(3)GF2模式；其中G是保护玻璃，F是双面ITO膜，分别将X轴电极图案和Y轴电极图案做到F的正反两面，通过OCA贴合，并使用金属线将X方向电极和Y方向电极引出；其制作过程中需在ITO膜的双面分别制作与X轴电极图案和Y轴电极图案相连的金属线，制作困难且难以控制良率，而且其消影效果不好。(4)OGS模式，即在一层保护玻璃上直接形成ITO导电膜及传感器的技术，即将X轴电极图案和Y轴电极图案均制作在保护玻璃上，其过程中需要对X轴电极和Y轴电极进行搭桥，并分别制作与X轴电极图案和Y轴电极图案相连的金属线路，制作困难且难以控制良率。
现有技术中投射式电容屏的保护玻璃容易发生破碎，无法适用于需高强度领域，如为迎合市场需求，需要制作防摔的电容屏等领域。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题在于，针对现有技术的缺陷，提供一种高强度的投射式电容屏。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种高强度的投射式电容屏，包括第一玻璃基板、设置于所述第一玻璃基板上的第一ITO层、第二玻璃基板、设置于所述第二玻璃基板上的第二ITO层，所述第一TIO层与所述第二ITO层之间使用高强度的压合层连接；所述第一玻璃基板为钢化玻璃基板；所述第一ITO层包括由若干X轴方向电极形成的X轴电极层，所述第二ITO层包括由若干Y轴方向电极形成的Y轴电极层；所述高强度的投射式电容屏还包括设置于所述X轴电极层边缘的与所述X轴电极层相连的X金属线和设置于所述Y轴电极层边缘的与所述Y轴电极层相连的Y金属线，所述X金属线与所述Y金属线分别与柔性线路板相连；所述压合层为EVA胶层或PVB胶层。
优选地，所述第一玻璃基板与第一ITO层之间、所述第二玻璃基板与第二ITO层之间均设有用于消除光折射率的消影层。
优选地，所述第一玻璃基板的边缘设有釉彩边框层。
本实用新型与现有技术相比具有如下优点：实施本实用新型，第一玻璃基板为钢化玻璃基板，而且在第一ITO层和第二ITO层之间采用高强度的压合层连接，可有效提高投射式电容屏的抗压强度。而且第一ITO层和第二ITO层之间由压合层隔离，可有效避免第一ITO层上的X轴电极层和第二ITO层上的Y轴电极层直接接触，在节省工艺的同时避免搭桥工艺中出错导致产品不良率提高。
附图说明
下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明，附图中：
图1是本实用新型一实施例中高强度的投射式电容屏的结构示意图。
图2是本实用新型一实施例中高强度的投射式电容屏的制作方法的流程图。
图3是本实用新型实施例1中高强度的投射式电容屏的制作方法的流程图。
图4是本实用新型实施例2中高强度的投射式电容屏的制作方法的流程图。
图中：1、第一玻璃基板；2、第一ITO层；3、第二玻璃基板；4、第二ITO层；5、X金属线；6、Y金属线；7、压合层；8、釉彩边框层；9、消影层。
具体实施方式
为了对本实用新型的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现对照附图详细说明本实用新型的具体实施方式。
图1示出本实用新型一实施例中的高强度的投射式电容屏。该高强度的投射式电容屏包括第一玻璃基板1、设置于第一玻璃基板1上的第一ITO层2、第二玻璃基板3、设置于第二玻璃基板3上的第二ITO层4，第一ITO层2与第二ITO层4之间使用高强度的压合层7连接。具体地，第一玻璃基板1为钢化玻璃基板，用于提高投射式电容屏的抗压强度，而且在钢化玻璃基板破碎时，可避免无碎片脱落，从而提高使用的安全性。具体地，第一ITO层2包括由若干X轴方向电极形成的X轴电极层，第二ITO层4包括由若干Y轴方向电极形成的Y轴电极层；在X轴电极层边缘上设有与X轴电极层相连的X金属线5，在Y轴电极层边缘上设有与Y轴电极层相连的Y金属线6；X金属线5与Y金属线6分别与柔性线路板相连。
