CN203859863U - 同轴同音源扬声器结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种同轴同音源扬声器结构，包括低音发声单元和中高音发声单元，所述低音发声单元被同轴套置在所述中高音发声单元外；所述低音发声单元系为单磁间隙机构，系具有一导磁基座，该导磁基座具有相邻的一辅磁结合空间及一音圈作动空间，该音圈作动空间内结合有磁铁、音圈的振动发声膜片和接线板；所述低音发声单元的低音振动音源点水平对齐所述中高音发声单元的中高音振动音源点。本实用新型通过将低音发声单元同轴套置在中高音发声单元外，缩小了扬声器体积，并使发声振动的音源点同在一个基准面上，使发声单元具有更广的电性调整范围，同轴同音源扬声器结构既可发出低音又可发出中高音。

Description

同轴同音源扬声器结构

技术领域

本实用新型涉及扬声器发声单元的结构技术领域，尤其是指一种具有Z型断面导磁基座之同轴同音源扬声器结构，该低音发声单元系被同轴套置在所述中高音发声单元外，且该低音发声单元的振动音源点与中高音发声单元的振动音源点位于同一水平基准面上。

背景技术

传统的常用耳机或喇叭音箱均由单一的扬声器发声单元发声，不容易发出较为宽广的声音，要发出较强的低音就必须损失一些中高音，或为了达到较为宽广的声音，选择将多个发声单元装入耳机壳或喇叭音箱内，如，将独立的低音发声单元和中高音发声单元均装入耳机壳或喇叭音箱内，从而，占用了耳机或喇叭音箱的容积，也增大了耳机的体积。

实用新型内容

本实用新型是克服上述现有技术中的不足，提供一种同轴同音源扬声器结构，将低音发声单元被同轴套置在所述中高音发声单元外，缩小了扬声器整体体积，并使低音发声单元与中高音发声单元的发声振动音源点同在一个水平的基准面上，使发声单元具有更广的电性调整范围。

本实用新型之一种同轴同音源扬声器结构，包括:一中高音发声单元，具有一中高音振动音源点及接线板及一中音高出音孔；一低音发声单元，具有:一导磁基座，该导磁基座的中心部位为中空状的中高音定位面，导磁基座本体部位具有相邻之辅磁结合空间及音圈作动空间，该辅磁结合空间及音圈作动空间之间设置有一间隔壁；一环状磁铁，该环状磁铁具有两个相对之表面，其中一表面系固定于导磁基座之音圈作动空间中，该环状磁铁系贴合于音圈作动空间并远离间隔壁，使环状磁铁与间隔壁间形成一磁间隙；一环状导磁环，该环状导磁环系固定于环状磁铁另一表面，使环状导磁环与导磁基座形成一开口；一振动发声膜片，该振动发声膜片系包含一中空音膜片，于中空音膜片上连结一音圈，该音圈与中空音膜片的连接处形成一低音振动音源点；系将振动发声膜片结合固定于导磁基座与导磁环所形成的开口，以将开口封闭，且该音圈伸入于导磁基座的音圈作动空间中，并定位于音圈作动空间之磁间隙中；一接线板，该接线板系结合于该导磁基座的音圈作动空间底面外壁面上，供音圈的引出线固定；该低音发声单元被同轴套置在该中高音发声单元外，且该低音发声单元的低音振动音源点与中高音发声单元的中高音振动音源点系位于相同的水平基准面上。

于一较佳实施例，其中该中高音发声单元系为动铁式发声单元、圆形电磁式动铁发声单元、方形电磁式动铁发声单元、动圈式发声单元、丝带式发声单元、压电陶瓷发声片组件、压电陶瓷发声片接合发声振动膜片或半导体芯片发声单元之其中一种。

于一较佳实施例，其中该中高音发声单元与低音发声单元的链接处间结合有一阻磁环，用以分隔低音发声单元的磁场与中高音发声单元的磁场。

于一较佳实施例，其中该振动发声膜片更包含一外压边及一内压边，而音膜片具有一外环缘及内环缘，该外压边系固定于音膜片的外环缘，而内压边系固定于音膜片的内环缘，系将外压边及内压边分别结合于导磁基座内外边缘，使音膜片定位于开口上方，并将开口封闭。

