CN203882060U

CN203882060U - 显示面板

Info

Publication number: CN203882060U
Application number: CN201420294280.7U
Authority: CN
Inventors: 郑竹均; 陈右儒; 黄怡华; 杨宛珊; 陈骏腾; 高振宽; 刘桂伶
Original assignee: Innolux Display Corp
Current assignee: Innolux Corp
Priority date: 2014-06-04
Filing date: 2014-06-04
Publication date: 2014-10-15
Anticipated expiration: 2024-06-04

Abstract

本实用新型公开一种显示面板。该显示面板包括一第一基板、一第二基板、一液晶层、多个薄膜晶体管、多条金属走线、一保护层、一第一配向层以及多个聚团物(agglomerate)。第一基板具有至少一显示区以及一非显示区，非显示区位于显示区之外。第二基板相对第一基板设置，液晶层位于第一基板与第二基板之间。薄膜晶体管和金属走线位于第一基板上，保护层至少覆盖部分金属走线。第一配向层位于保护层上，且暴露保护层的一第一表面。聚团物至少位于部分的第一表面上。

Description

显示面板

技术领域

本实用新型是涉及一种显示面板，且特别是涉及一种具有良好显示品质的显示面板。

背景技术

液晶显示器已被广泛地应用在各式电子产品，如手机、笔记型电脑(notebook)及平板电脑(Tablet PC)等，而且随着大尺寸平面显示器市场的快速发展，具有轻量化与薄型化特性的液晶显示器更是扮演着相当重要的角色，进而逐渐取代阴极射线管(CRT)显示器成为市场主流。

垂直配向(vertical alignment)液晶显示面板为目前平面显示器的主流产品之一。然而，垂直配向液晶显示面板较易产生因漏光而影响显示品质的问题。因此，如何提供一种具有良好显示品质的垂直配向液晶显示面板，乃为相关业者努力的课题之一。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种显示面板。在显示面板中，位于非显示区内的聚团物使液晶层中的液晶分子受到的垂直配向效果更佳，因而受外力操作时可较快回复，而能够降低漏光现象，进而提高显示图像的品质。

为达上述目的，本实用新型提出一种显示面板。显示面板包括一第一基板、一第二基板、一液晶层、多个薄膜晶体管、多条金属走线、一保护层、一第一配向层以及多个聚团物(agglomerate)。第一基板具有至少一显示区以及一非显示区，非显示区位于显示区之外。第二基板相对第一基板设置，液晶层位于第一基板与第二基板之间。薄膜晶体管和金属走线位于第一基板上，保护层至少覆盖部分金属走线。第一配向层位于保护层上，且暴露保护层的一第一表面。聚团物至少位于部分的第一表面上。

该保护层直接接触该些薄膜晶体管以及该些金属走线的至少其中之一。

该保护层包括一无机介电材料。

该第一表面对应该非显示区。

该显示基板还包括多个间隔元件，位于该第一基板与该第二基板之间且用于提供一间隙以设置该液晶层。

该显示基板还包括：电极层位于该第二基板上；以及第二配向层位于该电极层上，且暴露该电极层的一第二表面；其中该些聚团物还位于至少部分的该第二表面上。

该显示面板还具有多个纳米通道(nanogroove)，该些纳米通道位于该非显示区中的该些金属走线的至少其中的一侧。

该些纳米通道位于该些金属走线的至少一斜面(inclined surface)上。

该显示面板还包括多个次微米突起结构(submicron protrusion)位于该非显示区中，其特征在于，该些次微米突起结构沿该些金属走线的至少其中的一延伸方向排列。

该显示面板还包括：遮光层，位于该第二基板上并对应于该非显示区，该遮光层具有一透光区与一遮光区，对应于该透光区的该些聚团物所产生的一第一表面平均粗糙度大于对应于该遮光区的该些聚团物所产生的一第二表面平均粗糙度。

该显示面板对应于该透光区的该些聚团物所产生的该第一表面平均粗糙度大于对应于该显示区的该些聚团物所产生的一第三表面平均粗糙度，且该第三表面平均粗糙度大于对应于该遮光区的该些聚团物所产生的该第二表面平均粗糙度。

该显示面板还包括：框胶，位于该第一基板与该第二基板之间，且位于该非显示区的外围区域，其中对应于邻近该框胶的该些聚团物所产生的一第四表面平均粗糙度大于对应于该显示区的该些聚团物所产生的一第三表面平均粗糙度。