具体地，压合层7为EVA胶层或PVB(聚乙烯醇缩丁醛)胶层。EVA胶层是采用EVA树脂(即乙烯-醋酸乙烯共聚物)经压合处理后得到的，具有透明性好，冲击韧性强等特点。PVB胶层是采用PVB树脂(即聚乙烯醇缩丁醛)经压合处理后得到，采用PVB树脂制作的夹层玻璃具有透明性好、冲击强度大等优点。
更具体地，第一玻璃基板1的边缘设有釉彩边框层8。釉彩边框层8采用各种彩色釉彩制作而成，可以是中国红、蓝色、白色、黑色等颜色釉彩，使投射式电容屏的边缘色彩更加绚丽。而且，釉彩边框层8的设置可以遮挡X金属线5和Y金属线6。
进一步地，第一玻璃基板1与第一ITO层2之间、第二玻璃基板3与第二ITO层4之间均设有用于消除光折射率的消影层9。消影层9的设置可使第一玻璃基板1与第一ITO层2、第二玻璃基板3与第二ITO层4之间的色差减少，以提高投射式电容屏的透光率又达到消影效果。具体地，消影层9包括先后叠加在第一玻璃基板1上的五氧化二铌层和二氧化硅层；或者先后叠加在第一玻璃基板1上的氮氧化硅层和二氧化硅层。
实施例1
如图2、图3所示，本实用新型还提供一种高强度的投射式电容屏的制作方法，包括以下步骤：
S1-0：采用丝印机将低温釉料丝印到第一玻璃基板1的边缘上，制得釉彩边框层8；并在第一玻璃基板1和第二玻璃基板3上制作用于消除光折射率的消影层9。其中，低温釉料是使用温度为400～700℃的釉料，在将低温釉料丝印到第一玻璃基板1上时，需在400～700℃温度下烧烤，使得烘烤后的釉料具有较强的覆着力。更具体地，将低温釉料丝印到第一玻璃基板1的边缘具体包括以下步骤：底板、晒板、显影、干燥、修版、印刷、干燥、成品；其中，晒板包括选网、选框、绷网、干燥、涂布或贴附釉彩、高温烘烤。
具体地，在第一玻璃基板1和第二玻璃基板3上制作用于消除光折射率的消影层9包括以下步骤：对第一玻璃基板1和第二玻璃基板3进行清洗并热烘干燥；在真空条件下，在第一玻璃基板1和第二玻璃基板3的一面采用溅射方式镀五氧化二铌或者氮氧化硅；在真空条件下，在镀有五氧化二铌或者氮氧化硅的一面采用溅射方式镀二氧化硅，以完成消影层9的制作。
S1-1、采用物理方法对第一玻璃基板1进行钢化处理，以形成钢化玻璃基板。
步骤S1-1具体包括：将第一玻璃基板1放置在加热炉中进行加热至接近第一玻璃基板1的软化温度软化后(如普通玻璃的软件温度为600℃，则将加热至580～590℃)，采用多头喷嘴向第一玻璃基板1的两面吹高压冷空气，使其迅速均匀冷却至室温而得到钢化玻璃基板，这种钢化玻璃基板处于内部受拉、外部受压的应力状态，一旦局部发生破损，则会发生应力释放，第一玻璃基板1被破碎成无数没有棱角的小块，不易伤人。
S1-2、在钢化玻璃基板上制作第一ITO层2，第一ITO层2包括由若干X轴方向电极形成的X轴电极层；并在X轴电极层边缘制作与X轴电极层相连的X金属线5，将X金属线5绑定到柔性线路板上。
具体地，步骤S1-2包括：
S1-21：在真空条件下，采用溅射方式在钢化玻璃基板上镀氧化铟锡层。
S1-22：在真空条件下，采用溅射方式在镀有氧化铟锡层的一面镀金属层，金属层设置在釉彩边框层8上。可以理解地，金属层可以是铝、钼铝钼、铜和铜镍合金。在金属层上采用覆膜机覆上干膜，使用光罩曝光X金属线5的图案。可以理解地，在给金属层上覆上干膜之前需要对金属层进行清洗烘干，以避免干膜的覆着力不强，而且清洗后其表面清洁干净、外观较为良好。使用显影剂将X金属线5显影，并使用不与干膜反应的退镀液退镀金属层，制得X金属线5。具体地，采用喷淋或浸泡2～4％的碳酸钠或碳酸钾(即显影剂)进行显影；而退镀金属层是在温度为40～60℃时，将专用的不与干膜反应的金属退镀液喷淋在金属层上，可以理解地，该金属退镀液是与金属层而不与氧化铟锡层反应的酸性溶液。