于一较佳实施例，其中该导磁基座的音圈作动空间的结合面上设置有透气孔，用以将振动发声膜片音振动产生的空气排出音圈作动空间外部。

于一较佳实施例，更包含:一气流阻尼纱网，该气流阻尼纱网系黏合在导磁基座结合面的外表面，并将透气孔遮蔽，用以调整腔室的空气流量；一防尘保护盖，该防尘保护盖系结合于低音发声单元上方，使该低音发声单元的声音从防尘保护盖的低音出音孔发出。

于一较佳实施例，其中该音膜片系为复合膜片材料。

于一较佳实施例，其中该导磁基座之辅磁结合空间系设置于靠近中高音定位面位置处，而音圈作动空间系远离中高音定位面位置处，该导磁基座之辅磁结合空间上系结合一辅磁。

于一较佳实施例，其中该导磁基座之辅磁结合空间系设置于远离中高音定位面的位置处，而音圈作动空间系靠近中高音定位面位置处，该导磁基座之辅磁结合空间上系结合一辅磁。

附图说明

图1是本实用新型同轴同音源扬声器结构一实施例之剖面示意图；

图2是本实用新型同轴同音源扬声器结构一实施例之立体示意图；

图3是本实用新型同轴同音源扬声器结构一实施例之剖面示意图；

图4是本实用新型同轴同音源扬声器结构一实施例之局部剖面示意图；

图5是本实用新型同轴同音源扬声器结构一实施例之局部剖面示意图；

图6是本实用新型同轴同音源扬声器结构一实施例之局部剖面示意图；

图7是本实用新型同轴同音源扬声器结构一实施例之局部剖面示意图；

图8是本实用新型同轴同音源扬声器结构一实施例之发声振动膜片示意图；及

图9A～9F是本实用新型同轴同音源扬声器结构一实施例之中高音发声单元示意图。

附图标号说明如下：

1气流阻尼纱网              2中高音发声单元

3导磁基座                  31开口

321辅磁结合空间            322音圈作动空间

323间隔壁                  324结合面

33中高音定位面             34磁间隙

325透气孔                  4接线板

51环状磁铁                 52辅磁

601环状导磁环              7阻磁环

8音圈                      9振动发声膜片

901外压边                  902音膜片

903内压边                  10防尘保护盖

11低音出音孔               12中高音出音孔

1301低音振动音源点         1302中高音振动音源点

14中高音发声单元接线板     100低音发声单元

9021复合膜片材料

具体实施方式

下面结合实施例及附图对本实用新型作进一步详细的描述，但本实用新型的实施方式不限于此。

请参阅图1所示，系本实用新型之同轴同音源扬声器结构，主要包括一低音发声单元100和一中高音发声单元2，该低音发声单元100被同轴套置在该中高音发声单元2外，在本实施例中，所述中高音发声单元2包含一中高音振动音源点1302及中高音发声单元接线板14，并于中高音发声单元2上设置一中高音出音孔12，以供中高音发声单元2之中高音发出，于本实施例所采用之中高音发声单元2为动铁式中高音发声单元；

该低音发声单元100系为单磁间隙机构，系包括一环状导磁基座3，该环状导磁基座3的中心部位为中空状的中高音定位面33，该导磁基座31的本体部分为相邻之一辅磁结合空间321及一音圈作动空间322，该辅磁结合空间321及音圈作动空间之间具有一间隔壁323，使导磁基座3的断面类似Z型，并于音圈作动空间322的一结合面324上设有透气孔325；如图1所示之导磁基座3，该辅磁结合空间321系靠近中高音定位面33，而音圈作动空间322则远离中高音定位面33；

另外，请参阅图2、图3及图4所示，系可于该中高音定位面33中结合一阻磁环7，该阻磁环7类似一套筒结构，内部系供中音高发声单元2穿置定位，外部系与低音发声单元100之导磁基座3的中高音定位面33相连结，使该阻磁环7可分隔低音发声单元100的磁场与中高音发声单元2的磁场，使低音发声单元100同轴套设于中高音发声单元2外。

再者，请参阅图1～图4所述，该导磁基座3的音圈作动空间322的结合面324上固定结合有一环状磁铁51，该环状磁铁51的断面宽度及高度皆小于音圈作动空间322之断面宽度及高度，该磁铁51系贴合于音圈作动空间322远离辅磁结合空间321，因磁铁51宽度小于音圈作动空间322，使磁铁51并不会将音圈作动空间322填塞补满，而与接近辅磁结合空间321的间隔壁323处会保有一磁间隙34。