该显示面板包括：第一基板，其中该第一基板具有至少一显示区以及一非显示区，该非显示区位于该显示区之外；第二基板，相对该第一基板设置；液晶层，位于该第一基板与该第二基板之间；遮蔽图案(shielding pattern)，位于该第一基板或该第二基板上，并对应于该非显示区及该显示区的邻近该非显示区的一部分；以及反应性单体，混合于至少该液晶层中；其中，该遮蔽图案覆盖的一区域的开口率(aperture ratio)为X％，该反应性单体的浓度为Y ppm，则X和Y满足以下公式：2847.7e^-3.6375X>Y>1774.1e^-8.9014X。

Y<400，10≤X<100。

该遮蔽图案覆盖的该区域自该非显示区的外围朝向该显示区的方向延伸，该遮蔽图案延伸的距离该非显示区的宽度的10～15倍。

该遮蔽图案覆盖的该区域自该非显示区的外围朝向该显示区的方向延伸，该遮蔽图案延伸的距离约3厘米。

该遮蔽图案覆盖该非显示区及该显示区。

该遮蔽图案包括多条金属走线或一遮光层的至少其中之一。

位于该显示区的外围区域中的该些金属走线具有的线宽小于50微米。

该遮光层具有多个开口，该些开口的尺寸为约100微米。

本实用新型的优点在于，显示面板中，位于非显示区内的聚团物使液晶层中的液晶分子受到的垂直配向效果更佳，因而受外力操作时可较快回复，而能够降低漏光现象，进而提高显示图像的品质。

为了对本实用新型的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举优选实施例，并配合所附的附图，作详细说明如下：

附图说明

图1A为本实用新型一实施例的显示面板的俯视示意图；

图1B为沿图1A的剖面线1B-1B’的剖面示意图；

图2为本实用新型一实施例的显示面板的简化分解图；

图3为如图2所示的非显示区中的金属走线的局部立体图；

图4为本实用新型另一实施例的显示面板沿图1A的剖面线4-4’的剖面示意图；

图5为本实用新型再一实施例的显示面板的俯视示意图；

图6为本实用新型的实施例的遮蔽图案的开口率相对于反应性单体浓度的关系图；

图7为本实用新型的实施例的遮蔽图案的开口率相对于残影现象的示意图；

图8A为本实用新型一实施例的遮蔽图案的示意图；

图8B为本实用新型另一实施例的遮蔽图案的示意图。

符号说明

100、200：显示面板

110：第一基板

120：第二基板

130：液晶层

140：薄膜晶体管

150、ML、M：金属走线

160：第一保护层

161：第二保护层

160s：第一表面

170：第一配向层

180、180a、180b、180c、180d：聚团物

190、290：电极层

270：第二配向层

290s：第二表面

291：间隔元件

293：遮光层

293a：透光区

293b：遮光区

294：绝缘层

295：框胶

297：彩色滤光层

299：面板上驱动元件

310：纳米沟道

320：次微米突起结构

701、701a、702、703：区域

803a：开口

900：遮蔽薄膜

1B-1B’、4-4’：剖面线

A：显示区

A1：部分

B：非显示区

B1：外围

C、801、803：遮蔽图案

D1、D2：延伸方向

D3：尺寸

DL：数据线

I、II、III、IV、V、VI：曲线

P：像素区域

SL：扫描线

W1：宽度

W2：距离

W3：线宽

具体实施方式

根据本实用新型的实施例，显示面板中，位于非显示区内的聚团物使液晶层中的液晶分子受到的垂直配向效果更佳，因而受外力操作时可较快回复，而能够降低漏光现象，进而提高显示图像的品质。以下参照所附的附图详细叙述本实用新型内容的实施例。附图中相同的标号用以标示相同或类似的部分。需注意的是，附图已简化以利清楚说明实施例的内容，实施例所提出的细部结构仅为举例说明之用，并非对本实用新型欲保护的范围做限缩。具有通常知识者当可依据实际实施态样的需要对该些结构加以修饰或变化。

