CN203689470U - 一种触摸屏 - Google Patents
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Abstract
为克服现有技术中触摸屏边框装饰层及ITO电极层易脱落、显示图案具有阴影的问题，本实用新型提供了一种触摸屏，包括从上到下依次层叠的边框装饰层、基板、消影层和ITO电极层；所述消影层包括层叠的五氧化二铌层和二氧化硅层。本实用新型提供的触摸屏可有效防止由于边框装饰层脱落而导致的ITO电极层脱落问题，同时，可消除触摸屏工作时的阴影，大大提高了触摸屏的品质。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种触摸屏。
背景技术
随着时代的进步，个人数字助理、手机、车用导航系统、平板计算机等具有触摸输入功能的电子产品已日趋广泛，而这些产品的显示屏幕上一般是设置有触摸屏。
触摸屏允许用户用手指或者触摸笔通过触摸显示屏来进行选择和移动光标。因为触摸屏操作简单，功能多样，现在越来越普及。常用的触摸屏一般包括触摸面板、控制器和软件驱动器。触摸面板记录触摸时间，并把触摸信号发送到控制器，控制器对这些信号进行处理将数据送往计算机系统，软件驱动器把触摸事件译成计算机事件。常见的几种触摸屏技术包括电阻式、电容式、红外、声表面波、电磁、近场成像等等。
其中，电容式触摸屏是利用人体电流感应进行工作的，表面涂油透明导电层ITO（氧化铟锡），四个角上引出电极，微小直流电散布在屏表面，形成均匀之电场。用手触屏时，由于人体电场，人体和触摸屏表面形成一个耦合电容。人体作为耦合电容一极，电流从屏四角汇集形成耦合电容另一极，通过控制器计算电流传导触摸位置的相对距离得到触摸点的坐标。与电阻式触摸屏的直接触摸方式相比较，电容式触摸屏具有透光率较佳且较不易损坏的优点。
现有的触摸屏通常包括玻璃基板以及设置于玻璃基板下表面的边框装饰层、设置于边框装饰层下表面的ITO电极层。
然而，现有技术中的触摸屏的边框装饰层及ITO电极层易脱落，严重影响触摸屏的外观及性能，同时现有的触摸屏显示图案通常具有阴影。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是针对现有技术中的触摸屏边框装饰层及ITO电极层易脱落、显示图案具有阴影的问题，提供一种触摸屏。
本实用新型解决上述技术问题所采用的技术方案如下：
提供一种触摸屏，包括从上到下依次层叠的边框装饰层、基板、消影层和ITO电极层；所述消影层包括层叠的五氧化二铌层和二氧化硅层。
发明人发现，本领域中，通常采用油墨制作上述边框装饰层。而油墨在基板表面的附着力较差，尤其是在触摸屏使用一段时间后，油墨会出现脱落，即边框装饰层从基板表面脱落下来。现有技术中，作为触摸控制的关键部件，ITO电极层设置于边框装饰层上，当边框装饰层出现脱落时，会在一定程度上导致ITO电极层脱落，从而严重影响触摸屏的使用。本实用新型中，通过将边框装饰层设置于基板上表面，将ITO电极层设置于基板下方，从而避免了由于边框装饰层脱落而导致的ITO电极层脱落，保证触摸屏的正常使用。同时，通过在基板和ITO电极层之间设置层叠的五氧化二铌层和二氧化硅层作为消影层，可在很大程度上消除触摸屏显示时的阴影，大大提高了触摸屏的品质。
进一步的，所述五氧化二铌层位于基板下表面，所述二氧化硅层位于五氧化二铌层下表面。
进一步的，所述五氧化二铌层的厚度为5-20nm，所述二氧化硅层的厚度为5-15nm。
进一步的，所述触摸屏还包括防指纹层，所述防指纹层位于边框装饰层上表面。
通过在边框装饰层表设置防指纹层，一方面，可以防止边框装饰层的脱落，保证触摸屏的外观品质，另一方面，可以使触摸屏的操作更顺畅，提高了触摸屏的品质。
进一步的，所述边框装饰层为闭合矩形环，边框装饰层与基板共同形成以边框装饰层为侧壁的凹槽；所述防指纹层填充所述凹槽。
进一步的，所述防指纹层的厚度为10-20nm。
进一步的，所述边框装饰层厚度为3-10um。
进一步的，ITO电极层的厚度为10-30nm。
进一步的，所述基板的厚度为0.4-1.1mm。
附图说明
图1是本实用新型提供的第一种实施方式中，触摸屏的层间结构示意图；
图2是本实用新型提供的第二种实施方式中，触摸屏的层间结构示意图。
说明书附图中的附图标记如下：
1、基板；2、边框装饰层；3、五氧化二铌层；4、二氧化硅层；5、ITO电极层；6、防指纹层。
具体实施方式
为了使本实用新型所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
本实用新型提供的触摸屏包括从上到下依次层叠的边框装饰层、基板、消影层和ITO电极层；所述消影层包括层叠的五氧化二铌层和二氧化硅层。