一导磁环601，该导磁环601系黏合固定于磁铁51的顶端表面，使磁铁51及导磁环601容置定位于导磁基座3的音圈作动空间322中；

该导磁基座3与导磁环601之间会形成一开口31，该开口31上结合有一振动发声膜片9，该振动发声膜片9系包含一环形外压边901、一中空音膜片902及一环形内压边903，该中空音膜片902系具有一外环缘及一内环缘，该外环缘上固定环形外压边901，而内环缘上固定环形内压边903，并于音膜片902上连结一音圈8，该音圈8位于外压边901及内压边903之间，而音圈8与音膜片902的连接处为一低音振动音源点1301；系将振动发声膜片9的外压边901及内压边903分别贴合于导磁基座3的开口31内、外边缘，使音圈8定位于导磁基座3的音圈作动空间322中，并位于磁铁51及间隔壁323之间的磁间隙34，且该振动发声膜片9会将导磁基座3的开口31封闭；

经由环状磁铁51提供磁场，再藉由导磁环601达到导磁作用，而音圈8提供磁隙回路，并藉由该导磁基座3达到导磁的作用，及透过透气孔35达到透气作用，使振动发声膜片9振动时所产生的空气气流可经由透气孔321排出。而环状磁铁51的一侧裸露出音圈作动空间322，故具有较强的磁间隙磁力。

请参阅图5所示，系本实用新型另一实施示意图，其中，该辅磁结合空间321上可固定结合一辅磁52，该辅磁52的面积小于磁铁51，而辅磁52的断面宽度及高度皆小于音圈作动空间322之断面宽度及高度，经由辅磁52的结合，再藉由导磁基座3具有导磁效果，将增强整体磁性，而其他结构皆与图1～图4相同，于此不在赘述。

请参阅图6所示，其与图1～图4之差异处在于该音圈作动空间322系位于靠近中高音定位面33处，而辅磁结合空间321系远离中高音定位面33处，其断面形状系与图1～图4所示之导磁基座3反向，而其他结构皆与图1～图4相同，与此不在赘述。

而如图7所示，系于远离中高音定位面33的辅磁结合空间311上固定连结一辅磁52，同样可达到如图6所述之效果，至于其他结构皆与图6同，于此不在赘述。

如图8所示，本实用新型之音膜片902可为复合膜片材料9021。而音膜片902所采用的材料可选用高分子塑料、高分子塑料纤维、有机纤维、矿物质等以薄膜形态或编织形态冲压轧成型的其中之一或其组合皆可，其中该矿物质可为金属、岩石、矿物或玻璃等；且环形外压边901或环形内压边903不限制为圆形，圆形仅为本案之最佳实施方式，并非用以局限本案之专利范围，只要将外压边901或内压边903设置成楕圆形、三角形、四角形、多角形或其他几何图形皆包含在本案之专利范围中。

另外，该导磁基座3的音圈作动空间322的外壁面上可黏合一接线板4，该接线板4系供音圈8引出线81焊接固定，以达到电性回路之目的；

该中高音发声单元2与阻磁环7或导磁基座3的连结手段可为黏合或扣合或紧配合等，使低音发声单元100套设于中高音发声单元2外，达到低音发声单元100与中高音发声单元2同轴，且该低音发声单元100的低音振动音源点1301与中高音发声单元2的中高音振动音源点1302系位于同一水平基准面上，使发声单元具有更广的电性调整范围，同轴同音源扬声器结构既可发出低音又可发出中高音；

而已经磁化后的中高音发声单元2的接线板14和已经磁化的低音发声单元100的接线板4都接通电讯号线。

另外，该导磁基座3之音圈作动空间322结合面的外表面上还可黏合有气流阻尼纱网1，该气流阻尼纱网1系将透气孔325覆盖，用以调整导磁基座3之音圈作动空间322内的空气流量；

另外，在所述低音发声单元100结合有振动发声膜片9的上方结合有一防尘保护盖10，该防尘保护盖10上设置有低音出音孔11；该低音发声单元的声音从防尘保护盖10的低音出音孔11发出。

请参阅图9A～图9F所示，其中，该中高音发声单元2亦可由方形电磁式动铁发声单元2a(如图9A所示)、动圈式发声单元2b(如图9B所示)、丝带式发声单元2c(如图9C所示)、压电陶瓷发声片组件2d(如图9D所示)、压电陶瓷发声片接合发声振动膜片2e(如图9E所示)、半导体芯片发声单元2f(如图9F所示)取代，且图9A～图9F所示之中高音发声单元2a～2f皆包含一中高音接线板14及中高音振动音源点1302，且除了图9F所示之导体芯片发声单元2f上无设置出音孔外，其他中高音发声单元2a～2f上皆设置有一中高音出音孔12，上述中高音发声单元2仅为本案较佳实施例，并非用以局限本案之申请专利范围。

