CN203633058U - 电磁干扰遮蔽薄膜 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开一种电磁干扰遮蔽薄膜，包括：载体膜；遮蔽层，涂布在载体膜上的金属层；及粘着层，形成于遮蔽层上，此电磁干扰遮蔽薄膜的总厚度介于25至140微米之间。本实用新型的电磁干扰遮蔽薄膜可防止电磁波对邻近线路及元件的干扰，本实用新型利用的原理是以电磁波反射为主，电磁波吸收为辅。

Description

电磁干扰遮蔽薄膜

技术领域

本实用新型涉及一种抵抗电磁干扰的薄膜，用于电子装置、线材及元件上，例如印刷电路板的电磁干扰屏蔽薄膜，特别涉及一种软性电子材料基板的抵抗电磁干扰的薄膜。

背景技术

随着可携式电子及通讯产品轻薄及多功能的市场需求，电路基板的IC构装需要更轻、薄、短、小，在功能上则需要强大且高速的信号传输。因此，I/O脚数的密度势必提高，而伴随着脚位数目也随之增多。IC载板线路之间的距离越来越近，加上工作频率朝向高宽频化，使IC之间的电磁干扰（Electromagnetic interference，EMI）情形越来越严重，因此如何有效电磁相容管理，维持电子产品正常信号传输及提高可靠度将成为重要议题。

一般解决软板电磁干扰问题，可以藉助布线路径设计例如对复杂的走线设计，可以采用一个信号传输层搭配一个接地层，如此可以降低电磁干扰。另一种方式，可以将软板信号走线结合有电磁干扰防护功能的遮蔽材料来确保良好的接地作用，进而达到抑制电磁干扰的目的。

市面上已见的电磁干扰遮蔽材料是利用导电贴胶膜，通常是以真空溅镀或化学沉积方式在导电贴胶膜材料上沉积单层或多层例如银、铜或镍等导电金属薄膜，藉此提升导电贴胶膜材料对电磁干扰的遮蔽能力。然而，真空溅镀和化学沉积的设备昂贵，且在工艺上需要在真空高温下进行，操作成本较高。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种电磁干扰遮蔽薄膜，可以降低电磁干扰遮蔽薄膜的成本及减少电磁干扰遮蔽薄膜的厚度。

为达上述目的，本实用新型提供一种电磁干扰遮蔽薄膜，其包括：

一载体膜；

一遮蔽层，为涂布在该载体膜上的一金属层；

一粘着层，形成于该遮蔽层上；

该电磁干扰遮蔽薄膜的总厚度介于25至140微米之间。

上述的电磁干扰遮蔽薄膜，其中该载体膜为聚酰亚胺、PE、环氧树脂、PET、PC、PP或压克力材料膜，该载体膜的厚度为7.5微米至25微米。

上述的电磁干扰遮蔽薄膜，其中该载体膜经由化学性、物理性或机械性表面处理所形成的表面处理层的厚度为0.1至6微米之间。

上述的电磁干扰遮蔽薄膜，其中该载体膜的表面为粗化表面。

上述的电磁干扰遮蔽薄膜，其中该载体膜为半熟化的高分子材料。

上述的电磁干扰遮蔽薄膜，其中该遮蔽层为金、银、铜、铝、铁、镍或合金材料层，该遮蔽层的厚度为0.5至4微米之间。

上述的电磁干扰遮蔽薄膜，其中该粘着层的厚度为7至30微米之间。

上述的电磁干扰遮蔽薄膜，其中更包含一离型层，该离型层的厚度为10微米至75微米之间。

以下结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细描述，但不作为对本实用新型的限定。

附图说明

图1显示本实用新型的一实施例的电磁干扰遮蔽薄膜。

其中，附图标记10   电磁干扰遮蔽薄膜

101   载体膜

102   表面处理层

104   遮蔽层

106   粘着层

108   离型层

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的结构原理和工作原理作具体的描述：

请参考图1，图1显示本实用新型的一实施例的电磁干扰遮蔽薄膜，如图1所示，电磁干扰遮蔽薄膜10由上至下依序是载体膜101、表面处理层102、遮蔽层104、粘着层106及离型膜108。此电磁干扰遮蔽薄膜10的总厚度可介于25至140微米之间。

载体膜101可以是含有聚酰亚胺(PI)、PE、环氧树脂、PET、PC、PP及亚克力等其中一种或一种以上的高分子材料所形成的保护膜，成份中尚可添加填充材料，有助于不同相的电磁波在保护膜中因绕射而加快电磁波消除。载体膜101的功用是提供绝缘、耐蚀与耐压功能，且具有优良的电气绝缘性、优异的耐高温性，以及尺寸安定性，适合做高温涂布工艺基材的使用。载体膜101的厚度可为7.5微米至25微米。