S1-23：在制得X金属线5的钢化玻璃基板上采用覆膜机覆上干膜，使用光罩曝光由若干X轴方向电极形成X轴电极层的图案；X金属线5与X轴电极层相连，以实现X金属线5与X轴电极层之间电连接。
S1-24：使用显影剂将X轴电极层的图案显影，采用蚀刻液对氧化铟锡层进行蚀刻，形成X轴电极层。具体地，图案显影可以采用紫外线通过预设的菲林或光罩垂直照射在干膜表面，使得被照射部分的干膜发生反射的过程。蚀刻液是浓度为16～21mol/L的配比为HCl:HNO3:H2O＝15～19:15～19:18～22的溶液，优选地，HCl:HNO3:H2O的配比为17:17:20。可以理解地，蚀刻液的浓度可随第一ITO层2的阻值进行调整，第一ITO层2阻值越高，其浓度越高。具体地，蚀刻液与氧化烟锡层进行如下反应：In2O3+6HCl＝2InCl3+3H2O；2SnO2+8HCl＝2SnCl4+4H2O；In2O3+6HNO3＝2In(NO3)3+3H2O；2SnO2+8HNO3＝2SN(NO3)4+4H2O。
S1-25：采用去墨液将干膜去除，清洗并干燥，以制得X轴电极层。具体地，去墨液可以是浓度1％－3％的如KOH，NaOH等溶液，以将残留的干膜去除。
S1-26：将X金属线绑定到柔性线路板上。
S1-3：在第二玻璃基板3上制作第二ITO层4，第二ITO层4包括由若干Y轴方向电极形成的Y轴电极层；并在Y轴电极层边缘制作与Y轴电极层相连的Y金属线6，将Y金属线6绑定到柔性线路板上。
具体地，步骤S1-3包括：
S1-31：在真空条件下，采用溅射方式在第二玻璃基板3上镀氧化铟锡层。
S1-32：在真空条件下，采用溅射方式在镀有氧化铟锡层的一面镀金属层，金属层设置在第二玻璃基板3上。可以理解地，金属层可以是铝、钼铝钼、铜和铜镍合金。在金属层上采用覆膜机覆上干膜，使用光罩曝光Y金属线6的图案。可以理解地，在给金属层上覆上干膜之前需要对金属层进行清洗烘干，以避免干膜的覆着力不强，而且清洗后其表面清洁干净、外观较为良好。使用显影剂将Y金属线6显影，并使用不与干膜反应的退镀液退镀金属层，制得Y金属线6。具体地，采用喷淋或浸泡2～4％的碳酸钠或碳酸钾(即显影剂)进行显影；而退镀金属层是在温度为40～60℃时，将专用的不与干膜反应的金属退镀液喷淋在金属层上，可以理解地，该金属退镀液是与金属层而不与氧化铟锡层反应的酸性溶液。
S1-33：在制得Y金属线6的第二玻璃基板3上采用覆膜机覆上干膜，使用光罩曝光由若干Y轴方向电极形成Y轴电极层的图案；Y金属线6与Y电极层相连，以实现Y金属线6与Y轴电极层之间电连接。
S1-34：使用显影剂将Y轴电极层的图案显影，采用蚀刻液对氧化铟锡层进行蚀刻，形成Y轴电极层。具体地，图案显影可以采用紫外线通过预设的菲林或光罩垂直照射在干膜表面，使得被照射部分的干膜发生反射的过程。蚀刻液是浓度为16～21mol/L的配比为HCl:HNO3:H2O＝15～19:15～19:18～22的溶液，优选地，HCl:HNO3:H2O的配比为17:17:20。可以理解地，蚀刻液的浓度可随第二ITO层4的阻值进行调整，第二ITO层4阻值越高，其浓度越高。具体地，蚀刻液与氧化烟锡层进行如下反应：In2O3+6HCl＝2InCl3+3H2O；2SnO2+8HCl＝2SnCl4+4H2O；In2O3+6HNO3＝2In(NO3)3+3H2O；2SnO2+8HNO3＝2SN(NO3)4+4H2O。