另外，上述所揭露之各式实施例，可被应用于各式喇叭产品或耳机产品中，该耳机产品包含入耳式耳机、耳道式耳机、背颈式耳机、头戴式耳机。

上述实施例为本实用新型较佳的实施方式，但本实用新型的实施方式并不受上述实施例的限制，其他的任何未背离本实用新型的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种同轴同音源扬声器结构，包括: 

一中高音发声单元，具有一中高音振动音源点及接线板及一中音高出音孔； 

一低音发声单元，具有: 

一导磁基座，该导磁基座的中心部位为中空状的中高音定位面，导磁基座本体部位具有相邻之辅磁结合空间及音圈作动空间，该辅磁结合空间及音圈作动空间之间设置有一间隔壁； 

一环状磁铁，该环状磁铁具有两个相对之表面，其中一表面系固定于导磁基座之音圈作动空间中，该环状磁铁系贴合于音圈作动空间并远离间隔壁，使环状磁铁与间隔壁间形成一磁间隙； 

一环状导磁环，该环状导磁环系固定于环状磁铁另一表面，使环状导磁环与导磁基座形成一开口； 

一振动发声膜片，该振动发声膜片系包含一中空音膜片，于中空音膜片上连结一音圈，该音圈与中空音膜片的连接处形成一低音振动音源点；系将振动发声膜片结合固定于导磁基座与导磁环所形成的开口，以将开口封闭，且该音圈伸入于导磁基座的音圈作动空间中，并定位于音圈作动空间之磁间隙中； 

一接线板，该接线板系结合于该导磁基座的音圈作动空间底面外壁面上，供音圈的引出线固定； 

该低音发声单元被同轴套置在该中高音发声单元外，且该低音发声单元的低音振动音源点与中高音发声单元的中高音振动音源点系位于相同的水平基准面上。 

2.如权利要求第1所述的同轴同音源扬声器结构，其中该中高音发声单元系为动铁式发声单元、圆形电磁式动铁发声单元、方形电磁式动铁发声单元、动圈式发声单元、丝带式发声单元、压电陶瓷发声片组件、压电陶瓷发声片接合发声振动膜片或半导体芯片发声单元之其中一种。 

3.如权利要求第1所述的同轴同音源扬声器结构，其中该中高音发声单元与低音发声单元的链接处间结合有一阻磁环，用以分隔低音发声单元的磁场与中高音发声单元的磁场。 

4.如权利要求第1所述的同轴同音源扬声器结构，其中该振动发声膜片更包含一外压边及一内压边，而音膜片具有一外环缘及内环缘，该外压边系固定于音膜片的外环缘，而内压边系固定于音膜片的内环缘，系将外压边及内压边分别结合于导磁基座内外边缘，使音膜片定位于开口上方，并将开口封闭。 

5.如权利要求第1项所述的同轴同音源扬声器结构，其中该导磁基座的音圈作动空间的结合面上设置有透气孔，用以将振动发声膜片音振动产生的空气排出音圈作动空间外部。 

6.如权利要求第1项所述的同轴同音源扬声器结构，更包含: 

一气流阻尼纱网，该气流阻尼纱网系黏合在导磁基座结合面的外表面，并将透气孔遮蔽，用以调整腔室的空气流量； 

一防尘保护盖，该防尘保护盖系结合于低音发声单元上方，使该低音发声单元的声音从防尘保护盖的低音出音孔发出。 

7.如权利要求第1项所述的同轴同音源扬声器结构，其中该音膜片系为复合膜片材料。 

8.如权利要求第1项所述的同轴同音源扬声器结构，其中该导磁基座之辅磁结合空间系设置于靠近中高音定位面位置处，而音圈作动空间系远离中高音定位面位置处。 

9.如权利要求第1项所述的同轴同音源扬声器结构，其中该导磁基座之辅磁结合空间系设置于远离中高音定位面的位置处，而音圈作动空间系靠近中高音定位面位置处。 

10.如权利要求第8或9项所述的同轴同音源扬声器结构，其中该导磁基座之辅磁结合空间上系结合一辅磁。