图1A绘示本实用新型一实施例的显示面板100的俯视示意图，图1B绘示沿图1A的剖面线1B-1B’的剖面示意图。请参照图1A～图1B，显示面板100包括一第一基板110、一第二基板120、一液晶层130、多个薄膜晶体管140、多条金属走线150、至少一保护层(例如一第一保护层160和一第二保护层161)、一第一配向层170以及多个聚团物(agglomerate)180。第一基板110具有至少一显示区A以及一非显示区B，非显示区B位于显示区A之外。第二基板120相对第一基板110设置，液晶层130位于第一基板110与第二基板120之间。薄膜晶体管140和金属走线150位于第一基板110上，第一保护层160和第二保护层161至少覆盖部分金属走线150。第一保护层160设置于第二保护层161上，且第一保护层160覆盖薄膜晶体管140与金属走线150。第一配向层170位于第一保护层160上，且第一配向层170部分地覆盖第一保护层160以暴露第一保护层160的一第一表面160s。聚团物180至少位于部分的此第一表面160s上。在另一实施例中，第一保护层160部分覆盖第二保护层161以暴露第二保护层161的一部分表面，且聚团物180至少位于第二保护层161暴露的此部分表面上(未绘示)。在再一实施例中，第一保护层160部分覆盖第二保护层161以暴露第二保护层161的一部分表面(未绘示)，且聚团物180至少位于第一保护层160上且位于第二保护层161暴露的此部分表面上。

显示区A表示显示面板100用于显示图像的区域，非显示区B表示不用于显示图像的区域。一实施例中，如图1A所示，非显示区B环绕显示区A。实施例中，显示区A例如是像素区域中用于显示画面的区域，非显示区B例如是扇出走线区(fan out)，然而不限于此，非显示区B可以包括不用来显示图像的任何区域。

实施例中，第一保护层160直接接触薄膜晶体管140以及金属走线150的至少其中之一。如图1B所示，本实施例中，第一保护层160直接接触薄膜晶体管140以及金属走线150。

实施例中，第一保护层160与第二保护层161分别独立地包括一无机介电材料，例如包括氮化硅(SiN_x)、氧化硅(SiO_x)和/或氮氧化硅(SiO_xN_y)。如图1B所示，第一保护层160的暴露于第一配向层170之外的第一表面160s对应非显示区B。

实施例中，非显示区B内的聚团物180并不具有特定的排列方式与配向方向，换言之，聚团物180不规则地排列于第一基板110之上(above)。显示区A内的聚团物180则具有特定的配向方向功能以引导液晶朝特定方向倾倒。同为聚团物180，但可根据制作工艺中的照光固化步骤与是否施加电场的不同，而于不同区域产生具有不同功能的聚团物180。因为位于非显示区B内的聚团物180使液晶层130中的液晶分子受到的垂直配向效果更佳，因而受外力操作时可较快回复，而能够降低显示面板100的漏光现象，进而提高显示图像的品质。

实施例中，聚团物180直接接触液晶层130中的液晶分子。需注意的是，附图中的聚团物180的尺寸比例并非按照实际产品等比例绘制，仅用以清楚说明实施例的内容，因此并非作为限缩本实用新型内容的保护范围之用。

实施例中，聚团物180的形成方式可以有很多种。举例来说，一实施例中，可以在形成液晶层130或形成第一配向层170时，在其中添加紫外光硬化型(UV curable)单体，接着从第一基板110侧或第二基板120侧照射紫外光，以形成聚团物180于第一基板110(也就是第一保护层160的暴露于第一配向层170之外的至少部分的第一表面160s)上或第一配向层170上。以紫外光硬化型单体照光聚合而形成的聚团物180的材质为高分子聚合物(polymer)，不同区域中的反应情形不同。

一实施例中，以显示面板100为纳米突起构造垂直配向液晶显示面板(nano-protrusion vertical aligned liquid crystal display panel)为例，聚团物180和第一配向层170表面的配向纳米突起结构可以采用相同的单体原料而形成。举例来说，在持续提供外加电场的状况下对显示区A内的单体进行聚合反应，以形成配向纳米突起结构；在未外加电场的状况下对非显示区B内的单体进行聚合反应，以形成不具特定引导方向的配向功能且呈不规则排列的聚团物180。如此一来，显示区A内的配向纳米突起结构可以帮助液晶分子具有特定方向的配向，而位于非显示区B内的聚团物180使液晶层130中的液晶分子受到的垂直配向效果更佳，因而受外力操作时可较快回复，而能够降低显示面板100的漏光现象，进而提高显示图像的品质。