S1-35：采用去墨液将干膜去除，清洗并干燥，以制得Y轴电极层。具体地，去墨液可以是浓度1％－3％的如KOH，NaOH等溶液，以将残留的干膜去除。
S1-36：将Y金属线绑定到柔性线路板上。
S1-4：在设有第一ITO层2的第二玻璃基板3和设有第一ITO层2的钢化玻璃基板之间放置压合胶，压合以形成压合层7。具体地，压合胶可以采用具有透明性好、冲击韧性强的EVA胶，其压合过程包括：
S1-41：裁切EVA胶，将EVA胶放置在第一ITO层2和第二ITO层4之间，并将钢化玻璃基板和第二玻璃基板3周边固定并预留真空抽气口。可以理解地，在钢化玻璃基板和第二玻璃基板3的周边预留真空抽气口，以便于在真空抽气时可以将玻璃与玻璃之间的空气完全抽到真空状态。
S1-42：将固定后的半成品放入夹胶机，使用真空抽气装置从所述预留真空抽气口处抽气至真空状态，升温至55～65℃后保温15～60min进行预压；再升温至120～130℃后保温40～130min后取出，完成压合操作，形成压合层7。
采用EVA胶压合形成压合层7，具有操作简单、成本低的优点，可主要应用单个成品生产过程。
实施例2
如图2、图4所示，本实用新型还提供一种高强度的投射式电容屏的制作方法，包括以下步骤：
S2-0：采用丝印机将低温釉料丝印到第一玻璃基板1的边缘上，制得釉彩边框层8；并在第一玻璃基板1和第二玻璃基板3上制作用于消除光折射率的消影层9。可以理解地，步骤S2-0与实施例1中步骤S1-0的制作方法一致。
S2-1：采用化学方法对第一玻璃基板1进行钢化处理，以形成钢化玻璃基板。具体地，步骤S2-1包括：采用高温型离子交换法或低温型离子交换法对第一玻璃基板1进行处理。
具体地，高温型离子交换法是在大于或等于第一玻璃基板1的玻璃的软化点的温度下，将含有Na2O或K2O的第一玻璃基板1放置在熔融状态的锂盐中，使第一玻璃基板1表层的钠离子或钾离子与锂离子进行交换，形成锂离子交换层，冷却至室温即可得到钢化玻璃基板。由于锂离子的膨胀系统小于钾离子、钠离子的膨胀系数，在冷却过程中外层收缩较小而内层收缩较大，当冷却到常温后，玻璃同样处于内层受拉，外层受压的状态，其效果类似于物理钢化。可以理解地，本实施例中的锂离子还可以由其他膨胀系统小于钾离子、钠离子的金属离子替代。
低温型离子交换法是在小于第一玻璃基板1的玻璃的转换点的温度区域内的碱盐熔液中，将第一玻璃基板1表层半径较小的离子与碱盐熔液中的半径较大的离子交换，如玻璃中的锂离子与溶液中的钾或钠离子交换，玻璃中的钠离子与溶液中的钾离子交换，利用碱离子体积上的差别在玻璃表层形成嵌挤压应力。
可以理解地，采用高温型离子交换法与低温型离子交换法对第一玻璃基板1进行钢化处理，取决于第一玻璃基板1的主要成分，若第一玻璃基板1的主要成分含钾、钠离子，则采用高温型离子交换法；若第一玻璃基板1中的主要成分含锂离子，则采用低温离子交换法。
S2-2：在钢化玻璃基板上制作第一ITO层2，第一ITO层2包括由若干X轴方向电极形成的X轴电极层；并在X轴电极层边缘制作与X轴电极层相连的X金属线5，将X金属线5绑定到柔性线路板上。具体地，步骤S2-2包括：
S2-21：在真空条件下，采用溅射方式在钢化玻璃基板上镀氧化铟锡层。
S2-22：在溅射有氧化铟锡层的钢化玻璃基板上覆上干膜，使用光罩曝光由X轴方向电极形成的X轴电极层的图案。
S2-23：使用显影剂将X轴电极层的图案显影，采用蚀刻液对氧化铟锡层进行蚀刻。具体地，图案显影可以采用紫外线通过预设的菲林或光罩垂直照射在干膜表面，使得被照射部分的干膜发生反射的过程。蚀刻液是浓度为16～21mol/L的配比为HCl:HNO3:H2O＝15～19:15～19:18～22的溶液，优选地，HCl:HNO3:H2O的配比为17:17:20。可以理解地，蚀刻液的浓度可随第一ITO层2的阻值进行调整，第一ITO层2阻值越高，其浓度越高。具体地，蚀刻液与氧化烟锡层进行如下反应：In2O3+6HCl＝2InCl3+3H2O；2SnO2+8HCl＝2SnCl4+4H2O；In2O3+6HNO3＝2In(NO3)3+3H2O；2SnO2+8HNO3＝2SN(NO3)4+4H2O。
