CN203786435U - Coa阵列基板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型实施例公开了一种COA阵列基板以及设有该COA阵列基板的显示装置，属于显示技术领域。解决了现有的COA阵列基板仍然难以达到较高的开口率的技术问题。该COA阵列基板，包括栅线和数据线，所述栅线和/或所述数据线的对应位置不覆盖黑矩阵。本实用新型可应用于液晶面板、液晶电视、液晶显示器、数码相框、手机、平板电脑等显示装置。
Description
技术领域
本实用新型属于显示技术领域，具体涉及一种COA阵列基板以及设有该COA阵列基板的显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)由于具有体积小、功耗低、无辐射等优点，在平板显示领域中占据了主导地位。
目前，为了提高产品的开口率，越来越多的产品将彩膜层和黑矩阵设置于阵列基板上，即COA(Color Filter on Array)技术。与彩膜层和黑矩阵位于彩膜基板上相比，COA阵列基板不需要考虑对盒时的偏差，因此可以在保证黑矩阵能够遮挡栅线、数据线和薄膜晶体管单元等需遮光的结构的前提下，适当减小黑矩阵的宽度，从而提高开口率。
本发明人在实现本实用新型的过程中发现，现有技术至少存在以下问题：随着液晶显示器的分辨率越来越高，液晶显示器中的像素将会越来越密集，由于黑矩阵的最小宽度的限制，现有的COA阵列基板仍然难以达到较高的开口率。
实用新型内容
本实用新型实施例提供了一种COA阵列基板以及设有该COA阵列基板的显示装置，解决了现有的COA阵列基板仍然难以达到较高的开口率的技术问题。
为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：
本实用新型提供一种COA阵列基板，包括栅线和数据线，所述栅线和/或所述数据线的对应位置不覆盖黑矩阵。
优选的，所述数据线的对应位置不覆盖黑矩阵，且所述数据线的宽度为3至5微米。
进一步，所述数据线的对应位置不覆盖黑矩阵，且所述数据线的对应位置叠层设置有至少两层不同颜色的彩膜层。
进一步，所述不同颜色的彩膜层在所述数据线对应位置至少部分交叠，或者所述不同颜色的彩膜层在所述数据线对应位置形成互补。
另一个示例中，所述栅线的对应位置不覆盖黑矩阵，且所述栅线的宽度为3至5微米。
进一步，所述栅线的对应位置不覆盖黑矩阵，且所述栅线的对应位置叠层设置有至少两层不同颜色的彩膜层。
进一步，所述不同颜色的彩膜层在所述栅线对应位置至少部分交叠，或者所述不同颜色的彩膜层在所述栅线对应位置形成互补。
又一示例中，该COA阵列基板还包括
薄膜晶体管、彩膜层、第一电极、钝化层和第二电极，所述薄膜晶体管与所述第一电极电性连接，所述第一电极位于所述彩膜层上方，所述钝化层位于所述第一电极上方，第二电极位于所述钝化层上方。
本实用新型还提供一种显示装置，包括上述的COA阵列基板。
与现有技术相比，本实用新型所提供的上述技术方案具有如下优点：本实用新型提供的COA阵列基板中，在栅线和/或数据线的对应位置不覆盖黑矩阵，而仅由栅线或数据线来遮光，以防止漏光。因为黑矩阵的宽度通常大于栅线、数据线的宽度，所以本实用新型提供的COA阵列基板减小了遮光部分的面积，从而提高了产品的开口率。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
图1为本实用新型的实施例1所提供的COA阵列基板的示意图；
图2为本实用新型的实施例1所提供的COA阵列基板的另一示意图；
图3为本实用新型的实施例2所提供的COA阵列基板的示意图；
图4为本实用新型的实施例2所提供的COA阵列基板的另一示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。
实施例1：
如图1和图2所示，本实用新型实施例所提供的COA阵列基板，包括形成在衬底基板1上的栅线2和栅绝缘层3。此外，COA阵列基板通常还包括数据线4、第一钝化层51、薄膜晶体管(图中未示出)、彩膜层6、平坦层7和第一电极(例如第一透明电极8)，在栅线2和/或数据线4的对应位置由平坦层7隔开两边的彩膜层6(例如不同颜色的彩膜层6)。
现有技术中，会在栅线2和数据线4的对应位置均覆盖黑矩阵，以遮住栅线2和数据线4。而本实用新型实施例中，栅线2和数据线4的对应位置不覆盖黑矩阵。当然，本实用新型实施例中也可以是栅线2和数据线4二者的其中之一的对应位置不覆盖黑矩阵。
该COA阵列基板的制造过程与现有技术基本相同，不同之处在于：在对黑矩阵进行构图工艺时，去除掉栅线2和/或数据线4对应位置上的黑矩阵即可。
此外，在本实用新型实施例中，薄膜晶体管的对应位置可以覆盖黑矩阵，也可以不覆盖黑矩阵，并且对开口率的影响不大。