以上所述分区的配向纳米突起结构以及聚团物180的形成，可以经由多种方式制作。举例来说，可以经由电极的图案化设计，使得对应非显示区B的基板上不具有电极部分，而让单体进行紫外光聚合反应时不会受到电场的影响；或者，也可以在持续提供电场并进行紫外光照射时，利用搭配图案化光掩模遮蔽非显示区B，使得非显示区B内的单体在受到外加电场时不进行紫外光聚合反应，电场移除后再进行紫外光聚合反应。

如图1B所示，实施例中，显示面板100还可包括多个间隔元件291，间隔元件291位于第一基板110与第二基板120之间，且用于提供一间隙以设置液晶层130。多个间隔元件291可以具有不同高度，以提供面板受按压时，能够有不同高度的间隔元件291作为缓冲。

实施例中，如图1B所示，显示面板100可包括一电极层190形成于至少部分的第一基板110之上，电极层190例如是一图案化的电极层。如图1B所示，显示面板100还可包括另一电极层290位于第二基板120上，并且，显示面板100还可包括一第二配向层270位于电极层290上，且第二配向层270暴露电极层290的一第二表面290s，聚团物180还可位于至少部分的第二表面290s上，也就是电极层290的暴露的第二表面290s上。实施例中，第二基板120上的电极层290可以是图案化的透光电极层或全面式的透光电极层，电极层材料例如是ITO或IZO等。

实施例中，第一配向层170和第二配向层270例如是聚酰亚胺(polyimide，PI)膜。

实施例中，如图1B所示，显示面板100还可包括一框胶295。框胶295位于第一基板110与第二基板120之间，且位于非显示区B的外围区域。

如图1A～图1B所示，实施例中，第一配向层170并未完全覆盖框胶295内的区域。相对于当第一配向层170完全覆盖于第一基板110之上，在此情形下框胶295完全与第一配向层170黏合，但框胶295与第一配向层170之间的接着力不佳，因此容易产生膜层剥离(peeling)的问题。根据本实用新型的实施例，由于第一配向层170部分覆盖于第一基板110之上，至少部分的框胶295可以黏合于第一基板110之上的具有较佳黏着性的材质，因此可以减少显示面板100的膜层剥离的问题。

此情况下，聚团物180也位于第一保护层160的暴露于第一配向层170之外的第一表面160s上，位于非显示区B内的聚团物180使液晶层130中的液晶分子受到的垂直配向效果更佳，因而受外力操作时可较快回复，而能够降低显示面板100的漏光现象，进而提高显示图像的品质。

实施例中，如图1B所示，显示面板100还可包括一彩色滤光层297位于第一基板110上。另一实施例中，彩色滤光层也可设置于第二基板120上(未绘示)。

图2绘示本实用新型一实施例的显示面板100的简化分解图。需注意的是，图2中的部分元件省略或简化以利清楚说明实施例的内容，附图上的尺寸比例并非按照实际产品等比例绘制，因此并非作为限缩本实用新型内容的保护范围之用。在此实施例中，以框胶295紧邻(或切齐)基板110/120侧边的设计为例，在另一实施例中，框胶295也可不用紧邻基板110/120侧边，或是在另一实施例中，框胶295仅紧邻基板110的其中三侧边，另一侧边则没有紧邻基板110侧边。

实施例中，显示面板100还包括至少一数据线DL以及至少一扫描线SL。显示区A中具有多个像素P，数据线DL和扫描线SL相交以定义像素区域P。非显示区B中还设有多条金属走线ML，其中部分的该多条金属走线ML与扫描线SL为同层金属或于同一道制作工艺中形成，部分的该多条金属走线ML与数据线DL为同层金属或于同一道制作工艺中形成，请同时参照图1B及图2，部分金属走线ML可位于第二保护层161下，其余金属走线ML可位于第一保护层160下。然而，金属走线ML也可具有不同于图1～图2所示的配置方式，端视设计需求。

