CN203807551U - 一种制作太阳能电池片时用于硅片沉积的载板 - Google Patents
一种制作太阳能电池片时用于硅片沉积的载板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN203807551U CN203807551U CN201420120814.4U CN201420120814U CN203807551U CN 203807551 U CN203807551 U CN 203807551U CN 201420120814 U CN201420120814 U CN 201420120814U CN 203807551 U CN203807551 U CN 203807551U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- plate
- silicon chip
- silicon wafer
- cover plate
- deposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 46
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 46
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims abstract description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 abstract 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001195 anabolic effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种制作太阳能电池片时用于硅片沉积的载板，所述载板由底板和盖板组合；所述底板为带有边框的凹槽托板；所述凹槽托板用于承载硅片；所述盖板与底板相配，为带有中间镂空槽的定位框；所述凹槽托板承载的硅片边缘部分在盖板和底板组合后被定位框遮掩。本实用新型采用底板和盖板组合形成载板，在硅片正反面沉积导电氧化物层、阻挡层、种子层时，硅片边缘由盖板的定位框遮掩，使沉积的导电氧化物层、阻挡层、种子层在硅片边缘形成隔离，避免因绕镀造成的电池片短路问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及到太阳能电池片制造的技术领域，特别涉及到一种制作太阳能电池片时用于硅片沉积的载板。
背景技术
异质结太阳能电池片结合了非晶硅和单晶硅的特性，具有低温制备工艺，转换效率高，高温特性优异等特点。异质结太阳能电池的结构特征是以光照射侧的P-型非晶硅和背面侧的N-型非晶硅夹住N型单晶硅片,在两侧的顶层形成透明的电极，具有对称性。当单晶硅为P型时，其光照射侧为N-型非晶硅。利用掺杂薄膜硅层在晶硅衬底上制作异质PN结，高质量薄膜非晶硅使单晶硅表面得到很好的钝化，进而得到较高的开路电压。
当非晶硅薄膜在硅片正反两边依次形成之后，下一步是通过PVD溅射的方法在正反两边依次沉积一层透明的导电氧化物层。导电透明氧化物层一般是用透过率高，导电性好的ITO材料，或其他元素掺杂的氧化铟。正反两边沉积完导电氧化物后，当用电镀法在导电氧化物表面制作金属栅线时，首先要在导电氧化物表面同样用PVD溅射的方法沉积金属叠层，金属叠层包括一层阻挡层与一层种子层。阻挡层一般可用Ti系列金属或Ta系列金属以防止铜在导电氧化物中的扩散，种子层为铜种子层。金属叠层可以解决电镀铜与导电氧化物的粘合力问题。但在采用PVD溅射法沉积导电氧化物层、阻挡层、种子层时，容易绕镀到硅片边缘引起电池片的短路。因此，如何在硅片上沉积导电氧化物层、阻挡层、种子层时实现导电氧化物层、阻挡层、种子层在硅片边缘的隔离，避免因绕镀引起的短路，是在制作高效能太阳能电池片时必须要解决的一个问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种制作太阳能电池片时用于硅片沉积的载板，由底板和盖板组合，在硅片正反面沉积导电氧化物层、阻挡层、种子层时，硅片边缘由盖板的定位框遮掩，使沉积的导电氧化物层、阻挡层、种子层在硅片边缘形成隔离，避免短路。
为实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案：
一种制作太阳能电池片时用于硅片沉积的载板，所述载板由底板和盖板组合；所述底板为带有边框的凹槽托板；所述凹槽托板用于承载硅片；所述盖板与底板相配，为中间镂空的定位框；所述凹槽托板承载的硅片边缘部分在盖板和底板组合后被定位框遮掩。
其中，所述底板边框上上至少有两个定位插脚，所述盖板的定位框上至少有两个定位孔，所述定位插脚与定位孔相对应。
其中，所述底板的凹槽托板中间为镂空的。
其中，所述载板可由A×B的多个载板拼接而成，其中A≥1，B≥1。
本实用新型采用以上技术方案，采用底板和盖板组合形成载板，在硅片正反面沉积导电氧化物层、阻挡层、种子层时，硅片边缘由盖板的定位框遮掩，使沉积的导电氧化物层、阻挡层、种子层在硅片边缘形成隔离，避免短路。
附图说明
图1为本实用新型底板的结构示意图。
图2为本实用新型盖板的结构示意图。
图3为本实用新型底板和盖板组合过程的示意图。
图4为本实用新型载板组合完成的结构示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、特征和优点更加的清晰，以下结合附图及实施例，对本实用新型的具体实施方式做出更为详细的说明，在下面的描述中，阐述了很多具体的细节以便于充分的理解本实用新型，但是本实用新型能够以很多不同于描述的其他方式来实施。因此，本实用新型不受以下公开的具体实施的限制。
一种制作太阳能电池片时用于硅片沉积的载板，如图1、图2所示，载板由底板和盖板组合而成，所述底板为带有边框101的凹槽托板10，所述凹槽托板10用于装载硅片00，所述边框101上至少有两个定位插脚102，其中凹槽托板10的中间可以是镂空的，能节省一定的设备成本，也能更好的定位硅片00；所述盖板与底板相匹配，为带有中间镂空槽201的定位框20，用于固定硅片00，所述定位框20上至少有两个与定位插脚102相对应的定位孔202，用于固定载板。
