CN203707101U - 一种刻蚀机用晶片压环及采用其的刻蚀机 - Google Patents
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- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 239000000376 reactant Substances 0.000 abstract description 4
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 35
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 6
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 description 2
- 206010003084 Areflexia Diseases 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 208000002925 dental caries Diseases 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Abstract
本实用新型涉及一种刻蚀机用晶片压环，包括圆环形的压环本体，压环本体下部固定连接或一体成型有沿压环本体圆周环绕一周的凹槽体，所述凹槽体的开口向下。本实用新型晶片压环，其与石英隔离环之间存在的间隙路径变得更为复杂、且距离延长。在腔体内同等真空条件下，相对只能有极少部分反应气体分子能够通过此间隙从阳极到达阴极。这样在此区域也就基本上没有反应气体分子离子化并轰击阴极，原来频繁出现的RF反射功率报警已几乎没有出现，同时也确保了稳定的刻蚀深度，保证了产品的稳定产出。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种半导体刻蚀设备，特别涉及一种刻蚀机用晶片压环及采用其的刻蚀机。
背景技术
目前应用材料公司（AMAT）型号P5000刻蚀机，在实际生产过程中该设备经常出现RF反射功率报警现象，严重时还伴有晶片压环局部打火烧焦现象。同时工艺反馈当RF反射功率报警现象频繁时，产品所刻蚀深度也达不到产品要求。经设备软硬件调查发现原因如下：
目前的AMAT P5000设备，其腔体结构及配套晶片压环结构设计如图1所示。
正常运行的状态下，在RF的作用下，工艺气体被等离子化后从晶片正上方向下轰击晶片以达到刻蚀目的，其他地方不应产生不必要的等离子体轰击现象。
但是经过多次调查发现，晶片压环和石英隔离环之间存在着一道很小的空隙（如图1箭头所示）。由于该间隙路径较简单、距离较短，腔体内处于中真空状态，反应气体分子相对较多，部分反应气体分子能够通过该间隙从阳极到达阴极，在RF的作用下，该部分反应气体分子被离子化并直接轰击阴极。从而使得整个的RF POWER由此部分泄漏消耗，最终导致反射功率变高。由于该晶片压环是采用金属螺丝固定在阴极上，金属螺丝部位将不可避免的直接受等离子体的频繁轰击，因此在长期工作过程中会导致金属螺丝固定位局部打火，烧坏晶片压环，从而急剧缩短了晶片压环的使用寿命；同时由于反射功率的过高，导致实际正向刻蚀功率的减少，就会出现刻蚀深度变浅的现象，严重影响了工艺产品的稳定性及重复性。
实用新型内容
本实用新型的目的是解决现有AMAT P5000刻蚀机台晶片压环的上述缺陷，提供一种刻蚀机用晶片压环及包括其的刻蚀机，该晶片压环结构与石英隔离环的配合间隙最大限度的缩小且尽量延长间隙，在腔体内同等真空条件下，相对只能有极少部分反应气体分子能够通过此间隙从阳极到达阴极。
实现本实用新型目的的技术方案是：一种刻蚀机用晶片压环，包括圆环形的压环本体，压环本体下部固定连接有沿压环本体圆周环绕一周的凹槽体，所述凹槽体的开口向下。
上述的刻蚀机用晶片压环，所述凹槽体的外圆周的纵向高度大于内圆周的纵向高度，此时更有利于防止RF的泄漏。
上述的刻蚀机用晶片压环，所述压环本体圆周断面的内环处为小于30°的角。
一种采用本实用新型所述的刻蚀机用晶片压环的刻蚀机，所述压环的凹槽体罩于石英隔离环上。
本实用新型具有积极的效果：（1）本实用新型晶片压环，其与石英隔离环之间存在的间隙路径变得更为复杂、且距离延长。在腔体内同等真空条件下，相对只能有极少部分反应气体分子能够通过此间隙从阳极到达阴极。这样在此区域也就基本上没有反应气体分子离子化并轰击阴极，原来频繁出现的RF反射功率报警已几乎没有出现，同时也确保了稳定的刻蚀深度，保证了产品的稳定产出；（2）晶片压环在未改造前使用周期仅为一个月左右，通过改造后使用周期能够达到6个月左右，极大提高了晶片压环的使用寿命，节约了成本。
附图说明
为了使本实用新型的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本实用新型作进一步详细的说明，其中
图1为现有P5000刻蚀机腔体及PF反应示意图。
图2为本实用新型晶片压环圆周径向剖切示意图。