本实用新型的一实施例，为了增加载体膜101与后续形成在其上的遮蔽层104的接着力，载体膜101可经由化学性、物理性或机械性表面处理，在载体膜101的表面上形成一表面处理层102。表面处理层102厚度为0.1微米至6微米。化学性表面处理可使用硅烷偶联剂，使载体膜的表面粗化，以增加载体膜101与后续形成在其上的遮蔽层104的接着力。物理性表面处理可使用电晕放电，使载体膜的表面粗化，以增加载体膜101与后续形成在其上的遮蔽层104的接着力。机械性表面处理可使用毛刷或喷砂，使载体膜的表面粗化，以增加载体膜101与后续形成在其上的遮蔽层104的接着力。于另一实施例，载体膜101是半熟化的高分子材料，其粘度高，与后续形成在其上的遮蔽层104的接着力良好。于此实施例，表面处理层102可以被省略。

遮蔽层104的成份是选自由金、银、铜、铝、铁及镍的金属或合金所组成的族群所形成的一材料。遮蔽层104的厚度为0.5至4微米之间。

粘着层106的成份是聚酰亚胺(PI)、PE、环氧树脂、PET、PC、PP、PU、PMMA等其中一种或一种以上的高分子材料。粘着层106中尚可添加金属粉末。粘着层106最主要的功能是将电磁干扰遮蔽层104与软板结合，粘着层106厚度为7微米至30微米。内含金属粉末的粘着层106与软板压合后，可导电以提供磁波导通的功能，且可提供接地功能，以保护线路。

离型层108的成份是聚酰亚胺(PI)、环氧树脂、PE、PET、PC、PP及PMMA等其中一种或一种以上的高分子材料。离型层108的功能是保护粘着层106防止受到外界环境的污染及具有表面离型作用，该电磁干扰遮蔽薄膜10使用时会将离型层108撕去，其厚度为10微米至75微米之间。

(实施例)

（实施例1）

本实用新型的电磁干扰遮蔽薄膜可藉由下列的工艺步骤完成，其工艺步骤如下：

提供7.5至25之间微米厚的聚酰亚胺薄膜，于聚酰亚胺薄膜的表面上涂布硅烷偶联剂，使聚酰亚胺薄膜的表面粗化而形成一表面处理层，并于聚酰亚胺薄膜的表面处理层上，以涂布法方式涂布一层银，以高温(180℃)烘烤去除溶剂后转为氧化还原反应，使表面形成一金属层，并在金属层表面上贴上具有粘着层的离型层(粘着层加离型层)。具有粘着层的离型层的制作是于离型层表面上涂布7微米至30微米厚度的导电树脂。

(实施例2）

本实用新型的电磁干扰遮蔽薄膜可藉由下列的工艺步骤完成，其工艺步骤如下：

提供7.5至25之间微米厚的半熟化聚酰亚胺薄膜，以涂布法方式在半熟化聚酰亚胺薄膜上涂布一层银，以高温(180℃)烘烤去除溶剂后转为氧化还原反应，使表面形成一金属层，接着进行熟化烘烤工艺，以达成金属层与半熟化聚酰亚胺薄膜的附着力。最后在金属层表面上贴上具有粘着层的离型层(粘着层加离型层)。具有粘着层的离型层的制作是于离型层表面上涂布7微米至30微米厚度的导电树脂。

当然，本实用新型还可有其它多种实施例，在不背离本实用新型精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本实用新型作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本实用新型所附的权利要求的保护范围。

Claims (8)

1.一种电磁干扰遮蔽薄膜，其特征在于，包括：

一载体膜；

一遮蔽层，为涂布在该载体膜上的一金属层；

一粘着层，形成于该遮蔽层上；

该电磁干扰遮蔽薄膜的总厚度介于25至140微米之间。

2.根据权利要求1所述的电磁干扰遮蔽薄膜，其特征在于，该载体膜为聚酰亚胺、PE、环氧树脂、PET、PC、PP或压克力材料膜，该载体膜的厚度为7.5微米至25微米。

3.根据权利要求2所述的电磁干扰遮蔽薄膜，其特征在于，该载体膜经由化学性、物理性或机械性表面处理所形成的表面处理层的厚度为0.1至6微米之间。

4.根据权利要求3所述的电磁干扰遮蔽薄膜，其特征在于，该载体膜的表面为粗化表面。

5.根据权利要求2所述的电磁干扰遮蔽薄膜，其特征在于，该载体膜为半熟化的高分子材料。

6.根据权利要求1所述的电磁干扰遮蔽薄膜，其特征在于，该遮蔽层为金、银、铜、铝、铁、镍或合金材料层，该遮蔽层的厚度为0.5至4微米之间。

7.根据权利要求1所述的电磁干扰遮蔽薄膜，其特征在于，该粘着层的厚度为7至30微米之间。

8.根据权利要求1所述的电磁干扰遮蔽薄膜，其特征在于，更包含一离型层，该离型层的厚度为10微米至75微米之间。