S2-24：采用去墨液将干膜去除，清洗并干燥，以制作X轴电极层。具体地，去墨液可以是浓度1％－3％的如KOH，NaOH等溶液，以将残留的干膜去除，以制得X轴电极层。
S2-25：在釉彩边框层8上采用丝印机丝印X金属线5，并在140～160℃温度下烘烤50～70min，以制得X金属线5，将X金属线5绑定到柔性线路板上。可以理解地，X金属线5可以采用银胶线。
S2-3：在第二玻璃基板3上制作第二ITO层4，第二ITO层4包括由若干Y轴方向电极形成的Y轴电极层；并在Y轴电极层边缘制作与Y轴电极层相连的Y金属线6，将Y金属线6绑定到柔性线路板上。具体地，步骤S2-3包括：
S2-31：在真空条件下，采用溅射方式在所述第二玻璃基板3上镀氧化铟锡层。
S2-32：在溅射有氧化铟锡层的所述第二玻璃基板3上覆上干膜，使用光罩曝光由Y轴方向电极形成的Y轴电极层的图案。
S2-33：使用显影剂将Y轴电极层的图案显影，采用蚀刻液对氧化铟锡层进行蚀刻。具体地，图案显影可以采用紫外线通过预设的菲林或光罩垂直照射在干膜表面，使得被照射部分的干膜发生反射的过程。蚀刻液是浓度为16～21mol/L的配比为HCl:HNO3:H2O＝15～19:15～19:18～22的溶液，优选地，HCl:HNO3:H2O的配比为17:17:20。可以理解地，蚀刻液的浓度可随第一ITO层2的阻值进行调整，第一ITO层2阻值越高，其浓度越高。具体地，蚀刻液与氧化烟锡层进行如下反应：In2O3+6HCl＝2InCl3+3H2O；2SnO2+8HCl＝2SnCl4+4H2O；In2O3+6HNO3＝2In(NO3)3+3H2O；2SnO2+8HNO3＝2SN(NO3)4+4H2O。
S2-34:采用去墨液将干膜去除，清洗并干燥，以制作Y轴电极层。具体地，去墨液可以是浓度1％－3％的如KOH，NaOH等溶液，以将残留的干膜去除，以制得Y轴电极层。
S2-35：在第二玻璃基板3的边缘采用丝印机丝印Y金属线6，并在140～160℃温度下烘烤50～70min，以制得Y金属线6，并将Y金属线6绑定到柔性线路板上。可以理解地，Y金属线6可以采用银胶线。
S2-4：在设有第一ITO层2的第二玻璃基板3和设有第一ITO层2的钢化玻璃基板之间放置压合胶，压合以形成压合层7。具体地，压合胶还可以采用具有透明性好、抗冲击强度大的PVB胶，其压合过程包括：
S2-41：裁切PVB胶，将PVB胶放置在第一ITO层2和第二ITO层4之间，并将钢化玻璃基板与第二玻璃基板3周边固定并预留真空抽气口，以便于在真空抽气时可以将玻璃与玻璃之间的空气完全抽到真空状态。
S2-42：将固定化的半成品放入高压釜，使用真空抽气装置从所述预留真空抽气口处抽气至压强为8～12个大气压，升温至65～80℃后保温20～30min进行预压；再升温至130～140℃后保温45～60min后取出，完成压合操作，形成压合层7。
采用PVB胶压合形成压合层7的透明性和抗冲击硬度较EVA强，主要应用批量产品生产过程。
综上，本实用新型所提供的高强度的投射式的电容屏的制作方法中，将第一玻璃基板1钢化处理形成钢化玻璃基板，而且在第一ITO层2和第二ITO层4之间采用高强度的压合层7(即EVA胶片层或PVB胶片层)连接，可有效提高投射式电容屏的抗压强度。而且第一ITO层2和第二ITO层4之间由压合层7隔离，可有效避免第一ITO层2上的X轴电极层和第二ITO层4上的Y轴电极层直接接触，在节省搭桥工艺的同时避免搭桥工艺中出错导致产品不良率提高。