如图3、图4所示，将硅片00正面朝上装载于凹槽托板10上，用相对应的定位插脚102和定位孔202固定底板和盖板，组合完成载板。硅片00正面边缘部分被定位框20遮掩，硅片00正面中间部分通过盖板的中间镂空槽201暴露出来，采用PVD溅射在硅片00正面依次沉积导电氧化物层、阻挡层、种子层，硅片00正面边缘部分被定位框20遮掩，没有沉积到导电氧化物层、阻挡层、种子层；硅片00正面完成沉积后，依照上述步骤在硅片00的反面依次沉积导电氧化物层、阻挡层、种子层，同样硅片00反面边缘部分被定位框20遮掩，没有沉积到导电氧化物层、阻挡层、种子层，实现导电氧化物层、阻挡层、种子层在硅片00边缘部分形成隔离，避免了因绕镀引起的短路问题。在大规模批量生产中，所述载板可由A×B的多个载板拼接而成，其中A≥1，B≥1。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种制作太阳能电池片时用于硅片沉积的载板，其特征在于，所述载板由底板和盖板组合；所述底板为带有边框的凹槽托板；所述凹槽托板用于承载硅片；所述盖板与底板相配，为带有中间镂空槽的定位框；所述凹槽托板承载的硅片边缘部分在盖板和底板组合后被定位框遮掩。
2.根据权利要求1所述的一种制作太阳能电池片时用于硅片沉积的载板，其特征在于，所述底板边框上至少有两个定位插脚，所述盖板的定位框上至少有两个定位孔，所述定位插脚与定位孔相对应。
3.根据权利要求1所述的一种制作太阳能电池片时用于硅片沉积的载板，其特征在于，所述底板的凹槽托板中间为镂空的。
4.根据权利要求1所述的一种制作太阳能电池片时用于硅片沉积的载板，其特征在于，所述载板可由A×B的多个载板拼接而成，其中A≥1，B≥1。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201420120814.4U CN203807551U (zh) | 2014-03-18 | 2014-03-18 | 一种制作太阳能电池片时用于硅片沉积的载板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201420120814.4U CN203807551U (zh) | 2014-03-18 | 2014-03-18 | 一种制作太阳能电池片时用于硅片沉积的载板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN203807551U true CN203807551U (zh) | 2014-09-03 |
Family
ID=51446334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201420120814.4U Expired - Lifetime CN203807551U (zh) | 2014-03-18 | 2014-03-18 | 一种制作太阳能电池片时用于硅片沉积的载板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN203807551U (zh) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104576828A (zh) * | 2014-12-24 | 2015-04-29 | 新奥光伏能源有限公司 | 异质结太阳能电池的制作方法以及用于生产电池的模具 |
| CN104726839A (zh) * | 2015-03-27 | 2015-06-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基板固定装置 |
| CN106531844A (zh) * | 2016-12-06 | 2017-03-22 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种双面电池边缘无损伤隔离方法 |
| CN110429054A (zh) * | 2018-08-29 | 2019-11-08 | 协鑫集成科技股份有限公司 | 成膜载具以及太阳能电池的制作方法 |
| CN111106208A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-05-05 | 晋能清洁能源科技股份公司 | 一种异质结切片电池的制备方法 |
| CN115642112A (zh) * | 2022-11-24 | 2023-01-24 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 一种用于硅片的背封装置及背封方法 |
-
2014
- 2014-03-18 CN CN201420120814.4U patent/CN203807551U/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104576828A (zh) * | 2014-12-24 | 2015-04-29 | 新奥光伏能源有限公司 | 异质结太阳能电池的制作方法以及用于生产电池的模具 |
| CN104576828B (zh) * | 2014-12-24 | 2017-08-25 | 新奥光伏能源有限公司 | 异质结太阳能电池的制作方法以及用于生产电池的模具 |
| CN107275438A (zh) * | 2014-12-24 | 2017-10-20 | 新奥光伏能源有限公司 | 异质结太阳能电池的制作方法以及用于生产电池的模具 |
| CN104726839A (zh) * | 2015-03-27 | 2015-06-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基板固定装置 |
| US9957605B2 (en) | 2015-03-27 | 2018-05-01 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Substrate fixing apparatus |
