CN203631546U - 一种大功率集成封装芯片排布结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种大功率集成封装芯片排布结构，包括集成基板和若干组LED发光芯片组，LED发光芯片组由若干个LED发光芯片构成，LED发光芯片组设于集成基板上，相邻的LED发光芯片组交错布置。本实用新型采用采用LED发光芯片组交错式布置的结构，可增大单颗LED发光芯片底部发热点的散热面积，使热均匀快速有效的分布在集成基板，从而提高整体散热效果；且因LED发光芯片组交错式排布，其LED发光芯片侧边光发面不会因芯片密集排布而使侧边光无法完全导出，使LED发光芯片侧发光边的光得以充分利用，产品的亮度比常规结构的产品亮度提升1.2%。
Description
技术领域
本实用新型涉及大功率集成LED照明技术领域，具体涉及一种大功率集成封装芯片排布结构。
背景技术
现有的大功率集成（功率在10W～100W）封装芯片排布结构（LightEmittingDiode,发光二极管），多采用十串几并电路设计，一般是把十串LED发光芯片呈直线式布置在集成基板固焊区中，串联芯片通过金线焊接后导通，或者是其他材料线与线连接后导通并在其灌胶区域内填充胶水密封。这些封装方案还存在如下缺点：
1、因LED产品是由芯片发光，发热的，如LED发光芯片不是与固焊区基板直接接触，而是通过具有导热功能的底胶物质将其固定连接，因是通过二次导热，散热效果降低；
2、芯片又是呈直线放置，排布太过密集，整体散热效果差，单颗芯片底部热量难散出使之于影响芯片寿命。
3、LED发光芯片为五面发光体，密集排布会阻碍四侧出光利用率等缺点。
实用新型内容
本实用新型的目的在于公开了一种大功率集成封装芯片排布结构，解决了现有技术中大瓦数集成式LED封装结构存在的散热效果不好，出光效果差的问题。
为达到上述目的，本实用新型采用如下技术方案：
一种大功率集成封装芯片排布结构，包括集成基板和若干组LED发光芯片组，LED发光芯片组由若干个LED发光芯片构成，LED发光芯片组设于集成基板上，相邻的LED发光芯片组交错布置。
进一步，所示LED发光芯片组由两个LED发光芯片构成。
进一步，所述两个LED发光芯片沿着LED发光芯片组的布置方向X轴布置。
进一步，所述相邻的LED发光芯片组之间在Y轴方向上的距离D1大于或等于所述LED发光芯片的宽，Y轴垂直于X轴。
进一步，相邻的所述LED发光芯片在X轴上的间距D2大于或等于3mm。
进一步，所述集成基板设有固焊区和位于固焊区上的发光区，所述LED发光芯片设于固焊区的底面且通过底胶固定，固焊区填充有荧光胶，发光区填充有外封胶。
进一步，所述LED发光芯片直接接触所述固焊区的底面。
进一步，所述LED发光芯片的电极通过导线彼此连接。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果：
本实用新型采用LED发光芯片组交错式布置的结构，可增大单颗LED发光芯片底部发热点的散热面积，使热均匀快速有效的分布在集成基板，从而提高整体散热效果；且因LED发光芯片组交错式排布，其LED发光芯片侧边光发面不会因芯片密集排布而使侧边光无法完全导出，使LED发光芯片侧发光边的光得以充分利用，产品的亮度比常规结构的产品亮度提升1.2%。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实用新型大功率集成封装芯片排布结构的正视示意图；
图2是图1的立体示意图；
图3是图1的剖面结构示意图；
图中，1-集成基板；11-固焊区；12-发光区；2-LED发光芯片组；21-LED发光芯片；3-底胶；4-荧光胶；5-外封胶；6-导线。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。