本实用新型是通过几个具体实施例进行说明的，本领域技术人员应当明白，在不脱离本实用新型范围的情况下，还可以对本实用新型进行各种变换和等同替代。另外，针对特定情形或具体情况，可以对本实用新型做各种修改，而不脱离本实用新型的范围。因此，本实用新型不局限于所公开的具体实施例，而应当包括落入本实用新型权利要求范围内的全部实施方式。
Claims (3)
1.一种高强度的投射式电容屏，其特征在于：包括第一玻璃基板（1）、设置于所述第一玻璃基板（1）上的第一ITO层（2）、第二玻璃基板（3）、设置于所述第二玻璃基板（3）上的第二ITO层（4），所述第一TIO层与所述第二ITO层（4）之间使用高强度的压合层（7）连接；所述第一玻璃基板（1）为钢化玻璃基板；所述第一ITO层（2）包括由若干X轴方向电极形成的X轴电极层，所述第二ITO层（4）包括由若干Y轴方向电极形成的Y轴电极层；所述高强度的投射式电容屏还包括设置于所述X轴电极层边缘的与所述X轴电极层相连的X金属线（5）和设置于所述Y轴电极层边缘的与所述Y轴电极层相连的Y金属线（6），所述X金属线（5）与所述Y金属线（6）分别与柔性线路板相连；所述压合层（7）为EVA胶层或PVB胶层。
2.根据权利要求1所述的高强度的投射式电容屏，其特征在于：所述第一玻璃基板（1）与第一ITO层（2）之间、所述第二玻璃基板（3）与第二ITO层（4）之间均设有用于消除光折射率的消影层（9）。
3.根据权利要求1所述的高强度的投射式电容屏，其特征在于：所述第一玻璃基板（1）的边缘设有釉彩边框层（8）。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201420344436.8U CN203930776U (zh) | 2014-06-25 | 2014-06-25 | 一种高强度的投射式电容屏 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201420344436.8U CN203930776U (zh) | 2014-06-25 | 2014-06-25 | 一种高强度的投射式电容屏 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN203930776U true CN203930776U (zh) | 2014-11-05 |
Family
ID=51826554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201420344436.8U Expired - Fee Related CN203930776U (zh) | 2014-06-25 | 2014-06-25 | 一种高强度的投射式电容屏 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN203930776U (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN104049823A (zh) * | 2014-06-25 | 2014-09-17 | 向火平 | 一种高强度的投射式电容屏及其制作方法 |
| CN106843613A (zh) * | 2016-12-27 | 2017-06-13 | 深圳市三鑫精美特玻璃有限公司 | 一种大尺寸电容触摸屏玻璃制备方法及玻璃 |
-
2014
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