其中，基板为承载各个功能层的载体，其材质可以采用现有的各种板材，例如PC（聚碳酸酯）、PMMA（聚甲基丙烯酸甲酯）或玻璃（大片soda lime或强化玻璃）。优选采用玻璃。
基板的厚度可以在较大范围内变动，本领域技术人员可以根据实际使用需要进行选择，优选情况下，所述基板的厚度为0.4-1.1mm。
基板上表面具有边框装饰层。边框装饰层设置于基板边缘，呈闭合环状。基板上，边框装饰层所覆盖的区域为遮蔽区，边框装饰层未覆盖的基板表面形成显示区。边框装饰层用于提高对比度，所以，通常边框装饰层采用黑色材料制作而成，例如，采用黑色油墨BM制作而成。本领域技术人员可根据实际使用需要及具体施工情况对边框装饰层的厚度进行选择和调整，例如，所述边框装饰层厚度为3-10um。
基板下表面具有消影层，用于消除阴影。本实用新型中，消影层采用包括五氧化二铌层和二氧化硅层的复合层。五氧化二铌层和二氧化硅层相互层叠。消影层中，五氧化二铌层设置于二氧化硅层上方。在本实用新型提供的触摸屏中，五氧化二铌层位于基板下表面上，二氧化硅层位于五氧化二铌层下表面。
对于上述五氧化二铌层和二氧化硅层的厚度，可以在较大范围内变动，二者厚度的变动对消除阴影效果影响不大，本领域技术人员可根据实际施工需要进行调整。优选情况下，所述五氧化二铌层的厚度为5-20nm，所述二氧化硅层的厚度为5-15nm。
如本领域技术人员所公知的，ITO电极层是触摸屏中获取触摸控制信息的关键部件，本发明中ITO电极层可以采用现有的各种结构，ITO电极层的厚度也可以采用本领域中常采用的厚度，例如，ITO电极层的厚度为10-30nm。
需要注意的是，触摸屏不仅包括如本实用新型前述的各个层间结构，还包括其他功能部件，本实用新型中，涉及到的改进点在于通过对各功能层的改进，以达到前述的防止边框装饰层脱落而导致的ITO电极层脱落，并且消除阴影的效果。本实用新型中未进行具体描述的触摸屏的其他部件均为本领域技术人员所熟知的，可直接采用现有技术中的各种结构，其具体内容在本实用新型中不进行赘述。
为了进一步提高防止边框装饰层脱落的效果，根据本实用新型，优选情况下，所述触摸屏还包括防指纹层，所述防指纹层位于边框装饰层上表面。如本领域技术人员所公知的，边框装饰层设置于基板边缘，边框装饰层与基板共同形成以边框装饰层为侧壁的凹槽。上述防指纹层设置于基板和边框装饰层上，填充所述凹槽。
对于上述防指纹层，可以采用现有的各种常规材料制备而成，例如，可以将氟素表面处理剂固化得到。氟素表面处理剂是常用的防水、防油表面处理剂。采用氟素表面处理剂在基板表面固化成膜后，附着在其表面的油分、指纹、油墨等污迹很容易去除，可起到抗污及离型效果，滑爽性好。具有较强的耐磨与持久效果。氟素表面处理剂为无色透明，成膜后，其厚度通常为10-20nm，对表面的光学性能没有影响，同时还可起到增透的作用。
对于上述防指纹层，其厚度可以在较大范围内变动，优选情况下，所述防指纹层的厚度为10-20nm。
下面结合附图对本实用新型提供的触摸屏进行进一步说明。
图1示出了本实用新型提供的触摸屏的第一种实施方式。
具体的，该触摸屏包括基板1、边框装饰层2、五氧化二铌层3、二氧化硅层4、ITO电极层5以及防指纹层6。
边框装饰层2位于基板1上表面，防指纹层6位于边框装饰层2上表面，并填充边框装饰层2与基板1形成的凹槽。
五氧化二铌层3位于基板1下表面，二氧化硅层4位于五氧化二铌层3下表面，ITO电极层5位于二氧化硅层4下表面。
图2示出了本实用新型提供的触摸屏的第二种实施方式。
具体的，该触摸屏包括基板1、边框装饰层2、五氧化二铌层3、二氧化硅层4、ITO电极层5。
边框装饰层2位于基板1上表面。
五氧化二铌层3位于基板1下表面，二氧化硅层4位于五氧化二铌层3下表面，ITO电极层5位于二氧化硅层4下表面。
本实用新型提供的触摸屏中，每一层均可通过现有的方法制备得到，以下结合图1所示的触摸屏结构对本实用新型提供的触摸屏的制备方法进行说明。
本实用新型提供的触摸屏的制备方法概括如下：
1、清洗基板；
本实施方式中，采用大片玻璃作为基板。对玻璃表面进行超声波清洗，使玻璃表面清洁干净，利于有效的附着边框装饰层。
2、制作边框装饰层；
采用黑色油墨BM在清洗干净的玻璃上表面进行涂覆，使黑色油墨BM均匀附着在玻璃上表面。
将玻璃表面的黑色油墨BM烘干，然后进行曝光处理，使所需形成边框装饰层部位的黑色油墨BM固化，然后再用碱性或水进行清洗，出去未反应固化的黑色油墨BM，并烘干，得到所需要的边框装饰层图案。
3、制作防指纹层；
对制作有边框装饰层的玻璃进行超声清洗，然后用等离子设备清洁边框装饰层表面及玻璃表面。
调整防指纹液喷头高度、压力、雾状效果，使防指纹液均匀附着在边框装饰层表面及边框装饰层未覆盖的玻璃上表面。涂覆完成后，对涂覆有防指纹液的玻璃表面进行高温保存处理，使防指纹液固化。高温保存处理的温度为100℃-150℃，保存时间为30min-60min。