如图1至图3所示实施例一种大功率集成封装芯片排布结构，包括集成基板1和若干组LED发光芯片组2，LED发光芯片组2由若干个LED发光芯片21构成，LED发光芯片组2设于集成基板1上，相邻的LED发光芯片组2交错布置。LED发光芯片组2交错式的规律布置，可增大单颗LED发光芯片21底部发热点的散热面积，使热均匀快速有效的分布在集成基板1，从而提高整体散热效果；且因LED发光芯片组2交错式排布，其LED发光芯片21侧边光发面不会因芯片密集排布而使侧边光无法完全导出，使LED发光芯片21侧发光边的光得以充分利用。
本实施例中的LED发光芯片组2由两个LED发光芯片21构成。两个LED发光芯片21沿着LED发光芯片组2的布置方向X轴布置。相邻的LED发光芯片组2之间在Y轴方向上的距离D1大于或等于LED发光芯片21的宽，Y轴垂直于X轴。相邻的LED发光芯片21在X轴上的间距D2大于或等于3mm。
集成基板1设有固焊区11和位于固焊区11上的发光区12，LED发光芯片21设于固焊区11的底面，且LED发光芯片21通过具有高导热功能的底胶3固定，固焊区11填充有荧光胶4，发光区12填充有外封胶5。LED发光芯片21直接接触固焊区11的底面。LED发光芯片21的电极通过导线6彼此连接。
本实施例一种大功率集成封装芯片排布结构的其它结构参见现有技术。
作为对本实施例的进一步说明，现说明实现其结构的方法：
S1、将LED发光芯片组2两两交错式分布在固焊区11；
S2、固定LED发光芯片21：将LED发光芯片21固定在固焊区11的底面，并对LED发光芯片21固定的底胶3.进行烘烤固化；
S3、连接导线6：通过导线6连接固定的LED发光芯片21的电极，并集成基板1；
S4、填充荧光胶4：荧光粉与外封胶水混合后将固焊区11填充满并烘烤；
S5、填充外封胶5：在荧光胶上层用胶水进行灌封整个发光区12并烘烤。
本实用新型并不局限于上述实施方式，如果对本实用新型的各种改动或变型不脱离本实用新型的精神和范围，倘若这些改动和变型属于本实用新型的权利要求和等同技术范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型。
Claims (8)
1.一种大功率集成封装芯片排布结构，其特征是：包括集成基板和若干组LED发光芯片组，LED发光芯片组由若干个LED发光芯片构成，LED发光芯片组设于集成基板上，相邻的LED发光芯片组交错布置。
2.根据权利要求1所述一种大功率集成封装芯片排布结构，其特征是：所示LED发光芯片组由两个LED发光芯片构成。
3.根据权利要求2所述一种大功率集成封装芯片排布结构，其特征是：所述两个LED发光芯片沿着LED发光芯片组的布置方向X轴布置。
4.根据权利要求3所述一种大功率集成封装芯片排布结构，其特征是：所述相邻的LED发光芯片组之间在Y轴方向上的距离D1大于或等于所述LED发光芯片的宽，Y轴垂直于X轴。
5.根据权利要求1至4任意一项所述一种大功率集成封装芯片排布结构，其特征是：相邻的所述LED发光芯片在X轴上的间距D2大于或等于3mm。
6.根据权利要求1所述一种大功率集成封装芯片排布结构，其特征是：所述集成基板设有固焊区和位于固焊区上的发光区，所述LED发光芯片设于固焊区的底面且通过底胶固定，固焊区填充有荧光胶，发光区填充有外封胶。
7.根据权利要求6所述一种大功率集成封装芯片排布结构，其特征是：所述LED发光芯片直接接触所述固焊区的底面。
8.根据权利要求1所述一种大功率集成封装芯片排布结构，其特征是：所述LED发光芯片的电极通过导线彼此连接。
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105896621A (zh) * | 2016-04-12 | 2016-08-24 | 全球能源互联网研究院 | 一种电力线自取能系统 |
| CN112289780A (zh) * | 2020-10-14 | 2021-01-29 | 深圳市同一方光电技术有限公司 | Led封装结构、加工方法、灯带及灯具 |
| CN112325212A (zh) * | 2019-07-31 | 2021-02-05 | 嘉兴山蒲照明电器有限公司 | 一种led灯具 |
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