CN203668500U - 脉冲磁场电弧蒸发源 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及真空多弧离子镀膜机,具体是一种真空多弧离子镀膜机的脉冲磁场电弧蒸发源。包括引弧机构、靶块、水冷靶座、磁性元件,所述磁性元件包括电磁线圈和磁轭,电磁线圈由脉冲电源供电,产生脉冲磁场,磁性元件设置有电磁屏蔽套,磁性元件与水冷靶座之间设置有冷却水套。本实用新型利用脉冲电源供电,电磁线圈和磁轭产生电磁场,其电磁场可通过自动控制电流实现定量调节,所有蒸发源的磁场很容易达到一致;电磁屏蔽防止电磁辐射对外围电器和传感元件的干扰;电磁线圈采用间接水冷防止过热损坏,保证磁性元件正常工作。本实用新型靶块弧斑的运动轨迹更合理,靶块刻蚀更均匀,不易产生大颗粒离子的发射,可得到高质量的膜层。
Description
技术领域
本实用新型涉及真空多弧离子镀膜机,具体是一种真空多弧离子镀膜机的脉冲磁场电弧蒸发源。
背景技术
目前,真空多弧离子镀膜机的蒸发源中使离子发生偏转的磁性元件采用永磁铁,材质为锶铁氧体和钕铁硼。由于制作原因,永磁铁的磁场强度不完全相同,对温度影响较为敏感,特别是冷却水出现问题导致永磁铁承受高温时,容易退磁,直接影响到蒸发源靶块弧斑的运动轨迹,造成靶块刻蚀不均匀,易产生大颗粒离子的发射,甚至严重影响镀膜质量,很难形成高质量膜层。该类蒸发源调节磁场强度十分繁琐,只能靠手动由经验丰富的技术人员定性调节,精度较低,需多次调节才能达到几个或几十个蒸发源的磁场基本一致。蒸发源没有磁场屏蔽装置,磁场对周围的传感器和信号采集器件造成干扰。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是,提供一种磁场强度调节简便、磁场更稳定,性能更可靠的脉冲磁场电弧蒸发源。
本实用新型解决所述问题采用的技术方案是:
一种脉冲磁场电弧蒸发源,包括引弧机构、靶块、水冷靶座、磁性元件,所述磁性元件包括电磁线圈和磁轭,电磁线圈由脉冲电源供电,产生脉冲磁场,磁性元件设置有电磁屏蔽套,磁性元件与水冷靶座之间设置有冷却水套。
采用上述技术方案的本实用新型,与现有技术相比,其有益效果是:
本实用新型利用脉冲电源供电,电磁线圈和磁轭产生电磁场,其电磁场可通过自动控制电流实现定量调节,所有蒸发源的磁场很容易达到一致;电磁屏蔽防止电磁辐射对外围电器和传感元件的干扰;电磁线圈采用间接水冷防止过热损坏,保证磁性元件正常工作。本实用新型靶块弧斑的运动轨迹更合理,靶块刻蚀更均匀,不易产生大颗粒离子的发射,可得到高质量的膜层。
作为优选,本实用新型更进一步的技术方案是:
所述磁性元件通过其外套体装配在水冷靶座内,所述外套体与水冷靶座内壁之间构成与冷却水管连接的冷却水套。
所述电磁屏蔽套与水冷靶座外端通过法兰结构连接,电磁屏蔽套上设置有电磁线圈与脉冲电源连接的接线端子。
附图说明
图1为本实用新型实施例结构示意图。
图中:引弧机构1,靶块2,水冷靶座3,冷却水套4,冷却水管5,外套体6,电磁屏蔽套7,接线端子8,磁轭9,电磁线圈10,脉冲电源11。
具体实施方式
以下结合实施例对本实用新型作进一步说明,目的仅在于更好的理解本实用新型内容。因此,所举之例并非限制本实用新型的保护范围。
参见图1,这种脉冲磁场电弧蒸发源中的磁性元件由磁轭9、电磁线圈10、脉冲电源11组成,磁性元件通过其外套体6装配在水冷靶座3内,外套体6与水冷靶座3内壁之间构成与冷却水管5连接的冷却水套4;水冷靶座3外端通过法兰结构连接有电磁屏蔽套7,电磁屏蔽套7上设置有电磁线圈10与脉冲电源11连接的接线端子8。
脉冲电源11为电磁线圈10提供脉冲电流,使磁性元件产生脉冲磁场,作用于靶块2的靶面,在引弧机构1作用下使弧斑的运动轨迹既包含稳定分量又包含动态随机分量,从而使靶块2刻蚀更均匀,发射的离子更均匀细密,蒸发源的性能更稳定可靠,从而提高蒸发源的镀膜质量。
电磁屏蔽套7的作用是屏蔽电磁磁场,防止对外围电器和传感元件的干扰;冷却水套4作用是防止电磁线圈10过热损坏,保证磁性元件正常工作。
Claims (3)
1.一种脉冲磁场电弧蒸发源,包括引弧机构、靶块、水冷靶座、磁性元件,其特征在于,所述磁性元件包括电磁线圈和磁轭,电磁线圈由脉冲电源供电,产生脉冲磁场,磁性元件设置有电磁屏蔽套,磁性元件与水冷靶座之间设置有冷却水套。
2.根据权利要求1所述的脉冲磁场电弧蒸发源,其特征在于,所述磁性元件通过其外套体装配在水冷靶座内,所外套体与水冷靶座内壁之间构成与冷却水管连接的冷却水套。
3.根据权利要求1所述的脉冲磁场电弧蒸发源,其特征在于,所述电磁屏蔽套与水冷靶座外端通过法兰结构连接,电磁屏蔽套上设置有电磁线圈与脉冲电源连接的接线端子。
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2014
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CN114672774A (zh) * | 2022-03-16 | 2022-06-28 | 浙江工业大学 | 一种纳米复合MeSiCN涂层的制备装置及其制备方法 |
CN114672774B (zh) * | 2022-03-16 | 2024-03-01 | 浙江工业大学 | 一种纳米复合MeSiCN涂层的制备装置及其制备方法 |
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