请同时参照图1B及图2，显示面板100还可包括一遮光层293。实施例中，遮光层293例如是黑矩阵(black matrix，BM)，黑矩阵位于第二基板120上。实施例中，非显示区B内可包括面板上驱动元件(driver on panel)299，面板上驱动元件299例如是栅极线驱动电路(gate on panel，GOP)或数据线驱动电路。栅极线驱动电路或数据线驱动电路可同时存在或分别单独设置于面板上。图上仅示意绘出一组栅极驱动电路，也可有多组栅极驱动电路或多组数据线驱动电路，端视设计需求。

图3绘示如图2所示的非显示区B中的金属走线ML的局部立体图。

一实施例中，如图3所示，显示面板100还可具有多个纳米沟道(nanogroove)310。纳米沟道310位于非显示区B中的金属走线ML的至少其中的一条的一侧。如图3所示，纳米沟道310位于金属走线ML的至少一斜面(inclined surface)上。实施例中，纳米沟道310也可以形成于非显示区B中的至少一金属走线ML的两侧的斜面上。实施例中，纳米沟道310可以形成于非显示区B中具有配向层的区域以及不具有配向层的区域。实施例中，如图3所示，纳米沟道310的延伸方向D1和金属走线ML的延伸方向D2相交且具有一个角度。一实施例中，该角度例如是大约90°。

一般来说，非显示区B中的金属走线ML可能会容易反光。根据本实用新型内容的实施例，纳米沟道310位于金属走线ML的一侧，特别是位于金属走线ML的斜面上，而能够降低金属走线ML的对光线的反射，进而可以降低该区域的亮度，形成良好暗区，以及达到改善漏光现象的效果。在其他实施例中，金属走线ML可有其他的配置图案，而不限于直线形状的金属走线。

一实施例中，如图3所示，显示面板100还可包括多个次微米突起结构(submicron protrusion)320，次微米突起结构320位于非显示区B中。次微米突起结构320沿金属走线ML的至少其中一条的延伸方向D2排列。换句话说，多个次微米突起结构320沿着金属走线ML的延伸方向D2成长。一实施例中，次微米突起结构320可以平行于金属走线ML的边缘而配置。另一实施例中，次微米突起结构320也可以形成于金属走线ML的斜面上。次微米突起结构320具有大约小于1微米(μm)的尺寸。实施例中，次微米突起结构320位于非显示区B中不具有配向层的区域，次微米突起结构320可位于第一保护层160暴露出的第一表面160s上的区域。

非显示区B中，特别是在不具有配向层的区域中，次微米突起结构320沿着金属走线ML的延伸方向D2配置，使得金属走线ML的边缘较不平滑整齐，而能够降低金属走线ML的对光线的反射。如此一来，可以降低该区域的亮度，形成良好暗区，进而达到改善漏光现象的效果。

图4绘示本实用新型另一实施例的显示面板沿图1A的剖面线4-4’的剖面示意图。一实施例中，如图4所示，遮光层293位于第二基板120上，且遮光层293的至少一部分对应于非显示区B。遮光层293具有一透光区293a与一遮光区293b，多个聚团物形成于对应于透光区293a处以及对应于遮光区293b处。遮光层293的透光区293a用以令聚团物180的照光硬化的反应更完全。实施例中，聚团物形成于第一基板110之上，且聚团物也可形成于第二基板120之上，因此第一基板110之上和第二基板120之上的表面粗糙度由聚团物所形成。不同的粗糙度所对应的地貌形状对于液晶倾倒的影响力不同，具有较大粗糙度的地貌形状对液晶影响越大。至于粗糙度对于液晶倾倒的影响与作用方式，则视各个区域内的聚团物的特性有所不同，也需视操作电压影响的区域范围而定。粗糙度的大小调整可利用灰度光掩模或是利用掩模分别控制显示区A与非显示区B的照光程度与时间。

如图4所示，实施例中，对应于透光区293a的聚团物180a产生一第一表面粗糙度，对应于遮光区293b的聚团物180c产生一第二表面粗糙度，第一表面粗糙度大于第二表面粗糙度。一实施例中，此第一表面粗糙度和此第二表面粗糙度可以表示第一基板110之上和第二基板120之上的表面粗糙度。

如图4所示，对应于显示区A的聚团物180b产生一第三表面粗糙度。实施例中，第一表面粗糙度大于第三表面粗糙度，第三表面粗糙度大于第二表面粗糙度。一实施例中，此第一表面粗糙度、此第二表面粗糙度和此第三表面粗糙度表示第二基板120之上的表面粗糙度。