防指纹液固化即可得到防指纹层。
4、制作消影层；
在玻璃下表面通过温度和电场溅射五氧化二妮，形成五氧化二铌层。
然后在五氧化二铌层下表面通过温度和电场溅射二氧化硅，形成二氧化硅层。从而形成消影层。
5、制作ITO电极层；
对二氧化硅层下表面进行超声清洗，然后在该表面通过温度和电场溅射ITO（氧化铟锡），在二氧化硅层下表面形成完整的ITO层。
对完整的ITO层表面进行超声波清洗，在清洁干净的完整的ITO层下表面均匀涂覆光刻胶。然后进行烘烤处理，烘烤温度在60℃-100℃之间。
烘烤结束后，对光刻胶进行曝光处理，使部分光刻胶固化。然后采用浓度为0.5%的氢氧化钠碱性溶液对光刻胶进行漂洗，将固化的光刻胶除去。
再采用硝酸和盐酸对以上处理过的玻璃进行处理，使裸露在表面的ITO被清洗掉。
即可形成ITO电极层。
6、制作触摸屏；
将以上玻璃再经过曝光处理和浓度为3%的氢氧化钠碱性溶液处理，使表面附着的光刻胶去掉。再通过切割、雕刻、压贴等工艺对产品进行加工处理，即可形成本实用新型提供的触摸屏。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种触摸屏，其特征在于，包括从上到下依次层叠的边框装饰层、基板、消影层和ITO电极层；所述消影层包括层叠的五氧化二铌层和二氧化硅层。
2.根据权利要求1所述的触摸屏，其特征在于，所述五氧化二铌层位于基板下表面，所述二氧化硅层位于五氧化二铌层下表面。
3.根据权利要求1或2所述的触摸屏，其特征在于，所述五氧化二铌层的厚度为5-20nm，所述二氧化硅层的厚度为5-15nm。
4.根据权利要求3所述的触摸屏，其特征在于，所述触摸屏还包括防指纹层，所述防指纹层位于边框装饰层上表面。
5.根据权利要求4所述的触摸屏，其特征在于，所述边框装饰层为闭合矩形环，边框装饰层与基板共同形成以边框装饰层为侧壁的凹槽；所述防指纹层填充所述凹槽。
6.根据权利要求4或5所述的触摸屏，其特征在于，所述防指纹层的厚度为10-20nm。
7.根据权利要求6所述的触摸屏，其特征在于，所述边框装饰层厚度为3-10um。
8.根据权利要求1、2、4、5、7中任意一项所述的触摸屏，其特征在于，ITO电极层的厚度为10-30nm。
9.根据权利要求8所述的触摸屏，其特征在于，所述基板的厚度为0.4-1.1mm。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SHENZHEN BYD ELECTRONIC COMPONENT CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: BIYADI CO., LTD. Effective date: 20150901 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20150901 Address after: 518119 Guangdong province Shenzhen City Dapeng new Kwai town Yanan Road No. 1 building experimental Byd Co Patentee after: SHENZHEN BYD ELECTRONIC COMPONENT Co.,Ltd. Address before: BYD 518118 Shenzhen Road, Guangdong province Pingshan New District No. 3009 Patentee before: BYD Co.,Ltd. |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 518119 Guangdong province Shenzhen City Dapeng new Kwai town Yanan Road No. 1 building experimental Byd Co Patentee after: Shenzhen helitai photoelectric Co.,Ltd. Address before: 518119 Guangdong province Shenzhen City Dapeng new Kwai town Yanan Road No. 1 building experimental Byd Co Patentee before: SHENZHEN BYD ELECTRONIC COMPONENT Co.,Ltd. |
|
| CX01 | Expiry of patent term | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20140702 |