如果栅线2、数据线4和薄膜晶体管的对应位置均不覆盖黑矩阵，则在该COA阵列基板的制造过程中，可以省去形成黑矩阵的步骤。
本实用新型实施例提供的COA阵列基板中，在栅线2和/或数据线4的对应位置不覆盖黑矩阵，而仅由栅线2或数据线4来遮光，以防止漏光。因为栅线2、数据线4的宽度通常小于黑矩阵的宽度，所以本实用新型提供的COA阵列基板减小了遮光部分的面积，从而提高了产品的开口率。
本实用新型实施例去掉了黑矩阵之后，显著的减小了遮光部分的面积，从而提高了开口率。作为一个优选方案，在保持一定的开口率的前提下，可以适当增加栅线2和数据线4的宽度，比如可将栅线2和数据线4的宽度增加1～2微米，达到3至5微米，这样可以提高栅线2和数据线4的导电性能，并且能够有效防止断线，提高产品的良品率。
进一步，该COA阵列基板可以是高级超维场转换(Advanced Super Dimension Switch，简称ADS)型阵列基板，则该阵列基板还包括薄膜晶体管和彩膜层(未示出)，以及设置于第一电极(例如第一透明电极8)上的第二钝化层52，以及设置于第二钝化层52上的第二电极(例如第二透明电极9)。例如：第一透明电极8为像素电极，位于彩膜层上方，其与薄膜晶体管电性连接，第二透明电极9为公共电极。在其他实施方式中，也可以将第一透明电极作为公共电极，第二透明电极作为像素电极。
ADS型阵列基板的核心技术特性为：通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无 挤压水波纹(push Mura)等优点。针对不同应用，ADS技术的改进技术有高透过率I-ADS技术、高开口率H-ADS和高分辨率S-ADS技术等。
实施例2：
本实施例与实施例1基本相同，其不同点在于，如图3和图4所示，在实施例1的基础上，栅线2和数据线4的对应位置叠层设置有至少两层不同颜色的彩膜层6，也就是在栅线2和数据线4的对应位置覆盖至少两层不同颜色的彩膜层6。不同颜色的彩膜层6可以在栅线2和/或数据线4的对应位置至少部分相互交叠设置；也可以在栅线2和/或数据线4的对应位置形成互补关系，以覆盖栅线2和/或数据线4(未示出)。
在栅线2和数据线4的对应位置上覆盖的两层以上的彩膜层6，能够提高该部分的遮光效果，使栅线2和数据线4的对应位置去除黑矩阵之后，仍然具有较好的遮光效果。
实施例3：
本实用新型还提供一种显示装置，包括上述实施例提供的COA阵列基板。该显示装置可以是液晶面板、液晶电视、液晶显示器、有机电致发光器件、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件。
由于本实用新型实施例提供的显示装置与上述本实用新型实施例所提供的COA阵列基板具有相同的技术特征，所以也能产生相同的技术效果，解决相同的技术问题。
以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种COA阵列基板，其特征在于：包括栅线和数据线，所述栅线和/或所述数据线的对应位置不覆盖黑矩阵。
2.根据权利要求1所述的COA阵列基板，其特征在于：所述数据线的对应位置不覆盖黑矩阵，且所述数据线的宽度为3至5微米。
3.根据权利要求1所述的COA阵列基板，其特征在于：所述数据线的对应位置不覆盖黑矩阵，且所述数据线的对应位置叠层设置有至少两层不同颜色的彩膜层。
4.根据权利要求3所述的COA阵列基板，其特征在于：所述不同颜色的彩膜层在所述数据线对应位置至少部分交叠，或者所述不同颜色的彩膜层在所述数据线对应位置形成互补。
5.根据权利要求1所述的COA阵列基板，其特征在于：所述栅线的对应位置不覆盖黑矩阵，且所述栅线的宽度为3至5微米。
6.根据权利要求1所述的COA阵列基板，其特征在于：所述栅线的对应位置不覆盖黑矩阵，且所述栅线的对应位置叠层设置有至少两层不同颜色的彩膜层。
7.根据权利要求6所述的COA阵列基板，其特征在于：所述不同颜色的彩膜层在所述栅线对应位置至少部分交叠，或者所述不同颜色的彩膜层在所述栅线对应位置形成互补。
8.根据权利要求1所述的COA阵列基板，其特征在于：在所述栅线和/或数据线的上方还包括彩膜层和平坦层，所述平坦层在所述栅线和/或数据线的对应位置处隔开所述彩膜层。
9.根据权利要求1所述的COA阵列基板，其特征在于：还包括、薄膜晶体管、彩膜层、第一电极、钝化层和第二电极，所述薄膜晶体管与所述第一电 极电性连接，所述第一电极位于所述彩膜层上方，所述钝化层位于所述第一电极上方，所述第二电极位于所述钝化层上方。
10.一种显示装置，其特征在于：包括权利要求1至9任一项所述的COA阵列基板。
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