如图4所示，对应于邻近框胶295的聚团物180d产生一第四表面粗糙度，第四表面粗糙度大于第三表面粗糙度。一实施例中，此第三表面粗糙度和此第四表面粗糙度表示第一基板110之上的表面粗糙度。

上述实施例中，第一表面粗糙度、第二表面粗糙度、第三表面粗糙度和第四表面粗糙度可以是方均根粗糙度、平均粗糙度、或最大粗糙度的至少其中之一。一实施例中，第一表面粗糙度、第二表面粗糙度、第三表面粗糙度和第四表面粗糙度例如是以平均粗糙度表示。

以下就实施例作进一步说明。以下列出显示面板100的数个不同区域的粗糙度的量测结果，以说明本实用新型的显示面板100的特性。然而以下的实施例仅为例示说明之用，而不应被解释为本实用新型内容实施的限制。各区域的粗糙度的量测结果如表1，其中量测的粗糙度包括方均根粗糙度(Rq)、平均粗糙度(Ra)及最大粗糙度(Rmax)。表1所列的各种粗糙度以原子力显微镜(AFM，机台型号：VEECO Dimension-icon)于选定的区域中的一5x5平方微米的面积内量测而得。

表1

由表1的结果可得知，对应于透光区293a的聚团物产生的平均粗糙度(Ra＝20.7纳米)大于对应于遮光区293b的聚团物产生的平均粗糙度(Ra＝14.1纳米)。再者，对应于显示区A的聚团物产生的平均粗糙度(Ra＝15.8纳米)及大于对应于遮光区293b的聚团物产生的平均粗糙度(Ra＝14.1纳米)。换言之，透光区293a的平均粗糙度(第一平均粗糙度)最大，显示区A的平均粗糙度(第三平均粗糙度)次之，而遮光区293b的平均粗糙度(第二平均粗糙度)较前述两区域都小。

此外，对应于非显示区B的透光区293a的聚团物产生的方均根粗糙度(Rq＝27.3纳米)及最大粗糙度(Rmax＝270纳米)均分别大于对应于非显示区B的遮光区293b的聚团物产生的方均根粗糙度(Rq＝18.7纳米)及最大粗糙度(Rmax＝168纳米)。再者，对应于显示区A的聚团物产生的方均根粗糙度(Rq＝20.6纳米)最大粗糙度(Rmax＝172纳米)均分别大于对应于遮光区293b的聚团物产生的方均根粗糙度(Rq＝18.7纳米)及最大粗糙度(Rmax＝168纳米)。因此，在非显示区B中，因于操作下并非显示区A中施加像素操作电压，故而利用遮光区293a区的聚团物所形成的地貌的粗糙度来增加对液晶的影响力，使得位于非显示区B内的聚团物180使液晶层130中的液晶分子受到的垂直配向效果更佳，因而受外力操作时可较快回复，而能够降低显示面板100的漏光现象，进而提高显示图像的品质。而遮光区293b区中因其为遮光区，故而其聚团物所形成的地貌的粗糙度可小于透光区293a的粗糙度。而显示区A因其于显示时，有施加像素操作电压的原因，粗糙度大小可次于非显示区B中的透光区293a的粗糙度。故而透光区293a的粗糙度(第一方均根粗糙度、第一最大粗糙度)最大，显示区A的粗糙度(第三方均根粗糙度、第三最大粗糙度)次之，而遮光区293b的粗糙度(第二方均根粗糙度、第二最大粗糙度)较前述两区域都小。邻近框胶295的第四表面粗糙度，可调整照射框胶295固化时的光照射角度，使得该第四表面可受到较多照射光的影响，故而该第四表面照光时间较其他区域来得长，故而第四表面的粗糙度较其他区域大。