| CN106531844A (zh) * | 2016-12-06 | 2017-03-22 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种双面电池边缘无损伤隔离方法 |
| CN106531844B (zh) * | 2016-12-06 | 2018-03-23 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种双面电池边缘无损伤隔离方法 |
| CN110429054A (zh) * | 2018-08-29 | 2019-11-08 | 协鑫集成科技股份有限公司 | 成膜载具以及太阳能电池的制作方法 |
| CN110429054B (zh) * | 2018-08-29 | 2022-04-15 | 协鑫集成科技股份有限公司 | 成膜载具以及太阳能电池的制作方法 |
| CN111106208A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-05-05 | 晋能清洁能源科技股份公司 | 一种异质结切片电池的制备方法 |
| CN115642112A (zh) * | 2022-11-24 | 2023-01-24 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 一种用于硅片的背封装置及背封方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN203807551U (zh) | 一种制作太阳能电池片时用于硅片沉积的载板 | |
| CN104064608B (zh) | 一种无主栅背接触太阳能电池组件及其制备方法 | |
| CN103904151B (zh) | 一种hit太阳能电池及其制备方法 | |
| CN102938432B (zh) | 一种mwt太阳电池组件的制备方法 | |
| CN105118870A (zh) | 一种制作背接触异质结单晶硅太阳能电池的方法 | |
| CN204189776U (zh) | 一种用于pvd溅射的载板 | |
| CN110071182A (zh) | 一种多层隧道结的钝化太阳能电池及制备方法 | |
| CN102569478A (zh) | 薄膜非晶硅-n型晶体硅异质结叠层太阳能电池 | |
| CN103383975A (zh) | 一种双面钝化高效异质结电池及其制作方法 | |
| TW201528538A (zh) | 一種低成本、適合規模化量產的背接觸電池生產方法 | |
| CN203774340U (zh) | 太阳能电池装置 | |
| CN111129179A (zh) | 一种异质结电池及其制备方法 | |
| CN102931268B (zh) | N型硅衬底背接触型式hit太阳电池结构和制备方法 | |
| CN103904140A (zh) | 一种新型正面结构太阳电池 | |
| CN103730532A (zh) | 掺氢晶化硅钝化的异质结太阳能电池 | |
| CN203871345U (zh) | 掺氢晶化硅钝化的异质结太阳能电池 | |
| CN104681665A (zh) | 一种新型背钝化太阳能电池的制备方法 | |
| CN203250771U (zh) | 一种异质结硅基太阳能电池 | |
| CN104934497A (zh) | 一种硅基异质结电池片金属叠层的制作方法 | |
| CN103201854A (zh) | 太阳能电池设备及其制造方法 | |
| CN203491268U (zh) | 一种新型双面受光太阳电池 | |
| CN102738289A (zh) | 异质结太阳能电池及其制作方法 | |
| US9837557B2 (en) | Solar cell apparatus and method of fabricating the same | |
| CN103943693A (zh) | 一种p型硅衬底背面接触式太阳电池结构和制备方法 | |
| CN104067398B (zh) | 太阳能电池及其制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20171023 Address after: 362000, 1303 Jiangnan high tech park, South Ring Road, Licheng District, Fujian, Quanzhou Patentee after: GS-SOLAR (FU JIAN) Co.,Ltd. Address before: 362000, Fujian 2, Quanzhou province Quanzhou city Licheng District hi tech Park Patentee before: BOTAI SEMICONDUCTOR TECHNOLOGIES Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20211210 Address after: No.17, Quanyuan Road, Jinjiang Economic Development Zone (wuliyuan), Quanzhou City, Fujian Province, 362000 Patentee after: FUJIAN JINSHI ENERGY Co.,Ltd. Address before: 362000 No. 1303, Jiangnan high tech park, South Ring Road, Licheng District, Quanzhou City, Fujian Province Patentee before: GS-SOLAR (FU JIAN) Co.,Ltd. |
|
| CX01 | Expiry of patent term | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20140903 |