图3为本实用新型晶片压环的主视图。
图4为本实用新型晶片压环的俯视图。
图5为采用本实用新型晶片压环刻蚀机的结构示意图。
其中：1沿压环本体，2凹槽体，3外圆周，4内圆周，5石英隔离环，6腔体，7晶片，8等离子体，9RF发生器。
具体实施方式
（实施例1）
见图2～5，本实用新型具有圆环形的压环本体1压环本体1下部一体成型有沿压环本体1圆周环绕一周的凹槽体2，所述凹槽体2的开口向下。凹槽体2的外圆周3的纵向高度大于内圆周4的纵向高度，压环本体1圆周断面的内环处为20°的角。
一种采用前述晶片压环的刻蚀机，腔体6内具有石英隔离环5，所述压环的凹槽体2罩于石英隔离环5上，晶片7被压于晶片压环下，等离子体8位于晶片7之上，RF发生器9连接在电极上。
（实施例2）
本实用新型具有圆环形的压环本体1压环本体1下部固定连接如卡接有沿压环本体1圆周环绕一周的凹槽体2，所述凹槽体2的开口向下。凹槽体2的外圆周3的纵向高度大于内圆周4的纵向高度，压环本体1圆周断面的内环处为15°的角。
一种采用前述晶片压环的刻蚀机，腔体6内具有石英隔离环5，所述压环的凹槽体2罩于石英隔离环5上，晶片7被压于晶片压环下，等离子体8位于晶片7之上，RF发生器9连接在电极上。
本实用新型的晶片压环，其与石英隔离环之间存在的间隙路径变得更为复杂、且距离延长。在腔体内同等真空条件下，相对只能有极少部分反应气体分子能够通过此间隙从阳极到达阴极。
采用本实用新型晶片压环结构的刻蚀机，设备工作稳定，无反射功率报警和打火现象，工艺方面反馈正常。
以上所述的具体实施例，对本实用新型的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本实用新型的具体实施例而已，并不用于限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种刻蚀机用晶片压环，包括圆环形的压环本体（1）其特征在于：压环本体（1）下部固定连接或一体成型有沿压环本体（1）圆周环绕一周的凹槽体（2），所述凹槽体（2）的开口向下。
2.根据权利要求1所述的刻蚀机用晶片压环，其特征在于：所述凹槽体（2）的外圆周（3）的纵向高度大于内圆周（4）的纵向高度。
3.根据权利要求1所述的刻蚀机用晶片压环，其特征在于：所述压环本体（1）圆周断面的内环处为小于30°的角。
4.一种采用权利要求1～3任一所述的刻蚀机用晶片压环的刻蚀机，所述压环的凹槽体（2）罩于石英隔离环（5）上。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201320890572.2U CN203707101U (zh) | 2013-12-31 | 2013-12-31 | 一种刻蚀机用晶片压环及采用其的刻蚀机 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201320890572.2U CN203707101U (zh) | 2013-12-31 | 2013-12-31 | 一种刻蚀机用晶片压环及采用其的刻蚀机 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN203707101U true CN203707101U (zh) | 2014-07-09 |
Family
ID=51057500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201320890572.2U Expired - Lifetime CN203707101U (zh) | 2013-12-31 | 2013-12-31 | 一种刻蚀机用晶片压环及采用其的刻蚀机 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN203707101U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107305853A (zh) * | 2016-04-18 | 2017-10-31 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 反应腔室 |
-
2013
- 2013-12-31 CN CN201320890572.2U patent/CN203707101U/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107305853A (zh) * | 2016-04-18 | 2017-10-31 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 反应腔室 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CX01 | Expiry of patent term | ||
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