图5绘示本实用新型在一实施例的显示面板200的俯视示意图。如图5所示，显示面板200包括第一基板110、第二基板120、液晶层(未绘示)、遮蔽图案(shielding pattern)C及反应性单体(Reactive Monomer，RM)。反应性单体指添加于液晶层内，含有特定官能基(例如：压克力基)且照射特定波长光源可产生聚合反应进而形成高分子结构的材料。第一基板110具有至少一显示区A以及一非显示区B，非显示区B位于显示区A之外，第二基板120相对第一基板110设置。液晶层位于第一基板110与第二基板120之间，反应性单体混合于至少液晶层中。遮蔽图案C可位于第一基板110或第二基板120上，并对应于非显示区B及显示区A的邻近非显示区B的一部分A1，亦即遮蔽图案C指自框胶295内缘往非显示区B与显示区A方向且位于非显示区B与显示区A的遮蔽图案，于框胶295上(重叠)或框胶295外缘以外区域的遮蔽图案(图未示)非属此处的遮蔽图案C。在对应于遮蔽图案C的一区域中，遮蔽图案C的开口率(aperture ratio)为X％，反应性单体的浓度为Yppm，则X和Y满足以下公式：2847.7e^-3.6375X>Y>1774.1e^-8.9014X。开口率表示光线能穿透的有效区域的比率。

图6绘示本实用新型的实施例的遮蔽图案的开口率(X)相对于反应性单体浓度(Y)的关系图。实施例中，反应性单体的浓度表示反应物单体的残留量，而开口率则呈现光透过率。图6中，曲线I、II、III、IV、V和VI分别表示照光反应时间为30分钟、60分钟、90分钟、120分钟、150分钟和180分钟的遮蔽图案的开口率(X％)相对于反应性单体残留量(Y)的关系。如图6所示，不同的开口率可造成不同的反应性单体残留量；而反应时间越长，反应物残留量则越低。当反应性单体的残留量越高时，显示面板的残影(imagesticking)越严重，则显示品质则不佳。

图7绘示本实用新型内容的实施例的遮蔽图案的开口率相对于显示面板的残影现象的示意图。图7中，以方格图案作为测试图像，将方格图案持续显示一定时间后，再将图像设定成相同灰度下比较各区域残影现象。先将图7中的区域701全部贴上遮蔽薄膜900并显示方格图案，该遮蔽薄膜900可用于遮断影响反应性单体(RM)产生聚合反应的照射波段(200nm～400nm)范围。经测试一段时间后，将图像设定成相同灰度后，撕除部分的遮蔽薄膜900后的区域会形成如区域701a的图案，因该区域701因开口率为0，使该区域701的反应性单体(RM)无法吸收可反应波段光源形成高分子结构，因此反应性单体(RM)大量残留而造成该区残影非常严重。区域701的开口率为0，区域703的开口率高于区域701的开口率，而区域702位于区域701和区域703的交界处，具有和区域703相同的开口率。如图7所示，可以发现，开口率为0的区域701的残影十分严重，相对而言，具有较高开口率的区域703的残影较轻微。此外，区域702虽具有相同于区域703的开口率，但由于区域701的未反应完毕的反应性单体扩散至区域702，因此区域702的残影比区域703严重。

一实施例中，当未反应完毕的反应性单体的浓度小于400ppm(Y<400)、且遮蔽图案的开口率大于等于10％且小于100％时(10≤X<100)，显示面板200具有较少残影，因而具有较佳的显示品质。

一实施例中，例如当显示面板200为大尺寸面板时，如图5所示，遮蔽图案C覆盖的区域自非显示区B的外围B1朝向显示区A的方向延伸，遮蔽图案C延伸的距离W2例如是非显示区B的宽度W1的10～15倍。

一实施例中，例如当显示面板200为较小尺寸面板时，遮蔽图案C覆盖的区域自非显示区B的外围B1(亦即为框胶295的内缘)朝向显示区A的方向延伸，遮蔽图案C延伸的距离W2例如是3厘米；亦或自相对两侧的非显示区B的外围B1朝向显示区A的方向延伸，两对侧的遮蔽图案延伸的距离W2的总合例如是6厘米。实施例中，当显示面板200为小尺寸面板时，例如是应用于手机荧幕的显示面板，遮蔽图案C也可以完全覆盖非显示区B及显示区A。

图8A绘示本实用新型一实施例的遮蔽图案801的示意图，图8B绘示本实用新型内容另一实施例的遮蔽图案803的示意图。实施例中，遮蔽图案可包括多条金属走线或一遮光层的至少其中之一。如图8A所示，遮蔽图案801例如包括多条金属走线；如图8B所示，遮蔽图案803例如包括一遮光层。

如图8A所示，位于显示区A的外围区域中，遮蔽图案801的金属走线M具有的线宽W3例如是小于50微米。

如图8B所示，遮蔽图案803例如是遮光层，具有多个开口803a，开口803a的尺寸D3例如约为100微米。

Claims

1.一显示面板，其特征在于，该显示基板包括：

第一基板，其中该第一基板具有至少一显示区以及一非显示区，该非显示区位于该显示区之外；

第二基板，相对该第一基板设置；

液晶层，位于该第一基板与该第二基板之间；

多个薄膜晶体管，位于该第一基板上；

多条金属走线，位于该第一基板上；

保护层，至少覆盖部分该些金属走线；

第一配向层，位于该保护层上，且暴露该保护层的一第一表面；以及

多个聚团物(agglomerate)，至少位于部分的该第一表面上。

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该保护层直接接触该些薄膜晶体管以及该些金属走线的至少其中之一。

3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该保护层包括一无机介电材料。

4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该第一表面对应该非显示区。

5.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该显示基板还包括多个间隔元件，位于该第一基板与该第二基板之间且用于提供一间隙以设置该液晶层。

6.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该显示基板还包括：

电极层位于该第二基板上；以及

第二配向层位于该电极层上，且暴露该电极层的一第二表面；

其中该些聚团物还位于至少部分的该第二表面上。

7.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该显示面板还具有多个纳米沟道(nanogroove)，该些纳米沟道位于该非显示区中的该些金属走线的至少其中的一侧。

8.如权利要求7所述的显示面板，其特征在于，该些纳米沟道位于该些金属走线的至少一斜面(inclined surface)上。

9.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该显示面板还包括多个次微米突起结构(submicron protrusion)位于该非显示区中，其特征在于，该些次微米突起结构沿该些金属走线的至少其中的一延伸方向排列。

10.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该显示面板还包括：

遮光层，位于该第二基板上并对应于该非显示区，该遮光层具有一透光区与一遮光区，对应于该透光区的该些聚团物所产生的一第一表面平均粗糙度大于对应于该遮光区的该些聚团物所产生的一第二表面平均粗糙度。

11.如权利要求10所述的显示面板，其特征在于，该显示面板对应于该透光区的该些聚团物所产生的该第一表面平均粗糙度大于对应于该显示区的该些聚团物所产生的一第三表面平均粗糙度，且该第三表面平均粗糙度大于对应于该遮光区的该些聚团物所产生的该第二表面平均粗糙度。

12.如权利要求10所述的显示面板，其特征在于，该显示面板还包括：

框胶，位于该第一基板与该第二基板之间，且位于该非显示区的外围区域，其中对应于邻近该框胶的该些聚团物所产生的一第四表面平均粗糙度大于对应于该显示区的该些聚团物所产生的一第三表面平均粗糙度。

13.一显示面板，其特征在于，该显示面板包括：

第二基板，相对该第一基板设置；

液晶层，位于该第一基板与该第二基板之间；

遮蔽图案(shielding pattern)，位于该第一基板或该第二基板上，并对应于该非显示区及该显示区的邻近该非显示区的一部分；以及

反应性单体，混合于至少该液晶层中；

其中，该遮蔽图案覆盖的一区域的开口率(aperture ratio)为X％，该反应性单体的浓度为Y ppm，则X和Y满足以下公式：

2847.7e^-3.6375X>Y>1774.1e^-8.9014X。

14.如权利要求13所述的显示面板，其特征在于，Y<400，10≤X<100。

15.如权利要求13所述的显示面板，其特征在于，该遮蔽图案覆盖的该区域自该非显示区的外围朝向该显示区的方向延伸，该遮蔽图案延伸的距离该非显示区的宽度的10～15倍。

16.如权利要求13所述的显示面板，其特征在于，该遮蔽图案覆盖的该区域自该非显示区的外围朝向该显示区的方向延伸，该遮蔽图案延伸的距离约3厘米。

17.如权利要求13所述的显示面板，其特征在于，该遮蔽图案覆盖该非显示区及该显示区。

18.如权利要求13所述的显示面板，其特征在于，该遮蔽图案包括多条金属走线或一遮光层的至少其中之一。

19.如权利要求18所述的显示面板，其特征在于，位于该显示区的外围区域中的该些金属走线具有的线宽小于50微米。

20.如权利要求18所述的显示面板，其特征在于，该遮光层具有多个开口，该些开口的尺寸为约100微米。